JPH04355758A - 位相変化マスクの製造方法 - Google Patents
位相変化マスクの製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子の製造工程に
用いられるマスクの製造方法に関し、特に光強度の差が
ないよう位相変化膜の厚さの調節を正確にすると共に、
膜の側壁構造を改善することができる位相変化マスクの
製造方法に関する。
用いられるマスクの製造方法に関し、特に光強度の差が
ないよう位相変化膜の厚さの調節を正確にすると共に、
膜の側壁構造を改善することができる位相変化マスクの
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、光が通過するマスクの厚さの
変化によりマスクを通過した光は位相差を有するように
なる。
変化によりマスクを通過した光は位相差を有するように
なる。
【０００３】このような位相の異なる光を得ることがで
きるマスクを、位相変化マスクという。即ち、図１の（
ｃ）に示したように、位相変化膜１の厚さが異なるよう
になると、同図の（ｂ）のように、位相変化膜１の厚さ
が厚い所を通過した光（ＬＴ）の電界と、厚さが薄い所
を通過した光（ＬＴ）の電界とは、異なる位相を有する
ので、光強度は同図の（ａ）に示したようになる。ここ
で図面符号２は光遮断膜を表わす。
きるマスクを、位相変化マスクという。即ち、図１の（
ｃ）に示したように、位相変化膜１の厚さが異なるよう
になると、同図の（ｂ）のように、位相変化膜１の厚さ
が厚い所を通過した光（ＬＴ）の電界と、厚さが薄い所
を通過した光（ＬＴ）の電界とは、異なる位相を有する
ので、光強度は同図の（ａ）に示したようになる。ここ
で図面符号２は光遮断膜を表わす。
【０００４】前述したような位相変化マスクを製造する
従来の方法には、位相変化膜の正確な厚さの調節のため
、膜の下地層である石英層を通常の乾式エッチング法で
直接エッチングする方法があるが、これは図２に示した
ように、エッチング面積比率に対してエッチング速度が
変化するので、実際には１次エッチングでエッチング量
の８０〜９０％程を予想してエッチングした後、エッチ
ングの深さをスタイラスプロファイラ（ｓｔｙｌｕｓ
ｐｒｏｆｉｌｅｒ）等で直接接触する方法により測定
し、残余分を２次に乾式エッチングする方法である。
従来の方法には、位相変化膜の正確な厚さの調節のため
、膜の下地層である石英層を通常の乾式エッチング法で
直接エッチングする方法があるが、これは図２に示した
ように、エッチング面積比率に対してエッチング速度が
変化するので、実際には１次エッチングでエッチング量
の８０〜９０％程を予想してエッチングした後、エッチ
ングの深さをスタイラスプロファイラ（ｓｔｙｌｕｓ
ｐｒｏｆｉｌｅｒ）等で直接接触する方法により測定
し、残余分を２次に乾式エッチングする方法である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような位
相変化マスク製造方法は、エッチングされた深さを直接
接触する方法により測定するので、正確度が劣るのみな
らず、測定される部位と実際に測定された部位とが相違
し、エッチングされた深さの正確な測定が根本的に不可
能なので、エチングされた深さの正確度が劣るという欠
点があり、また、マスク内のエッチング面積の密度が位
置によって異なるので、エッチングの均一度が非常によ
くないという欠点があった。このような欠点を除去する
ため、図３に示したような位相変化膜の下地層１１と位
相変化層１２との間に、第３の物質ＥＳ（Ｓｉ３ Ｎ４
、Ａｌ２ Ｏ３ 等）を追加し、エッチング停止層Ｅ
Ｓとして使用する位相変化マスクの製造方法も提案され
てあるが、この方法は正確な深さでエッチングすること
ができるという長所はあるが、エッチング停止層ＥＳの
屈折率が下地層１１や位相変化層１２の屈折率と相違し
、各層間の屈折率の差により透過率が変化して光強度の
差が発生し、製造工程が複雑であるという欠点がある。
相変化マスク製造方法は、エッチングされた深さを直接
接触する方法により測定するので、正確度が劣るのみな
らず、測定される部位と実際に測定された部位とが相違
し、エッチングされた深さの正確な測定が根本的に不可
能なので、エチングされた深さの正確度が劣るという欠
点があり、また、マスク内のエッチング面積の密度が位
置によって異なるので、エッチングの均一度が非常によ
くないという欠点があった。このような欠点を除去する
ため、図３に示したような位相変化膜の下地層１１と位
相変化層１２との間に、第３の物質ＥＳ（Ｓｉ３ Ｎ４
、Ａｌ２ Ｏ３ 等）を追加し、エッチング停止層Ｅ
Ｓとして使用する位相変化マスクの製造方法も提案され
てあるが、この方法は正確な深さでエッチングすること
ができるという長所はあるが、エッチング停止層ＥＳの
屈折率が下地層１１や位相変化層１２の屈折率と相違し
、各層間の屈折率の差により透過率が変化して光強度の
差が発生し、製造工程が複雑であるという欠点がある。
【０００６】本発明は、前記従来の位相変化マスク製造
方法らが有する欠点を除去するためのものであって、乾
式エッチングと湿式エッチング法とを混用してエッチン
グすることにより、膜の側壁プロファイルが垂直に維持
されながらエッチングの深さが正確に調節され、均一な
光強度を正確に保つことができる位相変化マスクの製造
方法を提供するにその目的がある。
方法らが有する欠点を除去するためのものであって、乾
式エッチングと湿式エッチング法とを混用してエッチン
グすることにより、膜の側壁プロファイルが垂直に維持
されながらエッチングの深さが正確に調節され、均一な
光強度を正確に保つことができる位相変化マスクの製造
方法を提供するにその目的がある。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の方法による位相変化マスクの
製造方法を図面を参照して説明する。
製造方法を図面を参照して説明する。
【０００８】図４の（ａ）〜（ｄ）は本発明による位相
変化マスクの製造方法を説明するための図であり、同図
の（ａ）を示したように、下地層である石英層２１上に
プラズマＣＶＤ法により位相変化膜２２を約３８００Å
程の厚さ（波長が３６５ｎｍであるＩ線石版印刷適用時
３６５ｎｍ／２（Ｎ−１）の厚さ；Ｎは屈折率）で蒸着
させ、前記位相変化膜２２上に、スパッタリング法によ
りクロム（Ｃｒ）等の光遮断膜２３を形成する。
変化マスクの製造方法を説明するための図であり、同図
の（ａ）を示したように、下地層である石英層２１上に
プラズマＣＶＤ法により位相変化膜２２を約３８００Å
程の厚さ（波長が３６５ｎｍであるＩ線石版印刷適用時
３６５ｎｍ／２（Ｎ−１）の厚さ；Ｎは屈折率）で蒸着
させ、前記位相変化膜２２上に、スパッタリング法によ
りクロム（Ｃｒ）等の光遮断膜２３を形成する。
【０００９】次いで、同図の（ｂ）に示したように、前
記光遮断膜２３上にフォトレジスト２４を塗布し、該フ
ォトレジスト２４を石版印刷法（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ
ｙ法）によりパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）し
、通常のエッチング法で前記光遮断膜２３の一部をエッ
チングする。その後、前記フォトレジスト２４を除去す
る。
記光遮断膜２３上にフォトレジスト２４を塗布し、該フ
ォトレジスト２４を石版印刷法（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ
ｙ法）によりパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）し
、通常のエッチング法で前記光遮断膜２３の一部をエッ
チングする。その後、前記フォトレジスト２４を除去す
る。
【００１０】更に、同図の（ｃ）に示したように、全面
にフォトレジスト２５を塗布し、そのフォトレジスト２
５を石版印刷法によりパターニングした後、エッチング
剤（ＣＦ４ ）による活性イオンエッチングである乾式
エッチングで、前記位相変化膜２２の一部を、図２のエ
ッチング面積比率に基づいて、全体エッチング量の８０
〜９０％程（表面から３５００Å〜３７００Åの深さ）
を異方性エッチングする。
にフォトレジスト２５を塗布し、そのフォトレジスト２
５を石版印刷法によりパターニングした後、エッチング
剤（ＣＦ４ ）による活性イオンエッチングである乾式
エッチングで、前記位相変化膜２２の一部を、図２のエ
ッチング面積比率に基づいて、全体エッチング量の８０
〜９０％程（表面から３５００Å〜３７００Åの深さ）
を異方性エッチングする。
【００１１】次に、同図の（ｄ）に示したように、エッ
チング剤（通常、ＨＦやＮＨ４ Ｆ＋ＣＨ３ ＋ＣＨ３
ＣＯＯＨ）による湿式エッチングで前記位相変化膜２
２の残留部分Ｒ（全体エッチング量の２０〜１０％）を
等方性エッチングする。
チング剤（通常、ＨＦやＮＨ４ Ｆ＋ＣＨ３ ＋ＣＨ３
ＣＯＯＨ）による湿式エッチングで前記位相変化膜２
２の残留部分Ｒ（全体エッチング量の２０〜１０％）を
等方性エッチングする。
【００１２】この時、前記クロムの光遮断膜２３と前記
石英層２１とのエッチング速度は夫々１０Å／ｍｉｎ
、５００Å／ｍｉｎ 程、前記位相変化膜２２のエッチ
ング速度は５０００〜９０００Å／ｍｉｎ 程となる。 従って、乾式エッチング時に形成された前記位相変化膜
２２の側壁傾斜を垂直に維持しながら、正確な厚さで前
記位相変化膜２２を湿式エッチングすることができる。 前記湿式エッチングの後、前記フォトレジスト２５を除
去し、望む位相変化マスクを得る。
石英層２１とのエッチング速度は夫々１０Å／ｍｉｎ
、５００Å／ｍｉｎ 程、前記位相変化膜２２のエッチ
ング速度は５０００〜９０００Å／ｍｉｎ 程となる。 従って、乾式エッチング時に形成された前記位相変化膜
２２の側壁傾斜を垂直に維持しながら、正確な厚さで前
記位相変化膜２２を湿式エッチングすることができる。 前記湿式エッチングの後、前記フォトレジスト２５を除
去し、望む位相変化マスクを得る。
【００１３】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の方法に
より製造された位相変化マスクは、位相変化膜のエッチ
ング時に、全体エッチング量の８０〜９０％を乾式エッ
チングで、残りの２０〜１０％を湿式エッチングでエッ
チングして製造されるので、エッチングされた深さの正
確度が高く、位相変化膜の厚さの均一性を維持すること
ができる長所があるのみならず、各層間の屈折率の差が
なくなり、透過光の変化率が最小化されるので、均一な
光強度を得ることができるという長所がある。
より製造された位相変化マスクは、位相変化膜のエッチ
ング時に、全体エッチング量の８０〜９０％を乾式エッ
チングで、残りの２０〜１０％を湿式エッチングでエッ
チングして製造されるので、エッチングされた深さの正
確度が高く、位相変化膜の厚さの均一性を維持すること
ができる長所があるのみならず、各層間の屈折率の差が
なくなり、透過光の変化率が最小化されるので、均一な
光強度を得ることができるという長所がある。
【図１】位相変化マスクの原理を説明するための図。
【図２】エッチング面積比率に対するエッチング速度の
変化を示したグラフ。
変化を示したグラフ。
【図３】エッチング停止層を用いる従来の位相変化マス
クの製造方法を説明するための図。
クの製造方法を説明するための図。
【図４】本発明による位相変化マスクの製造方法を説明
するための図である。
するための図である。
１ 位相変化膜
２ 光遮断膜
２１ 下地層
２２ 位相変化層
２３ 光遮断膜
２４ フォトレジスト
２５ フォトレジスト
Claims (3)
- 【請求項１】 下地層（２１）上にプラズマＣＶＤ法
により位相変化膜（２２）を蒸着し、前記位相変化膜（
２２）上にスパッタリング法により光遮断膜（２３）を
形成した後、フォトレジスト（２４）を用いて通常のエ
ッチング法により光遮断膜（２３）の一部をエッチング
し、乾式エッチング法により前記位相変化膜（２２）の
一部をエッチングした後、更に湿式エッチング法により
残留部分Ｒをエッチングし、エッチングされた深さの正
確度が高いことを特徴とする位相変化マスクの製造方法
。 - 【請求項２】 前記乾式エッチングは、全体エッチン
グ量の８０〜９０％程を異方性エッチングで行うことを
特徴とする請求項１記載の位相変化マスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記湿式エッチングは、エッチング剤
ＨＦやＨＦ４ ＋ＣＨ３ ＣＯＯＨを用いて等方性エッ
チングで行うことを特徴とする請求項１記載の位相変化
マスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR91-6990 | 1991-04-30 | ||
| KR1019910006990A KR940003582B1 (ko) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 위상변화 마스크의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04355758A true JPH04355758A (ja) | 1992-12-09 |
| JP2660128B2 JP2660128B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=19313910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32588791A Expired - Fee Related JP2660128B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-12-10 | 位相変化マスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2660128B2 (ja) |
| KR (1) | KR940003582B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536602A (en) * | 1993-10-18 | 1996-07-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shifting mask, manufacturing method thereof, and exposure method using such a phase shifting mask |
| EP0838336A2 (en) * | 1996-10-24 | 1998-04-29 | Seiko Epson Corporation | Ink jet head and a method of manufacturing the same |
| JP2012027508A (ja) * | 2011-11-09 | 2012-02-09 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02211450A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Fujitsu Ltd | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-04-30 KR KR1019910006990A patent/KR940003582B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-12-10 JP JP32588791A patent/JP2660128B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02211450A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Fujitsu Ltd | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536602A (en) * | 1993-10-18 | 1996-07-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shifting mask, manufacturing method thereof, and exposure method using such a phase shifting mask |
| US5698348A (en) * | 1993-10-18 | 1997-12-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shifting mask, manufacturing method thereof, and exposure method using such a phase shifting mask |
| US5853922A (en) * | 1993-10-18 | 1998-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shifting mask, manufacturing method thereof, and exposure method using such a phase shifting mask |
| US5858625A (en) * | 1993-10-18 | 1999-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shifting mask, manufacturing method thereof, and exposure method using such a phase shifting mask |
| EP0838336A2 (en) * | 1996-10-24 | 1998-04-29 | Seiko Epson Corporation | Ink jet head and a method of manufacturing the same |
| EP0838336A3 (en) * | 1996-10-24 | 1999-04-21 | Seiko Epson Corporation | Ink jet head and a method of manufacturing the same |
| US6260960B1 (en) | 1996-10-24 | 2001-07-17 | Seiko Epson Corporation | Ink jet print head formed through anisotropic wet and dry etching |
| JP2012027508A (ja) * | 2011-11-09 | 2012-02-09 | Hoya Corp | マスクブランク及びフォトマスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940003582B1 (ko) | 1994-04-25 |
| JP2660128B2 (ja) | 1997-10-08 |
| KR920020615A (ko) | 1992-11-21 |
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