JPH04297051A - 集積回路の試験・修復装置 - Google Patents
集積回路の試験・修復装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路の試験及び修
復に関する。
復に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビームにより集積回路を試験するこ
とが知られている。この場合、集積回路に入力信号を加
えながら、電子ビームで走査するようにしている。特定
の測定点で発生した二次電子は、対応する実際の電気信
号値に変換され、入力信号により決められる理論信号値
と比較される。続いて、欠陥の認められた集積回路は、
イオンビーム装置の中で修復されるようになっていた。 しかしながら、集積回路を電子ビーム装置からイオンビ
ーム装置へ移動させるため、イオンビームで実際に修復
を行う前に、再度欠陥部を探さなければならない。そう
した上で、電子ビーム装置により再度修復のチェックを
行う必要があった。このため、試験及び修復には多大の
時間を要すると共に、多くの高価な機器類を必要として
いた。
とが知られている。この場合、集積回路に入力信号を加
えながら、電子ビームで走査するようにしている。特定
の測定点で発生した二次電子は、対応する実際の電気信
号値に変換され、入力信号により決められる理論信号値
と比較される。続いて、欠陥の認められた集積回路は、
イオンビーム装置の中で修復されるようになっていた。 しかしながら、集積回路を電子ビーム装置からイオンビ
ーム装置へ移動させるため、イオンビームで実際に修復
を行う前に、再度欠陥部を探さなければならない。そう
した上で、電子ビーム装置により再度修復のチェックを
行う必要があった。このため、試験及び修復には多大の
時間を要すると共に、多くの高価な機器類を必要として
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
課題は、集積回路の試験及び修復を行う場合、従来技術
に比較して時間及びコストを著しく低減しうる集積回路
の試験・修復方法及び装置を提供することにある。
課題は、集積回路の試験及び修復を行う場合、従来技術
に比較して時間及びコストを著しく低減しうる集積回路
の試験・修復方法及び装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
、一方において、本発明の集積回路の試験・修復方法は
次のように構成される。即ち、集積回路を試験する際、
入射する試験用の粒子線により測定点で発生した二次電
子を、理論信号値と比較する実際の電気信号値に変換し
、試験中、欠陥の認められた集積回路の修復をイオンビ
ームにより行うものであって、修復に使用するイオンビ
ームを、試験用の粒子ビームとして使用するのである。
、一方において、本発明の集積回路の試験・修復方法は
次のように構成される。即ち、集積回路を試験する際、
入射する試験用の粒子線により測定点で発生した二次電
子を、理論信号値と比較する実際の電気信号値に変換し
、試験中、欠陥の認められた集積回路の修復をイオンビ
ームにより行うものであって、修復に使用するイオンビ
ームを、試験用の粒子ビームとして使用するのである。
【０００５】また他方において、本発明の集積回路の試
験・修復装置は次のように構成される。即ち、試験用の
粒子ビームを発生する手段、入力信号を集積回路に印加
する手段、試験用の粒子ビームにより測定点で発生した
二次電子を、実際の電気信号値に変換するための手段及
びこの変換された実際の電気信号値を、入力信号によっ
て決定される理論信号値と比較するための手段を有する
集積回路の試験装置と、欠陥の認められた集積回路をイ
オンビームを発生する手段により修復する修復装置とを
具備し、修復に用いるイオンビームが同時に試験用の粒
子ビームを形成すると共に、このビームの発生が単一の
ビーム発生器によりなされるように構成される。
験・修復装置は次のように構成される。即ち、試験用の
粒子ビームを発生する手段、入力信号を集積回路に印加
する手段、試験用の粒子ビームにより測定点で発生した
二次電子を、実際の電気信号値に変換するための手段及
びこの変換された実際の電気信号値を、入力信号によっ
て決定される理論信号値と比較するための手段を有する
集積回路の試験装置と、欠陥の認められた集積回路をイ
オンビームを発生する手段により修復する修復装置とを
具備し、修復に用いるイオンビームが同時に試験用の粒
子ビームを形成すると共に、このビームの発生が単一の
ビーム発生器によりなされるように構成される。
【０００６】
【作用】上記構成において、修復に用いるイオンビーム
を試験用として用いる粒子ビームとしても用い、またこ
のビームを単一のビーム発生器で発生するようにしたの
で、集積回路を試験装置と修復装置との間で移動する時
間が省略できる。また、イオンビームを集積回路の試験
及び修復の両方に使用できるため、単一のビーム発生器
で済み、コストが大幅に低減できる。
を試験用として用いる粒子ビームとしても用い、またこ
のビームを単一のビーム発生器で発生するようにしたの
で、集積回路を試験装置と修復装置との間で移動する時
間が省略できる。また、イオンビームを集積回路の試験
及び修復の両方に使用できるため、単一のビーム発生器
で済み、コストが大幅に低減できる。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の集積回路の試
験及び修復装置の実施例について詳細に説明する。図１
において、１はイオンソース、２は集束レンズ、３は消
去装置（ｂｌａｎｋｉｎｇｓｙｓｔｅｍ） 、４は絞り
板（ａｐｅｒｔｕｒｅ ｄｉａｐｈｒａｇｍ）、５は偏
向板、６はスティグメータ（ｓｔｉｇｍａｔｏｒ） 及
び７は対物レンズである。この対物レンズ７は３つの回
転対称電極７ａ，７ｂ及び７ｃを有し、これらの電極は
ビーム方向に順次配列されると共に、イオンビームの軸
８と対物レンズ７の軸とは一致するようになっている。
験及び修復装置の実施例について詳細に説明する。図１
において、１はイオンソース、２は集束レンズ、３は消
去装置（ｂｌａｎｋｉｎｇｓｙｓｔｅｍ） 、４は絞り
板（ａｐｅｒｔｕｒｅ ｄｉａｐｈｒａｇｍ）、５は偏
向板、６はスティグメータ（ｓｔｉｇｍａｔｏｒ） 及
び７は対物レンズである。この対物レンズ７は３つの回
転対称電極７ａ，７ｂ及び７ｃを有し、これらの電極は
ビーム方向に順次配列されると共に、イオンビームの軸
８と対物レンズ７の軸とは一致するようになっている。
【０００８】本装置内には分光器が組み込まれ、この分
光器は後述する抽出電極（ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｅｌ
ｅｃｔｒｏｄｅ）９、フィルタ電極１０、二次電子検出
器１１及び制御回路を具えている。二次電子検出器１１
は、シンチレータ１２、ミラー１３（或は他の光学装置
）及び電子増倍器（ｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ）１４より成
り、シンチレータ１２は対物レンズ７の中央部の電極７
ｂの内側に形成されている。このシンチレータ１２は、
光導電体により電子増倍器１４に接続するようにしても
良い。
光器は後述する抽出電極（ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｅｌ
ｅｃｔｒｏｄｅ）９、フィルタ電極１０、二次電子検出
器１１及び制御回路を具えている。二次電子検出器１１
は、シンチレータ１２、ミラー１３（或は他の光学装置
）及び電子増倍器（ｍｕｌｔｉｐｌｉｅｒ）１４より成
り、シンチレータ１２は対物レンズ７の中央部の電極７
ｂの内側に形成されている。このシンチレータ１２は、
光導電体により電子増倍器１４に接続するようにしても
良い。
【０００９】集積回路２３には、ＬＳＩテスタ２２によ
り入力信号が印加され、このＬＳＩテスタ２３は、試験
ヘッド１５を介して集積回路２３へ接続されるようにな
っている。
り入力信号が印加され、このＬＳＩテスタ２３は、試験
ヘッド１５を介して集積回路２３へ接続されるようにな
っている。
【００１０】シンチレータ１２をフィルタ電極１０に接
続する制御回路は、試験ヘッド１５を有するＬＳＩテス
タ２２、位相制御回路１６、減速器（ｒｅｔａｒｄｅｒ
）１７、プリアンプ１９、信号処理回路２０及び増幅器
２１より構成され、増幅器２１の出力はフィルタ電極１
０に印加される。
続する制御回路は、試験ヘッド１５を有するＬＳＩテス
タ２２、位相制御回路１６、減速器（ｒｅｔａｒｄｅｒ
）１７、プリアンプ１９、信号処理回路２０及び増幅器
２１より構成され、増幅器２１の出力はフィルタ電極１
０に印加される。
【００１１】位相制御回路１６は、減速器１７に接続さ
れると共に、パルス発生器２４を介して消去装置３に接
続される。
れると共に、パルス発生器２４を介して消去装置３に接
続される。
【００１２】データ処理装置２５はＬＳＩテスタ２２及
び位相制御回路１６を制御し、信号処理回路２０より応
答信号が返されるようになっている。
び位相制御回路１６を制御し、信号処理回路２０より応
答信号が返されるようになっている。
【００１３】試験すべき集積回路２３は、テーブル２６
上に配置され、このテーブル２６は、必要に応じて対物
レンズ７の軸に沿い、垂直方向に移動しうる。この移動
は、２つのモータ２７ａ及び２７ｂによってなされ、デ
ータ処理装置２５により制御器２８を介して制御される
。
上に配置され、このテーブル２６は、必要に応じて対物
レンズ７の軸に沿い、垂直方向に移動しうる。この移動
は、２つのモータ２７ａ及び２７ｂによってなされ、デ
ータ処理装置２５により制御器２８を介して制御される
。
【００１４】偏向板５の駆動は駆動部２９によりなされ
、この駆動部２９は制御回路３０を介してデータ処理装
置２５により制御される。データ処理装置２５には制御
回路３１を介してスティグメータ６が接続されている。 またデータ処理装置２５に接続されている制御回路３２
は、イオンソース１、集束レンズ２及び対物レンズ７を
制御する。
、この駆動部２９は制御回路３０を介してデータ処理装
置２５により制御される。データ処理装置２５には制御
回路３１を介してスティグメータ６が接続されている。 またデータ処理装置２５に接続されている制御回路３２
は、イオンソース１、集束レンズ２及び対物レンズ７を
制御する。
【００１５】ノズル３４を持つデポジット装置３３は、
集積回路２３上に導電材を付着させるもので、データ処
理装置２５により制御される。
集積回路２３上に導電材を付着させるもので、データ処
理装置２５により制御される。
【００１６】図１に示した実施例によれば、一方におい
ては集積回路の試験装置、他方においては集積回路の修
復装置として作動する。
ては集積回路の試験装置、他方においては集積回路の修
復装置として作動する。
【００１７】次に、試験処理中の動作について説明する
。試験処理中においては、集積回路２３上に集束するイ
オンビームは、その電位に応じて対応する二次電子数を
発生させる。制御回路の概略動作は、二次電子信号を一
定の電流で制御すると同時に、イオンビームの消去装置
３の位相制御を行うことである。
。試験処理中においては、集積回路２３上に集束するイ
オンビームは、その電位に応じて対応する二次電子数を
発生させる。制御回路の概略動作は、二次電子信号を一
定の電流で制御すると同時に、イオンビームの消去装置
３の位相制御を行うことである。
【００１８】イオンビームが集積回路２３を衝撃すると
きに発生する二次電子３５は、最初に抽出電極９を通過
し、次にフィルタ電極１０を通過しなければならない。 フィルタ電極１０は、所定の負電位（後述する制御回路
により制御される）となっているので、十分高いエネル
ギーを持った二次電子のみがフィルタ電極１０を通過で
きる。
きに発生する二次電子３５は、最初に抽出電極９を通過
し、次にフィルタ電極１０を通過しなければならない。 フィルタ電極１０は、所定の負電位（後述する制御回路
により制御される）となっているので、十分高いエネル
ギーを持った二次電子のみがフィルタ電極１０を通過で
きる。
【００１９】集積回路２３の測定点の電位が変化すると
、二次電子のエネルギー分布が推移し、それに伴って、
電子量が増減し、二次電子検出器１１のシンチレータ１
２に到達する。フィルタ電極１０の電位は、二次電子流
が一定となるように調整される。したがって、フィルタ
電極１０の電位は、集積回路上で測定すべき電位の関数
として変化する。このようにして、フィルタ電極１０の
電位変化が、集積回路２３上で測定すべき電位の基準を
示すことになる。
、二次電子のエネルギー分布が推移し、それに伴って、
電子量が増減し、二次電子検出器１１のシンチレータ１
２に到達する。フィルタ電極１０の電位は、二次電子流
が一定となるように調整される。したがって、フィルタ
電極１０の電位は、集積回路上で測定すべき電位の関数
として変化する。このようにして、フィルタ電極１０の
電位変化が、集積回路２３上で測定すべき電位の基準を
示すことになる。
【００２０】更に詳述すれば、外部制御回路は次のよう
に作動する。二次電子検出器１１は、イオンビームによ
り測定点で発生した二次電子（フィルタ電極１０を通過
した二次電子）を、プリアンプ１９で増幅した後、ゲー
ト１８により走査される実際の電気信号値に変換する。 この走査はＬＳＩテスタ２２により制御され、このＬＳ
Ｉテスタ２２は同時に試験ヘッド１５により試験すべき
集積回路２３を制御する。この場合、位相制御回路１６
により、走査時間の設定が可能となっている。
に作動する。二次電子検出器１１は、イオンビームによ
り測定点で発生した二次電子（フィルタ電極１０を通過
した二次電子）を、プリアンプ１９で増幅した後、ゲー
ト１８により走査される実際の電気信号値に変換する。 この走査はＬＳＩテスタ２２により制御され、このＬＳ
Ｉテスタ２２は同時に試験ヘッド１５により試験すべき
集積回路２３を制御する。この場合、位相制御回路１６
により、走査時間の設定が可能となっている。
【００２１】イオンビームの消去装置３は、位相制御回
路１６の出力によりパルス発生器２４を介して制御され
る。減速器１７は、消去装置３から集積回路２３へのイ
オンビームの継続時間を調整する。
路１６の出力によりパルス発生器２４を介して制御され
る。減速器１７は、消去装置３から集積回路２３へのイ
オンビームの継続時間を調整する。
【００２２】信号処理回路２０は、変換された実際の信
号値と理論信号値とを比較する。ゲート１８により走査
されるプリアンプ１９の出力信号は、信号処理回路２０
で平均化され、信号対雑音比が改善される。比較器によ
り、所定の一定の二次電子流に対応する理論信号値との
比較がなされる。信号処理回路２０の出力は、増幅器２
１を介してフィルタ電極１０へ送られ、集積回路２３の
測定点の電位が変わっても、フィルタ電極１０の負電位
を変化させることにより、前述した方法で二次電子流が
一定に維持される。
号値と理論信号値とを比較する。ゲート１８により走査
されるプリアンプ１９の出力信号は、信号処理回路２０
で平均化され、信号対雑音比が改善される。比較器によ
り、所定の一定の二次電子流に対応する理論信号値との
比較がなされる。信号処理回路２０の出力は、増幅器２
１を介してフィルタ電極１０へ送られ、集積回路２３の
測定点の電位が変わっても、フィルタ電極１０の負電位
を変化させることにより、前述した方法で二次電子流が
一定に維持される。
【００２３】イオンビームを消去する消去装置３の変わ
りとして、パルス化したイオンソースを使用できること
は云うまでもない。
りとして、パルス化したイオンソースを使用できること
は云うまでもない。
【００２４】イオンビームは、制御器２８を介してモー
タ２７ａ及び２７ｂを駆動し、テーブル２６を集積回路
２３上の任意の測定点に移動させることにより調整でき
る。また、偏向板５を制御する制御回路３０及び駆動部
２９を介して集積回路２３上のイオンビームを移動させ
るようにしても良い。イオンビームと集積回路２３との
相対的な移動は、例えば、イオンビームの軸８および装
置全体を集積回路に直交する方向に移動させることによ
り行うようにしても良い。
タ２７ａ及び２７ｂを駆動し、テーブル２６を集積回路
２３上の任意の測定点に移動させることにより調整でき
る。また、偏向板５を制御する制御回路３０及び駆動部
２９を介して集積回路２３上のイオンビームを移動させ
るようにしても良い。イオンビームと集積回路２３との
相対的な移動は、例えば、イオンビームの軸８および装
置全体を集積回路に直交する方向に移動させることによ
り行うようにしても良い。
【００２５】試験ヘッド１５を介して、入力信号がＬＳ
Ｉテスタ２２から集積回路２３に印加されると共に、そ
の出力信号は試験ヘッド１５を介して再びＬＳＩテスタ
２２に返されるようになっている。こうして集積回路２
３の欠陥の存在に関する情報が得られる。欠陥が認めら
れた場合、ＬＳＩテスタ２２からかかる欠陥を探し出す
ための種々のプログラムが作られる。
Ｉテスタ２２から集積回路２３に印加されると共に、そ
の出力信号は試験ヘッド１５を介して再びＬＳＩテスタ
２２に返されるようになっている。こうして集積回路２
３の欠陥の存在に関する情報が得られる。欠陥が認めら
れた場合、ＬＳＩテスタ２２からかかる欠陥を探し出す
ための種々のプログラムが作られる。
【００２６】上述した概略的な欠陥探索後、集積回路内
で、夫々所定の測定がなされる。測定点は、ＣＡＤ装置
を使用して集積回路２３の電気的な作図により確定され
る。各々の測定点がイオンビームにより衝撃され、前述
した方法で電位の測定がなされる。
で、夫々所定の測定がなされる。測定点は、ＣＡＤ装置
を使用して集積回路２３の電気的な作図により確定され
る。各々の測定点がイオンビームにより衝撃され、前述
した方法で電位の測定がなされる。
【００２７】各測定点において、データ処理装置２５は
、実際の信号値と理論値との差異に関する情報を信号処
理回路２０から受け取る。この測定は、欠陥が正確に突
き止められるまで複数の測定点で繰り返される。この場
合、各々の測定点の選択は、先行する測定結果に基いて
誘導するのがよい。かかる走査は、データ処理装置２５
により自動的に行うか、或はオペレータが行っても良い
。
、実際の信号値と理論値との差異に関する情報を信号処
理回路２０から受け取る。この測定は、欠陥が正確に突
き止められるまで複数の測定点で繰り返される。この場
合、各々の測定点の選択は、先行する測定結果に基いて
誘導するのがよい。かかる走査は、データ処理装置２５
により自動的に行うか、或はオペレータが行っても良い
。
【００２８】測定すべき集積回路２３の種々の描写情報
が、データ処理装置２５の画面３６上に表示される。図
５〜１１は、画面３６上で任意に組合せることができる
メニューを示す。
が、データ処理装置２５の画面３６上に表示される。図
５〜１１は、画面３６上で任意に組合せることができる
メニューを示す。
【００２９】図５は、イオンビームの走査により生じる
集積回路２３の一部分に関するいわゆるＳＥＭ（走査電
子顕微鏡）映像を示す。参照番号３７は試験すべき測定
点を表わしている。
集積回路２３の一部分に関するいわゆるＳＥＭ（走査電
子顕微鏡）映像を示す。参照番号３７は試験すべき測定
点を表わしている。
【００３０】図６は、集積回路２３の全体の部分にわた
る、対応するＣＡＤ配置を示すもので、位置３８は測定
点３７に対応する。
る、対応するＣＡＤ配置を示すもので、位置３８は測定
点３７に対応する。
【００３１】図７は、ＣＡＤによるブロック回路図を示
し、測定点３７又は位置３８はブロック回路図の位置３
９に対応する。
し、測定点３７又は位置３８はブロック回路図の位置３
９に対応する。
【００３２】図８は、波形４０に対応する波形４１を示
し、これは例えば測定点３７で測定される信号波形であ
る。この波形４０はシミュレーションで発生させること
ができるので、オペレータは測定波形とシミュレーショ
ン波形との間に、どの程度の差異があるか画面３６上で
確かめることができる。
し、これは例えば測定点３７で測定される信号波形であ
る。この波形４０はシミュレーションで発生させること
ができるので、オペレータは測定波形とシミュレーショ
ン波形との間に、どの程度の差異があるか画面３６上で
確かめることができる。
【００３３】最終的に欠陥が発見された場合、集積回路
２３を移動することなく、試験・修復装置により速やか
に修復することができる。本装置内に設けられる集積回
路の修復装置もイオンビームを使用している。この場合
、修復に用いるイオンビームが、同時に試験用のイオン
ビームを形成する。このビームは、単一のビーム発生器
であるイオンソース１から発生されるようになっている
。
２３を移動することなく、試験・修復装置により速やか
に修復することができる。本装置内に設けられる集積回
路の修復装置もイオンビームを使用している。この場合
、修復に用いるイオンビームが、同時に試験用のイオン
ビームを形成する。このビームは、単一のビーム発生器
であるイオンソース１から発生されるようになっている
。
【００３４】集積回路の修復には取り得る２つの手段が
ある。一方は導電路をイオンビームによって切断し、他
方は導体をデポジット装置により集積回路に形成させ、
新たな導電路を形成するものである。これら２つの手段
は、欠陥の除去の際に取られるが、個々のケースに依存
する。図９は、デポジット部４２及び切断部４３の位置
を表わしたＣＡＤ配置を示すものである。図１０は、Ｃ
ＡＤにより新たに形成した導電路４４及び切断部４５を
示している。
ある。一方は導電路をイオンビームによって切断し、他
方は導体をデポジット装置により集積回路に形成させ、
新たな導電路を形成するものである。これら２つの手段
は、欠陥の除去の際に取られるが、個々のケースに依存
する。図９は、デポジット部４２及び切断部４３の位置
を表わしたＣＡＤ配置を示すものである。図１０は、Ｃ
ＡＤにより新たに形成した導電路４４及び切断部４５を
示している。
【００３５】デポジット処理は、データ処理装置２５に
よりデポジット装置３３を制御して行われるが、その際
、ノズル３４の開口部はテーブル２６を移動させて正し
い位置に設定される。
よりデポジット装置３３を制御して行われるが、その際
、ノズル３４の開口部はテーブル２６を移動させて正し
い位置に設定される。
【００３６】図１１は、シミュレーション及び（又は）
測定により生じた複数の信号波形をまとめて表示しうる
制御メニューを示す。
測定により生じた複数の信号波形をまとめて表示しうる
制御メニューを示す。
【００３７】上述した図５〜１１に示したメニューは、
単なる構成例として示したもので、応用機器に応じて変
形され或は拡張できる。また、画面３６上に同時に表示
されるメニューも、図４に示す４つのメニュー３６ａ〜
３６ｄに限定されるものではない。一方応用機器によっ
ては、１つだけのメニューとすることもでき、或は任意
数のメニューを組み合わせるようにしても良い。
単なる構成例として示したもので、応用機器に応じて変
形され或は拡張できる。また、画面３６上に同時に表示
されるメニューも、図４に示す４つのメニュー３６ａ〜
３６ｄに限定されるものではない。一方応用機器によっ
ては、１つだけのメニューとすることもでき、或は任意
数のメニューを組み合わせるようにしても良い。
【００３８】１つの装置に単一のビーム発生器を配置し
た試験装置及び修復装置とすることは、下記の点におい
て特に有効である。ａ）ＬＳＩテスタ２２から入力信号
を集積回路２３に供給できるため、衝撃された測定点が
、探索される欠陥部に正確に対応するか否か、速やかに
確認することができる。
た試験装置及び修復装置とすることは、下記の点におい
て特に有効である。ａ）ＬＳＩテスタ２２から入力信号
を集積回路２３に供給できるため、衝撃された測定点が
、探索される欠陥部に正確に対応するか否か、速やかに
確認することができる。
【００３９】ｂ）ＬＳＩテスタ２２により、例えば導電
路が確実に切断されたか否か、或は付着材により新たに
形成された導電路が、他の導電路と良好且つ正確に接続
されたか否かを速やかにしかも容易にチェック可能とな
る。
路が確実に切断されたか否か、或は付着材により新たに
形成された導電路が、他の導電路と良好且つ正確に接続
されたか否かを速やかにしかも容易にチェック可能とな
る。
【００４０】データ処理装置２５は、例えばブロック回
路図、配置及びマスクデータ等の利用しうるあらゆる回
路データを保持している。修復により形成された新しい
集積回路はデータ処理装置２５に記憶されると共に、こ
の集積回路の新しいシミュレーションを行うことができ
る。かかる構成により、集積回路の作成時間が著しく短
縮される。
路図、配置及びマスクデータ等の利用しうるあらゆる回
路データを保持している。修復により形成された新しい
集積回路はデータ処理装置２５に記憶されると共に、こ
の集積回路の新しいシミュレーションを行うことができ
る。かかる構成により、集積回路の作成時間が著しく短
縮される。
【００４１】したがって、本試験・修復装置は、完成し
た集積回路（一度チェックを受ける必要はあるが）のみ
だけでなく、作成段階における回路構成にも使用できる
。これに関し、例えば抵抗やトランジスタ等の素子が集
積回路に形成できるような、より発展した装置を構成す
ることも考えられる。
た集積回路（一度チェックを受ける必要はあるが）のみ
だけでなく、作成段階における回路構成にも使用できる
。これに関し、例えば抵抗やトランジスタ等の素子が集
積回路に形成できるような、より発展した装置を構成す
ることも考えられる。
【００４２】図１に示した実施例において、シンチレー
タ１２を対物レンズ７の中央部の電極７ｂに形成したが
、図２の他の実施例においては、シンチレータ１２′を
対物レンズ７の外部に配置している。二次電子分光器は
、抽出電極９及びフィルタ電極１０に加えて、加速電極
（ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）４６及び偏
向電極４７を有する。この加速電極４６及び偏向電極４
７は、二次電子がフィルタ電極１０を通過した後、これ
をシンチレータ１２′に到達させるものである。シンチ
レータ１２′は二次電子分光器に隣接した側部に配置さ
れる。その他の構成及び動作については、図１の実施例
と同様である。
タ１２を対物レンズ７の中央部の電極７ｂに形成したが
、図２の他の実施例においては、シンチレータ１２′を
対物レンズ７の外部に配置している。二次電子分光器は
、抽出電極９及びフィルタ電極１０に加えて、加速電極
（ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）４６及び偏
向電極４７を有する。この加速電極４６及び偏向電極４
７は、二次電子がフィルタ電極１０を通過した後、これ
をシンチレータ１２′に到達させるものである。シンチ
レータ１２′は二次電子分光器に隣接した側部に配置さ
れる。その他の構成及び動作については、図１の実施例
と同様である。
【００４３】抽出電極９及びフィルタ電極１０は、図１
の実施例では平面状のグリッドとして示されているが、
図３に示すように、球面状のグリッドとしても良い。
の実施例では平面状のグリッドとして示されているが、
図３に示すように、球面状のグリッドとしても良い。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、集
積回路の修復に用いるイオンビームを試験用の粒子ビー
ムとして形成し、しかも単一のビーム発生器より発生で
きるようにしたので、集積回路を移動することなく、１
つの装置で試験及び修復を行うことができ、処理時間及
びコストが大幅に低減できる利点がある。
積回路の修復に用いるイオンビームを試験用の粒子ビー
ムとして形成し、しかも単一のビーム発生器より発生で
きるようにしたので、集積回路を移動することなく、１
つの装置で試験及び修復を行うことができ、処理時間及
びコストが大幅に低減できる利点がある。
【図１】本発明の実施例の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の他の実施例の概略構成を示す図である
。
。
【図３】二次電子分光器の例を示す図である。
【図４】表示画面上のメニューを示す図である。
【図５】集積回路のＳＥＭ映像のメニューを示す図であ
る。
る。
【図６】集積回路の対応するＣＡＤ配置のメニューを示
す図である。
す図である。
【図７】ＣＡＤによる集積回路のブロック回路図のメニ
ューを示す図である。
ューを示す図である。
【図８】集積回路の測定点におけるシミュレーション波
形と測定波形のメニューを示す図である。
形と測定波形のメニューを示す図である。
【図９】集積回路のデポジット部及び切断部のＣＡＤ配
置のメニューを示す図である。
置のメニューを示す図である。
【図１０】集積回路に、ＣＡＤにより形成したデポジッ
ト部及び切断部のメニューを示す図である。
ト部及び切断部のメニューを示す図である。
【図１１】シミュレーション測定により生じた集積回路
の複数の測定点における信号波形のメニューを示す図で
ある。
の複数の測定点における信号波形のメニューを示す図で
ある。
１ イオンソース（試験用の粒子ビームを発生する手
段） ５ 偏向板 ７ 対物レンズ ７ａ，７ｂ，７ｃ 回転対称電極 ８ イオンビーム軸 ９ 抽出電極 １０ フィルタ電極 １１ 二次電子検出器（二次電子を実際値に変換する
ための手段） １２，１２′ シンチレータ ２０ 信号処理回路（実際値と理論値を比較する手段
）２２ ＬＳＩテスタ（入力信号を集積回路に印加す
る手段） ２３ 集積回路 ２５ データ処理装置 ３３ デポジット装置（導電材を付着する手段）３５
二次電子
段） ５ 偏向板 ７ 対物レンズ ７ａ，７ｂ，７ｃ 回転対称電極 ８ イオンビーム軸 ９ 抽出電極 １０ フィルタ電極 １１ 二次電子検出器（二次電子を実際値に変換する
ための手段） １２，１２′ シンチレータ ２０ 信号処理回路（実際値と理論値を比較する手段
）２２ ＬＳＩテスタ（入力信号を集積回路に印加す
る手段） ２３ 集積回路 ２５ データ処理装置 ３３ デポジット装置（導電材を付着する手段）３５
二次電子
Claims (10)
- 【請求項１】 集積回路を試験する際、入射する試験
用の粒子ビームにより測定点で発生した、二次電子を、
理論信号値と比較する実際の電気信号値に変換し、試験
中、欠陥の認められた上記集積回路をイオンビームによ
り修復する集積回路の試験・修復方法であって、上記修
復に使用する上記イオンビームを、上記試験用の粒子ビ
ームとして使用することを特徴とする集積回路の試験・
修復方法。 - 【請求項２】 入力信号を上記集積回路に印加し、理
論信号値を所定の測定点に設定することを特徴とする請
求項１記載の集積回路の試験・修復方法。 - 【請求項３】 欠陥の認められた集積回路を修復する
際、導電部を形成するために導電材を付着させることを
特徴とする請求項１記載の集積回路の試験・修復方法。 - 【請求項４】 試験用の粒子ビームを発生する手段、
、入力信号を集積回路に印加する手段、上記試験用の粒
子ビームにより測定点で発生した二次電子を実際の電気
信号値に変換するための手段及びこの変換された実際の
電気信号値を上記入力信号によって決定される理論信号
値と比較するための手段を有する集積回路の試験装置と
、欠陥の認められた上記集積回路をイオンビームを発生
する手段により修復する修復装置とを具備する集積回路
の試験修復装置であって、上記修復に用いる上記イオン
ビームが同時に試験用の粒子ビームを形成すると共に、
このビームを発生するため、単一のビーム発生器が設け
られることを特徴とする集積回路の試験・修復装置。 - 【請求項５】 イオンビームを偏向させる偏向手段と
、上記イオンビームを集積回路上に集束させ、このイオ
ンビーム方向に互に配列された３種の回転対称電極を具
えると共に、上記イオンビームの軸と一致する軸を有す
る静電対物レンズと、ビーム発生器内に組込まれると共
に、抽出電極、フィルタ電極、シンチレータ及びこのシ
ンチレータを該フィルタ電極に接続する制御回路を具え
た二次電子分光器とを具えたことを特徴とする請求項４
記載の集積回路の試験・修復装置。 - 【請求項６】 抽出電極及びフィルタ電極は、試験す
べき集積回路と、この集積回路に隣接する対物レンズの
電極との間に配列されたことを特徴とする請求項４記載
の集積回路の試験・修復装置。 - 【請求項７】 修復の際、集積回路上に導電材を付着
させる手段を設けたことを特徴とする請求項４記載の集
積回路の試験・修復装置。 - 【請求項８】 入力信号を集積回路に印加する手段と
、シンチレータをフィルタ電極に接続する制御回路とが
データ処理装置に接続されることを特徴とする請求項４
及び５記載の集積回路の試験・修復装置。 - 【請求項９】 シンチレータを対物レンズの中央部の
レンズに形成したことを特徴とする請求項５記載の集積
回路の試験・修復装置。 - 【請求項１０】 シンチレータを対物レンズの外部に
配置したことを特徴とする請求項５記載の集積回路の試
験・修復装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE40270629 | 1990-08-27 | ||
| DE4027062A DE4027062A1 (de) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | Verfahren und anordnung zum testen und reparieren einer integrierten schaltung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04297051A true JPH04297051A (ja) | 1992-10-21 |
| JP3330382B2 JP3330382B2 (ja) | 2002-09-30 |
Family
ID=6413010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21561691A Expired - Fee Related JP3330382B2 (ja) | 1990-08-27 | 1991-08-27 | 集積回路の試験・修復装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5214284A (ja) |
| EP (1) | EP0472938B1 (ja) |
| JP (1) | JP3330382B2 (ja) |
| DE (2) | DE4027062A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6348690B1 (en) | 1997-08-07 | 2002-02-19 | Hitachi, Ltd. | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam |
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|---|---|---|---|---|
| DE4216730C2 (de) * | 1992-05-20 | 2003-07-24 | Advantest Corp | Rasterelektronenstrahlgerät |
| US6164308A (en) * | 1998-08-28 | 2000-12-26 | Butler; Bryan V. | System and method for handling multiphase flow |
| US6234030B1 (en) | 1998-08-28 | 2001-05-22 | Rosewood Equipment Company | Multiphase metering method for multiphase flow |
| FR2792455B1 (fr) * | 1999-04-16 | 2003-02-28 | Centre Nat Etd Spatiales | Procede et installation de correction d'un circuit integre par un faisceau d'ions controle par le profil des variations du taux de particules secondaires detectees |
| EP1482532A1 (en) * | 2003-05-26 | 2004-12-01 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Gradient field deflector |
| JP4519567B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2010-08-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡およびこれを用いた試料観察方法 |
| DE102010064569B3 (de) | 2010-07-06 | 2022-10-13 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Partikelstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben eines Partikelstrahlsystems |
| CN113394534B (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-26 | 南京华脉科技股份有限公司 | 一种便于检修的组合式功分器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6028151A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | 走査形ストロボイオン顕微鏡 |
| SE452526B (sv) * | 1984-05-09 | 1987-11-30 | Stiftelsen Inst Mikrovags | Forfarande for att inspektera integrerade kretsar eller andra objekt |
| EP0178431B1 (de) * | 1984-09-18 | 1990-02-28 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für HalbleiterprÀ¼ftechnik mbH | Gegenfeld-Spektrometer für die Elektronenstrahl-Messtechnik |
| DE3437550A1 (de) * | 1984-10-12 | 1986-04-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur fehleranalyse an integrierten schaltungen |
| JPS6298544A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置 |
| DE3638682A1 (de) * | 1986-11-13 | 1988-05-19 | Siemens Ag | Spektrometerobjektiv fuer korpuskularstrahlmesstechnik |
| JPS6410561A (en) * | 1987-07-02 | 1989-01-13 | Akashi Biimu Technol Kk | Electrostatic lens with secondary electron detector function |
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| US4983830A (en) * | 1989-06-29 | 1991-01-08 | Seiko Instruments Inc. | Focused ion beam apparatus having charged particle energy filter |
| DE3938660A1 (de) * | 1989-11-21 | 1991-05-23 | Integrated Circuit Testing | Korpuskularstrahlgeraet |
| DE4000579A1 (de) * | 1990-01-10 | 1991-07-11 | Integrated Circuit Testing | Ionenstrahlgeraet sowie verfahren zur durchfuehrung von potentialmessungen mittels eines ionenstrahles |
-
1990
- 1990-08-27 DE DE4027062A patent/DE4027062A1/de not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-07-31 DE DE59107944T patent/DE59107944D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-31 EP EP91112862A patent/EP0472938B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-14 US US07/744,933 patent/US5214284A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-27 JP JP21561691A patent/JP3330382B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US6452178B2 (en) | 1997-08-07 | 2002-09-17 | Hitachi, Ltd. | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam |
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| US7439506B2 (en) | 1997-08-07 | 2008-10-21 | Hitachi, Ltd. | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam |
| US8134125B2 (en) | 1997-08-07 | 2012-03-13 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus of an inspection system using an electron beam |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0472938A2 (de) | 1992-03-04 |
| JP3330382B2 (ja) | 2002-09-30 |
| EP0472938A3 (en) | 1992-06-17 |
| DE59107944D1 (de) | 1996-07-25 |
| EP0472938B1 (de) | 1996-06-19 |
| US5214284A (en) | 1993-05-25 |
| DE4027062A1 (de) | 1992-04-23 |
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