JPH04357836A - 半導体ウエハー洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハー洗浄装置Info
- Publication number
- JPH04357836A JPH04357836A JP13263291A JP13263291A JPH04357836A JP H04357836 A JPH04357836 A JP H04357836A JP 13263291 A JP13263291 A JP 13263291A JP 13263291 A JP13263291 A JP 13263291A JP H04357836 A JPH04357836 A JP H04357836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- semiconductor wafer
- chemicals
- stopper
- chemical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 64
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 73
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 3
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ製造の洗
浄工程における、半導体ウエハー洗浄装置に関するもの
である。
浄工程における、半導体ウエハー洗浄装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体ウエハー洗浄装置は、パー
ティクル除去能力が高く、金属不純物吸着が少なく、ウ
エハー面内で均一な洗浄がなされるように開発されつつ
ある。
ティクル除去能力が高く、金属不純物吸着が少なく、ウ
エハー面内で均一な洗浄がなされるように開発されつつ
ある。
【０００３】以下、図面を参照しながら、上記した従来
の半導体ウエハー洗浄装置の一例について説明する。図
３は、従来の半導体ウエハー洗浄装置の概略正面図を示
すものである。図３において、１は水洗ノズルで、半導
体ウエハー２を純水でリンスするときに用いる。３は薬
液ノズルで、半導体ウエハー２を薬液を用いて洗浄する
ときに用いる。４はウエハーチャックでウエハー２を固
定させる。
の半導体ウエハー洗浄装置の一例について説明する。図
３は、従来の半導体ウエハー洗浄装置の概略正面図を示
すものである。図３において、１は水洗ノズルで、半導
体ウエハー２を純水でリンスするときに用いる。３は薬
液ノズルで、半導体ウエハー２を薬液を用いて洗浄する
ときに用いる。４はウエハーチャックでウエハー２を固
定させる。
【０００４】以上のように構成された従来の半導体ウエ
ハー洗浄装置について、以下その動作について説明する
。
ハー洗浄装置について、以下その動作について説明する
。
【０００５】まず、半導体ウエハー２はウエハー搬送装
置によってウエハーチャック４によって固定される。そ
の後、ウエハーチャック４を回転させた状態で、薬液ノ
ズル３から薬液を噴出させる。その後、薬液の噴出を止
め、代わりに水洗ノズル１から純水を噴出させ半導体ウ
エハー２を水洗する。その後、水洗を終了し、半導体ウ
エハー２を回転状態で乾燥する。最後に、ウエハー搬送
装置によってウエハーチャック４から半導体ウエハー２
を移動させて洗浄を終了する（例えば、特開昭号６３−
１４４３４号公報）。
置によってウエハーチャック４によって固定される。そ
の後、ウエハーチャック４を回転させた状態で、薬液ノ
ズル３から薬液を噴出させる。その後、薬液の噴出を止
め、代わりに水洗ノズル１から純水を噴出させ半導体ウ
エハー２を水洗する。その後、水洗を終了し、半導体ウ
エハー２を回転状態で乾燥する。最後に、ウエハー搬送
装置によってウエハーチャック４から半導体ウエハー２
を移動させて洗浄を終了する（例えば、特開昭号６３−
１４４３４号公報）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、薬液ノズル３から噴出させた薬液は、
半導体ウエハー２表面から流れさるために、薬液使用量
は非常に多いという問題点を有していた。更に、例えば
、フォトレジスト除去洗浄に用いる硫酸と過酸化水素水
の混合液を用いた洗浄の場合、使用温度は１３０℃以上
であるため、使用量が増加すると、薬液を昇温するのが
困難になるなどの問題点も有していた。使用した薬液を
循環装置を用いて再利用する方法も取られているが、薬
液の純度が低下するため、ウエハー洗浄としては、あま
り適してはいなかった。
ような構成では、薬液ノズル３から噴出させた薬液は、
半導体ウエハー２表面から流れさるために、薬液使用量
は非常に多いという問題点を有していた。更に、例えば
、フォトレジスト除去洗浄に用いる硫酸と過酸化水素水
の混合液を用いた洗浄の場合、使用温度は１３０℃以上
であるため、使用量が増加すると、薬液を昇温するのが
困難になるなどの問題点も有していた。使用した薬液を
循環装置を用いて再利用する方法も取られているが、薬
液の純度が低下するため、ウエハー洗浄としては、あま
り適してはいなかった。
【０００７】本発明は、上記問題点に鑑み、枚葉処理洗
浄装置において薬液使用量を低減させ、更に、ウエハー
洗浄能力を高めた半導体ウエハー洗浄装置を提供するこ
とを目的とする。
浄装置において薬液使用量を低減させ、更に、ウエハー
洗浄能力を高めた半導体ウエハー洗浄装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体ウエハー洗浄装置は、マイクロ波発生
器または昇温ランプと、半導体ウエハー上に薬液を溜め
る薬液ストッパー機構とを備えたものである。
に本発明の半導体ウエハー洗浄装置は、マイクロ波発生
器または昇温ランプと、半導体ウエハー上に薬液を溜め
る薬液ストッパー機構とを備えたものである。
【０００９】
【作用】本発明は、上記した構成によって、半導体ウエ
ハー上に一定量の薬液が溜まり、その薬液がマイクロ波
発生器または昇温ランプで昇温され、半導体ウエハー面
内で均一に洗浄能力が高くなり、薬液使用量も削減され
る。
ハー上に一定量の薬液が溜まり、その薬液がマイクロ波
発生器または昇温ランプで昇温され、半導体ウエハー面
内で均一に洗浄能力が高くなり、薬液使用量も削減され
る。
【００１０】
【実施例】以下本発明の一実施例の半導体ウエハー洗浄
装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、
本発明の一実施例における半導体ウエハー洗浄装置の概
略断面図を示すものである。図１において、１〜４は図
３の従来例と同じであるので説明を省略する。１１はマ
イクロ波を発生させるマグネットロン、１２はマイクロ
波をウエハー２に均一に照射するためのフード、１３は
一定量の薬液をウエハー２上に溜めるための薬液ストッ
パーで、ウエハー径の大きさでリング状の形状をしてい
る。１４は薬液ストッパー昇降機で、洗浄後、薬液スト
ッパー１３を半導体ウエハー２と密着させたり上昇させ
、薬液を廃液する機能をもっている。１５は半導体ウエ
ハー２上に溜めている薬液である。
装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、
本発明の一実施例における半導体ウエハー洗浄装置の概
略断面図を示すものである。図１において、１〜４は図
３の従来例と同じであるので説明を省略する。１１はマ
イクロ波を発生させるマグネットロン、１２はマイクロ
波をウエハー２に均一に照射するためのフード、１３は
一定量の薬液をウエハー２上に溜めるための薬液ストッ
パーで、ウエハー径の大きさでリング状の形状をしてい
る。１４は薬液ストッパー昇降機で、洗浄後、薬液スト
ッパー１３を半導体ウエハー２と密着させたり上昇させ
、薬液を廃液する機能をもっている。１５は半導体ウエ
ハー２上に溜めている薬液である。
【００１１】以上のように構成させた半導体ウエハー洗
浄装置について、その動作を説明する。
浄装置について、その動作を説明する。
【００１２】最初に、ウエハー搬送機から、図１の洗浄
装置に半導体ウエハー２が搬送される。次に、半導体ウ
エハー２の裏面がウエハーチャック４によってチャック
される。その後、薬液ストッパー１３が薬液ストッパー
昇降機１４によって半導体ウエハー２に密着させる。次
に、薬液ノズル３から薬液（例えば、硫酸と過酸化水素
水の混合液）が半導体ウエハー２上に噴出される。薬液
は半導体ウエハー２上に薬液ストッパー１３の高さまで
溜まることになる。半導体ウエハー２上に溜まった薬液
の温度を上昇させるため、マグネトロン１１から例えば
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、半導体ウエハ
ー２上に溜まった薬液に照射する。電子レンジのように
、マイクロ波照射を行うことによって、薬液温度が上昇
し、半導体ウエハー２表面が洗浄させる。薬液によるウ
エハー洗浄が完了した後、薬液ストッパー１３が薬液ス
トッパー昇降機１４によって上昇し、薬液は廃液される
。次に、薬液ストッパー１３が半導体ウエハー２から離
れた状態で、ウエハーチャック４が回転子、水洗ノズル
１から純水が噴出する。半導体ウエハー２の回転および
純水の噴出により半導体ウエハー２は、純水リンスされ
ることになる。最後に、純水噴出を停止し、半導体ウエ
ハー２を高速回転にすることによって、半導体ウエハー
２を乾燥し終了する。
装置に半導体ウエハー２が搬送される。次に、半導体ウ
エハー２の裏面がウエハーチャック４によってチャック
される。その後、薬液ストッパー１３が薬液ストッパー
昇降機１４によって半導体ウエハー２に密着させる。次
に、薬液ノズル３から薬液（例えば、硫酸と過酸化水素
水の混合液）が半導体ウエハー２上に噴出される。薬液
は半導体ウエハー２上に薬液ストッパー１３の高さまで
溜まることになる。半導体ウエハー２上に溜まった薬液
の温度を上昇させるため、マグネトロン１１から例えば
２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、半導体ウエハ
ー２上に溜まった薬液に照射する。電子レンジのように
、マイクロ波照射を行うことによって、薬液温度が上昇
し、半導体ウエハー２表面が洗浄させる。薬液によるウ
エハー洗浄が完了した後、薬液ストッパー１３が薬液ス
トッパー昇降機１４によって上昇し、薬液は廃液される
。次に、薬液ストッパー１３が半導体ウエハー２から離
れた状態で、ウエハーチャック４が回転子、水洗ノズル
１から純水が噴出する。半導体ウエハー２の回転および
純水の噴出により半導体ウエハー２は、純水リンスされ
ることになる。最後に、純水噴出を停止し、半導体ウエ
ハー２を高速回転にすることによって、半導体ウエハー
２を乾燥し終了する。
【００１３】以上のように本実施例によれば、マイクロ
波発生器であるマグネトロン１１と、半導体ウエハー２
上に薬液を溜める機構を設けることにより、半導体ウエ
ハー２面内均一で、高温で洗浄能力が高く、薬液使用量
を削減することができる。
波発生器であるマグネトロン１１と、半導体ウエハー２
上に薬液を溜める機構を設けることにより、半導体ウエ
ハー２面内均一で、高温で洗浄能力が高く、薬液使用量
を削減することができる。
【００１４】次に本発明の第２の実施例について、図面
を参照しながら説明する。図２は、本発明の第２の実施
例を示す半導体ウエハー洗浄装置の概略断面図である。 図２において、第１の実施例（図１）と異なる点は、半
導体ウエハー２上に溜めた薬液の昇温方法である。
を参照しながら説明する。図２は、本発明の第２の実施
例を示す半導体ウエハー洗浄装置の概略断面図である。 図２において、第１の実施例（図１）と異なる点は、半
導体ウエハー２上に溜めた薬液の昇温方法である。
【００１５】第１の実施例では、図１においてマグネト
ロン１１から発生したマイクロ波によって昇温していた
が、第２の実施例では、昇温ランプ１６によって昇温す
る。
ロン１１から発生したマイクロ波によって昇温していた
が、第２の実施例では、昇温ランプ１６によって昇温す
る。
【００１６】以上のように本実施例によれば、昇温ラン
プ１６と、半導体ウエハー２上に薬液を溜める機構を設
けることにより、半導体ウエハー２面内均一で、高温で
洗浄能力が高く、薬液使用量を削減することができる。 更に、マイクロ波等による負傷の影響もなく清浄な洗浄
を行うことができる。
プ１６と、半導体ウエハー２上に薬液を溜める機構を設
けることにより、半導体ウエハー２面内均一で、高温で
洗浄能力が高く、薬液使用量を削減することができる。 更に、マイクロ波等による負傷の影響もなく清浄な洗浄
を行うことができる。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明は、マイクロ波発生
器または昇温ランプと、半導体ウエハー上に薬液を溜め
る薬液ストッパー機構を設けることにより、半導体ウエ
ハー面内均一で、高温で洗浄能力が高く、薬液使用量を
削減できる半導体ウエハー洗浄装置を提供できる。
器または昇温ランプと、半導体ウエハー上に薬液を溜め
る薬液ストッパー機構を設けることにより、半導体ウエ
ハー面内均一で、高温で洗浄能力が高く、薬液使用量を
削減できる半導体ウエハー洗浄装置を提供できる。
【図１】本発明の第１の実施例における半導体ウエハー
洗浄装置の概略断面図
洗浄装置の概略断面図
【図２】本発明の第２の実施例における半導体ウエハー
洗浄装置の概略断面図
洗浄装置の概略断面図
【図３】従来の半導体ウエハー洗浄装置の概略正面図
１ 水洗ノズル
２ 半導体ウエハー
３ 薬液ノズル
４ ウエハーチャック
１１ マグネトロン（マイクロ波発生器）１２ フ
ード １３ 薬液ストッパー １４ 薬液ストッパー昇降機 １５ 薬液
ード １３ 薬液ストッパー １４ 薬液ストッパー昇降機 １５ 薬液
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウエハー上に薬液を溜める薬液
ストッパー機構と、その薬液ストッパー機構内に溜まっ
た薬液の温度を上昇させるためのマイクロ波発生器とを
少なくとも備えたことを特徴とする半導体ウエハー洗浄
装置。 - 【請求項２】 マイクロ波発生器に代えて、昇温ラン
プを用いたことを特徴とする請求項１記載の半導体ウエ
ハー洗浄装置。 - 【請求項３】 枚葉で半導体ウエハーを搬送する機構
と、前記半導体ウエハーをチャックする機構と、薬液を
噴出するノズルと、純水を噴出するノズルとを設けたこ
とを特徴とする請求項１または２記載の半導体ウエハー
洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13263291A JPH04357836A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 半導体ウエハー洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13263291A JPH04357836A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 半導体ウエハー洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357836A true JPH04357836A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=15085870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13263291A Pending JPH04357836A (ja) | 1991-06-04 | 1991-06-04 | 半導体ウエハー洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04357836A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6041799A (en) * | 1996-11-08 | 2000-03-28 | Nec Corporation | Microwave-excitation cleaning and rinsing apparatus |
| US6116254A (en) * | 1995-03-30 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Cleaning method and system of semiconductor substrate and production method of cleaning solution |
| KR20010027577A (ko) * | 1999-09-14 | 2001-04-06 | 김영환 | 반도체 현상장비의 린스액가열장치 |
| US6261853B1 (en) | 2000-02-07 | 2001-07-17 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement |
| KR20030021581A (ko) * | 2001-09-06 | 2003-03-15 | 씨엘디 주식회사 | 세정 장치 및 그를 이용한 세정 방법 |
| US6714300B1 (en) | 1998-09-28 | 2004-03-30 | Therma-Wave, Inc. | Optical inspection equipment for semiconductor wafers with precleaning |
| US6861619B1 (en) | 2000-02-07 | 2005-03-01 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement |
| WO2013061831A1 (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1991
- 1991-06-04 JP JP13263291A patent/JPH04357836A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6116254A (en) * | 1995-03-30 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Cleaning method and system of semiconductor substrate and production method of cleaning solution |
| US6041799A (en) * | 1996-11-08 | 2000-03-28 | Nec Corporation | Microwave-excitation cleaning and rinsing apparatus |
| KR100330676B1 (ko) * | 1996-11-08 | 2002-06-20 | 가네꼬 히사시 | 마이크로파여기세정및린싱장치 |
| US6714300B1 (en) | 1998-09-28 | 2004-03-30 | Therma-Wave, Inc. | Optical inspection equipment for semiconductor wafers with precleaning |
| US7068370B2 (en) | 1998-09-28 | 2006-06-27 | Therma-Wave, Inc. | Optical inspection equipment for semiconductor wafers with precleaning |
| KR20010027577A (ko) * | 1999-09-14 | 2001-04-06 | 김영환 | 반도체 현상장비의 린스액가열장치 |
| US6261853B1 (en) | 2000-02-07 | 2001-07-17 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement |
| US6624393B2 (en) | 2000-02-07 | 2003-09-23 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement |
| US6861619B1 (en) | 2000-02-07 | 2005-03-01 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for preparing semiconductor wafers for measurement |
| KR20030021581A (ko) * | 2001-09-06 | 2003-03-15 | 씨엘디 주식회사 | 세정 장치 및 그를 이용한 세정 방법 |
| WO2013061831A1 (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2013093380A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR20140079338A (ko) * | 2011-10-24 | 2014-06-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US9266153B2 (en) | 2011-10-24 | 2016-02-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7037853B2 (en) | Wafer cleaning apparatus | |
| JP6168271B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| EP0618611A2 (en) | Method and apparatus for washing substrates | |
| KR20020000717A (ko) | 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 | |
| JP7149087B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| TW201523163A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| JPH04357836A (ja) | 半導体ウエハー洗浄装置 | |
| JP6593591B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| US20030136513A1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
| KR100912702B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| JP2002016038A (ja) | 半導体ウェハ洗浄装置及びこれを利用した半導体ウェハ洗浄方法 | |
| JPH088222A (ja) | スピンプロセッサ | |
| JP4286336B2 (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
| KR100602115B1 (ko) | 습식 세정장치 및 세정방법 | |
| JPH06196465A (ja) | 半導体ウエハの洗浄装置 | |
| JPH07115081A (ja) | 処理装置 | |
| KR101044409B1 (ko) | 기판 세정 방법 | |
| JPH0831435B2 (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| JP6191954B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP3540550B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| KR20110133280A (ko) | 반도체 기판의 세정 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 세정 방법 | |
| KR20090016231A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| JP2009026948A (ja) | 基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法 | |
| KR100909337B1 (ko) | 습식 세정 방법 및 이를 제어하는 습식 세정 장치 콘트롤러 | |
| JP2004047597A (ja) | ポリマー除去方法 |