JPH0433490B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0433490B2
JPH0433490B2 JP59031942A JP3194284A JPH0433490B2 JP H0433490 B2 JPH0433490 B2 JP H0433490B2 JP 59031942 A JP59031942 A JP 59031942A JP 3194284 A JP3194284 A JP 3194284A JP H0433490 B2 JPH0433490 B2 JP H0433490B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ultrafine
reaction
metal powder
gas
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59031942A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60175537A (ja
Inventor
Masahiro Ogawa
San Abe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyota Motor Corp filed Critical Toyota Motor Corp
Priority to JP59031942A priority Critical patent/JPS60175537A/ja
Priority to US06/701,511 priority patent/US4610857A/en
Priority to DE8585101897T priority patent/DE3586005D1/de
Priority to EP85101897A priority patent/EP0152957B1/en
Publication of JPS60175537A publication Critical patent/JPS60175537A/ja
Publication of JPH0433490B2 publication Critical patent/JPH0433490B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
    • B01J12/002—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor carried out in the plasma state
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/14—Methods for preparing oxides or hydroxides in general
    • C01B13/20—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • C01B33/181—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/0602—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with two or more other elements chosen from metals, silicon or boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/0612—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with alkaline-earth metals, beryllium or magnesium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/0615—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with transition metals other than titanium, zirconium or hafnium
    • C01B21/0617—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with transition metals other than titanium, zirconium or hafnium with vanadium, niobium or tantalum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/0615—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with transition metals other than titanium, zirconium or hafnium
    • C01B21/062—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with transition metals other than titanium, zirconium or hafnium with chromium, molybdenum or tungsten
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/0637—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with metals not specified in groups C01B21/0607 - C01B21/0635, other than aluminium, titanium, zirconium or hafnium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/068—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/076—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with titanium or zirconium or hafnium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はプラズマを利用したセラミツク超微粒
子の製造方法に関する。
〔従来技術〕
粒径1000Å以下のセラミツク超微粒子は、表面
エネルギの寄与が大きく、そのため低温で容易に
焼結したり、触媒活性が増大するという利点を有
しており、かかるセラミツク超微粒子の量産、低
コスト化が望まれている。
かかるセラミツク超微粒子の製造方法として、
例えば真空蒸着法があり、これは減圧下における
基板上への緩やかな蒸着現象を利用したものであ
る。この方法は、原料を効率的に蒸発させるため
に減圧下で行われ、大量の熱エネルギを消費する
と共に、生成速度が遅く、かつ製造される量が少
なく、このため大量生産に向かないという問題が
ある。
この従来技術に対し、生成速度の向上を図る方
法として、プラズマを噴流させたプラズマジエツ
ト中に金属粉末を投入し、得られた金属蒸気を窒
素等の反応ガスと接触、反応させ、目的とするセ
ラミツク超微粒子を得る方法がある。
例えば、昭和46年９月25日付裳華房発行の「プ
ラズマ化学とその応用」には、200メツシユのチ
タンまたはマグネシウム粉末を、窒素をキヤリア
ガスとして窒素プラズマ中に供給して反応させ、
TiNおよびMg3N2を生成させる方法が開示され
ており、このときの反応条件は、窒素流量：５
／min、入力：12kW、粉末送入量：0.5ｇ／
minであり、収率はTiNが30％、Mg3N2が40％と
記載されている。
ところで、この熱源としてプラズマを利用する
方法は、従来の真空蒸着法に比べれば効率の向上
は望めるものの、金属粉末をすべて蒸気にすると
の観点から供給量が比較的少な目とされていたた
め、採算ベースでの実用化は困難とされていた。
〔発明の目的〕
本発明は、上記従来技術の問題を解決するため
になされたもので、セラミツク超微粒子を連続的
に効率良く、かつ低コストで得ることのできるセ
ラミツク超微粒子の製造方法を提供することを目
的とする。
〔発明の構成〕
かかる目的は、本発明によれば、目的とするセ
ラミツク超微粒子の一部を形成する金属粉末を、
キヤリアガスを用いて、70ｇ／min以上の供給量
でプラズマジエツト中に投入し、蒸気とした金属
粉末をプラズマジエツト周囲に満たされた、目的
とするセラミツク超微粒子の他の一部を形成する
元素を含んだ反応ガスと接触させることにより合
成反応を起こさせ、この合成反応で生じる反応フ
レームを維持しつつ連続的にセラミツク超微粒子
を得ることを特徴とするセラミツク超微粒子の製
造方法によつて達成される。
本発明において、目的とするセラミツク超微粒
子の一部を形成する金属粉末の材料としては、ほ
とんど全ての金属を用いることができ、例えば、
シリコン、チタン、亜鉛、マグネシウム、マンガ
ン、クロム、バナジウム、アルミニウム等を用い
ることができる。
この金属粉末は、キヤリアガスを用いて、70
ｇ／min以上の供給量でプラズマジエツト中に投
入される。70ｇ／min以上としたのは、これ以上
でないと反応フレームが十分維持できないからで
ある。また、180ｇ／min以上とすれば、更に反
応フレームが大きくなりかつ安定化する。なお、
セラミツク超微粒子を得るためには、金属粉末の
粒径は400μｍ以下であることが望ましい。また、
キヤリアガスは、金属粉末をプラズマジエツトに
供給するために用いるもので、不活性ガスの他、
反応ガスを用いてもよい。
この金属粉末の供給は、連続的に行うのが望ま
しいが、間欠的であつてもよい。間欠的に供給す
る場合は、１秒以下の間隔とすることが必要であ
り、これ以下であれば安定的に連続して反応フレ
ームが形成される。
プラズマジエツトの周囲の雰囲気は、目的とす
るセラミツク超微粒子の他の一部を形成する元素
を含んだ反応ガスで満たされる。目的とするセラ
ミツク超微粒子の他の一部を形成する元素として
は、酸素、窒素、炭素等があり、これらの元素を
含んだ反応ガスとしては、酸素ガス、窒素ガス、
アンモニアガス、炭化水素、一酸化炭素等があ
る。この反応ガスの種類を変えることにより、酸
化物、窒化物、炭化物等を得ることができる。
〔発明の作用〕
本発明においては、プラズマジエツト中に供給
された金属粉末は蒸気となり、反応ガスと反応し
てセラミツク超微粒子を合成する。この合成反応
により生じた発熱により、更に他の金属蒸気と反
応ガスの合成反応が促進され、プラズマジエツト
を包囲する反応フレーム（反応炎）が形成され
る。このため、以後は一定量の金属粉末を供給し
続ければ、プラズマジエツトおよびセラミツク超
微粒子自体の生成時の発熱により、反応フレーム
は安定化し、次々にセラミツク超微粒子が生産さ
れる。
〔発明の効果〕
以上により、本発明によれば、以下の効果を奏
する。
(イ) 原料の金属粉末蒸気と反応ガスの反応の際生
じる発熱により、他の金属粉末の蒸気化が促進
されるので、外部から与える熱エネルギはプラ
ズマのみでよく、熱効率が極めて良い。従つ
て、低コスト化が図れる。
(ロ) 反応フレームが安定的に形成されるため、連
続的に大量のセラミツク超微粒子が得られ、極
めて効率がよく、均質なセラミツクが量産性よ
く得られる。
(ハ) 本発明は大気圧で行なうことができるため、
従来の真空蒸着法のような物理的方法に比べ、
装置等が簡素化でき低コスト化を図ることがで
きる。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例を図面を参考にして説明
する。
この実施例は、セラミツク超微粒子として二酸
化珪素超微粒子を製造する例を示す。
ここで、図は本発明の実施例に係るセラミツク
超微粒子製造装置の概要を示す概略構成図であ
る。
図中、１はプラズマ装置のノズルであり、タン
グステン陰極２と銅陽極３からなる。このタング
ステン陰極２と銅陽極３で形成される通路４に
は、プラズマガスが供給される。また、５は金属
粉末６とキヤリアガスを供給する供給管であり、
上記銅陽極３に接続され、銅陽極３を貫通して通
路４に開口している。
ノズル１の先端部は密閉容器７内に開口してお
り、この密閉容器７には、反応ガス供給管８と排
気管９が取り付けられている。
かかるセラミツク超微粒子製造装置を用いて、
二酸化珪素超微粒子を製造した。
まず、密閉容器７内を反応ガスである空気（含
酸素）で満たした後、プラズマガスとして一次ガ
スと二次ガスの混合ガスをタングステン陰極２と
銅陽極３の間の通路４に流す。このとき、一次ガ
スとしてアルゴンガスを、二次ガスとして水素ガ
スを用い、それぞれ54／min、５／minの割
合で供給する。そして、タングステン陰極２と銅
陽極３の間に約50V、600Aの電流を流しプラズ
マを発生させる。このプラズマは、図に示すよう
に、密閉容器７内にプラズマジエツト１０となつ
て噴出する。
次いで、供給管５からキヤリアガスとして窒素
ガスを用いて平均粒径100μｍの珪素粉末を供給
する。このとき、窒素ガスの供給量は0.9／
minであり、珪素粉末の供給量は180ｇ／minと
した。すると、第１図に示すように、プラズマジ
エツト１０の周りに大きな反応フレーム１１を形
成して珪素粉末と酸素が反応し、二酸化珪素超微
粒子が合成される。この反応は発熱反応であるた
め、反応による発熱により珪素粉末の蒸気化が促
進され、プラズマジエツト１０による熱と反応熱
により反応フレーム１１が維持されつつ反応が進
行する。かくして製造された二酸化珪素超微粒子
蒸気は、周囲の空気により冷却され、粒成長が抑
えられる。この合成した二酸化珪素超微粒子は、
図示しない水冷した銅パイプに付着して採取され
る。
この結果、平均粒径500Åの二酸化珪素超微粒
子が合成率97％で得られた。また、生産量は390
ｇ／minであり、従来に比べ約100倍であり、格
段に向上していることが判る。
以上、本発明の特定の実施例について説明した
が、本発明は、この実施例に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の実
施態様が包含されるものである。
例えば、実施例では金属粉末を連続して供給す
る例を示したが、この供給は間欠的であつてもよ
い。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の実施例に係るセラミツク超微粒子
製造装置の概要を示す概略構成図である。 １…プラズマ装置のノズル、２…タングステン
陰極、３…銅陽極、４…通路、５…供給管、６…
金属粉末、７…密閉容器、８…反応ガス供給管、
９…排気管、１０…プラズマジエツト、１１…反
応フレーム。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 目的とするセラミツク超微粒子の一部を形成
    する金属粉末を、キヤリアガスを用いて、70ｇ／
    min以上の供給量でプラズマジエツト中に投入
    し、蒸気とした金属粉末をプラズマジエツト周囲
    に満たされた、目的とするセラミツク超微粒子の
    他の一部を形成する元素を含んだ反応ガスと接触
    させることにより合成反応を起こさせ、この合成
    反応で生じる反応フレームを維持しつつ連続的に
    セラミツク超微粒子を得ることを特徴とするセラ
    ミツク超微粒子の製造方法。
JP59031942A 1984-02-22 1984-02-22 セラミツク超微粒子の製造方法 Granted JPS60175537A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59031942A JPS60175537A (ja) 1984-02-22 1984-02-22 セラミツク超微粒子の製造方法
US06/701,511 US4610857A (en) 1984-02-22 1985-02-14 Method for making ultra-fine ceramic particles
DE8585101897T DE3586005D1 (de) 1984-02-22 1985-02-21 Verfahren zur herstellung von ultrafeinen keramischen partikeln.
EP85101897A EP0152957B1 (en) 1984-02-22 1985-02-21 Method for making ultra-fine ceramic particles

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59031942A JPS60175537A (ja) 1984-02-22 1984-02-22 セラミツク超微粒子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60175537A JPS60175537A (ja) 1985-09-09
JPH0433490B2 true JPH0433490B2 (ja) 1992-06-03

Family

ID=12345017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59031942A Granted JPS60175537A (ja) 1984-02-22 1984-02-22 セラミツク超微粒子の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4610857A (ja)
EP (1) EP0152957B1 (ja)
JP (1) JPS60175537A (ja)
DE (1) DE3586005D1 (ja)

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0151490B1 (en) * 1984-02-09 1991-01-16 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Process for producing ultra-fine ceramic particles
JPS61242902A (ja) * 1985-04-19 1986-10-29 Natl Res Inst For Metals 高融点金属酸化物の超微粒子の製造法
GB2196956A (en) * 1986-11-04 1988-05-11 Toyo Kohan Co Ltd Process and apparatus for the production of rapidly solidified powders of high melting point ceramics
JP2667858B2 (ja) * 1987-04-20 1997-10-27 株式会社日立製作所 高温超電導材の製作方法
US4851262A (en) * 1987-05-27 1989-07-25 Carnegie-Mellon University Method of making carbide, nitride and boride powders
DE3741119A1 (de) * 1987-12-04 1989-06-15 Krupp Gmbh Erzeugung von sekundaerpulverteilchen mit nanokristalliner struktur und mit versiegelten oberflaechen
US5075090A (en) * 1988-01-12 1991-12-24 Vista Chemical Company Process for preparing small particle size mixed metal oxides
US4769064A (en) * 1988-01-21 1988-09-06 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for synthesizing ultrafine powder materials
EP0347566A3 (de) * 1988-06-23 1991-02-27 Hoechst Aktiengesellschaft Aluminiumnitridpulver und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3830086A1 (de) * 1988-07-25 1990-02-01 Battelle Institut E V Verfahren zum verduesen einer schmelze mit hilfe eines plasmastrahls
WO1990014451A1 (en) * 1989-05-19 1990-11-29 Kennametal Inc. Cvd grown transition metal carbide and nitride whiskers
US5128081A (en) * 1989-12-05 1992-07-07 Arch Development Corporation Method of making nanocrystalline alpha alumina
DK160490A (da) * 1990-03-26 1991-09-27 Intevep Sa Fremgangsmaade til fremstilling af metaloxidaerosol
US5126121A (en) * 1991-05-03 1992-06-30 The Dow Chemical Company Process for preparing aluminum nitride powder via controlled combustion nitridation
US5219804A (en) * 1992-01-10 1993-06-15 The Dow Chemical Company Process for preparing ultrafine aluminum nitride powder
DE4214725C2 (de) * 1992-05-04 1995-04-20 Starck H C Gmbh Co Kg Feinteilige Nichtoxid-Keramikpulver
DE4214724C2 (de) * 1992-05-04 1995-05-18 Starck H C Gmbh Co Kg Feinteiliges Oxid-Keramikpulver
DE4214719C2 (de) * 1992-05-04 1995-02-02 Starck H C Gmbh Co Kg Verfahren zur Herstellung feinteiliger Metall- und Keramikpulver
DE4214720C2 (de) * 1992-05-04 1994-10-13 Starck H C Gmbh Co Kg Vorrichtung zur Herstellung feinteiliger Metall- und Keramikpulver
US5242479A (en) * 1992-05-26 1993-09-07 Paton Tek, Inc. Apparatus and method for producing carbide coatings
US5562809A (en) * 1993-01-22 1996-10-08 Plasma Plus Method for making hydrogen saturated metal compounds
US5486278A (en) * 1993-06-02 1996-01-23 Moltech Invent S.A. Treating prebaked carbon components for aluminum production, the treated components thereof, and the components use in an electrolytic cell
US5460701A (en) * 1993-07-27 1995-10-24 Nanophase Technologies Corporation Method of making nanostructured materials
JP3410777B2 (ja) * 1993-09-13 2003-05-26 株式会社東芝 超微粒子無機蛍光体標識特異的結合物質およびこれを用いた検出方法
DE4337336C1 (de) * 1993-11-02 1994-12-15 Starck H C Gmbh Co Kg Feinteilige Metall-, Legierungs- und Metallverbindungspulver
US5525320A (en) * 1994-07-11 1996-06-11 University Of Cincinnati Process for aluminum nitride powder production
US5879794A (en) * 1994-08-25 1999-03-09 W. L. Gore & Associates, Inc. Adhesive-filler film composite
US7576296B2 (en) * 1995-03-14 2009-08-18 Battelle Energy Alliance, Llc Thermal synthesis apparatus
US5762009A (en) * 1995-06-07 1998-06-09 Alliant Techsystems, Inc. Plasma energy recycle and conversion (PERC) reactor and process
US5753382A (en) * 1996-01-10 1998-05-19 Moltech Invent S.A. Carbon bodies resistant to deterioration by oxidizing gases
JP3409294B2 (ja) * 1996-01-25 2003-05-26 株式会社豊田中央研究所 酸化物粉末の製造方法
US6933331B2 (en) 1998-05-22 2005-08-23 Nanoproducts Corporation Nanotechnology for drug delivery, contrast agents and biomedical implants
US5851507A (en) * 1996-09-03 1998-12-22 Nanomaterials Research Corporation Integrated thermal process for the continuous synthesis of nanoscale powders
US5905000A (en) * 1996-09-03 1999-05-18 Nanomaterials Research Corporation Nanostructured ion conducting solid electrolytes
CA2212471C (en) * 1997-08-06 2003-04-01 Tony Addona A method of forming an oxide ceramic anode in a transferred plasma arc reactor
JP3501631B2 (ja) * 1997-08-25 2004-03-02 電気化学工業株式会社 無機質球状粒子の製造方法及び装置
KR100425254B1 (ko) * 2001-05-16 2004-03-30 한국표준과학연구원 낮은 저항 계수를 갖는 망간 질화물의 제조방법
US6855426B2 (en) 2001-08-08 2005-02-15 Nanoproducts Corporation Methods for producing composite nanoparticles
JP2003095656A (ja) * 2001-09-20 2003-04-03 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体微粒子の製造方法
US20030108459A1 (en) * 2001-12-10 2003-06-12 L. W. Wu Nano powder production system
US6635307B2 (en) 2001-12-12 2003-10-21 Nanotek Instruments, Inc. Manufacturing method for thin-film solar cells
US20050199861A1 (en) * 2001-12-12 2005-09-15 Wu L. W. Manufacturing method for transparent and conductive coatings
US20040065170A1 (en) * 2002-10-07 2004-04-08 L. W. Wu Method for producing nano-structured materials
US7708974B2 (en) 2002-12-10 2010-05-04 Ppg Industries Ohio, Inc. Tungsten comprising nanomaterials and related nanotechnology
US7217407B2 (en) * 2003-09-11 2007-05-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Plasma synthesis of metal oxide nanoparticles
US7282167B2 (en) * 2003-12-15 2007-10-16 Quantumsphere, Inc. Method and apparatus for forming nano-particles
TWI246939B (en) * 2004-02-20 2006-01-11 Ind Tech Res Inst Nanostructured zinc oxide powder photocatalyst for visible light and manufacturing method of the same
JP5628472B2 (ja) * 2004-04-19 2014-11-19 エスディーシーマテリアルズ， インコーポレイテッド 気相合成による高スループットの材料発見方法
US8574408B2 (en) 2007-05-11 2013-11-05 SDCmaterials, Inc. Fluid recirculation system for use in vapor phase particle production system
US7615097B2 (en) * 2005-10-13 2009-11-10 Plasma Processes, Inc. Nano powders, components and coatings by plasma technique
DE102005061897A1 (de) * 2005-12-23 2007-06-28 Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von pulverförmigen Feststoffen
US7803295B2 (en) 2006-11-02 2010-09-28 Quantumsphere, Inc Method and apparatus for forming nano-particles
DE602007005399D1 (de) * 2006-12-01 2010-04-29 Umicore Nv Verfahren zur herstellung von nanoskaligen pulvern
US8575059B1 (en) 2007-10-15 2013-11-05 SDCmaterials, Inc. Method and system for forming plug and play metal compound catalysts
US8652992B2 (en) 2009-12-15 2014-02-18 SDCmaterials, Inc. Pinning and affixing nano-active material
US9126191B2 (en) 2009-12-15 2015-09-08 SDCmaterials, Inc. Advanced catalysts for automotive applications
US9119309B1 (en) 2009-12-15 2015-08-25 SDCmaterials, Inc. In situ oxide removal, dispersal and drying
US9149797B2 (en) 2009-12-15 2015-10-06 SDCmaterials, Inc. Catalyst production method and system
US8669202B2 (en) 2011-02-23 2014-03-11 SDCmaterials, Inc. Wet chemical and plasma methods of forming stable PtPd catalysts
MX2014001718A (es) 2011-08-19 2014-03-26 Sdcmaterials Inc Sustratos recubiertos para uso en catalisis y convertidores cataliticos y metodos para recubrir sustratos con composiciones de recubrimiento delgado.
US9156025B2 (en) 2012-11-21 2015-10-13 SDCmaterials, Inc. Three-way catalytic converter using nanoparticles
US9511352B2 (en) 2012-11-21 2016-12-06 SDCmaterials, Inc. Three-way catalytic converter using nanoparticles
WO2015013545A1 (en) 2013-07-25 2015-01-29 SDCmaterials, Inc. Washcoats and coated substrates for catalytic converters
MX2016004991A (es) 2013-10-22 2016-08-01 Sdcmaterials Inc Diseño de catalizador para motores de combustion diesel de servicio pesado.
JP2016535664A (ja) 2013-10-22 2016-11-17 エスディーシーマテリアルズ， インコーポレイテッド リーンＮＯｘトラップの組成物
CN106470752A (zh) 2014-03-21 2017-03-01 Sdc材料公司 用于被动nox吸附(pna)***的组合物
CN112265973B (zh) * 2020-10-10 2022-01-04 浙江宇耀新材料有限公司 一种纳米氮化铝粉体的制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL131994C (ja) * 1964-10-22
GB1143637A (ja) * 1965-03-24
US3574546A (en) * 1965-04-26 1971-04-13 American Cyanamid Co Manufacture of finely divided refractory oxides using controlled amounts of oxygen in plasma jet reactor
US3743708A (en) * 1970-11-20 1973-07-03 American Cyanamid Co Submicron metal oxide particles and their process for manufacture
US3848068A (en) * 1971-04-21 1974-11-12 Corning Glass Works Method for producing metal compounds
IT1055884B (it) * 1976-02-17 1982-01-11 Montedison Spa Procedimento ad arco plasma di prodotti ceramici metallici e simili
FI55682C (fi) * 1977-09-06 1979-09-10 Viljanmaa Antti Spaennanordning foer skinn
DE3134501A1 (de) * 1981-09-01 1983-08-11 Nikolaj Ivanovič Čebankov Ultrahochfrequenzplasmatron und anlage zur erhaltung feinst verteilter pulver

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60175537A (ja) 1985-09-09
EP0152957A3 (en) 1988-07-13
EP0152957A2 (en) 1985-08-28
EP0152957B1 (en) 1992-05-13
US4610857A (en) 1986-09-09
DE3586005D1 (de) 1992-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0433490B2 (ja)
JP2737736B2 (ja) カーボン単層ナノチューブの製造方法
US20070221635A1 (en) Plasma synthesis of nanopowders
US20080152839A1 (en) Electron device having electrode made of metal that is familiar with carbon
JPS6168311A (ja) 窒化アルミニウム粉未の製造方法およびその装置
US4632849A (en) Method for making a fine powder of a metal compound having ceramic coatings thereon
EP1018386B1 (en) Method for producing nickel powder
JPH068170B2 (ja) 高純度酸化マグネシウム微粉末の製造方法
JPH0327601B2 (ja)
WO2004060800A1 (ja) 単層カーボンナノチューブの製造方法および製造装置
Kim et al. Thermal plasma synthesis of ceramic nanomaterials
US20030141179A1 (en) Method for manufacturing carbon nanotubes
JPH01306510A (ja) 超微粒子粉末の製造方法の改良
JPS63170212A (ja) 金属硼化物の超微粉の製造法
JPS63266001A (ja) 複合球状粉末の製造方法
JP2021147309A (ja) 窒化ホウ素ナノチューブの製造方法および製造装置
JPH01115810A (ja) 高純度立方晶炭化タングステン超微粉末の製造法
JP3476232B2 (ja) プラズマアーク法によるｃ３ｎ４の合成方法
JPH0458404B2 (ja)
JPH0127773B2 (ja)
JPH0257476B2 (ja)
JPH0479975B2 (ja)
CN111514900B (zh) 一种在常温常压下合成氨的钴钇合金催化剂及其制备方法
JPS62283805A (ja) 窒化アルミニウム超微粉の製造法
JPH028304A (ja) タングステン粉末の製造法