JPH04309532A - テフロン治具の表面処理方法 - Google Patents
テフロン治具の表面処理方法Info
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- JPH04309532A JPH04309532A JP3074973A JP7497391A JPH04309532A JP H04309532 A JPH04309532 A JP H04309532A JP 3074973 A JP3074973 A JP 3074973A JP 7497391 A JP7497391 A JP 7497391A JP H04309532 A JPH04309532 A JP H04309532A
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Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はテフロン治具の表面処理
方法に関するものであり、特に半導体製造工程で使用さ
れる治具の表面処理方法に関する。
方法に関するものであり、特に半導体製造工程で使用さ
れる治具の表面処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、超ＬＳＩの微細化にともない半導
体基板保管時におけるテフロン治具からの遊離ＨＦによ
る半導体基板のエッチング作用に表面荒れが問題となっ
ている。従来、デュポン社によりフッソガスを用いてテ
フロン治具の表面に存在する不安定末端基−ＣＦ２ＣＨ
２ＯＨ、−ＣＯＮＨ２、および−ＣＯＦ基を安定な−Ｃ
Ｆ３基に転化することにより遊離ＨＦを低減する技術（
特開昭６２−１０４８２２）が発表されており商品化さ
れている。この技術は治具に成形されるまえの段階であ
るテフロン重合体の粉末、ペレットやフレーク状のもの
を１０％から２５％希釈フッソガスと圧力１気圧から１
０気圧で温度１５０℃から２５０℃で４時間から１６時
間フッソ化処理を行うものである。
体基板保管時におけるテフロン治具からの遊離ＨＦによ
る半導体基板のエッチング作用に表面荒れが問題となっ
ている。従来、デュポン社によりフッソガスを用いてテ
フロン治具の表面に存在する不安定末端基−ＣＦ２ＣＨ
２ＯＨ、−ＣＯＮＨ２、および−ＣＯＦ基を安定な−Ｃ
Ｆ３基に転化することにより遊離ＨＦを低減する技術（
特開昭６２−１０４８２２）が発表されており商品化さ
れている。この技術は治具に成形されるまえの段階であ
るテフロン重合体の粉末、ペレットやフレーク状のもの
を１０％から２５％希釈フッソガスと圧力１気圧から１
０気圧で温度１５０℃から２５０℃で４時間から１６時
間フッソ化処理を行うものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
方法では、テフロン治具の最表面のみしかフッソ化され
ずテフロン治具表面近傍のフッソ化処理が不十分である
ため、治具への成形の際および実際の半導体プロセスで
使用した場合、洗浄プロセス等の薬液処理等の繰り返し
使用により未処理の不安定末端基−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、
−ＣＯＮＨ２、および−ＣＯＦ基が露出することにより
、加水分解または熱分解により遊離ＨＦが発生し半導体
基板をエッチングし表面荒れを引き起こすという問題点
があった。
方法では、テフロン治具の最表面のみしかフッソ化され
ずテフロン治具表面近傍のフッソ化処理が不十分である
ため、治具への成形の際および実際の半導体プロセスで
使用した場合、洗浄プロセス等の薬液処理等の繰り返し
使用により未処理の不安定末端基−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、
−ＣＯＮＨ２、および−ＣＯＦ基が露出することにより
、加水分解または熱分解により遊離ＨＦが発生し半導体
基板をエッチングし表面荒れを引き起こすという問題点
があった。
【０００４】また、上記のような方法ではフッソ化処理
に４時間以上要するという量産上の課題があった。
に４時間以上要するという量産上の課題があった。
【０００５】そこで本発明は上記課題に鑑み、テフロン
治具の表面近傍に存在する不安定な末端基−ＣＦ２ＣＨ
２ＯＨ、−ＣＯＮＨ２、および−ＣＯＦ基を完全に、か
つ短時間にフッソ化することを可能とする表面処理方法
を提供するものである。
治具の表面近傍に存在する不安定な末端基−ＣＦ２ＣＨ
２ＯＨ、−ＣＯＮＨ２、および−ＣＯＦ基を完全に、か
つ短時間にフッソ化することを可能とする表面処理方法
を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、ＰＦＡを原材料とするテフロン治具の原材料であっ
て、前記治具に成形されるまえの段階であるテフロン重
合体の粉末、ペレットやフレーク状のものを、酸素プラ
ズマで処理することにより表面を清浄化する工程と、水
素プラズマ処理を行うことにより、前記ＰＦＡに含まれ
る−ＣＯＦ、−ＣＯＮＨ２および−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨを
還元する工程と、フッソ系ガスを含むプラズマにより処
理する工程により、前記ＰＦＡ重合の際に生成する不安
定末端基−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、−ＣＯＮＨ２、および−
ＣＯＦを−ＣＦ３基へ転化することにより、加水分解ま
たは熱分解により生成するＨＦの生成量を低減すること
を特徴とするテフロン治具の表面処理方法としたもので
ある。
に、ＰＦＡを原材料とするテフロン治具の原材料であっ
て、前記治具に成形されるまえの段階であるテフロン重
合体の粉末、ペレットやフレーク状のものを、酸素プラ
ズマで処理することにより表面を清浄化する工程と、水
素プラズマ処理を行うことにより、前記ＰＦＡに含まれ
る−ＣＯＦ、−ＣＯＮＨ２および−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨを
還元する工程と、フッソ系ガスを含むプラズマにより処
理する工程により、前記ＰＦＡ重合の際に生成する不安
定末端基−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、−ＣＯＮＨ２、および−
ＣＯＦを−ＣＦ３基へ転化することにより、加水分解ま
たは熱分解により生成するＨＦの生成量を低減すること
を特徴とするテフロン治具の表面処理方法としたもので
ある。
【０００７】
【作用】本発明は上記方法により、−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ
、−ＣＯＮＨ２、および−ＣＯＦ基を減圧下のプラズマ
処理により安定な−ＣＦ３基に転化することが可能であ
る。また、テフロン治具の不安定末端基−ＣＦ２ＣＨ２
ＯＨ、−ＣＯＮＨ２、および−ＣＯＦ基を最表面のみな
らず表面近傍までフッソ化することが可能であるため、
テフロン治具の繰り返し使用による内部の不安定末端基
の露出を防ぐことが可能であり、テフロン治具の実プロ
セス使用時における遊離ＨＦの発生を著しく抑制するこ
とができる。
、−ＣＯＮＨ２、および−ＣＯＦ基を減圧下のプラズマ
処理により安定な−ＣＦ３基に転化することが可能であ
る。また、テフロン治具の不安定末端基−ＣＦ２ＣＨ２
ＯＨ、−ＣＯＮＨ２、および−ＣＯＦ基を最表面のみな
らず表面近傍までフッソ化することが可能であるため、
テフロン治具の繰り返し使用による内部の不安定末端基
の露出を防ぐことが可能であり、テフロン治具の実プロ
セス使用時における遊離ＨＦの発生を著しく抑制するこ
とができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例の半導体装置製造用
テフロン治具の表面処理方法について説明する。
テフロン治具の表面処理方法について説明する。
【０００９】まず、市販のＰＦＡ重合体粉末試料をプラ
ズマ処理装置に導入し、１００Ｐａ程度の減圧下で２．
４５ＧＨｚのマイクロ波を照射し酸素プラズマ処理を５
分間程度行うことにより、粉末表面に付着した油等の有
機成分を除去すると共に、前記粉末の表面をかるくエッ
チングすることにより活性なＰＦＡ清浄表面を得る。こ
のとき酸素ガスは５００ｓｃｃｍ程度が望ましい。
ズマ処理装置に導入し、１００Ｐａ程度の減圧下で２．
４５ＧＨｚのマイクロ波を照射し酸素プラズマ処理を５
分間程度行うことにより、粉末表面に付着した油等の有
機成分を除去すると共に、前記粉末の表面をかるくエッ
チングすることにより活性なＰＦＡ清浄表面を得る。こ
のとき酸素ガスは５００ｓｃｃｍ程度が望ましい。
【００１０】次に１０％程度の希釈水素ガス（希釈ガス
としてはＨｅを用いた）５００ｓｃｃｍでプラズマ処理
装置内を置換し、水素プラズマ処理を減圧化力１００Ｐ
ａで１０分間程度行いＰＦＡ重合体粉末試料の不安定末
端基−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、−ＣＯＮＨ２、および−ＣＯ
Ｆ基を還元し−ＣＨ３基に転化する。このとき水素プラ
ズマで−ＣＨ３基に転化するのはＰＦＡ重合体粉末試料
の不安定末端基−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、−ＣＯＮＨ２、お
よび−ＣＯＦ基を直接−ＣＦ３基にしようとすれば、完
全に−ＣＦ３基までにならないものがあるからである。
としてはＨｅを用いた）５００ｓｃｃｍでプラズマ処理
装置内を置換し、水素プラズマ処理を減圧化力１００Ｐ
ａで１０分間程度行いＰＦＡ重合体粉末試料の不安定末
端基−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、−ＣＯＮＨ２、および−ＣＯ
Ｆ基を還元し−ＣＨ３基に転化する。このとき水素プラ
ズマで−ＣＨ３基に転化するのはＰＦＡ重合体粉末試料
の不安定末端基−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、−ＣＯＮＨ２、お
よび−ＣＯＦ基を直接−ＣＦ３基にしようとすれば、完
全に−ＣＦ３基までにならないものがあるからである。
【００１１】さらに２０％程度の希釈Ｆ２ガス（希釈ガ
スとしてはＨｅを用いた）１００ｓｃｃｍでプラズマ処
理装置内を置換し、フッソプラズマ処理を減圧下１００
Ｐａ程度で３０分間程度行うことにより前記水素プラズ
マ処理により生成した−ＣＨ３基は容易に−ＣＦ３基へ
転化する。以上のようにしてフッソ化処理を施したＰＦ
Ａ重合体粉末を成形加工し、半導体基板収納用テフロン
カセットを作製する。本発明による表面処理を施して作
製したテフロンカセットは実プロセスで繰り返し使用し
たのちも、劣化による遊離ＨＦは検出されなかった。
スとしてはＨｅを用いた）１００ｓｃｃｍでプラズマ処
理装置内を置換し、フッソプラズマ処理を減圧下１００
Ｐａ程度で３０分間程度行うことにより前記水素プラズ
マ処理により生成した−ＣＨ３基は容易に−ＣＦ３基へ
転化する。以上のようにしてフッソ化処理を施したＰＦ
Ａ重合体粉末を成形加工し、半導体基板収納用テフロン
カセットを作製する。本発明による表面処理を施して作
製したテフロンカセットは実プロセスで繰り返し使用し
たのちも、劣化による遊離ＨＦは検出されなかった。
【００１２】本実施例は半導体基板収納用テフロンカセ
ットのみならず真空ピンセットのテフロンチップやその
他半導体製造工程に使用されるテフロン治具に適用可能
なことは言うまでもない。
ットのみならず真空ピンセットのテフロンチップやその
他半導体製造工程に使用されるテフロン治具に適用可能
なことは言うまでもない。
【００１３】また、本実施例ではＰＦＡの場合について
説明したが、ＰＴＦＥについても同様の方法が適用でき
る。
説明したが、ＰＴＦＥについても同様の方法が適用でき
る。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明はテフロン治具の原
材料である重合体粉末に減圧下での一連の酸素プラズマ
、水素プラズマ、フッソプラズマ処理工程を行なうこと
により、表面がポーラス（多孔質）なテフロン重合体粉
末を高効率、かつ短時間で前記粉末の表面のみならず内
部に存在する不安定末端基のフッソ化が可能である。 そのため、テフロン治具への成形の際にも不安定末端基
が治具表面に露出することがないため、実プロセスでの
繰り返し使用によるテフロン治具の劣化に伴う遊離ＨＦ
の生成を抑制し、遊離ＨＦに起因する半導体基板のエッ
チングによる表面荒れを防止することが可能であり、そ
の実用効果は大きい。
材料である重合体粉末に減圧下での一連の酸素プラズマ
、水素プラズマ、フッソプラズマ処理工程を行なうこと
により、表面がポーラス（多孔質）なテフロン重合体粉
末を高効率、かつ短時間で前記粉末の表面のみならず内
部に存在する不安定末端基のフッソ化が可能である。 そのため、テフロン治具への成形の際にも不安定末端基
が治具表面に露出することがないため、実プロセスでの
繰り返し使用によるテフロン治具の劣化に伴う遊離ＨＦ
の生成を抑制し、遊離ＨＦに起因する半導体基板のエッ
チングによる表面荒れを防止することが可能であり、そ
の実用効果は大きい。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン／パ
ーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）を原材料
とするテフロン治具の原材料であって、前記治具に成形
されるまえの段階であるテフロン重合体の粉末、ペレッ
トやフレーク状のものを、酸素プラズマで処理すること
により表面を清浄化する工程と、水素プラズマ処理を行
うことにより、前記ＰＦＡに含まれる−ＣＯＦ、−ＣＯ
ＮＨ２および−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨを還元する工程と、フ
ッソ系ガスを含むプラズマにより処理する工程により、
前記ＰＦＡ重合の際に生成する不安定末端基−ＣＦ２Ｃ
Ｈ２ＯＨ、−ＣＯＮＨ２、および−ＣＯＦを−ＣＦ３（
パーフルオロメチル）基へ転化することにより、加水分
解または熱分解により生成するＨＦの生成量を低減する
ことを特徴とするテフロン治具の表面処理方法。 - 【請求項２】 ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレ
ン）を原材料とする請求項１記載のテフロン治具の表面
処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3074973A JPH04309532A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | テフロン治具の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3074973A JPH04309532A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | テフロン治具の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04309532A true JPH04309532A (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=13562748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3074973A Pending JPH04309532A (ja) | 1991-04-08 | 1991-04-08 | テフロン治具の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04309532A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996017882A1 (de) * | 1994-12-08 | 1996-06-13 | Arplas Gesellschaft Für Plasmatechnologie Mbh | Verfahren zum chemischen modifizieren von alkylgruppenhaltigen thermoplasten |
| EP0738751A1 (de) * | 1995-04-22 | 1996-10-23 | Messer Griesheim Gmbh | Verfaren zur Konditionierung von organischen Substratoberflächen |
| US5599489A (en) * | 1993-01-18 | 1997-02-04 | Onoda Cement Co., Ltd. | Preparing molded articles of fluorine-containing polymer with increased water-repellency |
| KR100467901B1 (ko) * | 2002-01-22 | 2005-01-24 | 이우석 | 지그류의 테프론 코팅처리방법 |
| WO2007089016A1 (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Daikin Industries, Ltd. | 安定化フルオロポリマー製造方法 |
| CN103665215A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-26 | 中昊晨光化工研究院有限公司 | 一种ptfe悬浮树脂的端基氟化处理方法 |
-
1991
- 1991-04-08 JP JP3074973A patent/JPH04309532A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5599489A (en) * | 1993-01-18 | 1997-02-04 | Onoda Cement Co., Ltd. | Preparing molded articles of fluorine-containing polymer with increased water-repellency |
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| US5904817A (en) * | 1994-12-08 | 1999-05-18 | Arplas Gesellschaft Fur Plasmatechnologie Mbh | Process for the chemical modification of thermoplastics that contain alkyl groups |
| EP0738751A1 (de) * | 1995-04-22 | 1996-10-23 | Messer Griesheim Gmbh | Verfaren zur Konditionierung von organischen Substratoberflächen |
| US5741545A (en) * | 1995-04-22 | 1998-04-21 | Messer Griesheim Gmbh | Process for conditioning organic substrate surfaces |
| CN1083860C (zh) * | 1995-04-22 | 2002-05-01 | 梅塞尔·格里斯海姆有限公司 | 一种为改进后续的氟化或氯化处理而改善聚乙烯基质表面的方法 |
| KR100467901B1 (ko) * | 2002-01-22 | 2005-01-24 | 이우석 | 지그류의 테프론 코팅처리방법 |
| WO2007089016A1 (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Daikin Industries, Ltd. | 安定化フルオロポリマー製造方法 |
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| JP5167818B2 (ja) * | 2006-02-03 | 2013-03-21 | ダイキン工業株式会社 | 安定化フルオロポリマー製造方法 |
| CN103665215A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-26 | 中昊晨光化工研究院有限公司 | 一种ptfe悬浮树脂的端基氟化处理方法 |
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