JP2737736B2 - カーボン単層ナノチューブの製造方法 - Google Patents
カーボン単層ナノチューブの製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カーボン単層ナノ
チューブの製造方法に関し、特に長時間の連続製造が可
能なカーボン単層ナノチューブの製造方法に関する。
チューブの製造方法に関し、特に長時間の連続製造が可
能なカーボン単層ナノチューブの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】カーボンナノチューブは、厚さ数原子層
のグラファイト状炭素原子面を丸めた円筒が１個あるい
は数個入れ子になったものであり、外径がｎｍオーダー
の極めて微小な物質である。
のグラファイト状炭素原子面を丸めた円筒が１個あるい
は数個入れ子になったものであり、外径がｎｍオーダー
の極めて微小な物質である。
【０００３】数個以上の円筒状黒鉛層が同心円状に形成
された通常のカーボンナノチューブは、カーボンナノチ
ューブの電気特性や化学特性に大きなばらつきがあっ
た。そこで、チューブの形状が単層に制御されたカーボ
ン単層ナノチューブが開発された。
された通常のカーボンナノチューブは、カーボンナノチ
ューブの電気特性や化学特性に大きなばらつきがあっ
た。そこで、チューブの形状が単層に制御されたカーボ
ン単層ナノチューブが開発された。
【０００４】カーボン単層ナノチューブの製法としては
従来、電極に炭素棒を使ったアーク放電が用いられてき
た。この手法では電極の炭素材を原料としてカーボンナ
ノチューブを合成するため、製造時間の経過と共に電極
が消費するのは避けられず、アーク放電の状態自身も経
時変化してしまう。
従来、電極に炭素棒を使ったアーク放電が用いられてき
た。この手法では電極の炭素材を原料としてカーボンナ
ノチューブを合成するため、製造時間の経過と共に電極
が消費するのは避けられず、アーク放電の状態自身も経
時変化してしまう。
【０００５】また、カーボン単層ナノチューブを高効率
に合成するには、原料の炭素以外に鉄、ニッケル等の金
属触媒を必要とする。アーク放電法では、これらの触媒
金属はしばしば炭素電極内に埋め込んだ形で供給される
が、放電時に電極が高温になると、炭素に比べ蒸気圧が
高い触媒金属が優先的に蒸発するため炭素と触媒の供給
量の比率が経時変化してしまう。
に合成するには、原料の炭素以外に鉄、ニッケル等の金
属触媒を必要とする。アーク放電法では、これらの触媒
金属はしばしば炭素電極内に埋め込んだ形で供給される
が、放電時に電極が高温になると、炭素に比べ蒸気圧が
高い触媒金属が優先的に蒸発するため炭素と触媒の供給
量の比率が経時変化してしまう。
【０００６】以上の理由からアーク放電法では、数分間
を越える製造条件の定常性を望めず、長時間のカーボン
単層ナノチューブの合成が困難である。
を越える製造条件の定常性を望めず、長時間のカーボン
単層ナノチューブの合成が困難である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】カーボン単層ナノチュ
ーブはその結晶性の良さから強靱な炭素繊維となるが、
従来のアーク放電装置では炭素棒電極が消費され、また
炭素と触媒の供給量の比率が経時変化するため数分間を
越える長時間の運転ができず、実用に供せるだけのカー
ボン単層ナノチューブの収量を得ることは困難であっ
た。
ーブはその結晶性の良さから強靱な炭素繊維となるが、
従来のアーク放電装置では炭素棒電極が消費され、また
炭素と触媒の供給量の比率が経時変化するため数分間を
越える長時間の運転ができず、実用に供せるだけのカー
ボン単層ナノチューブの収量を得ることは困難であっ
た。
【０００８】従ってカーボン単層ナノチューブの工業上
の発展により、長時間運転が可能な合成法の確立が避け
得ない課題となっている。
の発展により、長時間運転が可能な合成法の確立が避け
得ない課題となっている。
【０００９】又、カーボン単層ナノチューブ合成時にア
モルファスカーボンやグラファイトも生成してしまうた
め、これら他相の生成を抑制し、良質のカーボン単層ナ
ノチューブを得る製造条件を得ることも課題となってい
た。
モルファスカーボンやグラファイトも生成してしまうた
め、これら他相の生成を抑制し、良質のカーボン単層ナ
ノチューブを得る製造条件を得ることも課題となってい
た。
【００１０】
【課題を解決するための手段】先の課題を解決するには
プラズマに直接触れる炭素電極を使わずに高温プラズマ
を発生させる必要があるため、本発明では高周波コイル
によって無電極プラズマを発生させている。
プラズマに直接触れる炭素電極を使わずに高温プラズマ
を発生させる必要があるため、本発明では高周波コイル
によって無電極プラズマを発生させている。
【００１１】この方法は、ガス流制御でプラズマ形状を
安定化させることにより、如何なる壁面にもプラズマを
接触させないことが可能で、カーボン単層ナノチューブ
合成に用いることにより、合成時間の制限が解消され
た。
安定化させることにより、如何なる壁面にもプラズマを
接触させないことが可能で、カーボン単層ナノチューブ
合成に用いることにより、合成時間の制限が解消され
た。
【００１２】なお炭素原料としては、供給量の制御性の
良いガスを用いることが好ましくメタン等の炭化水素を
用いることができる。
良いガスを用いることが好ましくメタン等の炭化水素を
用いることができる。
【００１３】金属触媒を、炭素源とは全く独立にプラズ
マに供給すれば、炭素と金属触媒の供給量の比率が経時
変化することがない。
マに供給すれば、炭素と金属触媒の供給量の比率が経時
変化することがない。
【００１４】カーボン単層ナノチューブの生成時にアモ
ルファスカーボンやグラファイトも発生するが、これを
抑制する為には炭素に対してエッチング作用をもつ水素
や酸素を添加するとよい。またプラズマの一部に外部よ
りガスを供給することによって、プラズマ温度を急激に
下げ生成粉を急冷することができ、これによってもアモ
ルファスカーボンやグラファイトなど副生成物の生成を
抑制することができる。
ルファスカーボンやグラファイトも発生するが、これを
抑制する為には炭素に対してエッチング作用をもつ水素
や酸素を添加するとよい。またプラズマの一部に外部よ
りガスを供給することによって、プラズマ温度を急激に
下げ生成粉を急冷することができ、これによってもアモ
ルファスカーボンやグラファイトなど副生成物の生成を
抑制することができる。
【００１５】さらに、カーボン単層ナノチューブを捕集
するための基板を、水冷などにより冷却することによ
り、多層のカーボンナノチューブの生成を抑制し、単層
のカーボンナノチューブを選択的に製造することができ
る。
するための基板を、水冷などにより冷却することによ
り、多層のカーボンナノチューブの生成を抑制し、単層
のカーボンナノチューブを選択的に製造することができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明による実施の一形態を以下
に説明する。
に説明する。
【００１７】本発明のカーボン単層ナノチューブ製造方
法は、無電極の高周波プラズマを用いるため、アーク放
電における電極の消耗の問題が原理的に無く、長時間運
転が可能である。
法は、無電極の高周波プラズマを用いるため、アーク放
電における電極の消耗の問題が原理的に無く、長時間運
転が可能である。
【００１８】製造時に生成物の品質に時間的ばらつきが
生じないようにするには、炭素原料と触媒金属原料の一
定量をプラズマ中に定常的に供給すればよく、このため
には触媒金属は粉体の形でキャリアガスの定常流にのせ
て供給し、炭素原料は流量制御された炭化水素ガスの形
態でそれぞれ別に供給する。
生じないようにするには、炭素原料と触媒金属原料の一
定量をプラズマ中に定常的に供給すればよく、このため
には触媒金属は粉体の形でキャリアガスの定常流にのせ
て供給し、炭素原料は流量制御された炭化水素ガスの形
態でそれぞれ別に供給する。
【００１９】本発明の実施の形態では、通常数百Ｔｏｒ
ｒの真空度でアーク領域のプラズマを発生させており、
この場合プラズマ中の原子の温度は１万℃の高温に達す
るため、供給した数μｍの粒径をもつ触媒金属粉体はほ
ぼ完全に蒸発する。炭素原料である炭化水素ガスはプラ
ズマ内でさらに容易に原子化される。
ｒの真空度でアーク領域のプラズマを発生させており、
この場合プラズマ中の原子の温度は１万℃の高温に達す
るため、供給した数μｍの粒径をもつ触媒金属粉体はほ
ぼ完全に蒸発する。炭素原料である炭化水素ガスはプラ
ズマ内でさらに容易に原子化される。
【００２０】プラズマ内で原子化された炭素と触媒金属
は、プラズマ炎の周縁の低温部で凝集し微粒子を形成す
る。この微粒子上で触媒作用により、固溶していた炭素
原子又は飛来した炭素原子がカーボン単層ナノチューブ
を形成する。
は、プラズマ炎の周縁の低温部で凝集し微粒子を形成す
る。この微粒子上で触媒作用により、固溶していた炭素
原子又は飛来した炭素原子がカーボン単層ナノチューブ
を形成する。
【００２１】ただし、この時アモルファスカーボンやグ
ラファイトも形成されてしまうが、カーボン単層ナノチ
ューブの方が成長速度が速い為、炭素をエッチングする
水素や酸素を添加すれば、アモルファスやグラファイト
の方がより優先的にエッチングされ、品質の良いカーボ
ン単層ナノチューブが得られる。
ラファイトも形成されてしまうが、カーボン単層ナノチ
ューブの方が成長速度が速い為、炭素をエッチングする
水素や酸素を添加すれば、アモルファスやグラファイト
の方がより優先的にエッチングされ、品質の良いカーボ
ン単層ナノチューブが得られる。
【００２２】また、微粒子が形成する場所であるプラズ
マ炎の周縁部に外部よりガスを供給し、プラズマの温度
を急激に低下させることにより、成長速度の遅いアモル
ファスカーボンやグラファイトが十分に形成されないま
ま、急冷によりそれらの反応を停止させ、品質の良いカ
ーボン単層ナノチューブを得ることができる。
マ炎の周縁部に外部よりガスを供給し、プラズマの温度
を急激に低下させることにより、成長速度の遅いアモル
ファスカーボンやグラファイトが十分に形成されないま
ま、急冷によりそれらの反応を停止させ、品質の良いカ
ーボン単層ナノチューブを得ることができる。
【００２３】更に、カーボン単層ナノチューブを捕集す
る基板を、水冷などにより冷却することにより、多層の
カーボンナノチューブの生成を抑制し、単層のカーボン
ナノチューブを選択的に製造することができる。
る基板を、水冷などにより冷却することにより、多層の
カーボンナノチューブの生成を抑制し、単層のカーボン
ナノチューブを選択的に製造することができる。
【００２４】
実施例１ 以下に、本発明の一実施例について、図１を参照して説
明する。
明する。
【００２５】本実施例では、高周波プラズマ発生装置に
おいて発振周波数４ＭＨｚで、約１０ｋＷの電力をコイ
ル３に供給することにより、３００Ｔｏｒｒ程度の真空
度で数ｃｍのサイズの高温プラズマ２を形成することが
できた。
おいて発振周波数４ＭＨｚで、約１０ｋＷの電力をコイ
ル３に供給することにより、３００Ｔｏｒｒ程度の真空
度で数ｃｍのサイズの高温プラズマ２を形成することが
できた。
【００２６】プラズマの形状を安定させるため、図中上
方よりアルゴンガスを毎分約６０リットルを供給し、プ
ラズマ内で発生した生成粉はこのガス流に乗って水冷さ
れた基板４まで達した後回収される。
方よりアルゴンガスを毎分約６０リットルを供給し、プ
ラズマ内で発生した生成粉はこのガス流に乗って水冷さ
れた基板４まで達した後回収される。
【００２７】カーボン単層ナノチューブ合成のためには
金属触媒を必要とするため、本実施例では、触媒金属を
約３〜５μｍの粒径をもつ粉体の形態で、流動式の粉体
供給装置により毎分３リットルでアルゴンのキャリアガ
ス気流にのせて、ノズル１を経てプラズマまで輸送し
た。
金属触媒を必要とするため、本実施例では、触媒金属を
約３〜５μｍの粒径をもつ粉体の形態で、流動式の粉体
供給装置により毎分３リットルでアルゴンのキャリアガ
ス気流にのせて、ノズル１を経てプラズマまで輸送し
た。
【００２８】なお、このキャリアガスの流量が毎分１リ
ットルを下回る場合には、プラズマ内部に存在する逆向
きの気流によって、プラズマ中心部に粉体が供給されず
に触媒金属の蒸発が不十分であったので、本実施例では
キャリアガス流を毎分３リットルとした。
ットルを下回る場合には、プラズマ内部に存在する逆向
きの気流によって、プラズマ中心部に粉体が供給されず
に触媒金属の蒸発が不十分であったので、本実施例では
キャリアガス流を毎分３リットルとした。
【００２９】触媒金属の種類としては、鉄、コバルト、
ニッケルいずれの場合にもカーボン単層ナノチューブの
合成が可能であった。特にニッケル７５％、コバルト２
５％の混合粉を用いたものが最もカーボン単層ナノチュ
ーブの収率が良かった。金属粉の標準的な供給量は毎分
約１００ｍｇであった。
ニッケルいずれの場合にもカーボン単層ナノチューブの
合成が可能であった。特にニッケル７５％、コバルト２
５％の混合粉を用いたものが最もカーボン単層ナノチュ
ーブの収率が良かった。金属粉の標準的な供給量は毎分
約１００ｍｇであった。
【００３０】炭素源としてメタンをプラズマ炎の下流側
の周縁部に毎分約１リットル供給した。なお、メタンを
供給する場所としてプラズマ炎の上流側を選んでも、毎
分１リットル程度の供給量であればプラズマの安定性を
損なわないため実用上問題は無かった。
の周縁部に毎分約１リットル供給した。なお、メタンを
供給する場所としてプラズマ炎の上流側を選んでも、毎
分１リットル程度の供給量であればプラズマの安定性を
損なわないため実用上問題は無かった。
【００３１】カーボン単層ナノチューブと共に形成され
るアモルファスカーボンやグラファイトの生成を抑制す
るため、プラズマの下流側に炭素に対しエッチング作用
をもつ水素を毎分６リットル供給した。メタンの供給量
に対する水素の供給量の比が２か３の場合は触媒金属微
粒子の周囲に多量のアモルファスやグラファイトが生成
したので、本実施例では水素の供給量の比が５を越える
ように選んだ。
るアモルファスカーボンやグラファイトの生成を抑制す
るため、プラズマの下流側に炭素に対しエッチング作用
をもつ水素を毎分６リットル供給した。メタンの供給量
に対する水素の供給量の比が２か３の場合は触媒金属微
粒子の周囲に多量のアモルファスやグラファイトが生成
したので、本実施例では水素の供給量の比が５を越える
ように選んだ。
【００３２】上記の方法により、プラズマ炎より多量の
微粒子が煤状に放出し、この微粒子が多くのカーボン単
層ナノチューブを含んでいることを電子顕微鏡により確
認した。ただしプラズマ炎に晒され１０００℃程度の高
温にある基板上で微粒子を回収した場合には、カーボン
単層ナノチューブよりも２，３層でできた多層のカーボ
ンナノチューブの方が多く見られ、基板上でカーボンナ
ノチューブが直径方向に成長することが確認できた。従
って、単層ナノチューブのみを得るには、水冷などによ
り冷却された基板上で回収するとよい。
微粒子が煤状に放出し、この微粒子が多くのカーボン単
層ナノチューブを含んでいることを電子顕微鏡により確
認した。ただしプラズマ炎に晒され１０００℃程度の高
温にある基板上で微粒子を回収した場合には、カーボン
単層ナノチューブよりも２，３層でできた多層のカーボ
ンナノチューブの方が多く見られ、基板上でカーボンナ
ノチューブが直径方向に成長することが確認できた。従
って、単層ナノチューブのみを得るには、水冷などによ
り冷却された基板上で回収するとよい。
【００３３】実施例２ アモルファスカーボン及びグラファイトの生成を抑制す
るため、プラズマ下流部にアルゴンガスを毎分１５リッ
トル供給した。アルゴンガス自身には炭素をエッチング
する作用は無いが、アルゴン導入に伴うプラズマの急冷
を行なうことにより、成長速度の速いカーボン単層ナノ
チューブを優先的に残し、他のアモルファスカーボンや
グラファイトの生成を抑えることができる。
るため、プラズマ下流部にアルゴンガスを毎分１５リッ
トル供給した。アルゴンガス自身には炭素をエッチング
する作用は無いが、アルゴン導入に伴うプラズマの急冷
を行なうことにより、成長速度の速いカーボン単層ナノ
チューブを優先的に残し、他のアモルファスカーボンや
グラファイトの生成を抑えることができる。
【００３４】急冷の現象は、アルゴンガス導入時にプラ
ズマ下流部の輻射強度が低下したことから目視でも確認
できた。アルゴンを導入しない場合に比べ、触媒金属微
粒子の周囲に存在するアモルファスカーボンやグラファ
イトが少なくなり、特にグラファイトが著しく減少し
た。アモルファスカーボンが高温下で結晶性を改善しグ
ラファイトとなる過程をガス急冷が阻害したためと考え
られる。
ズマ下流部の輻射強度が低下したことから目視でも確認
できた。アルゴンを導入しない場合に比べ、触媒金属微
粒子の周囲に存在するアモルファスカーボンやグラファ
イトが少なくなり、特にグラファイトが著しく減少し
た。アモルファスカーボンが高温下で結晶性を改善しグ
ラファイトとなる過程をガス急冷が阻害したためと考え
られる。
【００３５】一方カーボン単層ナノチューブについて
は、その結晶性を電子顕微鏡で観察したところ、その結
晶性にガス冷却法が悪い影響を与えていないことを確認
した。
は、その結晶性を電子顕微鏡で観察したところ、その結
晶性にガス冷却法が悪い影響を与えていないことを確認
した。
【００３６】実施例３ 市販で容易に入手できる金属粉は粒径のばら付きが大き
いため、触媒金属の原料に金属粉を用いた場合に、粒径
の大きな金属粉がプラズマ内で完全に蒸発しきれずに生
成物に混入して回収されてしまうことがある。
いため、触媒金属の原料に金属粉を用いた場合に、粒径
の大きな金属粉がプラズマ内で完全に蒸発しきれずに生
成物に混入して回収されてしまうことがある。
【００３７】これを防ぐ為には金属触媒源として有機金
属を用いた。本実施例では鉄の有機金属であるフェロセ
ンを用いた。フェロセンは昇崋温度が１４０℃と低いた
め、プラズマ中で完全に蒸発し、金属粉を用いた時のよ
うな未分解の原料粉は混入していなかった。
属を用いた。本実施例では鉄の有機金属であるフェロセ
ンを用いた。フェロセンは昇崋温度が１４０℃と低いた
め、プラズマ中で完全に蒸発し、金属粉を用いた時のよ
うな未分解の原料粉は混入していなかった。
【００３８】フェロセンを触媒原料として用い炭素原料
としてメタンを用い、高効率にカーボン単層ナノチュー
ブを合成することが可能であった。
としてメタンを用い、高効率にカーボン単層ナノチュー
ブを合成することが可能であった。
【００３９】なおフェロセン自身にも炭素原子を含んで
いるため、メタンを用いずにフェロセンだけでも、収率
は悪いながらカーボン単層ナノチューブが合成できた。
いるため、メタンを用いずにフェロセンだけでも、収率
は悪いながらカーボン単層ナノチューブが合成できた。
【００４０】
【発明の効果】従来のアーク放電によるカーボン単層ナ
ノチューブの製造方法では、電極である炭素棒が放電時
に消費され、更に電極に埋め込んだ触媒金属はその蒸気
圧の高さからより急激に消費される。炭素電極の消耗は
プラズマ状態に時間的変動を生じ、触媒金属の選択的な
蒸発はプラズマへの炭素と触媒金属の供給量の変動を生
じるため、カーボン単層ナノチューブの長時間合成は困
難であった。
ノチューブの製造方法では、電極である炭素棒が放電時
に消費され、更に電極に埋め込んだ触媒金属はその蒸気
圧の高さからより急激に消費される。炭素電極の消耗は
プラズマ状態に時間的変動を生じ、触媒金属の選択的な
蒸発はプラズマへの炭素と触媒金属の供給量の変動を生
じるため、カーボン単層ナノチューブの長時間合成は困
難であった。
【００４１】この課題を解決するため、本発明は図１で
示すような無電極プラズマ合成装置を用いた。これは４
ＭＨｚの高周波コイルにより最高温度が約１万℃の高温
プラズマを如何なる壁面にも接触させずに形成したもの
で、時間制限の無いカーボン単層ナノチューブの合成を
可能にした。
示すような無電極プラズマ合成装置を用いた。これは４
ＭＨｚの高周波コイルにより最高温度が約１万℃の高温
プラズマを如何なる壁面にも接触させずに形成したもの
で、時間制限の無いカーボン単層ナノチューブの合成を
可能にした。
【００４２】触媒金属を数μｍの粒径を持つ粉体の形態
で定常キャリアガス流に乗せて供給し、炭素原料はメタ
ンガスとしてガス流量計を介してプラズマに安定供給し
ている。金属触媒と炭素を別系統でプラズマへ供給すれ
ば、各成分元素の供給量比は一定で、品質の揃ったカー
ボン単層ナノチューブを合成することができる。
で定常キャリアガス流に乗せて供給し、炭素原料はメタ
ンガスとしてガス流量計を介してプラズマに安定供給し
ている。金属触媒と炭素を別系統でプラズマへ供給すれ
ば、各成分元素の供給量比は一定で、品質の揃ったカー
ボン単層ナノチューブを合成することができる。
【００４３】プラズマ内で原子化された炭素と触媒金属
は、プラズマ周縁の低温部で凝集し生成粉を形成する
が、この時アモルファスカーボンやグラファイトも形成
されてしまう。そこで本発明では、カーボン単層ナノチ
ューブが他の相に比べ成長速度が速いことを利用し、炭
素をエッチングする水素や酸素を添加することによっ
て、アモルファスやグラファイトをより優先的にエッチ
ングし、品質の良いカーボン単層ナノチューブを得るこ
とが出来た。
は、プラズマ周縁の低温部で凝集し生成粉を形成する
が、この時アモルファスカーボンやグラファイトも形成
されてしまう。そこで本発明では、カーボン単層ナノチ
ューブが他の相に比べ成長速度が速いことを利用し、炭
素をエッチングする水素や酸素を添加することによっ
て、アモルファスやグラファイトをより優先的にエッチ
ングし、品質の良いカーボン単層ナノチューブを得るこ
とが出来た。
【００４４】同じ効果を狙った他の手法としては、プラ
ズマ周縁部に外部よりアルゴンガスを供給し、プラズマ
の温度を急激に低下させることにより、成長速度の遅い
アモルファスカーボンやグラファイトが十分に形成され
ない段階で、急冷により反応を停止させ、品質の良いカ
ーボン単層ナノチューブを得ることが出来た。
ズマ周縁部に外部よりアルゴンガスを供給し、プラズマ
の温度を急激に低下させることにより、成長速度の遅い
アモルファスカーボンやグラファイトが十分に形成され
ない段階で、急冷により反応を停止させ、品質の良いカ
ーボン単層ナノチューブを得ることが出来た。
【００４５】また、冷却された捕集基板を用いれば、複
数層のカーボンナノチューブの生成を抑え単層カーボン
ナノチューブを選択的に得ることができる。
数層のカーボンナノチューブの生成を抑え単層カーボン
ナノチューブを選択的に得ることができる。
【図１】本発明の高周波プラズマによるカーボン単層ナ
ノチューブ製造装置の概念図である。
ノチューブ製造装置の概念図である。
１ 粉体供給ポート ２ プラズマ ３ 高周波コイル ４ 捕集基板
Claims (8)
- 【請求項１】 無電極の高周波プラズマを用いてプラズ
マを発生させ、炭素原料と金属触媒を前記プラズマ中に
供給することを特徴とするカーボン単層ナノチューブの
製造方法。 - 【請求項２】 無電極の高周波プラズマを用いてプラズ
マを発生させ、炭素原料と金属触媒を別々に前記プラズ
マ中に供給することを特徴とするカーボン単層ナノチュ
ーブの製造方法。 - 【請求項３】 前記炭素原料として炭化水素ガスを用い
ることを特徴とする請求項１または請求項２記載のカー
ボン単層ナノチューブの製造方法。 - 【請求項４】 粉体状の金属触媒を前記プラズマ中に供
給することを特徴とする請求項１または請求項２記載の
カーボン単層ナノチューブの製造方法。 - 【請求項５】 前記炭素原料および前記金属触媒として
有機金属を用いることを特徴とする請求項１記載のカー
ボン単層ナノチューブの製造方法。 - 【請求項６】 前記プラズマ中に、炭素をエッチングす
るガスを供給することを特徴とする請求項１または請求
項２または請求項３または請求項４または請求項５記載
のカーボン単層ナノチューブの製造方法。 - 【請求項７】 前記プラズマ領域の温度を局所的に低下
させることを特徴とする請求項１または請求項２または
請求項３または請求項４または請求項５記載のカーボン
単層ナノチューブの製造方法。 - 【請求項８】 カーボンナノチューブを捕集する基板が
冷却されていることを特徴とする、請求項１または請求
項２または請求項３または請求項４または請求項５また
は請求項６または請求項７記載のカーボンナノチューブ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8003636A JP2737736B2 (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | カーボン単層ナノチューブの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8003636A JP2737736B2 (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | カーボン単層ナノチューブの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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