JPH04302142A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04302142A JPH04302142A JP6704191A JP6704191A JPH04302142A JP H04302142 A JPH04302142 A JP H04302142A JP 6704191 A JP6704191 A JP 6704191A JP 6704191 A JP6704191 A JP 6704191A JP H04302142 A JPH04302142 A JP H04302142A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方法
に関し、更に詳しくはアルミニウム系の基板上における
ドライ現像プロセスでのパターン形成において、レジス
トの酸素系（Ｏ２／ＣＯ２）反応性イオンエッチング時
に生じる堆積物を除去する方法に関するものである。
に関し、更に詳しくはアルミニウム系の基板上における
ドライ現像プロセスでのパターン形成において、レジス
トの酸素系（Ｏ２／ＣＯ２）反応性イオンエッチング時
に生じる堆積物を除去する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来、
シリコンを含んだアルミニウム系基板上におけるパター
ン形成において、多層レジスト法やシリル化法が用いら
れている。そしてアルミニウム系基板のパターン形成時
にレジスト膜が予めアルミニウム系基板上に形成されて
いるが、このレジスト膜を酸素系（Ｏ２／ＣＯ２）反応
性イオンエッチングでパターニングする際、堆積物がレ
ジストパターンの側壁に付着するのが避けられなかった
。 この堆積物は基板のアルミニウムの、入射イオンによる
スパッタリングによって生じ、この堆積物はアルミニウ
ム、酸素、カーボン系からなる化合物と推定される。こ
の堆積物をレジストパターン側壁に残すことになると、
線幅のコントロール性を劣化させたままアルミニウム系
基板をエッチングすることになるとともに、そのエッチ
ング時に残渣を生じたりする。従って、堆積物を除去す
る必要があるが、従来は希フッ酸水溶液が用いられてお
り、この場合アルミニウム系基板自体に損傷を与え有効
とはいえなかった。この発明は、堆積物をアルミニウム
系基板を損ねることなく効率的に除去できる半導体装置
の製造方法を提供するものである。
シリコンを含んだアルミニウム系基板上におけるパター
ン形成において、多層レジスト法やシリル化法が用いら
れている。そしてアルミニウム系基板のパターン形成時
にレジスト膜が予めアルミニウム系基板上に形成されて
いるが、このレジスト膜を酸素系（Ｏ２／ＣＯ２）反応
性イオンエッチングでパターニングする際、堆積物がレ
ジストパターンの側壁に付着するのが避けられなかった
。 この堆積物は基板のアルミニウムの、入射イオンによる
スパッタリングによって生じ、この堆積物はアルミニウ
ム、酸素、カーボン系からなる化合物と推定される。こ
の堆積物をレジストパターン側壁に残すことになると、
線幅のコントロール性を劣化させたままアルミニウム系
基板をエッチングすることになるとともに、そのエッチ
ング時に残渣を生じたりする。従って、堆積物を除去す
る必要があるが、従来は希フッ酸水溶液が用いられてお
り、この場合アルミニウム系基板自体に損傷を与え有効
とはいえなかった。この発明は、堆積物をアルミニウム
系基板を損ねることなく効率的に除去できる半導体装置
の製造方法を提供するものである。
【０００３】
【課題を解決するための手段及び作用】この発明は、上
面にレジスト膜を有するアルミニウム系基板を上記レジ
スト膜の所定パターンを用いて除去するに際して、上記
レジスト膜を炭酸ガスの存在下又は非存在下で酸素ガス
を用いた反応性イオンエッチングにより所定パターンに
除去し、次いで所定パターンの側壁に残存する上記反応
性イオンエッチング法で生成した堆積物を、フッ化アン
モニウムと酢酸の水溶液で除去し、しかる後上記アルミ
ニウム系基板のエッチングを行ってそのパターンを形成
することからなる半導体装置の製造方法である。この発
明におけるアルミニウム系基板としては、シリコンを含
んだアルミニウム基板が好ましいものとして挙げられる
。この発明における反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ
法）に用いられる反応性イオンは、通常Ｏ２ガスとＣＯ
２ガスの混合ガスが多用されたり、Ｏ２ガス単独で多用
される。Ｏ２ガスとＣＯ２ガスを用いたエッチングの条
件（ガス量、温度）は、公知の条件を適用することがで
きる。このＲＩＥ法はアルミニウム系基板をエッチング
するときにマスクとして用いられるレジストパターンを
形成するためのものである。この際、レジストパターン
７の高さＨは１．０〜０．２０μｍであり、堆積物８の
最大厚みＤは大きく見積もってもせいぜい０．０５〜０
．２０μｍである。この発明の方法では、上記の堆積物
をフッ化アンモニウムと酢酸の水溶液で除去される。水
溶液中のフッ化アンモニウムと酢酸の濃度は特に限定さ
れないが、例えばフッ化アンモニウムが約２０％、酢酸
が４０％程度含有するのが好ましい。この水溶液の処理
時間は、例えば５〜３０秒である。処理方法は、浸漬法
、スプレーパドル法等の何れを用いることができる。こ
こでスプレーパドル法は、図６に示ようにアルミニウム
系基板１を含むウエハーをチャック１９に支持させた状
態でスピンカップ１８内に収納し、上方に設けられたス
プレーノズル２０から上記の水溶液１６をウエハー上に
吹き付ける方法である。
面にレジスト膜を有するアルミニウム系基板を上記レジ
スト膜の所定パターンを用いて除去するに際して、上記
レジスト膜を炭酸ガスの存在下又は非存在下で酸素ガス
を用いた反応性イオンエッチングにより所定パターンに
除去し、次いで所定パターンの側壁に残存する上記反応
性イオンエッチング法で生成した堆積物を、フッ化アン
モニウムと酢酸の水溶液で除去し、しかる後上記アルミ
ニウム系基板のエッチングを行ってそのパターンを形成
することからなる半導体装置の製造方法である。この発
明におけるアルミニウム系基板としては、シリコンを含
んだアルミニウム基板が好ましいものとして挙げられる
。この発明における反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ
法）に用いられる反応性イオンは、通常Ｏ２ガスとＣＯ
２ガスの混合ガスが多用されたり、Ｏ２ガス単独で多用
される。Ｏ２ガスとＣＯ２ガスを用いたエッチングの条
件（ガス量、温度）は、公知の条件を適用することがで
きる。このＲＩＥ法はアルミニウム系基板をエッチング
するときにマスクとして用いられるレジストパターンを
形成するためのものである。この際、レジストパターン
７の高さＨは１．０〜０．２０μｍであり、堆積物８の
最大厚みＤは大きく見積もってもせいぜい０．０５〜０
．２０μｍである。この発明の方法では、上記の堆積物
をフッ化アンモニウムと酢酸の水溶液で除去される。水
溶液中のフッ化アンモニウムと酢酸の濃度は特に限定さ
れないが、例えばフッ化アンモニウムが約２０％、酢酸
が４０％程度含有するのが好ましい。この水溶液の処理
時間は、例えば５〜３０秒である。処理方法は、浸漬法
、スプレーパドル法等の何れを用いることができる。こ
こでスプレーパドル法は、図６に示ようにアルミニウム
系基板１を含むウエハーをチャック１９に支持させた状
態でスピンカップ１８内に収納し、上方に設けられたス
プレーノズル２０から上記の水溶液１６をウエハー上に
吹き付ける方法である。
【０００４】この発明の実施例を説明する。多層レジス
ト法を用いたパターン形成方法について説明する。まず
、図９に示すようにＳｉを含むＡｌ基板（１）上に２．
０μｍ厚の下層レジスト膜（９）を積層した後ベークを
行い、次にＳＯＧ膜（１０）を１５００Åの厚さに塗布
した後ベークを行い、続いて上層レジスト膜（１１）を
１．１０μｍ厚に塗布した後ベークを行い（図９参照）
、露光・現像を行って上層レジストパターン（１２）を
形成し（図１０）、これをマスクにしてＲＩＥでＳＯＧ
膜（１０）を除去する（図１１参照）。次に、ＳＯＧパ
ターン（１３）をマスクとして下層レジスト膜（９）を
Ｏ２ ／ＣＯ２ 下でドライエッチングしてパターン（
７）を形成する（図１参照）。この際、高さＨが２．０
μｍのレジストパターンに対し、その側壁に最大幅Ｄが
０．１０μｍの堆積物８が生成する（図４、図１参照）
。次に、図５に示すように浸漬法で、体積比がＮＨ４Ｆ
：ＣＨ３ＣＯＯＨ：Ｈ２Ｏ＝１：２：２の水溶液処理に
て堆積物を側壁から完全に除去（図２参照）できた。こ
の際、浸漬法の装置としては図５に示すように、上記水
溶液１６を収納したエッチング用容器１５を用い、Ａｌ
基板１を含むウエハーをキャリアー１７に載置した状態
で容器１５内に５〜３０秒間つけた。堆積物を除去した
後図３に示すように、Ａｌ基板１をエッチングして幅Ｗ
が０．８μｍのＡｌパターン２１を形成した。 このように本実施例では、上記水溶液によりレジストパ
ターン７の側壁の体積物８が、フッ酸に浸漬したときの
ようにＡｌ・基板がエッチングされることなく、また、
（ｉ）残さやパターンくずれなどなく完全に除去できる
。さらに（ｉｉ）Ａｌ・基板１とレジストパターン７界
面に図８に示すようなアンダーカット部２２を生じるこ
となく図７に示すような形状にでき、（ｉｉｉ）しかも
、Ａｌ基板は損なわれることはないという効果を奏す。
ト法を用いたパターン形成方法について説明する。まず
、図９に示すようにＳｉを含むＡｌ基板（１）上に２．
０μｍ厚の下層レジスト膜（９）を積層した後ベークを
行い、次にＳＯＧ膜（１０）を１５００Åの厚さに塗布
した後ベークを行い、続いて上層レジスト膜（１１）を
１．１０μｍ厚に塗布した後ベークを行い（図９参照）
、露光・現像を行って上層レジストパターン（１２）を
形成し（図１０）、これをマスクにしてＲＩＥでＳＯＧ
膜（１０）を除去する（図１１参照）。次に、ＳＯＧパ
ターン（１３）をマスクとして下層レジスト膜（９）を
Ｏ２ ／ＣＯ２ 下でドライエッチングしてパターン（
７）を形成する（図１参照）。この際、高さＨが２．０
μｍのレジストパターンに対し、その側壁に最大幅Ｄが
０．１０μｍの堆積物８が生成する（図４、図１参照）
。次に、図５に示すように浸漬法で、体積比がＮＨ４Ｆ
：ＣＨ３ＣＯＯＨ：Ｈ２Ｏ＝１：２：２の水溶液処理に
て堆積物を側壁から完全に除去（図２参照）できた。こ
の際、浸漬法の装置としては図５に示すように、上記水
溶液１６を収納したエッチング用容器１５を用い、Ａｌ
基板１を含むウエハーをキャリアー１７に載置した状態
で容器１５内に５〜３０秒間つけた。堆積物を除去した
後図３に示すように、Ａｌ基板１をエッチングして幅Ｗ
が０．８μｍのＡｌパターン２１を形成した。 このように本実施例では、上記水溶液によりレジストパ
ターン７の側壁の体積物８が、フッ酸に浸漬したときの
ようにＡｌ・基板がエッチングされることなく、また、
（ｉ）残さやパターンくずれなどなく完全に除去できる
。さらに（ｉｉ）Ａｌ・基板１とレジストパターン７界
面に図８に示すようなアンダーカット部２２を生じるこ
となく図７に示すような形状にでき、（ｉｉｉ）しかも
、Ａｌ基板は損なわれることはないという効果を奏す。
【０００５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、多層レ
ジスト法あるいはシリル化法におけるレジスト膜の反応
性イオンエッチング時に生じる堆積物の除去に対してＮ
Ｈ４Ｆ／ＣＨ３ＣＯＯＨ系水溶液を用いて行ったので完
全に除去でき、良好な結果が得られた。
ジスト法あるいはシリル化法におけるレジスト膜の反応
性イオンエッチング時に生じる堆積物の除去に対してＮ
Ｈ４Ｆ／ＣＨ３ＣＯＯＨ系水溶液を用いて行ったので完
全に除去でき、良好な結果が得られた。
【図１】この発明の第１実施例における製造工程の一ス
テップを示す構成説明図である。
テップを示す構成説明図である。
【図２】上記実施例における製造工程の一ステップを示
す構成説明図である。
す構成説明図である。
【図３】上記実施例における製造工程の一ステップを示
す構成説明図である。
す構成説明図である。
【図４】上記実施例における堆積物の除去を説明するた
めの要部構成説明図である。
めの要部構成説明図である。
【図５】上記第１実施例において用いた１つの方法を説
明するための構成説明図である。
明するための構成説明図である。
【図６】この発明の第２実施例を示す構成説明図である
。
。
【図７】この発明の上記２つの実施例における好ましい
１工程を示す構成説明図である。
１工程を示す構成説明図である。
【図８】この発明の上記２つの実施例における好ましく
ない１工程を示す構成説明図である。
ない１工程を示す構成説明図である。
【図９】上記第１実施例の製造工程における第１ステッ
プを示す構成説明図である。
プを示す構成説明図である。
【図１０】上記第１実施例の製造工程における第２ステ
ップを示す構成説明図である。
ップを示す構成説明図である。
【図１１】上記第１実施例の製造工程における第３ステ
ップを示す構成説明図である。
ップを示す構成説明図である。
１ Ａｌ基板
９ 下層レジスト（レジスト膜）７ 下層
レジストのレジストパターン（レジスト膜の所定パター
ン） ８ 堆積物 １６ フッ化アンモニウムと酢酸の水溶液２１ Ａ
ｌパターン
レジストのレジストパターン（レジスト膜の所定パター
ン） ８ 堆積物 １６ フッ化アンモニウムと酢酸の水溶液２１ Ａ
ｌパターン
Claims (1)
- 【請求項１】 上面にレジスト膜を有するアルミニウ
ム系基板を上記レジスト膜の所定パターンを用いて除去
するに際して、上記レジスト膜を炭酸ガスの存在下又は
非存在下で酸素ガスを用いた反応性イオンエッチングに
より所定パターンに除去し、次いで所定パターンの側壁
に残存する上記反応性イオンエッチング法で生成した堆
積物を、フッ化アンモニウムと酢酸の水溶液で除去し、
しかる後上記アルミニウム系基板のエッチングを行って
そのパターンを形成することからなる半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6704191A JPH04302142A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6704191A JPH04302142A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04302142A true JPH04302142A (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=13333372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6704191A Pending JPH04302142A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04302142A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02143523A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0355833A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-11 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP6704191A patent/JPH04302142A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02143523A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0355833A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-11 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
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