JPH04342150A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査方法Info
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- JPH04342150A JPH04342150A JP11441591A JP11441591A JPH04342150A JP H04342150 A JPH04342150 A JP H04342150A JP 11441591 A JP11441591 A JP 11441591A JP 11441591 A JP11441591 A JP 11441591A JP H04342150 A JPH04342150 A JP H04342150A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の検査方法に
係り、特に、半導体素子を実装する支持基板の両主面に
電気的に接続して設けられる複数の対応した電極にプロ
ーブを当接して電気的特性を測定する検査方法に関する
ものである。
係り、特に、半導体素子を実装する支持基板の両主面に
電気的に接続して設けられる複数の対応した電極にプロ
ーブを当接して電気的特性を測定する検査方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程中に、半導体素子
あるいは半導体素子を実装する支持基板上の複数の電極
にプローブを当接し、導通状態や抵抗測定等の検査が行
われている。
あるいは半導体素子を実装する支持基板上の複数の電極
にプローブを当接し、導通状態や抵抗測定等の検査が行
われている。
【０００３】この検査方法を紹介するものとして、特開
昭６４−５０４３４ 号公報がある。
昭６４−５０４３４ 号公報がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子の高集積化
に伴い、半導体素子を実装する支持基板上の複数の電極
は微小化する傾向にある。一例として直径約０．２５ｍ
ｍ の電極を設けたものがある。この様に微小なものに
プローブを当接させることは困難が伴う。また、電極材
として用いられるものには軟かいものもあり、微小で軟
かい金属にプローブを押し当てると電極が容易に変形し
てしまい、測定は行えても、その後、支持基板は使用不
能になるものがある。そこで、プローブ当接に手加減を
加えると、充分な接触圧力の確保ができず、高い測定精
度が得られなくなる。
に伴い、半導体素子を実装する支持基板上の複数の電極
は微小化する傾向にある。一例として直径約０．２５ｍ
ｍ の電極を設けたものがある。この様に微小なものに
プローブを当接させることは困難が伴う。また、電極材
として用いられるものには軟かいものもあり、微小で軟
かい金属にプローブを押し当てると電極が容易に変形し
てしまい、測定は行えても、その後、支持基板は使用不
能になるものがある。そこで、プローブ当接に手加減を
加えると、充分な接触圧力の確保ができず、高い測定精
度が得られなくなる。
【０００５】それゆえ、本発明の目的は、支持基板上の
電極を破損することなく特性測定を高精度に行うことが
できる検査方法を提供することにある。
電極を破損することなく特性測定を高精度に行うことが
できる検査方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明検査方法の特徴とするところは、軟かい電極が設けら
れる支持基板の一主面に複数の電極を短絡する膜を設け
、この短絡膜と他方の主面の各電極にプローブを当接し
て特性測定を行うことにある。
明検査方法の特徴とするところは、軟かい電極が設けら
れる支持基板の一主面に複数の電極を短絡する膜を設け
、この短絡膜と他方の主面の各電極にプローブを当接し
て特性測定を行うことにある。
【０００７】
【作用】一主面上の短絡膜にプローブを当接することに
より、軟かい材質の電極にプローブを当接する必要がな
くなり、それにより、その電極が破損されることはなく
なる。また、短絡膜にプローブを強く当接し、短絡膜に
プローブで傷を付けることがあっても、その短絡膜は除
去されるので、支障はなく、また、強く当接することに
より、必要な接触圧力は確保でき、高い測定精度が得ら
れる。
より、軟かい材質の電極にプローブを当接する必要がな
くなり、それにより、その電極が破損されることはなく
なる。また、短絡膜にプローブを強く当接し、短絡膜に
プローブで傷を付けることがあっても、その短絡膜は除
去されるので、支障はなく、また、強く当接することに
より、必要な接触圧力は確保でき、高い測定精度が得ら
れる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明検査方法を図面に示す一実施例
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【０００９】図１は、本発明検査方法を実施する検査装
置の要部分解斜視図である。
置の要部分解斜視図である。
【００１０】図１において、１は、上プローブブロック
であり、このプローブブロック１は図示していない上固
定板に支持固定されている。また、プローブブロック１
は複数のプローブ２が下面に垂設されている。各プロー
ブ２には個々にリード線２０が接続されている。
であり、このプローブブロック１は図示していない上固
定板に支持固定されている。また、プローブブロック１
は複数のプローブ２が下面に垂設されている。各プロー
ブ２には個々にリード線２０が接続されている。
【００１１】３は、図示していない半導体素子を面実装
する支持基板である。図１の点線で示した区分け内に１
個ずつ半導体素子が固着される。その固着は上面に設け
た電極４を介して行う。電極４の材質の一例はタングス
テンである。
する支持基板である。図１の点線で示した区分け内に１
個ずつ半導体素子が固着される。その固着は上面に設け
た電極４を介して行う。電極４の材質の一例はタングス
テンである。
【００１２】支持基板は図２に示す様に、下面には上面
の各電極４に対応して設けられる複数の軟質の電極１６
がある。また、電極１６は、半田バンプ用のＢＬＭであ
り、一例として金が外用される。両電極４，１６間は支
持基板３中に埋設した配線膜３０により接続されている
。尚、配線膜３０中の抵抗Ｒは薄膜技術を応用して設け
た終端抵抗である。
の各電極４に対応して設けられる複数の軟質の電極１６
がある。また、電極１６は、半田バンプ用のＢＬＭであ
り、一例として金が外用される。両電極４，１６間は支
持基板３中に埋設した配線膜３０により接続されている
。尚、配線膜３０中の抵抗Ｒは薄膜技術を応用して設け
た終端抵抗である。
【００１３】支持基板３の下面には短絡膜５を設けてい
る。これは、電極１６全てを短絡している。短絡膜５の
形成は、蒸着やメッキで設けても良いが、金や銀，銅の
箔を接触させるものであっても良い。
る。これは、電極１６全てを短絡している。短絡膜５の
形成は、蒸着やメッキで設けても良いが、金や銀，銅の
箔を接触させるものであっても良い。
【００１４】図１における６は、支持基板３の固定治具
である。治具６の中央に支持基板３を収納する略方形の
保持堤７が設けられている。保持堤７の一角にネジ８と
押圧部材９が設けられており、ネジ８を回転させて、保
持堤７に支持基板３を押圧固定する。
である。治具６の中央に支持基板３を収納する略方形の
保持堤７が設けられている。保持堤７の一角にネジ８と
押圧部材９が設けられており、ネジ８を回転させて、保
持堤７に支持基板３を押圧固定する。
【００１５】保持堤内側の床面１０には複数のプローブ
通過孔１０ａが設けられている。固定治具６は図示して
いないが、下プローブブロック１１に取外可能に固定さ
れる。下プローブブロック１１には固定治具６のプロー
ブ通過孔１０ａに対応する位置に下プローブ１２が直立
されている。下プローブブロック１１はＸ，Ｙ，θ，Ｚ
方向に移動可能なテーブル群１３上に固定されている。
通過孔１０ａが設けられている。固定治具６は図示して
いないが、下プローブブロック１１に取外可能に固定さ
れる。下プローブブロック１１には固定治具６のプロー
ブ通過孔１０ａに対応する位置に下プローブ１２が直立
されている。下プローブブロック１１はＸ，Ｙ，θ，Ｚ
方向に移動可能なテーブル群１３上に固定されている。
【００１６】固定治具６に支持基板３を固定して短絡膜
５と下プローブ１２を当接させてから、テーブル群１３
を図示していないコントローラで移動させ、支持基板３
上の電極４を上プローブ２に当接させる。図２では、上
電極４，短絡膜５に上下両プローブ２，１２を当接させ
、特性測定を行なう状況を示している。
５と下プローブ１２を当接させてから、テーブル群１３
を図示していないコントローラで移動させ、支持基板３
上の電極４を上プローブ２に当接させる。図２では、上
電極４，短絡膜５に上下両プローブ２，１２を当接させ
、特性測定を行なう状況を示している。
【００１７】図２に示す１４は、上下両プローブ２，１
２とリード線２０，２１と接続されたスキャナで、上電
極４と短絡膜５の最短距離に位置する上下両プローブ２
，１２を選択し、通電して特性測定部１５で導通試験や
抵抗，インピーダンス，絶縁抵抗等の測定を行なう。
２とリード線２０，２１と接続されたスキャナで、上電
極４と短絡膜５の最短距離に位置する上下両プローブ２
，１２を選択し、通電して特性測定部１５で導通試験や
抵抗，インピーダンス，絶縁抵抗等の測定を行なう。
【００１８】下プローブ１２は支持基板３の短絡膜５に
当接され、電極１６に直接触れることはない。そのため
、強く下プローブ１２を短絡膜５に接触させることがで
きる。上電極４は硬い材質のものであり、上プローブ２
を電極４に強固に圧接できる。
当接され、電極１６に直接触れることはない。そのため
、強く下プローブ１２を短絡膜５に接触させることがで
きる。上電極４は硬い材質のものであり、上プローブ２
を電極４に強固に圧接できる。
【００１９】上プローブ２は上電極４の個々と接触する
ので、下プローブ１２が短絡膜５により短絡されていて
も、対応関係にある上下両電極４，１６間で混触を生ず
ることはない。従って、上下プローブ２，１２の接触圧
力は充電確保でき、電極１６を破損することなく、高精
度に検査を遂行できる。
ので、下プローブ１２が短絡膜５により短絡されていて
も、対応関係にある上下両電極４，１６間で混触を生ず
ることはない。従って、上下プローブ２，１２の接触圧
力は充電確保でき、電極１６を破損することなく、高精
度に検査を遂行できる。
【００２０】尚、短絡膜５の特性を前もって測定してお
くことにより、その内部抵抗は補正により除去できる。
くことにより、その内部抵抗は補正により除去できる。
【００２１】上記実施例では、上下プローブブロック１
，１１に複数のプローブ２，１２を設けているが、各々
単数のプローブを有したものでも支障ない。
，１１に複数のプローブ２，１２を設けているが、各々
単数のプローブを有したものでも支障ない。
【００２２】ＢＬＭとして用いる材料を短絡膜５として
蒸着により設けておいて、プローブ１２はＢＬＭとなる
部分以外に当接させ、検査後に電極１６が形成される様
にエッチング加工を行えば、支持基板３の加工工程と特
性測定工程の一部を重ねることができる。
蒸着により設けておいて、プローブ１２はＢＬＭとなる
部分以外に当接させ、検査後に電極１６が形成される様
にエッチング加工を行えば、支持基板３の加工工程と特
性測定工程の一部を重ねることができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
支持基板上の電極を破損することなく、特性測定を高精
度に行うことができる。
支持基板上の電極を破損することなく、特性測定を高精
度に行うことができる。
【図１】本発明検査方法の一実施例に用いられる検査装
置の要部分解斜視図。
置の要部分解斜視図。
【図２】図１に示す検査装置により測定を行う状況を示
す図。
す図。
２…上プローブ、３…支持基板、４…上電極、５…短絡
膜、１２…下プローブ、１５…特性測定部、１６…下電
極。
膜、１２…下プローブ、１５…特性測定部、１６…下電
極。
Claims (2)
- 【請求項１】一主面に複数の電極を備え、他の主面に上
記各電極に対応した電極が設けられ、両主面の各対応し
た電極が電気的に接続されていて上記一主面上にその各
電極に接続される様に半導体素子が実装される支持基板
の上記両主面の各対応した電極にプローブを当接して各
対応した電極間の特性を測定する半導体装置の検査方法
において、上記一主面にその複数の電極を短絡する膜を
設け、該短絡膜と上記他の主面の各電極にプローブを当
接して各対応した電極間の特性を測定することを特徴と
する半導体装置の検査方法。 - 【請求項２】上記請求項１の検査方法において、一主面
の電極は軟かい材質よりなるものであり、他の主面の電
極は硬い材質のものであることを特徴とする半導体装置
の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11441591A JP2901781B2 (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11441591A JP2901781B2 (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 半導体装置の検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04342150A true JPH04342150A (ja) | 1992-11-27 |
| JP2901781B2 JP2901781B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=14637124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11441591A Expired - Fee Related JP2901781B2 (ja) | 1991-05-20 | 1991-05-20 | 半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2901781B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10253688A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Sony Corp | フレキシブル回路基板の導通検査装置及び導通検査方法 |
| JP2001153909A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 基板検査装置、基板製造方法及びバンプ付き基板 |
| JP2003057285A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-26 | Hioki Ee Corp | 抵抗測定装置および回路基板検査装置 |
-
1991
- 1991-05-20 JP JP11441591A patent/JP2901781B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10253688A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Sony Corp | フレキシブル回路基板の導通検査装置及び導通検査方法 |
| JP2001153909A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 基板検査装置、基板製造方法及びバンプ付き基板 |
| JP2003057285A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-26 | Hioki Ee Corp | 抵抗測定装置および回路基板検査装置 |
| JP4588941B2 (ja) * | 2001-08-10 | 2010-12-01 | 日置電機株式会社 | 抵抗測定装置および回路基板検査装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2901781B2 (ja) | 1999-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |