JP3323216B2 - Ｘ線露光用マスクとそのマスクブランク - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線リソグラフィーに
使用されるＸ線露光用マスクとそのマスクブランクに係
り、特に、Ｘ線露光用マスクとウェハ等におけるアライ
メント精度の向上が図れるＸ線露光用マスクとそのマス
クブランクの改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のＸ線露光用マスクＭとしては、
図１３に示すようにシリコンにより形成されその中央に
開口部ａを有する枠体ｂと、この枠体ｂにその周縁部が
保持されアライメント光とＸ線を共に透過する透過性支
持膜ｃと、この透過性支持膜ｃの上記枠体ｂとは反対側
の主面上にパターン状に設けられたＸ線吸収体ｄとでそ
の主要部が構成されるものが知られている。

【０００３】ところで、このＸ線露光用マスクＭを製造
するには、その背面側に保護膜ｅが成膜された枠体用シ
リコン基板ｆと、この枠体用シリコン基板ｆ面上に成膜
されアライメント光とＸ線を共に透過する透過性支持膜
ｇとでその主要部が構成されるマスクブランクＭb1（図
１４Ａ参照）の上記保護膜ｅの所望部位を除去し（図１
４Ｂ参照）、かつ、残留する保護膜ｅをマスクにしこの
マスクから露出するシリコン基板ｆについてバックエッ
チ処理により開口部ａを設けて枠体ｂを形成した（図１
４Ｃ参照）後、上記透過性支持膜ｇの主面上にメッキ下
地層ｈを形成すると共にこのメッキ下地層ｈ上にネガの
レジストパターンｉを形成し（図１４Ｄ参照）、更に、
このレジストパターンｉ間にＡｕ等のメッキパターンｊ
を形成した（図１４Ｅ参照）後、上記レジストパターン
ｉとその下側のメッキ下地層ｈを除去して図１３に示し
たようなＸ線露光用マスクＭを製造している。

【０００４】また、他の方法として、背面側に保護膜ｅ
が成膜された枠体用シリコン基板ｆと、この枠体用シリ
コン基板ｆ面上に成膜されアライメント光とＸ線を共に
透過する透過性支持膜ｇと、この透過性支持膜ｇ上に一
様に成膜されたＸ線吸収体膜ｋとでその主要部が構成さ
れるマスクブランクＭb2（図１５Ａ参照）の上記保護膜
ｅの所望部位を除去し（図１５Ｂ参照）、かつ、上述し
た方法と同様にシリコン基板ｆに開口部ａを設けて枠体
ｂを形成した（図１５Ｃ参照）後、上記Ｘ線吸収体膜ｋ
をパターニングして図１５（Ｄ）に示すようなＸ線露光
用マスクＭを製造している。

【０００５】そして、図１６に示すようにレジスト膜ｒ
が一様に成膜されたウェハｍ等に対しこのＸ線露光用マ
スクＭを位置整合させて対向配置し、かつ、Ｘ線を照射
してＸ線リソグラフィーに供するものである。

【０００６】ところで、上記ウェハｍ等に対しＸ線露光
用マスクＭを位置整合させる方法として、通常、上記Ｘ
線露光用マスクＭに対し波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの
可視光（アライメント光）を照射し、上記Ｘ線露光用マ
スクＭを透過したアライメント光をウェハｍ側で検出し
てその位置ずれを検出し、この検出信号に基づいて上記
ウェハｍをｘ方向並びにｙ方向へ適量移動しその位置整
合を行なっている。

【０００７】しかし、上述した従来のＸ線露光用マスク
ブランクＭb1又はＭb2から製造されたＸ線露光用マスク
Ｍについてこの方法により位置整合を行なった場合、ア
ライメント光による透過性支持膜ｃの膜厚干渉が発生
し、その透過率が著しく低下し易い欠点があった。これ
は、上記透過性支持膜ｃ内で反射なしに透過するアライ
メント光と、透過性支持膜ｃ内で復反射を起こしながら
透過するアライメント光との間で干渉が生ずるためであ
った。そして、この干渉は透過性支持膜ｃの膜厚と適用
されたアライメント光の波長との関係で発生するもので
あった。

【０００８】尚、図１７は、上記Ｘ線露光用マスクＭに
ついてその同一箇所へアライメント光を照射した場合
（この場合、同一箇所への光照射のためその透過性支持
膜ｃの膜厚は一定である）、その適用されたアライメン
ト光の波長の変化と透過率との関係を示したものである
が、適用されるアライメント光の波長が僅かに変わるだ
けでその透過率が極端に低下してしまうことを示してい
る。

【０００９】また、上記透過性支持膜ｃを成膜するに際
し、その膜厚を一定に制御することは現実的に困難なこ
とから上記アライメント光の波長の変動に加え膜厚の変
動も加わるため、その透過率の変動値は上記グラフに示
された値より実際には更に大きくなっている。

【００１０】このようにアライメント光の透過率がその
僅かな設定条件のばらつきに伴い大きく変化してしま
い、この結果、アライメント信号が検出し難くなるため
上記Ｘ線露光用マスクＭとウェハｍとのアライメント精
度の向上を図る上で大きな妨げとなる欠点があった。

【００１１】この様な技術的背景の下、本発明者等は図
１８に示すように上記透過性支持膜ｃの両側に反射防止
膜ｐ、ｑを成膜することにより上記欠点を解消したＸ線
露光用マスクＭ２とそのマスクブランクを既に提案して
いる（特願平３−１２９６８４号明細書参照）。

【００１２】そしてこの構造のＸ線露光用マスクＭ２に
よれば、反射防止膜ｐ、ｑが上述した膜厚干渉を低減さ
せる作用を有する。すなわち、上記反射防止膜ｐ、ｑが
アライメント光の反射自体を防止することによりアライ
メント光の光路を一定にし、これにより光が一種となる
ため上記膜厚干渉の低減が図れるものであった。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構造の
Ｘ線露光用マスクＭ２において、透過性支持膜ｃについ
ては、Ｘ線吸収が少なくかつ可視光（アライメント光）
透過性を有するＳｉＮ、ＳｉＣ、ＢＮ等の軽元素化合物
が適用され、他方、反射防止膜ｐ、ｑについてはＳｉＯ
₂ 、ＭｇＦ₂ 、ＭｇＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ、Ｈｆ
Ｏ₂ 、ＺｒＯ₂ 、ＴｉＯ₂ 、ＣｅＯ₂ 、ＺｎＳ等の材料
群を適用することが可能であるが、後者の反射防止膜に
ついては枠体用に通常シリコン基板が適用されかつコス
トの面と成膜のし易さ等からＳｉＯ₂ が主に利用されて
いる。

【００１４】しかし、この様な材料の組合わせによりＸ
線露光用マスクＭ２を得ようとした場合、上記バックエ
ッチ工程において枠体用シリコン基板を２５％ＫＯＨ溶
液にて処理するとき、シリコン基板を完全にエッチング
した後において反射防止膜にもエッチングが進行し易
く、反射防止膜についてその機能が十分に発揮される膜
厚に設定することが困難となる問題点があった。

【００１５】尚、上記２５％ＫＯＨ溶液を適用せずにシ
リコン基板とＳｉＯ₂ との選択エッチングが可能なエッ
チャントを適用する方法も考えられるが、未だこのよう
なエッチャントは見出だされていない。

【００１６】この様に、透過性支持膜ｃの両側に反射防
止膜ｐ、ｑを形成することにより上記膜厚干渉の低減が
図れる反面、これを実際に製造する場合の材料の選択範
囲が狭く十分にその効果を発揮できない問題点があっ
た。

【００１７】本発明はこの様な問題点に着目してなされ
たもので、その課題とするところは、シリコン基板との
選択エッチングが困難な材料により上記反射防止膜を構
成しても十分に機能するＸ線露光用マスクとそのマスク
ブランクを提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１に係
る発明は、シリコンにより形成されエッチングにより開
口された開口部を有する枠体と、この枠部にその周縁部
が保持され波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視光からな
るアライメント光とＸ線を共に透過する透過性支持膜
と、この透過性支持膜の上記枠体とは反対側の主面上に
パターン状に設けられたＸ線吸収体、とを備えるＸ線露
光用マスクを前提とし、上記透過性支持膜の両面に反射
防止膜が一様に成膜され、かつ、上記枠体側の反射防止
膜と枠体との間に上記エッチングによる枠体の形成の際
に枠体側の反射防止膜とエッチング液との接触を回避さ
せる膜厚１５００オングストロームの窒化シリコン膜に
より構成されたバックエッチストッパー膜が形成されて
いることを特徴とするものである。

【００１９】このような技術的手段において上記枠体を
構成する材料としては、適度の剛性とエッチング性のあ
るシリコンが適用される。この枠体に保持される透過性
支持膜としては、Ｘ線の吸収が少ない軽元素化合物で、
かつ、可視光透過性を有する材料が適用でき、例えば従
来と同様、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＢＮ等が挙げられる。ま
た、この透過性支持膜の上記枠体とは反対側の主面上に
パターン状に設けられるＸ線吸収体としては、Ｘ線吸収
の大きなＴａ、Ｗ、Ａｕ等が適用できる。

【００２０】次に、透過性支持膜の両面に成膜される反
射防止膜の材質は透過性支持膜の光学特性によって決定
され、かつ、膜厚は適用されるアライメント光の波長に
よって決定され、その具体例として、ＳｉＯ₂ 、ＭｇＦ
₂ 、ＭｇＯ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ、ＨｆＯ₂ 、Ｚｒ
Ｏ₂ 、ＴｉＯ₂ 、ＣｅＯ₂ 、ＺｎＳ等が挙げられる。

【００２１】また、この枠体側の反射防止膜面に形成さ
れるバックエッチストッパー膜としてはシリコン基板の
エッチャント（エッチング剤）に対し耐性を有するＳｉ
Ｎ、ＳｉＣ、ＢＮ等が挙げられる。そして、このバック
エッチストッパー膜を設けることにより上記反射防止膜
が被覆され、エッチャントとの接触が回避されるため、
シリコン基板との選択エッチングが困難なＳｉＯ₂ 等の
材料にて反射防止膜を構成した場合においてもこの反射
防止膜はエッチングされずその材料の選択範囲を拡げら
れる利点を有している。尚、このバックエッチストッパ
ー膜については上記シリコン基板がエッチングされた段
階で剥離することが望ましいが、例えばこれをＲＩＥ
（リアクティブ・イオン・エッチング）法等で除去する
際に上記反射防止膜を傷付けてしまう危険性があるため
現実的には困難である。そこで、この技術的手段におい
ては上記バックエッチストッパー膜を剥離することなく
残留させる方式を採っている。この場合、バックエッチ
ストッパー膜の膜厚が厚過ぎるとこのバックエッチスト
ッパー膜自体による膜厚干渉によりアライメント光の透
過率が低下することがあり、反対に薄過ぎるとバックエ
ッチストッパー膜として十分機能しなくなることがあ
る。従って、このバックエッチストッパーの膜厚につい
てはこれ等の点を考慮して適宜値に設定することが望ま
しい。

【００２２】尚、請求項２に係る発明はこの様な技術的
観点から完成されており、反射防止膜として酸化シリコ
ンを適用し、かつ、バックエッチストッパー膜として窒
化シリコンを適用した場合にこのバックエッチストッパ
ー膜の最適膜厚を特定したものである。

【００２３】すなわち、請求項２に係る発明は請求項１
に係る発明を前提とし、上記反射防止膜が酸化シリコン
により構成され、かつ、上記バックエッチストッパー膜
が膜厚１５００オングストロームの窒化シリコン膜によ
り構成されていることを特徴とするものである。

【００２４】次に、請求項３及び５に係る発明は、請求
項１〜２に係るＸ線露光用マスクの製造に利用されるＸ
線露光用マスクブランクに関するものである。

【００２５】すなわち、請求項３に係る発明は請求項１
〜２に係る発明を前提とし、上記エッチングにより開口
部を形成される枠体用のシリコン基板と、このシリコン
基板の主面上に成膜された膜厚１５００オングストロー
ムの窒化シリコン膜により構成されたバックエッチスト
ッパー膜と、このバックエッチストッパー膜上に成膜さ
れた反射防止膜と、この反射防止膜上に成膜され波長４
００ｎｍ〜７００ｎｍの可視光からなるアライメント光
とＸ線を共に透過する透過性支持膜と、この透過性支持
膜上に成膜された反射防止膜、とを備え、前記バックエ
ッチストッパー膜は、前記シリコン基板をエッチングに
より枠体とする際、シリコン基板側の反射防止膜とエッ
チング液との接触を回避させることを特徴とし、また、
請求項５に係る発明も請求項１〜２に係る発明を前提と
し、上記エッチングにより開口部を形成される枠体用の
シリコン基板と、このシリコン基板の主面上に成膜され
た膜厚１５００オングストロームの窒化シリコン膜によ
り構成されたバックエッチストッパー膜と、このバック
エッチストッパー膜上に成膜された反射防止膜と、この
反射防止膜上に成膜され波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの
可視光からなるアライメント光とＸ線を共に透過する透
過性支持膜と、この透過性支持膜上に成膜された反射防
止膜と、この反射防止膜上に一様に成膜されたＸ線吸収
体、とを備え、前記バックエッチストッパー膜は、前記
シリコン基板をエッチングにより枠体とする際、シリコ
ン基板側の反射防止膜とエッチング液との接触を回避さ
せることを特徴とするものである。

【００２６】一方、請求項４及び６に係る発明は、請求
項３及び５に係るＸ線露光用マスクブランクについて枠
体用シリコン基板の裏面側に保護膜を具備させたものに
関するものである。

【００２７】すなわち、請求項４に係る発明は請求項３
に係る発明を前提とし、上記枠体用シリコン基板の裏面
に耐薬品性の保護膜を具備することを特徴とするもので
あり、他方、請求項６に係る発明は請求項５に係る発明
を前提とし、上記枠体用シリコン基板の裏面に耐薬品性
の保護膜を具備することを特徴とするものである。

【００２８】そして、これ等Ｘ線露光用マスクブランク
から請求項１〜２に係るＸ線露光用マスクを製造するに
は従来法をそのまま適用することが可能である。

【００２９】

【作用】請求項１〜２に係る発明によれば、枠体にその
周縁部が保持された透過性支持膜の両面に反射防止膜が
一様に成膜されているため、この反射防止膜の作用によ
りアライメント光の反射自体が防止されてアライメント
光の光路を一定にする。

【００３０】このため、光が一種となって干渉自体が発
生しなくなり、上記透過性支持膜の膜厚の僅かな違いに
よって生ずる特定波長のアライメント光の透過率の変動
があった場合でも、両側に形成した反射防止膜によって
透過率を高めると同時に安定させることが可能となる。

【００３１】また、上記枠体側の反射防止膜面にバック
エッチストッパー膜が形成されており、このバックエッ
チストッパー膜の作用により反射防止膜とエッチャント
との接触が回避されるため、シリコン基板との選択エッ
チングが困難なＳｉＯ₂ 等の材料にて上記反射防止膜を
構成した場合においてもこの反射防止膜がエッチングを
受けることがなく、従って、適用できる材料の選択範囲
を著しく拡大させることが可能となる。

【００３２】一方、請求項３〜４に係る発明によれば、
枠体用のシリコン基板と、このシリコン基板の主面上に
成膜されたバックエッチストッパー膜と、このバックエ
ッチストッパー膜上に成膜された反射防止膜と、この反
射防止膜上に成膜されアライメント光とＸ線を共に透過
する透過性支持膜と、この透過性支持膜上に成膜された
反射防止膜、とを備えており、また、請求項５〜６に係
る発明によれば、枠体用のシリコン基板と、このシリコ
ン基板の主面上に成膜されたバックエッチストッパー膜
と、このバックエッチストッパー膜上に成膜された反射
防止膜と、この反射防止膜上に成膜されアライメント光
とＸ線を共に透過する透過性支持膜と、この透過性支持
膜上に成膜された反射防止膜と、この反射防止膜上に一
様に成膜されたＸ線吸収体、とを備えているため、これ
等のＸ線露光用マスクブランクから従来法に従って簡便
に請求項１〜２に係るＸ線露光用マスクを製造すること
が可能となる。

【００３３】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。

【００３４】図１は実施例に係るＸ線露光用マスクの構
成断面図を示しており、このＸ線露光用マスク１は、シ
リコンにより形成されその中央に開口部２０を有する枠
体２と、この枠体２にその周縁部を保持され窒化膜（Ｓ
ｉＮ_x ）より成るバックエッチストッパー膜３と、この
バックエッチストッパー膜３上に成膜され酸化シリコン
（ＳｉＯ₂ ）より成る反射防止膜４１と、この反射防止
膜４１上に成膜され窒化膜（ＳｉＮ_x ）より成る透過性
支持膜５と、この透過性支持膜５上に成膜され酸化シリ
コン（ＳｉＯ₂ ）より成る反射防止膜４２と、この反射
防止膜４２上にパターン状に形成されＴａから成るＸ線
吸収体６とでその主要部が構成されたものである。尚、
図１中７は窒化膜（ＳｉＮ_x ）により構成された耐薬品
性の保護膜を示している。

【００３５】また、図２はこのＸ線露光用マスク１を製
造するのに利用されるＸ線露光用マスクブランクを示し
ており、このＸ線露光用マスクブランク１１は、上記枠
体２用のシリコン基板２１と、このシリコン基板２１の
主面上に一様に成膜された窒化膜（ＳｉＮ_x ）より成る
バックエッチストッパー膜３１と、このバックエッチス
トッパー膜３１上に一様に成膜された酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ₂ ）より成る反射防止膜４３と、この反射防止膜４
３上に一様に成膜された窒化膜（ＳｉＮ_x ）より成る透
過性支持膜５１と、この透過性支持膜５１上に一様に成
膜された酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）より成る反射防止膜
４４と、上記シリコン基板２１の背面側に成膜された窒
化膜（ＳｉＮ_x ）より成る耐薬品性の保護膜７１とでそ
の主要部が構成されたものである。

【００３６】一方、図３は上記Ｘ線露光用マスク１を製
造するのに利用される別の構成のＸ線露光用マスクブラ
ンクを示しており、このＸ線露光用マスクブランク１２
は、上記枠体２用のシリコン基板２２と、このシリコン
基板２２の主面上に一様に成膜された窒化膜（Ｓｉ
Ｎ_x ）より成るバックエッチストッパー膜３２と、この
バックエッチストッパー膜３２上に一様に成膜された酸
化シリコン（ＳｉＯ₂ ）より成る反射防止膜４５と、こ
の反射防止膜４５上に一様に成膜された窒化膜（ＳｉＮ
_x ）より成る透過性支持膜５２と、この透過性支持膜５
２上に一様に成膜された酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）より
成る反射防止膜４６と、この反射防止膜４６上に一様に
成膜されたＴａから成るＸ線吸収体６２と、上記シリコ
ン基板２２の背面側に成膜された窒化膜（ＳｉＮ_x ）よ
り成る耐薬品性の保護膜７２とでその主要部が構成され
たものである。

【００３７】以下、工程順に従ってＸ線露光用マスクブ
ランクとこれを用いたＸ線露光用マスクの製造方法につ
いて詳細に説明する。

【００３８】まず、図４に示した２ｍｍ厚のシリコン基
板２５面上に、屈折率２．１８で厚さ１５００オングス
トロームの窒化膜（ＳｉＮ_x ）を減圧ＣＶＤ法により成
膜してバックエッチストッパー膜３５を形成し（図５参
照）、かつ、このバックエッチストッパー膜３５の主面
上に、屈折率１．４６で厚さ１０００オングストローム
の酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）を蒸着法により成膜して反
射防止層４７を形成（図６参照）すると共に、再度、減
圧ＣＶＤ法によりこれ等面上に屈折率２．１８で厚さ２
μｍの窒化膜（ＳｉＮ_x ）を成膜して透過性支持膜５５
を形成した（図７参照）後、この透過性支持膜５５の主
面上に、屈折率１．４６で厚さ１０００オングストロー
ムの酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）を蒸着法により成膜して
反射防止層４８を形成し図８に示すようなＸ線露光用マ
スクブランク１５を製造した。

【００３９】次に、従来法と同様に、上記シリコン基板
２５の背面側に位置する透過性支持膜５５とバックエッ
チストッパー膜３５とをＲＩＥ法により選択的にエッチ
ングして所望部位を除去し（図９参照）、かつ、残留す
る透過性支持膜５５とバックエッチストッパー膜３５を
マスクにしこのマスクから露出するシリコン基板２５を
２５％ＫＯＨ溶液によりバックエッチ処理して開口部２
６を有する枠体２７を形成する（図１０参照）。このバ
ックエッチ処理の際、２５％ＫＯＨ溶液によりエッチン
グされる酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）製反射防止層４７は
上記バックエッチストッパー膜３５により被覆されて２
５％ＫＯＨ溶液との接触を回避されるため、上記反射防
止膜４７がエッチングを受けることがなくその膜厚の変
動を確実に防止することが可能となる。

【００４０】次いで、従来法と同様に上記反射防止膜４
８上にメッキ下地層を形成し、かつこのメッキ下地層上
にネガのレジストパターンを形成すると共に、このレジ
ストパターン間にメッキパターンを形成した後、レジス
トパターンとその下側のメッキ下地層とを除去してＸ線
吸収体６０を形成し図１１に示すようなＸ線露光用マス
ク１０を製造した。

【００４１】そして、この様にして製造されたＸ線露光
用マスク１０に対しアライメント光を照射し適用された
アライメント光の波長の変化と透過率との関係を求め
た。

【００４２】図１２はこの結果を示したグラフ図である
が、このグラフ図から明らかなようにその波長が約６０
０ｎｍ以上のアライメント光を適用することにより、そ
の透過率をその変動に拘らず８０％以上に調整できるこ
とが確認できる。

【００４３】従って、Ｘ線露光用マスクとウェハ等との
位置整合処理の際にアライメント光透過率の低減を最小
限に抑えることができるため、アライメント信号を確実
に検出することが可能となりそのアライメント精度の飛
躍的向上が図れる利点を有している。

【００４４】尚、アライメント光における透過率の低減
を最小限に抑制できたのは、上記透過性支持膜５５の両
面に反射防止膜４７、４８を形成したことと、この反射
防止膜４７のエッチングを抑制する窒化膜（ＳｉＮ_x ）
製のバックエッチストッパー３５の膜厚を１５００オン
グストロームに設定したことに基づいている。

【００４５】

【発明の効果】請求項１〜２に係る発明によれば、反射
防止膜の作用によりアライメント光の反射自体が防止さ
れてアライメント光の光路を一定にするため、光が一種
となって干渉自体が発生しなくなり、透過性支持膜の僅
かな違いによって生ずる特定波長のアライメント光の透
過率の変動があった場合でもこれを最小限に抑制するこ
とが可能となる。

【００４６】従って、アライメント精度の飛躍的向上が
図れる効果を有している。

【００４７】また、バックエッチストッパー膜の作用に
より反射防止膜とエッチャントとの接触が回避されるた
め、シリコン基板との選択エッチングが困難なＳｉＯ₂
等の材料にて反射防止膜を構成してもエッチングを受け
ることがなく、従って、適用できる材料の選択範囲を飛
躍的に拡大できる効果をも有している。

【００４８】他方、請求項３〜６に係る発明によれば、
従来法と同様な製造処理によって請求項１〜２に係るＸ
線露光用マスクを確実に製造できる効果を有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係るＸ線露光用マスクの構成断面図。

【図２】実施例に係るＸ線露光用マスクブランクの構成
断面図。

【図３】他の実施例に係るＸ線露光用マスクブランクの
構成断面図。

【図４】実施例に係るＸ線露光用マスクの製造工程を示
す説明図。

【図５】実施例に係るＸ線露光用マスクの製造工程を示
す説明図。

【図６】実施例に係るＸ線露光用マスクの製造工程を示
す説明図。

【図７】実施例に係るＸ線露光用マスクの製造工程を示
す説明図。

【図８】実施例に係るＸ線露光用マスクの製造工程を示
す説明図。

【図９】実施例に係るＸ線露光用マスクの製造工程を示
す説明図。

【図１０】実施例に係るＸ線露光用マスクの製造工程を
示す説明図。

【図１１】実施例に係るＸ線露光用マスクの製造工程を
示す説明図。

【図１２】実施例に係るＸ線露光用マスクにおいて適用
したアライメント光の波長とその透過率の変化との関係
を示したグラフ図。

【図１３】従来例に係るＸ線露光用マスクの構成断面
図。

【図１４】従来例に係るＸ線露光用マスクブランクから
Ｘ線露光用マスクを製造する工程を示す説明図。

【図１５】他の従来例に係るＸ線露光用マスクブランク
からＸ線露光用マスクを製造する工程を示す説明図。

【図１６】Ｘ線露光用マスクを用いたＸ線リソグラフィ
ーの説明図。

【図１７】従来例に係るＸ線露光用マスクにおいて適用
したアライメント光の波長とその透過率の変化との関係
を示したグラフ図。

【図１８】他の従来例に係るＸ線露光用マスクの構成断
面図。

【符号の説明】

１ Ｘ線露光用マスク ２ 枠体 ３ バックエッチストッパー膜 ５ 透過性支持膜 ６ Ｘ線吸収体 ７ 保護膜 １１，１２ Ｘ線露光用マスクブランク ２０ 開口部 ２１，２２ シリコン基板 ３１，３２ バックエッチストッパー膜 ４１〜４６ 反射防止膜 ５１，５２ 透過性支持膜 ６２ Ｘ線吸収体 ７１，７２ 保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大久保 欽司 東京都台東区台東一丁目５番１号 凸版 印刷株式会社内 合議体 審判長 高橋 美実 審判官 辻 徹二 審判官 北川 清伸 (56)参考文献 特開 平２−241019（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−9932（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−215028（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−82422（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−129190（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−155518（ＪＰ，Ａ)

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】シリコンにより形成されエッチングにより
   開口された開口部を有する枠体と、この枠部にその周縁
   部が保持され波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視光から
   なるアライメント光とＸ線を共に透過する透過性支持膜
   と、この透過性支持膜の上記枠体とは反対側の主面上に
   パターン状に設けられたＸ線吸収体、とを備えるＸ線露
   光用マスクにおいて、 上記透過性支持膜の両面に反射防止膜が一様に成膜さ
   れ、かつ、上記枠体側の反射防止膜と枠体との間に上記
   エッチングによる枠体の形成の際に枠体側の反射防止膜
   とエッチング液との接触を回避させる膜厚１５００オン
   グストロームの窒化シリコン膜により構成されたバック
   エッチストッパー膜が形成されていることを特徴とする
   Ｘ線露光用マスク。
2. 【請求項２】上記反射防止膜が酸化シリコンにより構成
   され、かつ、上記バックエッチストッパー膜が膜厚１５
   ００オングストロームの窒化シリコン膜により構成され
   ていることを特徴とする請求項１記載のＸ線露光用マス
   ク。
3. 【請求項３】請求項１〜２記載のＸ線露光用マスクの製
   造に使用されるマスクブランクにおいて、上記エッチン
   グにより開口部を形成される枠体用のシリコン基板と、 このシリコン基板の主面上に成膜された膜厚１５００オ
   ングストロームの窒化シリコン膜により構成されたバッ
   クエッチストッパー膜と、 このバックエッチストッパー膜上に成膜された反射防止
   膜と、 この反射防止膜上に成膜され波長４００ｎｍ〜７００ｎ
   ｍの可視光からなるアライメント光とＸ線を共に透過す
   る透過性支持膜と、 この透過性支持膜上に成膜された反射防止膜、 とを備え、前記バックエッチストッパー膜は、前記シリ
   コン基板をエッチングにより枠体とする際、シリコン基
   板側の反射防止膜とエッチング液との接触を回避させる
   ことを特徴とするマスクブランク。
4. 【請求項４】上記枠体用シリコン基板の裏面に耐薬品性
   の保護膜を具備することを特徴とする請求項３記載のマ
   スクブランク。
5. 【請求項５】請求項１〜２記載のＸ線露光用マスクの製
   造に使用されるマスクブランクにおいて、 上記エッチングにより開口部を形成される枠体用のシリ
   コン基板と、 このシリコン基板の主面上に成膜された膜厚１５００オ
   ングストロームの窒化シリコン膜により構成されたバッ
   クエッチストッパー膜と、このバックエッチストッパー膜上に成膜された反射防止
   膜と、 この反射防止膜上に成膜され波長４００ｎｍ〜７００ｎ
   ｍの可視光からなるアライメント光とＸ線を共に透過す
   る透過性支持膜と、 この透過性支持膜上に成膜された反射防止膜と、 この反射防止膜上に一様に成膜されたＸ線吸収体、 とを備え、前記バックエッチストッパー膜は、前記シリ
   コン基板をエッチングにより枠体とする際、シリコン基
   板側の反射防止膜とエッチング液との接触を回避させる
   ことを特徴とするマスクブランク。
6. 【請求項６】上記枠体用シリコン基板の裏面に耐薬品性
   の保護膜を具備することを特徴とする請求項５記載のマ
   スクブランク。