JPH04296306A - スチレン系重合体の製造方法及びその触媒 - Google Patents
スチレン系重合体の製造方法及びその触媒Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スチレン系重合体の製
造方法及び該方法に用いる触媒に関し、さらに詳しくは
重合体連鎖の立体化学構造が高度のシンジオタクチック
構造を有するスチレン系重合体を効率よく製造する方法
及び該方法に用いる触媒に関する。
造方法及び該方法に用いる触媒に関し、さらに詳しくは
重合体連鎖の立体化学構造が高度のシンジオタクチック
構造を有するスチレン系重合体を効率よく製造する方法
及び該方法に用いる触媒に関する。
【0002】
【従来の技術】本発明者らは、最近、主として遷移金属
化合物、特にTi化合物とアルキルアルミノキサンとか
らなる触媒を用いてスチレン系モノマーを重合すること
により、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体が
得られることを示した(特開昭62−187708号,
同63−179906号,同63−241009号公報
等)。
化合物、特にTi化合物とアルキルアルミノキサンとか
らなる触媒を用いてスチレン系モノマーを重合すること
により、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体が
得られることを示した(特開昭62−187708号,
同63−179906号,同63−241009号公報
等)。
【0003】アルキルアルミノキサンとして特に好適な
メチルアルミノキサンは、通常、トリメチルアルミニウ
ムと水との反応により得られるが、反応が激しいため、
製造上が困難であるという問題がある。また、原料であ
るトリメチルアルミニウムが高価であることに加えて、
触媒として用いる場合、遷移金属量に比べて大過剰のメ
チルアルミノキサン量を必要としている。そのため、触
媒コストが非常に高いという欠点があった。
メチルアルミノキサンは、通常、トリメチルアルミニウ
ムと水との反応により得られるが、反応が激しいため、
製造上が困難であるという問題がある。また、原料であ
るトリメチルアルミニウムが高価であることに加えて、
触媒として用いる場合、遷移金属量に比べて大過剰のメ
チルアルミノキサン量を必要としている。そのため、触
媒コストが非常に高いという欠点があった。
【0004】近年、アルミノキサンを含まない重合触媒
を用いてα−オレフィン(主にエチレン)を重合させう
ることが、R. Taube (J. Organom
et. Chem. C9−C11, 347(198
8)、 H. Turner (J. Am. Che
m. Soc. 111, 2728(1989) 、
R. F. Jordan(Organomet. 8
, 2892(1989) などにおいて報告されてい
るが、スチレン系モノマーについてはアルミノキサンを
含まない重合触媒に関する検討は未だなされていない。 また、スチレン系モノマーについては、α−オレフィン
類とは異なり、カチオン種が存在した場合、アタクチッ
クポリマーが得られやすいという問題がある。
を用いてα−オレフィン(主にエチレン)を重合させう
ることが、R. Taube (J. Organom
et. Chem. C9−C11, 347(198
8)、 H. Turner (J. Am. Che
m. Soc. 111, 2728(1989) 、
R. F. Jordan(Organomet. 8
, 2892(1989) などにおいて報告されてい
るが、スチレン系モノマーについてはアルミノキサンを
含まない重合触媒に関する検討は未だなされていない。 また、スチレン系モノマーについては、α−オレフィン
類とは異なり、カチオン種が存在した場合、アタクチッ
クポリマーが得られやすいという問題がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者らは
、高価かつ使用量の多いアルミノキサンを使用しないで
、スチレン系モノマーを重合させ、シンジオタクチック
構造のスチレン系重合体を効率よく製造することができ
る触媒及び該触媒を用いたスチレン系重合体の製造方法
を開発すべく鋭意研究を重ねた。
、高価かつ使用量の多いアルミノキサンを使用しないで
、スチレン系モノマーを重合させ、シンジオタクチック
構造のスチレン系重合体を効率よく製造することができ
る触媒及び該触媒を用いたスチレン系重合体の製造方法
を開発すべく鋭意研究を重ねた。
【0006】
【課題を解決するための手段】その結果、特定の遷移金
属化合物と特定の配位錯化合物を組み合わせたものを触
媒として使用することによって、活性が著しく向上し、
目的とするシンジオタクチック構造を有するスチレン系
重合体を効率よく製造できることを見出した。本発明は
、かかる知見に基づいて完成したものである。
属化合物と特定の配位錯化合物を組み合わせたものを触
媒として使用することによって、活性が著しく向上し、
目的とするシンジオタクチック構造を有するスチレン系
重合体を効率よく製造できることを見出した。本発明は
、かかる知見に基づいて完成したものである。
【0007】すなわち、本発明は、(A)遷移金属化合
物及び(B)複数の基が金属に結合したアニオンと25
℃における酸解離定数が7以下の含窒素カチオンとから
なる配位錯化合物からなることを特徴とする触媒、並び
にスチレン及び/又はスチレン誘導体を重合するにあた
り、上記触媒を用いることを特徴とするスチレン系重合
体の製造方法を提供するものである。
物及び(B)複数の基が金属に結合したアニオンと25
℃における酸解離定数が7以下の含窒素カチオンとから
なる配位錯化合物からなることを特徴とする触媒、並び
にスチレン及び/又はスチレン誘導体を重合するにあた
り、上記触媒を用いることを特徴とするスチレン系重合
体の製造方法を提供するものである。
【0008】本発明の触媒は上記の(A)及び(B)成
分を主成分とするものであるが、ここで、(A)成分は
遷移金属化合物であり、各種のものが使用可能であるが
、通常は周期律表第3〜6族金属の化合物及びランタン
系金属の化合物が挙げられ、そのうち第4族金属(チタ
ン,ジルコニウム,ハフニウム,バナジウム等)の化合
物が好ましい。チタン化合物としては様々なものがある
が、例えば、一般式(I) TiR1 a R2 b R3 c R4 4−(a+
b+c) ・・・(I)または一般式(II) TiR1 d R2 e R3 3−(d+e)
・・・(II)〔式中、R1 ,R2
,R3 及びR4 はそれぞれ水素原子,炭素数1〜
20のアルキル基,炭素数1〜20のアルコキシ基,炭
素数6〜20のアリール基,アルキルアリール基,アリ
ールアルキル基,炭素数1〜20のアシルオキシ基,シ
クロペンタジエニル基,置換シクロペンタジエニル基,
インデニル基あるいはハロゲン原子を示す。a,b,c
はそれぞれ0〜4の整数を示し、d,eはそれぞれ0〜
3の整数を示す。〕で表わされるチタン化合物およびチ
タンキレート化合物よりなる群から選ばれた少なくとも
一種の化合物である。
分を主成分とするものであるが、ここで、(A)成分は
遷移金属化合物であり、各種のものが使用可能であるが
、通常は周期律表第3〜6族金属の化合物及びランタン
系金属の化合物が挙げられ、そのうち第4族金属(チタ
ン,ジルコニウム,ハフニウム,バナジウム等)の化合
物が好ましい。チタン化合物としては様々なものがある
が、例えば、一般式(I) TiR1 a R2 b R3 c R4 4−(a+
b+c) ・・・(I)または一般式(II) TiR1 d R2 e R3 3−(d+e)
・・・(II)〔式中、R1 ,R2
,R3 及びR4 はそれぞれ水素原子,炭素数1〜
20のアルキル基,炭素数1〜20のアルコキシ基,炭
素数6〜20のアリール基,アルキルアリール基,アリ
ールアルキル基,炭素数1〜20のアシルオキシ基,シ
クロペンタジエニル基,置換シクロペンタジエニル基,
インデニル基あるいはハロゲン原子を示す。a,b,c
はそれぞれ0〜4の整数を示し、d,eはそれぞれ0〜
3の整数を示す。〕で表わされるチタン化合物およびチ
タンキレート化合物よりなる群から選ばれた少なくとも
一種の化合物である。
【0009】この一般式(I)又は(II) 中のR1
,R2 ,R3 及びR4 はそれぞれ水素原子,炭
素数1〜20のアルキル基(具体的にはメチル基,エチ
ル基,プロピル基,ブチル基,アミル基,イソアミル基
,イソブチル基,オクチル基,2−エチルヘキシル基な
ど),炭素数1〜20のアルコキシ基(具体的にはメト
キシ基,エトキシ基,プロポキシ基,ブトキシ基,アミ
ルオキシ基,ヘキシルオキシ基,2−エチルヘキシルオ
キシ基など),炭素数6〜20のアリール基,アルキル
アリール基,アリールアルキル基(具体的にはフェニル
基,トリル基,キシリル基,ベンジル基など),炭素数
1〜20のアシルオキシ基(具体的にはヘプタデシルカ
ルボニルオキシ基など),シクロペンタジエニル基,置
換シクロペンタジエニル基(具体的にはメチルシクロペ
ンタジエニル基,1,2−ジメチルシクロペンタジエニ
ル基,ペンタメチルシクロペンタジエニル基など),イ
ンデニル基あるいはハロゲン原子(具体的には塩素,臭
素,沃素,弗素)を示す。これらR1 ,R2 ,R3
及びR4 は同一のものであっても、異なるものであ
ってもよい。さらにa,b,cはそれぞれ0〜4の整数
を示し、またd,eはそれぞれ0〜3の整数を示す。
,R2 ,R3 及びR4 はそれぞれ水素原子,炭
素数1〜20のアルキル基(具体的にはメチル基,エチ
ル基,プロピル基,ブチル基,アミル基,イソアミル基
,イソブチル基,オクチル基,2−エチルヘキシル基な
ど),炭素数1〜20のアルコキシ基(具体的にはメト
キシ基,エトキシ基,プロポキシ基,ブトキシ基,アミ
ルオキシ基,ヘキシルオキシ基,2−エチルヘキシルオ
キシ基など),炭素数6〜20のアリール基,アルキル
アリール基,アリールアルキル基(具体的にはフェニル
基,トリル基,キシリル基,ベンジル基など),炭素数
1〜20のアシルオキシ基(具体的にはヘプタデシルカ
ルボニルオキシ基など),シクロペンタジエニル基,置
換シクロペンタジエニル基(具体的にはメチルシクロペ
ンタジエニル基,1,2−ジメチルシクロペンタジエニ
ル基,ペンタメチルシクロペンタジエニル基など),イ
ンデニル基あるいはハロゲン原子(具体的には塩素,臭
素,沃素,弗素)を示す。これらR1 ,R2 ,R3
及びR4 は同一のものであっても、異なるものであ
ってもよい。さらにa,b,cはそれぞれ0〜4の整数
を示し、またd,eはそれぞれ0〜3の整数を示す。
【0010】更に好適なチタン化合物としては一般式(
III) TiRXYZ ・・・(III)〔式中
、Rはシクロペンタジエニル基,置換シクロペンタジエ
ニル基,インデニル基,置換インデニル基,フルオレニ
ル基等を示し、X,Y及びZはそれぞれ独立に水素原子
,炭素数1〜12のアルキル基,炭素数1〜12のアル
コキシ基,炭素数6〜20のアリール基,炭素数6〜2
0のアリールオキシ基,炭素数6〜20のアリールアル
キル基又はハロゲン原子を示す。〕で表わされるチタン
化合物がある。この式中のRで示される置換シクロペン
タジエニル基は、例えば炭素数1〜6のアルキル基で1
個以上置換されたシクロペンタジエニル基、具体的には
メチルシクロペンタジエニル基;1,2−ジメチルシク
ロペンタジエニル基;1,2,4−トリメチルシクロペ
ンタジエニル基;1,2,3,4−テトラメチルシクロ
ペンタジエニル基;トリメチルシリルシクロペンタジエ
ニル基;1,3−ジ(トリメチルシリル)シクロペンタ
ジエニル基;ターシャリーブチルシクロペンタジエニル
基;1,3−ジ(ターシャリーブチル)シクロペンタジ
エニル基;ペンタメチルシクロペンタジエニル基等であ
る。また、X,Y及びZはそれぞれ独立に水素原子,炭
素数1〜12のアルキル基(具体的にはメチル基,エチ
ル基,プロピル基,n−ブチル基,イソブチル基,アミ
ル基,イソアミル基,オクチル基,2−エチルヘキシル
基等),炭素数1〜12のアルコキシ基(具体的にはメ
トキシ基,エトキシ基,プロポキシ基,ブトキシ基,ア
ミルオキシ基,ヘキシルオキシ基,オクチルオキシ基,
2−エチルヘキシルオキシ基等),炭素数6〜20のア
リール基(具体的にはフェニル基,ナフチル基等),炭
素数6〜20のアリールオキシ基(具体的にはフェノキ
シ基等),炭素数6〜20のアリールアルキル基(具体
的にはベンジル基)又はハロゲン原子(具体的には塩素
,臭素,沃素あるいは弗素)を示す。
III) TiRXYZ ・・・(III)〔式中
、Rはシクロペンタジエニル基,置換シクロペンタジエ
ニル基,インデニル基,置換インデニル基,フルオレニ
ル基等を示し、X,Y及びZはそれぞれ独立に水素原子
,炭素数1〜12のアルキル基,炭素数1〜12のアル
コキシ基,炭素数6〜20のアリール基,炭素数6〜2
0のアリールオキシ基,炭素数6〜20のアリールアル
キル基又はハロゲン原子を示す。〕で表わされるチタン
化合物がある。この式中のRで示される置換シクロペン
タジエニル基は、例えば炭素数1〜6のアルキル基で1
個以上置換されたシクロペンタジエニル基、具体的には
メチルシクロペンタジエニル基;1,2−ジメチルシク
ロペンタジエニル基;1,2,4−トリメチルシクロペ
ンタジエニル基;1,2,3,4−テトラメチルシクロ
ペンタジエニル基;トリメチルシリルシクロペンタジエ
ニル基;1,3−ジ(トリメチルシリル)シクロペンタ
ジエニル基;ターシャリーブチルシクロペンタジエニル
基;1,3−ジ(ターシャリーブチル)シクロペンタジ
エニル基;ペンタメチルシクロペンタジエニル基等であ
る。また、X,Y及びZはそれぞれ独立に水素原子,炭
素数1〜12のアルキル基(具体的にはメチル基,エチ
ル基,プロピル基,n−ブチル基,イソブチル基,アミ
ル基,イソアミル基,オクチル基,2−エチルヘキシル
基等),炭素数1〜12のアルコキシ基(具体的にはメ
トキシ基,エトキシ基,プロポキシ基,ブトキシ基,ア
ミルオキシ基,ヘキシルオキシ基,オクチルオキシ基,
2−エチルヘキシルオキシ基等),炭素数6〜20のア
リール基(具体的にはフェニル基,ナフチル基等),炭
素数6〜20のアリールオキシ基(具体的にはフェノキ
シ基等),炭素数6〜20のアリールアルキル基(具体
的にはベンジル基)又はハロゲン原子(具体的には塩素
,臭素,沃素あるいは弗素)を示す。
【0011】このような一般式(III)で表わされる
チタン化合物の具体例としては、シクロペンタジエニル
トリメチルチタン;シクロペンタジエニルトリエチルチ
タン;シクロペンタジエニルトリプロピルチタン;シク
ロペンタジエニルトリブチルチタン;メチルシクロペン
タジエニルトリメチルチタン;1,2−ジメチルシクロ
ペンタジエニルトリメチルチタン;1,2,4−トリメ
チルシクロペンタジエニルトリメチルチタン;1,2,
3,4−テトラメチルシクロペンタジエニルトリメチル
チタン;ペンタメチルシクロペンタジエニルトリメチル
チタン;ペンタメチルシクロペンタジエニルトリエチル
チタン;ペンタメチルシクロペンタジエニルトリプロピ
ルチタン;ペンタメチルシクロペンタジエニルトリブチ
ルチタン;シクロペンタジエニルメチルチタンジクロリ
ド;シクロペンタジエニルエチルチタンジクロリド;ペ
ンタメチルシクロペンタジエニルメチルチタンジクロリ
ド;ペンタメチルシクロペンタジエニルエチルチタンジ
クロリド;シクロペンタジエニルジメチルチタンモノク
ロリド;シクロペンタジエニルジエチルチタンモノクロ
リド;シクロペンタジエニルチタントリメトキシド;シ
クロペンタジエニルチタントリエトキシド;シクロペン
タジエニルチタントリプロポキシド;シクロペンタジエ
ニルチタントリフェノキシド;ペンタメチルシクロペン
タジエニルチタントリメトキシド;ペンタメチルシクロ
ペンタジエニルチタントリエトキシド;ペンタメチルシ
クロペンタジエニルチタントリプロポキシド;ペンタメ
チルシクロペンタジエニルチタントリブトキシド;ペン
タメチルシクロペンタジエニルチタントリフェノキシド
;シクロペンタジエニルチタントリクロリド;ペンタメ
チルシクロペンタジエニルチタントリクロリド;シクロ
ペンタジエニルメトキシチタンジクロリド;シクロペン
タジエニルジメトキシチタンクロリド;ペンタメチルシ
クロペンタジエニルメトキシチタンジクロリド;シクロ
ペンタジエニルトリベンジルチタン;ペンタメチルシク
ロペンタジエニルメチルジエトキシチタン;インデニル
チタントリクロリド;インデニルチタントリメトキシド
;インデニルチタントリエトキシド;インデニルトリメ
チルチタン;インデニルトリベンジルチタン等があげら
れる。これらのチタン化合物のうち、ハロゲン原子を含
まない化合物が好適であり、特に、上述した如きπ電子
系配位子を1個有するチタン化合物が好ましい。さらに
チタン化合物としては一般式(IV)
チタン化合物の具体例としては、シクロペンタジエニル
トリメチルチタン;シクロペンタジエニルトリエチルチ
タン;シクロペンタジエニルトリプロピルチタン;シク
ロペンタジエニルトリブチルチタン;メチルシクロペン
タジエニルトリメチルチタン;1,2−ジメチルシクロ
ペンタジエニルトリメチルチタン;1,2,4−トリメ
チルシクロペンタジエニルトリメチルチタン;1,2,
3,4−テトラメチルシクロペンタジエニルトリメチル
チタン;ペンタメチルシクロペンタジエニルトリメチル
チタン;ペンタメチルシクロペンタジエニルトリエチル
チタン;ペンタメチルシクロペンタジエニルトリプロピ
ルチタン;ペンタメチルシクロペンタジエニルトリブチ
ルチタン;シクロペンタジエニルメチルチタンジクロリ
ド;シクロペンタジエニルエチルチタンジクロリド;ペ
ンタメチルシクロペンタジエニルメチルチタンジクロリ
ド;ペンタメチルシクロペンタジエニルエチルチタンジ
クロリド;シクロペンタジエニルジメチルチタンモノク
ロリド;シクロペンタジエニルジエチルチタンモノクロ
リド;シクロペンタジエニルチタントリメトキシド;シ
クロペンタジエニルチタントリエトキシド;シクロペン
タジエニルチタントリプロポキシド;シクロペンタジエ
ニルチタントリフェノキシド;ペンタメチルシクロペン
タジエニルチタントリメトキシド;ペンタメチルシクロ
ペンタジエニルチタントリエトキシド;ペンタメチルシ
クロペンタジエニルチタントリプロポキシド;ペンタメ
チルシクロペンタジエニルチタントリブトキシド;ペン
タメチルシクロペンタジエニルチタントリフェノキシド
;シクロペンタジエニルチタントリクロリド;ペンタメ
チルシクロペンタジエニルチタントリクロリド;シクロ
ペンタジエニルメトキシチタンジクロリド;シクロペン
タジエニルジメトキシチタンクロリド;ペンタメチルシ
クロペンタジエニルメトキシチタンジクロリド;シクロ
ペンタジエニルトリベンジルチタン;ペンタメチルシク
ロペンタジエニルメチルジエトキシチタン;インデニル
チタントリクロリド;インデニルチタントリメトキシド
;インデニルチタントリエトキシド;インデニルトリメ
チルチタン;インデニルトリベンジルチタン等があげら
れる。これらのチタン化合物のうち、ハロゲン原子を含
まない化合物が好適であり、特に、上述した如きπ電子
系配位子を1個有するチタン化合物が好ましい。さらに
チタン化合物としては一般式(IV)
【0012】
【化1】
【0013】〔式中、R5 , R6 はそれぞれハロ
ゲン原子,炭素数1〜20のアルコキシ基,アシロキシ
基を示し、kは2〜20を示す。〕で表わされる縮合チ
タン化合物を用いてもよい。また、上記チタン化合物は
、エステルやエーテルなどと錯体を形成させたものを用
いてもよい。上記一般式(IV)で表わされる三価チタ
ン化合物は、典型的には三塩化チタンなどの三ハロゲン
化チタン,シクロペンタジエニルチタニウムジクロリド
などのシクロペンタジエニルチタン化合物があげられ、
このほか四価チタン化合物を還元して得られるものがあ
げられる。これら三価チタン化合物はエステル,エーテ
ルなどと錯体を形成したものを用いてもよい。また、遷
移金属化合物としてのジルコニウム化合物は、テトラベ
ンジルジルコニウム,ジルコニウムテトラエトキシド,
ジルコニウムテトラブトキシド,ビスインデニルジルコ
ニウムジクロリド,トリイソプロポキシジルコニウムク
ロリド,ジルコニウムベンジルジクロリド,トリブトキ
シジルコニウムクロリドなどがあり、ハフニウム化合物
は、テトラベンジルハフニウム,ハフニウムテトラエト
キシド,ハフニウムテトラブトキシドなどがあり、さら
にバナジウム化合物は、バナジルビスアセチルアセトナ
ート,バナジルトリアセチルアセトナート,トリエトキ
シバナジル,トリプロポキシバナジルなどがある。これ
ら遷移金属化合物のなかではチタン化合物が特に好適で
ある。
ゲン原子,炭素数1〜20のアルコキシ基,アシロキシ
基を示し、kは2〜20を示す。〕で表わされる縮合チ
タン化合物を用いてもよい。また、上記チタン化合物は
、エステルやエーテルなどと錯体を形成させたものを用
いてもよい。上記一般式(IV)で表わされる三価チタ
ン化合物は、典型的には三塩化チタンなどの三ハロゲン
化チタン,シクロペンタジエニルチタニウムジクロリド
などのシクロペンタジエニルチタン化合物があげられ、
このほか四価チタン化合物を還元して得られるものがあ
げられる。これら三価チタン化合物はエステル,エーテ
ルなどと錯体を形成したものを用いてもよい。また、遷
移金属化合物としてのジルコニウム化合物は、テトラベ
ンジルジルコニウム,ジルコニウムテトラエトキシド,
ジルコニウムテトラブトキシド,ビスインデニルジルコ
ニウムジクロリド,トリイソプロポキシジルコニウムク
ロリド,ジルコニウムベンジルジクロリド,トリブトキ
シジルコニウムクロリドなどがあり、ハフニウム化合物
は、テトラベンジルハフニウム,ハフニウムテトラエト
キシド,ハフニウムテトラブトキシドなどがあり、さら
にバナジウム化合物は、バナジルビスアセチルアセトナ
ート,バナジルトリアセチルアセトナート,トリエトキ
シバナジル,トリプロポキシバナジルなどがある。これ
ら遷移金属化合物のなかではチタン化合物が特に好適で
ある。
【0014】その他(A)成分である遷移金属化合物に
ついては、共役π電子を有する配位子を2個有する遷移
金属化合物、例えば、一般式(V) M1 R7 R8 R9 R10 ・・・(V)
〔式中、M1 はチタン,ジルコニウムあるいはハフニ
ウムを示し、R7 及びR8 はそれぞれシクロペンタ
ジエニル基,置換シクロペンタジエニル基,インデニル
基あるいはフルオレニル基を示し、R9 及びR10は
それぞれ水素,ハロゲン,炭素数1〜20の炭化水素基
,炭素数1〜20のアルコキシ基,アミノ基あるいは炭
素数1〜20のチオアルコキシ基を示す。ただし、R7
及びR8 は炭素数1〜5の炭化水素基,炭素数1〜
20及び珪素数1〜5のアルキルシリル基あるいは炭素
数1〜20及びゲルマニウム数1〜5のゲルマニウム含
有炭化水素基によって架橋されていてもよい。〕で表わ
される遷移金属化合物よりなる群から選ばれた少なくと
も1種の化合物がある。
ついては、共役π電子を有する配位子を2個有する遷移
金属化合物、例えば、一般式(V) M1 R7 R8 R9 R10 ・・・(V)
〔式中、M1 はチタン,ジルコニウムあるいはハフニ
ウムを示し、R7 及びR8 はそれぞれシクロペンタ
ジエニル基,置換シクロペンタジエニル基,インデニル
基あるいはフルオレニル基を示し、R9 及びR10は
それぞれ水素,ハロゲン,炭素数1〜20の炭化水素基
,炭素数1〜20のアルコキシ基,アミノ基あるいは炭
素数1〜20のチオアルコキシ基を示す。ただし、R7
及びR8 は炭素数1〜5の炭化水素基,炭素数1〜
20及び珪素数1〜5のアルキルシリル基あるいは炭素
数1〜20及びゲルマニウム数1〜5のゲルマニウム含
有炭化水素基によって架橋されていてもよい。〕で表わ
される遷移金属化合物よりなる群から選ばれた少なくと
も1種の化合物がある。
【0015】この一般式(VI)中のR7 ,R8 は
シクロペンタジエニル基,置換シクロペンタジエニル基
(具体的にはメチルシクロペンタジエニル基;1,3−
ジメチルシクロペンタジエニル基;1,2,4−トリメ
チルシクロペンタジエニル基;1,2,3,4−テトラ
メチルシクロペンタジエニル基;ペンタメチルシクロペ
ンタジエニル基;トリメチルシリルシクロペンタジエニ
ル基;1,3−ジ(トリメチルシリル)シクロペンタジ
エニル基;1,2,4−トリ(トリメチルシリル)シク
ロペンタジエニル基;ターシャリーブチルシクロペンタ
ジエニル基;1,3−ジ(ターシャリーブチル)シクロ
ペンタジエニル基;1,2,4−トリ(ターシャリーブ
チル)シクロペンタジエニル基など),インデニル基,
置換インデニル基(具体的にはメチルインデニル基;ジ
メチルインデニル基;トリメチルインデニル基など),
フルオレニル基あるいは置換フルオレニル基(例えばメ
チルフルオレニル基)を示し、R7 ,R8 は同一で
も異なってもよく、更にR7 とR8 が炭素数1〜5
のアルキリデン基(具体的には、メチン基,エチリデン
基,プロピリデン基,ジメチルカルビル基等)又は炭素
数1〜20及び珪素数1〜5のアルキルシリル基(具体
的には、ジメチルシリル基,ジエチルシリル基,ジベン
ジルシリル基等)により架橋された構造のものでもよい
。一方、R9 ,R10は、上述の如くであるが、より
詳しくは、それぞれ独立に、水素,炭素数1〜20のア
ルキル基(メチル基,エチル基,プロピル基,n−ブチ
ル基,イソブチル基,アミル基,イソアミル基,オクチ
ル基,2−エチルヘキシル基等),炭素数6〜20のア
リール基(具体的には、フェニル基,ナフチル基等)、
炭素数7〜20のアリールアルキル基(具体的には、ベ
ンジル基等)、炭素数1〜20のアルコキシ基(具体的
には、メトキシ基,エトキシ基,プロポキシ基,ブトキ
シ基,アミルオキシ基,ヘキシルオキシ基,オクチルオ
キシ基,2−エチルヘキシルオキシ基等)、炭素数6〜
20のアリールオキシ基(具体的には、フェノキシ基等
)、さらにはアミノ基や炭素数1〜20のチオアルコキ
シ基を示す。
シクロペンタジエニル基,置換シクロペンタジエニル基
(具体的にはメチルシクロペンタジエニル基;1,3−
ジメチルシクロペンタジエニル基;1,2,4−トリメ
チルシクロペンタジエニル基;1,2,3,4−テトラ
メチルシクロペンタジエニル基;ペンタメチルシクロペ
ンタジエニル基;トリメチルシリルシクロペンタジエニ
ル基;1,3−ジ(トリメチルシリル)シクロペンタジ
エニル基;1,2,4−トリ(トリメチルシリル)シク
ロペンタジエニル基;ターシャリーブチルシクロペンタ
ジエニル基;1,3−ジ(ターシャリーブチル)シクロ
ペンタジエニル基;1,2,4−トリ(ターシャリーブ
チル)シクロペンタジエニル基など),インデニル基,
置換インデニル基(具体的にはメチルインデニル基;ジ
メチルインデニル基;トリメチルインデニル基など),
フルオレニル基あるいは置換フルオレニル基(例えばメ
チルフルオレニル基)を示し、R7 ,R8 は同一で
も異なってもよく、更にR7 とR8 が炭素数1〜5
のアルキリデン基(具体的には、メチン基,エチリデン
基,プロピリデン基,ジメチルカルビル基等)又は炭素
数1〜20及び珪素数1〜5のアルキルシリル基(具体
的には、ジメチルシリル基,ジエチルシリル基,ジベン
ジルシリル基等)により架橋された構造のものでもよい
。一方、R9 ,R10は、上述の如くであるが、より
詳しくは、それぞれ独立に、水素,炭素数1〜20のア
ルキル基(メチル基,エチル基,プロピル基,n−ブチ
ル基,イソブチル基,アミル基,イソアミル基,オクチ
ル基,2−エチルヘキシル基等),炭素数6〜20のア
リール基(具体的には、フェニル基,ナフチル基等)、
炭素数7〜20のアリールアルキル基(具体的には、ベ
ンジル基等)、炭素数1〜20のアルコキシ基(具体的
には、メトキシ基,エトキシ基,プロポキシ基,ブトキ
シ基,アミルオキシ基,ヘキシルオキシ基,オクチルオ
キシ基,2−エチルヘキシルオキシ基等)、炭素数6〜
20のアリールオキシ基(具体的には、フェノキシ基等
)、さらにはアミノ基や炭素数1〜20のチオアルコキ
シ基を示す。
【0016】このような一般式(V)で表わされる遷移
金属化合物の具体例としては、ビスシクロペンタジエニ
ルチタンジメチル;ビスシクロペンタジエニルチタンジ
エチル;ビスシクロペンタジエニルチタンジプロピル;
ビスシクロペンタジエニルチタンジブチル;ビス(メチ
ルシクロペンタジエニル)チタンジメチル;ビス(ター
シャリーブチルシクロペンタジエニル)チタンジメチル
;ビス(1,3−ジメチルシクロペンタジエニル)チタ
ンジメチル;ビス(1,3−ジターシャリーブチルシク
ロペンタジエニル)チタンジメチル;ビス(1,2,4
−トリメチルシクロペンタジエニル)チタンジメチル;
ビス(1,2,3,4−テトラメチルシクロペンタジエ
ニル)チタンジメチル;ビスシクロペンタジエニルチタ
ンジメチル;ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエ
ニル)チタンジメチル;ビス(1,3−ジ(トリメチル
シリル)シクロペンタジエニル)チタンジメチル;ビス
(1,2,4−トリ((トリメチルシリル)シクロペン
タジエニル)チタンジメチル;ビスインデニルチタンジ
メチル;ビスフルオレニルチタンジメチル;メチレンビ
スシクロペンタジエニルチタンジメチル;エチリデンビ
スシクロペンタジエニルチタンジメチル;メチレンビス
(2,3,4,5−テトラメチルシクロペンタジエニル
)チタンジメチル;エチリデンビス(2,3,4,5−
テトラメチルシクロペンタジエニル)チタンジメチル;
ジメチルシリルビス(2,3,4,5−テトラメチルシ
クロペンタジエニル)チタンジメチル;メチレンビスイ
ンデニルチタンジメチル;エチリデンビスインデニルチ
タンジメチル;ジメチルシリルビスインデニルチタンジ
メチル;メチレンビスフルオレニルチタンジメチル;エ
チリデンビスフルオレニルチタンジメチル;ジメチルシ
リルビスフルオレニルチタンジメチル;メチレン(ター
シャリーブチルシクロペンタジエニル)(シクロペンタ
ジエニル)チタンジメチル;メチレン(シクロペンタジ
エニル)(インデニル)チタンジメチル;エチリデン(
シクロペンタジエニル)(インデニル)チタンジメチル
;ジメチルシリル(シクロペンタジエニル)(インデニ
ル)チタンジメチル;メチレン(シクロペンタジエニル
)(フルオレニル)チタンジメチル;エチリデン(シク
ロペンタジエニル)(フルオレニル)チタンジメチル;
ジメチルシリル(シクロペンタジエニル)(フルオレニ
ル)チタンジメチル;メチレン(インデニル)(フルオ
レニル)チタンジメチル;エチリデン(インデニル)(
フルオレニル)チタンジメチル;ジメチルシリル(イン
デニル)(フルオレニル)チタンジメチル;ビスシクロ
ペンタジエニルチタンジベンジル;ビス(ターシャリー
ブチルシクロペンタジエニル)チタンジベンジル;ビス
(メチルシクロペンタジエニル)チタンジベンジル;ビ
ス(1,3−ジメチルシクロペンタジエニル)チタンジ
ベンジル;ビス(1,2,4−トリメチルシクロペンタ
ジエニル)チタンジベンジル;ビス(1,2,3,4−
テトラメチルシクロペンタジエニル)チタンジベンジル
;ビスペンタメチルシクロペンタジエニルチタンジベン
ジル;ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエニル)
チタンジベンジル;ビス(1,3−ジ−(トリメチルシ
リル)シクロペンタジエニル)チタンジベンジル;ビス
(1,2,4−トリ(トリメチルシリル)シクロペンタ
ジエニル)チタンジベンジル;ビスインデニルチタンジ
ベンジル;ビスフルオレニルチタンジベンジル;メチレ
ンビスシクロペンタジエニルチタンジベンジル;エチリ
デンビスシクロペンタジエニルチタンジベンジル;メチ
レンビス(2,3,4,5−テトラメチルシクロペンタ
ジエニル)チタンジベンジル;エチリデンビス(2,3
,4,5−テトラメチルシクロペンタジエニル)チタン
ジベンジル;ジメチルシリルビス(2,3,4,5−テ
トラメチルシクロペンタジエニル)チタンジベンジル;
メチレンビスインデニルチタンジベンジル;エチリデン
ビスインデニルチタンジベンジル;ジメチルシリルビス
インデニルチタンジベンジル;メチレンビスフルオレニ
ルチタンジベンジル;エチリデンビスフルオレニルチタ
ンジベンジル;ジメチルシリルビスフルオレニルチタン
ジベンジル;メチレン(シクロペンタジエニル)(イン
デニル)チタンジベンジル;エチリデン(シクロペンタ
ジエニル)(インデニル)チタンジベンジル;ジメチル
シリル(シクロペンタジエニル)(インデニル)チタン
ジベンジル;メチレン(シクロペンタジエニル)(フル
オレニル)チタンジベンジル;エチリデン(シクロペン
タジエニル)(フルオレニル)チタンジベンジル;ジメ
チルシリル(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)
チタンジベンジル;メチレン(インデニル)(フルオレ
ニル)チタンジベンジル;エチリデン(インデニル)(
フルオレニル)チタンジベンジル;ジメチルシリル(イ
ンデニル)(フルオレニル)チタンジベンジル;ビスシ
クロペンタジエニルチタンジメトキサイド;ビスシクロ
ペンタジエニルチタンジエトキシド;ビスシクロペンタ
ジエニルチタンジプロポキサイド;ビスシクロペンタジ
エニルチタンジブトキサイド;ビスシクロペンタジエニ
ルチタンジフェノキサイド;ビス(メチルシクロペンタ
ジエニル)チタンジメトキサイド;ビス(1,3−ジメ
チルシクロペンタジエニル)チタンジメトキサイド;ビ
ス(1,2,4−トリメチルシクロペンタジエニル)チ
タンジメトキサイド;ビス(1,2,3,4−テイラメ
チルシクロペンタジエニル)チタンジメトキサイド;ビ
スペンタメチルシクロペンタジエニルチタンジメトキサ
イド;ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエニル)
チタンジメトキサイド;ビス(1,3−ジ(トリメチル
シリル)シクロペンタジエニル)チタンジメトキサイド
;ビス(1,2,4−トリ(トリメチルシリル)シクロ
ペンタジエニル)チタンジメトキサイド;ビスインデニ
ルチタンジメトキサイド;ビスフルオレニルチタンジメ
トキサイド;メチレンビスシクロペンタジエニルチタン
ジメトキサイド;エチリデンビスシクロペンタジエニル
チタンジメトキサイド;メチレンビス(2,3,4,5
−テトラメチルシクロペンタジエニル)チタンジメトキ
サイド;エチリデンビス(2,3,4,5−テトラメチ
ルシクロペンタジエニル)チタンジメトキサイド;ジメ
チルシリルビス(2,3,4,5−テトラメチルシクロ
ペンタジエニル)チタンジメトキサイド;メチレンビス
インデニルチタンジメトキサイド;メチレンビス(メチ
ルインデニル)チタンジメトキサイド;エチリデンビス
インデニルチタンジメトキサイド;ジメチルシリルビス
インデニルチタンジメトキサイド;メチレンビスフルオ
レニルチタンジメトキサイド;メチレンビス(メチルフ
ルオレニル)チタンジメトキサイド;エチリデンビスフ
ルオレニルチタンジメトキサイド;ジメチルシリルビス
フルオレニルチタンジメトキサイド;メチレン(シクロ
ペンタジエニル)(インデニル)チタンジメトキサイド
;エチリデン(シクロペンタジエニル)(インデニル)
チタンジメトキサイド;ジメチルシリル(シクロペンタ
ジエニル)(インデニル)チタンジメトキサイド;メチ
レン(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)チタン
ジメトキサイド;エチリデン(シクロペンタジエニル)
(フルオレニル)チタンジメトキサイド;ジメチルシリ
ル(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)チタンジ
メトキサイド;メチレン(インデニル)(フルオレニル
)チタンジメトキサイド;エチリデン(インデニル)(
フルオレニル)チタンジメトキサイド;ジメチルシリル
(インデニル)(フルオレニル)チタンジメトキサイド
等が挙げられる。
金属化合物の具体例としては、ビスシクロペンタジエニ
ルチタンジメチル;ビスシクロペンタジエニルチタンジ
エチル;ビスシクロペンタジエニルチタンジプロピル;
ビスシクロペンタジエニルチタンジブチル;ビス(メチ
ルシクロペンタジエニル)チタンジメチル;ビス(ター
シャリーブチルシクロペンタジエニル)チタンジメチル
;ビス(1,3−ジメチルシクロペンタジエニル)チタ
ンジメチル;ビス(1,3−ジターシャリーブチルシク
ロペンタジエニル)チタンジメチル;ビス(1,2,4
−トリメチルシクロペンタジエニル)チタンジメチル;
ビス(1,2,3,4−テトラメチルシクロペンタジエ
ニル)チタンジメチル;ビスシクロペンタジエニルチタ
ンジメチル;ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエ
ニル)チタンジメチル;ビス(1,3−ジ(トリメチル
シリル)シクロペンタジエニル)チタンジメチル;ビス
(1,2,4−トリ((トリメチルシリル)シクロペン
タジエニル)チタンジメチル;ビスインデニルチタンジ
メチル;ビスフルオレニルチタンジメチル;メチレンビ
スシクロペンタジエニルチタンジメチル;エチリデンビ
スシクロペンタジエニルチタンジメチル;メチレンビス
(2,3,4,5−テトラメチルシクロペンタジエニル
)チタンジメチル;エチリデンビス(2,3,4,5−
テトラメチルシクロペンタジエニル)チタンジメチル;
ジメチルシリルビス(2,3,4,5−テトラメチルシ
クロペンタジエニル)チタンジメチル;メチレンビスイ
ンデニルチタンジメチル;エチリデンビスインデニルチ
タンジメチル;ジメチルシリルビスインデニルチタンジ
メチル;メチレンビスフルオレニルチタンジメチル;エ
チリデンビスフルオレニルチタンジメチル;ジメチルシ
リルビスフルオレニルチタンジメチル;メチレン(ター
シャリーブチルシクロペンタジエニル)(シクロペンタ
ジエニル)チタンジメチル;メチレン(シクロペンタジ
エニル)(インデニル)チタンジメチル;エチリデン(
シクロペンタジエニル)(インデニル)チタンジメチル
;ジメチルシリル(シクロペンタジエニル)(インデニ
ル)チタンジメチル;メチレン(シクロペンタジエニル
)(フルオレニル)チタンジメチル;エチリデン(シク
ロペンタジエニル)(フルオレニル)チタンジメチル;
ジメチルシリル(シクロペンタジエニル)(フルオレニ
ル)チタンジメチル;メチレン(インデニル)(フルオ
レニル)チタンジメチル;エチリデン(インデニル)(
フルオレニル)チタンジメチル;ジメチルシリル(イン
デニル)(フルオレニル)チタンジメチル;ビスシクロ
ペンタジエニルチタンジベンジル;ビス(ターシャリー
ブチルシクロペンタジエニル)チタンジベンジル;ビス
(メチルシクロペンタジエニル)チタンジベンジル;ビ
ス(1,3−ジメチルシクロペンタジエニル)チタンジ
ベンジル;ビス(1,2,4−トリメチルシクロペンタ
ジエニル)チタンジベンジル;ビス(1,2,3,4−
テトラメチルシクロペンタジエニル)チタンジベンジル
;ビスペンタメチルシクロペンタジエニルチタンジベン
ジル;ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエニル)
チタンジベンジル;ビス(1,3−ジ−(トリメチルシ
リル)シクロペンタジエニル)チタンジベンジル;ビス
(1,2,4−トリ(トリメチルシリル)シクロペンタ
ジエニル)チタンジベンジル;ビスインデニルチタンジ
ベンジル;ビスフルオレニルチタンジベンジル;メチレ
ンビスシクロペンタジエニルチタンジベンジル;エチリ
デンビスシクロペンタジエニルチタンジベンジル;メチ
レンビス(2,3,4,5−テトラメチルシクロペンタ
ジエニル)チタンジベンジル;エチリデンビス(2,3
,4,5−テトラメチルシクロペンタジエニル)チタン
ジベンジル;ジメチルシリルビス(2,3,4,5−テ
トラメチルシクロペンタジエニル)チタンジベンジル;
メチレンビスインデニルチタンジベンジル;エチリデン
ビスインデニルチタンジベンジル;ジメチルシリルビス
インデニルチタンジベンジル;メチレンビスフルオレニ
ルチタンジベンジル;エチリデンビスフルオレニルチタ
ンジベンジル;ジメチルシリルビスフルオレニルチタン
ジベンジル;メチレン(シクロペンタジエニル)(イン
デニル)チタンジベンジル;エチリデン(シクロペンタ
ジエニル)(インデニル)チタンジベンジル;ジメチル
シリル(シクロペンタジエニル)(インデニル)チタン
ジベンジル;メチレン(シクロペンタジエニル)(フル
オレニル)チタンジベンジル;エチリデン(シクロペン
タジエニル)(フルオレニル)チタンジベンジル;ジメ
チルシリル(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)
チタンジベンジル;メチレン(インデニル)(フルオレ
ニル)チタンジベンジル;エチリデン(インデニル)(
フルオレニル)チタンジベンジル;ジメチルシリル(イ
ンデニル)(フルオレニル)チタンジベンジル;ビスシ
クロペンタジエニルチタンジメトキサイド;ビスシクロ
ペンタジエニルチタンジエトキシド;ビスシクロペンタ
ジエニルチタンジプロポキサイド;ビスシクロペンタジ
エニルチタンジブトキサイド;ビスシクロペンタジエニ
ルチタンジフェノキサイド;ビス(メチルシクロペンタ
ジエニル)チタンジメトキサイド;ビス(1,3−ジメ
チルシクロペンタジエニル)チタンジメトキサイド;ビ
ス(1,2,4−トリメチルシクロペンタジエニル)チ
タンジメトキサイド;ビス(1,2,3,4−テイラメ
チルシクロペンタジエニル)チタンジメトキサイド;ビ
スペンタメチルシクロペンタジエニルチタンジメトキサ
イド;ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエニル)
チタンジメトキサイド;ビス(1,3−ジ(トリメチル
シリル)シクロペンタジエニル)チタンジメトキサイド
;ビス(1,2,4−トリ(トリメチルシリル)シクロ
ペンタジエニル)チタンジメトキサイド;ビスインデニ
ルチタンジメトキサイド;ビスフルオレニルチタンジメ
トキサイド;メチレンビスシクロペンタジエニルチタン
ジメトキサイド;エチリデンビスシクロペンタジエニル
チタンジメトキサイド;メチレンビス(2,3,4,5
−テトラメチルシクロペンタジエニル)チタンジメトキ
サイド;エチリデンビス(2,3,4,5−テトラメチ
ルシクロペンタジエニル)チタンジメトキサイド;ジメ
チルシリルビス(2,3,4,5−テトラメチルシクロ
ペンタジエニル)チタンジメトキサイド;メチレンビス
インデニルチタンジメトキサイド;メチレンビス(メチ
ルインデニル)チタンジメトキサイド;エチリデンビス
インデニルチタンジメトキサイド;ジメチルシリルビス
インデニルチタンジメトキサイド;メチレンビスフルオ
レニルチタンジメトキサイド;メチレンビス(メチルフ
ルオレニル)チタンジメトキサイド;エチリデンビスフ
ルオレニルチタンジメトキサイド;ジメチルシリルビス
フルオレニルチタンジメトキサイド;メチレン(シクロ
ペンタジエニル)(インデニル)チタンジメトキサイド
;エチリデン(シクロペンタジエニル)(インデニル)
チタンジメトキサイド;ジメチルシリル(シクロペンタ
ジエニル)(インデニル)チタンジメトキサイド;メチ
レン(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)チタン
ジメトキサイド;エチリデン(シクロペンタジエニル)
(フルオレニル)チタンジメトキサイド;ジメチルシリ
ル(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)チタンジ
メトキサイド;メチレン(インデニル)(フルオレニル
)チタンジメトキサイド;エチリデン(インデニル)(
フルオレニル)チタンジメトキサイド;ジメチルシリル
(インデニル)(フルオレニル)チタンジメトキサイド
等が挙げられる。
【0017】また、ジルコニウム化合物としては、エチ
リデンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジメトキ
サイド,ジメチルシリルビスシクロペンタジエニルジル
コニウムジメトキサイド等があり、更にハフニウム化合
物としては、エチリデンビスシクロペンタジエニルハフ
ニウムジメトキサイド,ジメチルシリルビスシクロペン
タジエニルハフニウムジメトキサイド等がある。これら
のなかでも特にチタン化合物が好ましい。更にこれらの
組合せの他、2,2’ −チオビス(4−メチル−6−
t−ブチルフェニル)チタンジイソプロポキシド;2,
2’ −チオビス(4−メチル−6−t−ブチルフェニ
ル)チタンジメトキシド等の2座配位型錯体であっても
よい。
リデンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジメトキ
サイド,ジメチルシリルビスシクロペンタジエニルジル
コニウムジメトキサイド等があり、更にハフニウム化合
物としては、エチリデンビスシクロペンタジエニルハフ
ニウムジメトキサイド,ジメチルシリルビスシクロペン
タジエニルハフニウムジメトキサイド等がある。これら
のなかでも特にチタン化合物が好ましい。更にこれらの
組合せの他、2,2’ −チオビス(4−メチル−6−
t−ブチルフェニル)チタンジイソプロポキシド;2,
2’ −チオビス(4−メチル−6−t−ブチルフェニ
ル)チタンジメトキシド等の2座配位型錯体であっても
よい。
【0018】一方、本発明の触媒の(B)成分は、複数
の基が金属に結合したアニオンと25℃における酸解離
定数が7以下の含窒素カチオンとからなる配位錯化合物
である。このような配位錯化合物は、様々なものがある
。この配位錯化合物を構成する複数の基が金属に結合し
たアニオンは、例えば一般式(VI)(M2 X1 X
2 ・・・Xn )(n−m)− ・・・(
VI)〔式中、M2 はそれぞれ周期律表の5族〜15
族から選ばれる金属、X1 〜Xn はそれぞれ水素原
子,ジアルキルアミノ基,アルコキシ基,アリールオキ
シ基,炭素数1〜20のアルキル基,炭素数6〜20の
アリール基,アルキルアリール基,アリールアルキル基
,置換アルキル基,有機メタロイド基又はハロゲン原子
を示し、mはM2 の原子価で1〜7の整数、nは2〜
8の整数である。〕で表されるものをあげることができ
る。
の基が金属に結合したアニオンと25℃における酸解離
定数が7以下の含窒素カチオンとからなる配位錯化合物
である。このような配位錯化合物は、様々なものがある
。この配位錯化合物を構成する複数の基が金属に結合し
たアニオンは、例えば一般式(VI)(M2 X1 X
2 ・・・Xn )(n−m)− ・・・(
VI)〔式中、M2 はそれぞれ周期律表の5族〜15
族から選ばれる金属、X1 〜Xn はそれぞれ水素原
子,ジアルキルアミノ基,アルコキシ基,アリールオキ
シ基,炭素数1〜20のアルキル基,炭素数6〜20の
アリール基,アルキルアリール基,アリールアルキル基
,置換アルキル基,有機メタロイド基又はハロゲン原子
を示し、mはM2 の原子価で1〜7の整数、nは2〜
8の整数である。〕で表されるものをあげることができ
る。
【0019】M2 の具体例としてはB,Al,Si,
P,As,Sb等があり、X1 〜Xn の具体例とし
ては、例えば、ジアルキルアミノ基としてジメチルアミ
ノ基,ジエチルアミノ基、アルコキシ基としてメトキシ
基,エトキシ基,n−ブトキシ基、アリールオキシ基と
してフェノキシ基,2,6−ジメチルフェノキシ基,ナ
フチルオキシ基、炭素数1〜20のアルキル基としてメ
チル基,エチル基,n−プロピル基,iso−プロピル
基,n−ブチル基,n−オクチル基,2−エチルヘキシ
ル基、炭素数6〜20のアリール基やアルキルアリール
基若しくはアリールアルキル基としてフェニル基,p−
トリル基,ベンジル基,ペンタフルオロフェニル基,3
,5−ジ(トリフルオロメチル)フェニル基,4−ター
シャリ−ブチルフェニル基,2,6−ジメチルフェニル
基,3,5−ジメチルフェニル基,2,4−ジメチルフ
ェニル基,1,2−ジメチルフェニル基、ハロゲンとし
てF,Cl,Br,I、有機メタロイド基として五メチ
ルアンチモン基,トリメチルシリル基,トリメチルゲル
ミル基,ジフェニルアルシン基,ジシクロヘキシルアン
チモン基,ジフェニル硼素基が挙げられる。
P,As,Sb等があり、X1 〜Xn の具体例とし
ては、例えば、ジアルキルアミノ基としてジメチルアミ
ノ基,ジエチルアミノ基、アルコキシ基としてメトキシ
基,エトキシ基,n−ブトキシ基、アリールオキシ基と
してフェノキシ基,2,6−ジメチルフェノキシ基,ナ
フチルオキシ基、炭素数1〜20のアルキル基としてメ
チル基,エチル基,n−プロピル基,iso−プロピル
基,n−ブチル基,n−オクチル基,2−エチルヘキシ
ル基、炭素数6〜20のアリール基やアルキルアリール
基若しくはアリールアルキル基としてフェニル基,p−
トリル基,ベンジル基,ペンタフルオロフェニル基,3
,5−ジ(トリフルオロメチル)フェニル基,4−ター
シャリ−ブチルフェニル基,2,6−ジメチルフェニル
基,3,5−ジメチルフェニル基,2,4−ジメチルフ
ェニル基,1,2−ジメチルフェニル基、ハロゲンとし
てF,Cl,Br,I、有機メタロイド基として五メチ
ルアンチモン基,トリメチルシリル基,トリメチルゲル
ミル基,ジフェニルアルシン基,ジシクロヘキシルアン
チモン基,ジフェニル硼素基が挙げられる。
【0020】また、25℃における酸解離定数(特に水
溶液中での酸解離定数)が7以下の含窒素カチオンは、
種々のものが挙げられるが、例えば、ピリジニウム;2
,4−ジニトロ−N,N−ジエチルアニリニウム;ジフ
ェニルアンモニウム;p−ニトロアニリニウム;2,5
−ジクロロアニリン;p−ニトロ−N,N−ジメチルア
ニリニウム;キノリニウム;N,N−ジメチルアニリニ
ウム;N,N−ジエチルアニリニウム;メチルジフェニ
ルアンモニウム;8−クロロキノリニウム等が挙げられ
る。
溶液中での酸解離定数)が7以下の含窒素カチオンは、
種々のものが挙げられるが、例えば、ピリジニウム;2
,4−ジニトロ−N,N−ジエチルアニリニウム;ジフ
ェニルアンモニウム;p−ニトロアニリニウム;2,5
−ジクロロアニリン;p−ニトロ−N,N−ジメチルア
ニリニウム;キノリニウム;N,N−ジメチルアニリニ
ウム;N,N−ジエチルアニリニウム;メチルジフェニ
ルアンモニウム;8−クロロキノリニウム等が挙げられ
る。
【0021】本発明の触媒の(B)成分は、上記のカチ
オンとアニオンを組み合わせてなる配位錯化合物である
。上記配位錯化合物の中では、下記のものが特に好適に
使用できる。例えば、テトラ(ペンタフルオロフェニル
)硼酸−N,N’−ジエチルアニリニウム,テトラ(ペ
ンタフルオロフェニル)硼酸−8−クロロキノリニウム
,ヘキサフルオロ砒素酸−o−クロロアニリニウム,テ
トラ(ペンタフルオロフェニル)硼酸ピリジニウム,テ
トラ(ペンタフルオロフェニル)硼酸ピロリニウム,テ
トラ(ペンタフルオロフェニル)硼酸N,N−ジメチル
アニリニウム,テトラ(ペンタフルオロフェニル)硼酸
メチルジフェニルアンモニウム等が挙げられる。
オンとアニオンを組み合わせてなる配位錯化合物である
。上記配位錯化合物の中では、下記のものが特に好適に
使用できる。例えば、テトラ(ペンタフルオロフェニル
)硼酸−N,N’−ジエチルアニリニウム,テトラ(ペ
ンタフルオロフェニル)硼酸−8−クロロキノリニウム
,ヘキサフルオロ砒素酸−o−クロロアニリニウム,テ
トラ(ペンタフルオロフェニル)硼酸ピリジニウム,テ
トラ(ペンタフルオロフェニル)硼酸ピロリニウム,テ
トラ(ペンタフルオロフェニル)硼酸N,N−ジメチル
アニリニウム,テトラ(ペンタフルオロフェニル)硼酸
メチルジフェニルアンモニウム等が挙げられる。
【0022】さらに本発明の触媒は、必要に応じて(C
)成分としてアルキル基含有化合物を使用することがで
きる。ここで、アルキル基含有化合物は様々なものがあ
るが、例えば、一般式(VII) R11p Al(OR12) q X’3−p−q
・・・(VII)〔式中、R11およびR1
2はそれぞれ炭素数1〜8、好ましくは1〜4のアルキ
ル基を示し、X’は水素あるいはハロゲンを示す。また
、pは0<p≦3、好ましくは2あるいは3、最も好ま
しくは3であり、qは0≦q<3、好ましくは0あるい
は1である。〕で表わされるアルキル基含有アルミニウ
ム化合物や一般式(VIII)R112 Mg
・・・(VIII)〔式中、R11は前記と同
じである。〕で表わされるアルキル基含有マグネシウム
化合物、さらには一般式(IX)R112 Zn
・・・(IX)〔式中、R11は前記と同じ
である。〕で表わされるアルキル基含有亜鉛化合物等が
挙げられる。これらのアルキル基含有化合物のうち、ア
ルキル基含有アルミニウム化合物、とりわけトリアルキ
ルアルミニウムやジアルキルアルミニウム化合物が好ま
しい。具体的にはトリメチルアルミニウム,トリエチル
アルミニウム,トリn−プロピルアルミニウム,トリイ
ソプロピルアルミニウム,トリn−ブチルアルミニウム
,トリイソブチルアルミニウム,トリt−ブチルアルミ
ニウム等のトリアルキルアルミニウム、ジメチルアルミ
ニウムクロリド,ジエチルアルミニウムクロリド,ジn
−プロピルアルミニウムクロリド,ジイソプロピルアル
ミニウムクロリド,ジn−ブチルアルミニウムクロリド
,ジイソブチルアルミニウムクロリド,ジt−ブチルア
ルミニウムクロリド等のジアルキルアルミニウムハライ
ド、ジメチルアルミニウムメトキサイド,ジメチルアル
ミニウムエトキサイド等のジアルキルアルミニウムアル
コキサイド、ジメチルアルミニウムハイドライド,ジエ
チルアルミニウムハイドライド,ジイソブチルアルミニ
ウムハイドライド等のジアルキルアルミニウムハイドラ
イド等があげられる。さらには、ジメチルマグネシウム
,ジエチルマグネシウム,ジn−プロピルマグネシウム
,ジイソプロピルマグネシウム等のジアルキルマグネシ
ウムやジメチル亜鉛,ジエチル亜鉛,ジn−プロピルエ
チル亜鉛,ジイソプロピル亜鉛等のジアルキル亜鉛をあ
げることができる。
)成分としてアルキル基含有化合物を使用することがで
きる。ここで、アルキル基含有化合物は様々なものがあ
るが、例えば、一般式(VII) R11p Al(OR12) q X’3−p−q
・・・(VII)〔式中、R11およびR1
2はそれぞれ炭素数1〜8、好ましくは1〜4のアルキ
ル基を示し、X’は水素あるいはハロゲンを示す。また
、pは0<p≦3、好ましくは2あるいは3、最も好ま
しくは3であり、qは0≦q<3、好ましくは0あるい
は1である。〕で表わされるアルキル基含有アルミニウ
ム化合物や一般式(VIII)R112 Mg
・・・(VIII)〔式中、R11は前記と同
じである。〕で表わされるアルキル基含有マグネシウム
化合物、さらには一般式(IX)R112 Zn
・・・(IX)〔式中、R11は前記と同じ
である。〕で表わされるアルキル基含有亜鉛化合物等が
挙げられる。これらのアルキル基含有化合物のうち、ア
ルキル基含有アルミニウム化合物、とりわけトリアルキ
ルアルミニウムやジアルキルアルミニウム化合物が好ま
しい。具体的にはトリメチルアルミニウム,トリエチル
アルミニウム,トリn−プロピルアルミニウム,トリイ
ソプロピルアルミニウム,トリn−ブチルアルミニウム
,トリイソブチルアルミニウム,トリt−ブチルアルミ
ニウム等のトリアルキルアルミニウム、ジメチルアルミ
ニウムクロリド,ジエチルアルミニウムクロリド,ジn
−プロピルアルミニウムクロリド,ジイソプロピルアル
ミニウムクロリド,ジn−ブチルアルミニウムクロリド
,ジイソブチルアルミニウムクロリド,ジt−ブチルア
ルミニウムクロリド等のジアルキルアルミニウムハライ
ド、ジメチルアルミニウムメトキサイド,ジメチルアル
ミニウムエトキサイド等のジアルキルアルミニウムアル
コキサイド、ジメチルアルミニウムハイドライド,ジエ
チルアルミニウムハイドライド,ジイソブチルアルミニ
ウムハイドライド等のジアルキルアルミニウムハイドラ
イド等があげられる。さらには、ジメチルマグネシウム
,ジエチルマグネシウム,ジn−プロピルマグネシウム
,ジイソプロピルマグネシウム等のジアルキルマグネシ
ウムやジメチル亜鉛,ジエチル亜鉛,ジn−プロピルエ
チル亜鉛,ジイソプロピル亜鉛等のジアルキル亜鉛をあ
げることができる。
【0023】本発明の触媒は、上記(A)及び(B)成
分を主成分として、更に所望により(C)アルキル基含
有化合物を含有するものであるが、このほかに更に他の
触媒成分を加えることも可能である。この触媒中の(A
)成分,(B)成分及び(C)成分の配合割合は、各種
の条件により異なり、一義的に定められないが、通常は
(A)成分と(B)成分のモル比が0.1:1〜1:0
.1、(A)成分と(C)成分のモル比が1:0〜1:
1000である。
分を主成分として、更に所望により(C)アルキル基含
有化合物を含有するものであるが、このほかに更に他の
触媒成分を加えることも可能である。この触媒中の(A
)成分,(B)成分及び(C)成分の配合割合は、各種
の条件により異なり、一義的に定められないが、通常は
(A)成分と(B)成分のモル比が0.1:1〜1:0
.1、(A)成分と(C)成分のモル比が1:0〜1:
1000である。
【0024】上記のような本発明の触媒は、高度のシン
ジオタクチック構造を有するスチレン系重合体の製造に
おいて高い活性を示す。したがって、本発明は、さらに
上記のような触媒を用いてスチレン系重合体を製造する
方法をも提供するものである。
ジオタクチック構造を有するスチレン系重合体の製造に
おいて高い活性を示す。したがって、本発明は、さらに
上記のような触媒を用いてスチレン系重合体を製造する
方法をも提供するものである。
【0025】本発明の方法によりスチレン系重合体を製
造するには、上記の(A)及び(B)成分、また必要に
応じて(C)成分を主成分とする触媒の存在下で、スチ
レン及び/又はスチレン誘導体(アルキルスチレン,ア
ルコキシスチレン,ハロゲン化スチレン,ビニル安息香
酸エステルなど)等のスチレン系モノマーを重合(ある
いは共重合)する。ここで本発明の触媒とスチレン系モ
ノマーとの接触方法としては、■(A)成分と(B)成
分との反応物を触媒とし、これに重合すべきモノマーを
接触させる方法、■(A)成分と(B)成分との反応物
に(C)成分を加えて触媒とし、これに重合すべきモノ
マーを接触させる方法、■(A)成分と(C)成分との
反応物に(B)成分を加えて触媒とし、これに重合すべ
きモノマーを接触させる方法、あるいは■重合すべきモ
ノマーに(A),(B),(C)の一成分ずつ加えて接
触させる方法等がある。また、(A)成分と(B)成分
との反応物は、予め単離精製したものを用いることもで
きる。なお、上述の(A),(B)及び(C)成分の添
加あるいは接触は、重合温度下で行うことができること
は勿論、0〜100℃の温度にて行うことも可能である
。
造するには、上記の(A)及び(B)成分、また必要に
応じて(C)成分を主成分とする触媒の存在下で、スチ
レン及び/又はスチレン誘導体(アルキルスチレン,ア
ルコキシスチレン,ハロゲン化スチレン,ビニル安息香
酸エステルなど)等のスチレン系モノマーを重合(ある
いは共重合)する。ここで本発明の触媒とスチレン系モ
ノマーとの接触方法としては、■(A)成分と(B)成
分との反応物を触媒とし、これに重合すべきモノマーを
接触させる方法、■(A)成分と(B)成分との反応物
に(C)成分を加えて触媒とし、これに重合すべきモノ
マーを接触させる方法、■(A)成分と(C)成分との
反応物に(B)成分を加えて触媒とし、これに重合すべ
きモノマーを接触させる方法、あるいは■重合すべきモ
ノマーに(A),(B),(C)の一成分ずつ加えて接
触させる方法等がある。また、(A)成分と(B)成分
との反応物は、予め単離精製したものを用いることもで
きる。なお、上述の(A),(B)及び(C)成分の添
加あるいは接触は、重合温度下で行うことができること
は勿論、0〜100℃の温度にて行うことも可能である
。
【0026】スチレン系モノマーの重合は塊状でもよく
、ペンタン,ヘキサン,ヘプタン等の脂肪族炭化水素、
シクロヘキサン等の脂環族炭化水素あるいはベンゼン,
トルエン,キシレン等の芳香族炭化水素溶媒中で行って
もよい。また、重合温度は特に制限はないが、一般には
0〜90℃、好ましくは20〜70℃である。
、ペンタン,ヘキサン,ヘプタン等の脂肪族炭化水素、
シクロヘキサン等の脂環族炭化水素あるいはベンゼン,
トルエン,キシレン等の芳香族炭化水素溶媒中で行って
もよい。また、重合温度は特に制限はないが、一般には
0〜90℃、好ましくは20〜70℃である。
【0027】さらに、得られるスチレン系重合体の分子
量を調節するには、水素の存在下で重合反応を行うこと
が効果的である。
量を調節するには、水素の存在下で重合反応を行うこと
が効果的である。
【0028】このようにして得られるスチレン系重合体
は、高度のシンジオタクチック構造を有するものである
。ここで、スチレン系重合体における高度のシンジオタ
クチック構造とは、立体化学構造が高度のシンジオタク
チック構造、すなわち炭素−炭素結合から形成される主
鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交
互に反対方向に位置する立体構造を有することを意味し
、そのタクティシティーは同位体炭素による核磁気共鳴
法(13C−NMR法)により定量される。13C−N
MR法により測定されるタクティシティーは、連続する
複数個の構成単位の存在割合、例えば2個の場合はダイ
アッド,3個の場合はトリアッド,5個の場合はペンタ
ッドによって示すことができるが、本発明に言う「高度
のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体」
とは、通常はラセミダイアッドで75%以上、好ましく
は85%以上、若しくはラセミペンタッドで30%以上
、好ましくは50%以上のシンジオタクティシティーを
有するポリスチレン,ポリ(アルキルスチレン),ポリ
(ハロゲン化スチレン),ポリ(アルコキシスチレン)
,ポリ(ビニル安息香酸エステル)及びこれらの混合物
、あるいはこれらを主成分とする共重合体を意味する。 なお、ここでポリ(アルキルスチレン)としては、ポリ
(メチルスチレン),ポリ(エチルスチレン),ポリ(
イソプロピルスチレン),ポリ(ターシャリーブチルス
チレン)等があり、ポリ(ハロゲン化スチレン)として
は、ポリ(クロロスチレン),ポリ(ブロモスチレン)
,ポリ(フルオロスチレン)等がある。また、ポリ(ア
ルコキシスチレン)としては、ポリ(メトキシスチレン
),ポリ(エトキシスチレン)等がある。これらのうち
特に好ましいスチレン系重合体としては、ポリスチレン
,ポリ(p−メチルスチレン),ポリ(m−メチルスチ
レン),ポリ(p−ターシャリーブチルスチレン),ポ
リ(p−クロロスチレン),ポリ(m−クロロスチレン
),ポリ(p−フルオロスチレン)、さらにはスチレン
とp−メチルスチレンとの共重合体をあげることができ
る。
は、高度のシンジオタクチック構造を有するものである
。ここで、スチレン系重合体における高度のシンジオタ
クチック構造とは、立体化学構造が高度のシンジオタク
チック構造、すなわち炭素−炭素結合から形成される主
鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交
互に反対方向に位置する立体構造を有することを意味し
、そのタクティシティーは同位体炭素による核磁気共鳴
法(13C−NMR法)により定量される。13C−N
MR法により測定されるタクティシティーは、連続する
複数個の構成単位の存在割合、例えば2個の場合はダイ
アッド,3個の場合はトリアッド,5個の場合はペンタ
ッドによって示すことができるが、本発明に言う「高度
のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体」
とは、通常はラセミダイアッドで75%以上、好ましく
は85%以上、若しくはラセミペンタッドで30%以上
、好ましくは50%以上のシンジオタクティシティーを
有するポリスチレン,ポリ(アルキルスチレン),ポリ
(ハロゲン化スチレン),ポリ(アルコキシスチレン)
,ポリ(ビニル安息香酸エステル)及びこれらの混合物
、あるいはこれらを主成分とする共重合体を意味する。 なお、ここでポリ(アルキルスチレン)としては、ポリ
(メチルスチレン),ポリ(エチルスチレン),ポリ(
イソプロピルスチレン),ポリ(ターシャリーブチルス
チレン)等があり、ポリ(ハロゲン化スチレン)として
は、ポリ(クロロスチレン),ポリ(ブロモスチレン)
,ポリ(フルオロスチレン)等がある。また、ポリ(ア
ルコキシスチレン)としては、ポリ(メトキシスチレン
),ポリ(エトキシスチレン)等がある。これらのうち
特に好ましいスチレン系重合体としては、ポリスチレン
,ポリ(p−メチルスチレン),ポリ(m−メチルスチ
レン),ポリ(p−ターシャリーブチルスチレン),ポ
リ(p−クロロスチレン),ポリ(m−クロロスチレン
),ポリ(p−フルオロスチレン)、さらにはスチレン
とp−メチルスチレンとの共重合体をあげることができ
る。
【0029】本発明の方法により製造されるスチレン系
重合体は、一般に、重量平均分子量10,000〜3,
000,000 、好ましくは100,000 〜1,
500,000 、数平均分子量5,000 〜1,5
00,000 、好ましくは50,000〜1,000
,000のものであり、上記のようにシンジオクタティ
シティーの高いものであるが、重合後、必要に応じて塩
酸等を含む洗浄液で脱灰処理し、さらに洗浄,減圧乾燥
を経てメチルエチルケトン等の溶媒で洗浄して可溶分を
除去し、得られる不溶分をさらにクロロホルム等を用い
て処理すれば、極めてシンジオタクティシティーの大き
い高純度のスチレン系重合体が入手できる。
重合体は、一般に、重量平均分子量10,000〜3,
000,000 、好ましくは100,000 〜1,
500,000 、数平均分子量5,000 〜1,5
00,000 、好ましくは50,000〜1,000
,000のものであり、上記のようにシンジオクタティ
シティーの高いものであるが、重合後、必要に応じて塩
酸等を含む洗浄液で脱灰処理し、さらに洗浄,減圧乾燥
を経てメチルエチルケトン等の溶媒で洗浄して可溶分を
除去し、得られる不溶分をさらにクロロホルム等を用い
て処理すれば、極めてシンジオタクティシティーの大き
い高純度のスチレン系重合体が入手できる。
【0030】この高度のシンジオタクチック構造を有す
るスチレン系重合体は、融点が160〜310℃であっ
て、従来のアタクチック構造のスチレン系重合体に比べ
て耐熱性が格段に優れている。
るスチレン系重合体は、融点が160〜310℃であっ
て、従来のアタクチック構造のスチレン系重合体に比べ
て耐熱性が格段に優れている。
【0031】
【実施例】次に、本発明を実施例および比較例により更
に詳しく説明する。 実施例1 乾燥させ窒素置換した20ミリリットルの容器にスチレ
ン10ミリリットル,トリイソブチルアルミニウム15
μモル,テトラ(ペンタフルオロフェニル)硼酸ジメチ
ルアニリニウム(DMAB)(酸解離定数pKa:5.
2)0.25μモルを入れ、1分後ペンタメチルシクロ
ペンタジエニルチタントリメチル0.25μモルを順次
添加し、70℃で4時間重合を行った。反応終了後、生
成物を乾燥して重合体3.25gを得た。この重合体を
厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエチルケトンでソ
ックスレー抽出を6時間行ったところ、96重量%で抽
出残物(MIP)を得た。その結果、シンジオタクチッ
クポリスチレン(SPS)の収量は3.12gであり、
SPS活性は261(kg/gTi)であった。また、
この際の全残留金属量は133ppmであった。
に詳しく説明する。 実施例1 乾燥させ窒素置換した20ミリリットルの容器にスチレ
ン10ミリリットル,トリイソブチルアルミニウム15
μモル,テトラ(ペンタフルオロフェニル)硼酸ジメチ
ルアニリニウム(DMAB)(酸解離定数pKa:5.
2)0.25μモルを入れ、1分後ペンタメチルシクロ
ペンタジエニルチタントリメチル0.25μモルを順次
添加し、70℃で4時間重合を行った。反応終了後、生
成物を乾燥して重合体3.25gを得た。この重合体を
厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエチルケトンでソ
ックスレー抽出を6時間行ったところ、96重量%で抽
出残物(MIP)を得た。その結果、シンジオタクチッ
クポリスチレン(SPS)の収量は3.12gであり、
SPS活性は261(kg/gTi)であった。また、
この際の全残留金属量は133ppmであった。
【0032】実施例2
DMABの代わりにテトラ(ペンタフルオロフェニル)
硼酸ピリジニウム(PAB)(酸解離定数pKa:5.
2)0.25μモルを用い、またペンタメチルシクロペ
ンタジエニルチタントリメチルの代わりにペンタメチル
シクロペンタジエニルチタントリベンジル0.25μモ
ルを用いたこと以外は、実施例1と同様にして重合体3
.27gを得た。この重合体を厚さ1mm以下の薄片に
切断しメチルエチルケトンでソックスレー抽出を6時間
行ったところ、96重量%でMIPを得た。その結果S
PSの収量は3.14gであり、SPS活性は263(
kg/gTi)であった。また、この際の全留量金属量
は133ppmであった。
硼酸ピリジニウム(PAB)(酸解離定数pKa:5.
2)0.25μモルを用い、またペンタメチルシクロペ
ンタジエニルチタントリメチルの代わりにペンタメチル
シクロペンタジエニルチタントリベンジル0.25μモ
ルを用いたこと以外は、実施例1と同様にして重合体3
.27gを得た。この重合体を厚さ1mm以下の薄片に
切断しメチルエチルケトンでソックスレー抽出を6時間
行ったところ、96重量%でMIPを得た。その結果S
PSの収量は3.14gであり、SPS活性は263(
kg/gTi)であった。また、この際の全留量金属量
は133ppmであった。
【0033】実施例3
DMABの代わりにテトラ(ペンタフルオロフェニル)
硼酸メタニトロフェニルジメチルアンモニウム(MNA
B)(酸解離定数pKa:3.0)0.25μモルを用
いたこと以外は、実施例1と同様にして重合体2.21
gを得た。この重合体を厚さ1mm以下の薄片に切断し
メチルエチルケトンでソックスレー抽出を6時間行った
ところ、93重量%でMIPを得た。その結果SPSの
収量は2.06gであり、SPS活性は172(kg/
gTi)であった。また、この際の全残留金属量は20
2ppmであった。
硼酸メタニトロフェニルジメチルアンモニウム(MNA
B)(酸解離定数pKa:3.0)0.25μモルを用
いたこと以外は、実施例1と同様にして重合体2.21
gを得た。この重合体を厚さ1mm以下の薄片に切断し
メチルエチルケトンでソックスレー抽出を6時間行った
ところ、93重量%でMIPを得た。その結果SPSの
収量は2.06gであり、SPS活性は172(kg/
gTi)であった。また、この際の全残留金属量は20
2ppmであった。
【0034】実施例4
DMABの代わりにテトラ(ペンタフルオロフェニル)
硼酸パラブロモフェニルジメチルアンモニウム(PBA
B)(酸解離定数pKa:4.3)0.25μモルを用
いたこと以外は、実施例1と同様にして重合体3.34
gを得た。この重合体を厚さ1mm以下の薄片に切断し
メチルエチルケトンでソックスレー抽出を6時間行った
ところ、95重量%でMIPを得た。その結果SPSの
収量は3.17gであり、SPS活性は265(kg/
gTi)であった。また、この際の全残留金属量は13
1ppmであった。
硼酸パラブロモフェニルジメチルアンモニウム(PBA
B)(酸解離定数pKa:4.3)0.25μモルを用
いたこと以外は、実施例1と同様にして重合体3.34
gを得た。この重合体を厚さ1mm以下の薄片に切断し
メチルエチルケトンでソックスレー抽出を6時間行った
ところ、95重量%でMIPを得た。その結果SPSの
収量は3.17gであり、SPS活性は265(kg/
gTi)であった。また、この際の全残留金属量は13
1ppmであった。
【0035】実施例5
トリイソブチルアルミニウムを用いなかったこと以外は
、実施例1と同様にして重合体0.67gを得た。この
重合体を厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエチルケ
トンでソックスレー抽出を6時間行ったところ、95重
量%でMIPを得た。その結果SPSの収量は0.63
gであり、SPS活性は53(kg/gTi)であった
。 また、この際の全残留金属量は18ppmであった。
、実施例1と同様にして重合体0.67gを得た。この
重合体を厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエチルケ
トンでソックスレー抽出を6時間行ったところ、95重
量%でMIPを得た。その結果SPSの収量は0.63
gであり、SPS活性は53(kg/gTi)であった
。 また、この際の全残留金属量は18ppmであった。
【0036】実施例6
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメチルの
代わりにペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリ
メトキサイド0.25μモルを用いたこと以外は、実施
例1と同様にして重合体2.53gを得た。この重合体
を厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエチルケトンで
ソックスレー抽出を6時間行ったところ、95重量%で
抽出残物(MIP)を得た。その結果SPSの収量は2
.41gであり、SPS活性は201(kg/gTi)
であった。また、この際の全残留金属量は173ppm
であった。
代わりにペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリ
メトキサイド0.25μモルを用いたこと以外は、実施
例1と同様にして重合体2.53gを得た。この重合体
を厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエチルケトンで
ソックスレー抽出を6時間行ったところ、95重量%で
抽出残物(MIP)を得た。その結果SPSの収量は2
.41gであり、SPS活性は201(kg/gTi)
であった。また、この際の全残留金属量は173ppm
であった。
【0037】実施例7
乾燥させ窒素置換した20ミリリットルの容器にスチレ
ン10ミリリットル,トリイソブチルアルミニウム8μ
モル,ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメ
チル0.25μモルを添加し、DMAB(酸解離定数p
Ka:5.2)0.25μモルを入れ、70℃で4時間
重合を行った。反応終了後、生成物を乾燥し、重合体3
.01gを得た。この重合体を厚さ1mm以下の薄片に
切断しメチルエチルケトンでソックスレー抽出を6時間
行ったところ、97重量%でMIPを得た。その結果S
PSの収量は2.91gであり、SPS活性は243(
kg/gTi)であった。また、この際の全残留金属量
は78ppmであった。
ン10ミリリットル,トリイソブチルアルミニウム8μ
モル,ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメ
チル0.25μモルを添加し、DMAB(酸解離定数p
Ka:5.2)0.25μモルを入れ、70℃で4時間
重合を行った。反応終了後、生成物を乾燥し、重合体3
.01gを得た。この重合体を厚さ1mm以下の薄片に
切断しメチルエチルケトンでソックスレー抽出を6時間
行ったところ、97重量%でMIPを得た。その結果S
PSの収量は2.91gであり、SPS活性は243(
kg/gTi)であった。また、この際の全残留金属量
は78ppmであった。
【0038】実施例8
ペンタメチルシクロペンタジエニルチタントリメチル0
.25μモルの代わりにペンタメチルシクロペンタジエ
ニルジルコニウムトリメチルを1.0μモル,DMAD
を1.0μモル用いたこと以外は、実施例1と同様にし
て重合体1.02gを得た。この重合体を厚さ1mm以
下の薄片に切断しメチルエチルケトンでソックスレー抽
出を6時間行ったところ、94重量%でMIPを得た。 その結果、SPS収量は0.96gであり、SPS活性
は10.5kg/gZrであった。またこの際の全残留
金属量は517ppmであった。
.25μモルの代わりにペンタメチルシクロペンタジエ
ニルジルコニウムトリメチルを1.0μモル,DMAD
を1.0μモル用いたこと以外は、実施例1と同様にし
て重合体1.02gを得た。この重合体を厚さ1mm以
下の薄片に切断しメチルエチルケトンでソックスレー抽
出を6時間行ったところ、94重量%でMIPを得た。 その結果、SPS収量は0.96gであり、SPS活性
は10.5kg/gZrであった。またこの際の全残留
金属量は517ppmであった。
【0039】比較例1
DMABの代わりにテトラ(ペンタフルオロフェニル)
硼酸フェロセニウム(FCB)を用いたこと以外は、実
施例1と同様にして重合体5.92gを得た。この重合
体を厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエチルケトン
でソックスレー抽出を6時間行ったところ、42重量%
でMIPを得た。その結果SPSの収量は2.53gで
あり、SPS活性は211(kg/gTi)であった。 また、この際の全残留金属量は96ppmであった。
硼酸フェロセニウム(FCB)を用いたこと以外は、実
施例1と同様にして重合体5.92gを得た。この重合
体を厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエチルケトン
でソックスレー抽出を6時間行ったところ、42重量%
でMIPを得た。その結果SPSの収量は2.53gで
あり、SPS活性は211(kg/gTi)であった。 また、この際の全残留金属量は96ppmであった。
【0040】比較例2
DMABの代わりにテトラ(ペンタフルオロフェニル)
硼酸トリエチルアンモニウム(TEAB)(酸解離定数
pKa:10.9)0.25μモルを用いたこと以外は
、実施例7と同様にして重合体1.72gを得た。この
重合体を厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエチルケ
トンでソックスレー抽出を6時間行ったところ、93重
量%でMIPを得た。その結果SPSの収量は1.60
gであり、SPS活性は134(kg/gTi)であっ
た。また、この際の全残留金属量は142ppmであっ
た。
硼酸トリエチルアンモニウム(TEAB)(酸解離定数
pKa:10.9)0.25μモルを用いたこと以外は
、実施例7と同様にして重合体1.72gを得た。この
重合体を厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエチルケ
トンでソックスレー抽出を6時間行ったところ、93重
量%でMIPを得た。その結果SPSの収量は1.60
gであり、SPS活性は134(kg/gTi)であっ
た。また、この際の全残留金属量は142ppmであっ
た。
【0041】比較例3
DMABの代わりにFCBを用い、トリイソブチルアル
ミニウムを用いなかったこと以外は、実施例1と同様に
して重合体0.56gを得た。この重合体を厚さ1mm
以下の薄片に切断しメチルエチルケトンでソックスレー
抽出を6時間行ったところ、75重量%でMIPを得た
。 その結果SPSの収量は0.42gであり、SPS活性
は35(kg/gTi)であった。また、この際の全残
留金属量は61ppmであった。
ミニウムを用いなかったこと以外は、実施例1と同様に
して重合体0.56gを得た。この重合体を厚さ1mm
以下の薄片に切断しメチルエチルケトンでソックスレー
抽出を6時間行ったところ、75重量%でMIPを得た
。 その結果SPSの収量は0.42gであり、SPS活性
は35(kg/gTi)であった。また、この際の全残
留金属量は61ppmであった。
【0042】比較例4
DMABの代わりにテトラ(ペンタフルオロフェニル)
硼酸トリノルマルブチルアンモニウム(TBAB)(酸
解離定数pKa:9.9)0.25μモルを用いたこと
以外は、実施例1と同様にして重合体1.10gを得た
。この重合体を厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエ
チルケトンでソックスレー抽出を6時間行ったところ、
92重量%でMIPを得た。その結果SPSの収量は1
.01gであり、SPS活性は84(kg/gTi)で
あった。 また、この際の全残留金属量は421ppmであった。
硼酸トリノルマルブチルアンモニウム(TBAB)(酸
解離定数pKa:9.9)0.25μモルを用いたこと
以外は、実施例1と同様にして重合体1.10gを得た
。この重合体を厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエ
チルケトンでソックスレー抽出を6時間行ったところ、
92重量%でMIPを得た。その結果SPSの収量は1
.01gであり、SPS活性は84(kg/gTi)で
あった。 また、この際の全残留金属量は421ppmであった。
【0043】比較例5
DMABの代わりにFCBを用いたこと以外は、実施例
7と同様に行い、重合体2.98gを得た。この重合体
を厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエチルケトンで
ソックスレー抽出を6時間行ったところ、86重量%で
MIPを得た。その結果SPSの収量は2.56gであ
り、SPS活性は214(kg/gTi)であった。ま
た、この際の全残留金属量は95ppmであった。
7と同様に行い、重合体2.98gを得た。この重合体
を厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエチルケトンで
ソックスレー抽出を6時間行ったところ、86重量%で
MIPを得た。その結果SPSの収量は2.56gであ
り、SPS活性は214(kg/gTi)であった。ま
た、この際の全残留金属量は95ppmであった。
【0044】比較例6
DMABの代わりにFCBを用いたこと以外は、実施例
8と同様に行い、重合体1.84gを得た。この重合体
を厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエチルケトンで
ソックスレー抽出を6時間行ったところ、53重量%で
MIPを得た。その結果SPSの収量は0.98gであ
り、SPS活性は10.7(kg/gZr)であった。 また、この際の全残留金属量は563ppmであった。
8と同様に行い、重合体1.84gを得た。この重合体
を厚さ1mm以下の薄片に切断しメチルエチルケトンで
ソックスレー抽出を6時間行ったところ、53重量%で
MIPを得た。その結果SPSの収量は0.98gであ
り、SPS活性は10.7(kg/gZr)であった。 また、この際の全残留金属量は563ppmであった。
【0045】
【発明の効果】本発明の触媒は、従来のアルミノキサン
を主成分とするものに比べて安価であり、高度のシンジ
オタクチック構造を有するスチレン系重合体の製造に高
い活性を有する。さらに、本発明の触媒によれば重合体
生成工程の全残量金属量を低減でき、重合体生成工程の
簡易化が可能である。したがって、本発明の方法によれ
ば、安価に効率よくシンジオタクチックスチレン系重合
体を製造することができる。
を主成分とするものに比べて安価であり、高度のシンジ
オタクチック構造を有するスチレン系重合体の製造に高
い活性を有する。さらに、本発明の触媒によれば重合体
生成工程の全残量金属量を低減でき、重合体生成工程の
簡易化が可能である。したがって、本発明の方法によれ
ば、安価に効率よくシンジオタクチックスチレン系重合
体を製造することができる。
Claims (3)
- 【請求項1】 (A)遷移金属化合物及び(B)複数
の基が金属に結合したアニオンと25℃における酸解離
定数が7以下の含窒素カチオンとからなる配位錯化合物
からなることを特徴とする触媒。 - 【請求項2】 (A)成分における遷移金属がTi,
Zr又はHfである請求項1記載の触媒。 - 【請求項3】 スチレン及び/又はスチレン誘導体を
重合するにあたり、請求項1の触媒を用いることを特徴
とするスチレン系重合体の製造方法。
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DE69428990T2 (de) * | 1993-03-31 | 2002-04-04 | Idemitsu Kosan Co. Ltd., Tokio/Tokyo | Katalysator zur herstellung von vinylpolymer und verfahren zur herstellung von vinylaromatischem polymer |
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US6329459B1 (en) | 1996-09-23 | 2001-12-11 | Bridgestone Corporation | Extended syndiotactic polystyrene-elastomeric block copolymers |
US6479424B1 (en) | 1998-12-14 | 2002-11-12 | Bp Corporation North America Inc. | Fluxional catalysts and related ligands containing bulky substituents |
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US6818737B2 (en) * | 2003-02-28 | 2004-11-16 | Dow Global Technologies Inc. | Method of producing articles from syndiotactic vinyl aromatic polymers |
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US20070238190A1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Steven Klei | Method of authenticating a poly(arylene ether) composition |
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JP2531583B2 (ja) * | 1987-01-28 | 1996-09-04 | 出光興産株式会社 | スチレン系共重合体およびその製造方法 |
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IL85097A (en) * | 1987-01-30 | 1992-02-16 | Exxon Chemical Patents Inc | Catalysts based on derivatives of a bis(cyclopentadienyl)group ivb metal compound,their preparation and their use in polymerization processes |
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- 1992-03-25 CA CA002063933A patent/CA2063933A1/en not_active Abandoned
-
1993
- 1993-06-22 US US08/079,860 patent/US5294685A/en not_active Expired - Fee Related
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