JP2840462B2 - スチレン系重合体の製造方法及びその触媒 - Google Patents
スチレン系重合体の製造方法及びその触媒Info
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- C08F12/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スチレン系重合体の製
造方法及び該方法に用いる触媒に関し、さらに詳しくは
重合体連鎖の立体化学構造が高度のシンジオタクチック
構造を有するスチレン系重合体を効率よく製造する方法
及び該方法に用いる触媒に関する。
造方法及び該方法に用いる触媒に関し、さらに詳しくは
重合体連鎖の立体化学構造が高度のシンジオタクチック
構造を有するスチレン系重合体を効率よく製造する方法
及び該方法に用いる触媒に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明者らは、最近、主として遷移金属
化合物、特にＴｉ化合物とアルキルアルミノキサンとか
らなる触媒を用いてスチレン系モノマーを重合すること
により、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体が
得られることを示した（特開昭６２−１８７７０８号，
同６３−１７９９０６号，同６３−２４１００９号公報
等）。
化合物、特にＴｉ化合物とアルキルアルミノキサンとか
らなる触媒を用いてスチレン系モノマーを重合すること
により、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体が
得られることを示した（特開昭６２−１８７７０８号，
同６３−１７９９０６号，同６３−２４１００９号公報
等）。
【０００３】アルキルアルミノキサンとして特に好適な
メチルアルミノキサンは、通常、トリメチルアルミニウ
ムと水との反応により得られるが、反応が激しいため、
製造上困難であるという問題がある。また、原料である
トリメチルアルミニウムが高価であることに加えて、触
媒として用いる場合、遷移金属量に比べて大過剰のメチ
ルアルミノキサン量を必要としている。そのため、触媒
コストが非常に高いという欠点があった。
メチルアルミノキサンは、通常、トリメチルアルミニウ
ムと水との反応により得られるが、反応が激しいため、
製造上困難であるという問題がある。また、原料である
トリメチルアルミニウムが高価であることに加えて、触
媒として用いる場合、遷移金属量に比べて大過剰のメチ
ルアルミノキサン量を必要としている。そのため、触媒
コストが非常に高いという欠点があった。
【０００４】近年、アルミノキサンを含まない重合触媒
を用いてα−オレフィン（主にエチレン）を重合させう
ることが、R. Taube (J. Organomet. Chem. C9-C11, 34
7 (1988)、 H. Turner (J. Am. Chem. Soc. 111, 2728
(1989) 、R. F. Jordan (Organomet. 8, 2892(1989)
などにおいて報告されているが、スチレン系モノマーに
ついてはアルミノキサンを含まない重合触媒に関する検
討は未だなされていない。また、スチレン系モノマーに
ついては、α−オレフィン類とは異なり、カチオン種が
存在した場合、アタクチックポリマーが得られやすいと
いう問題がある。
を用いてα−オレフィン（主にエチレン）を重合させう
ることが、R. Taube (J. Organomet. Chem. C9-C11, 34
7 (1988)、 H. Turner (J. Am. Chem. Soc. 111, 2728
(1989) 、R. F. Jordan (Organomet. 8, 2892(1989)
などにおいて報告されているが、スチレン系モノマーに
ついてはアルミノキサンを含まない重合触媒に関する検
討は未だなされていない。また、スチレン系モノマーに
ついては、α−オレフィン類とは異なり、カチオン種が
存在した場合、アタクチックポリマーが得られやすいと
いう問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者ら
は、高価かつ使用量の多いアルミノキサンを使用しない
で、スチレン系モノマーを重合させてシンジオタクチッ
ク構造のスチレン系重合体を効率よく製造することがで
きる触媒及び該触媒を用いたスチレン系重合体の製造方
法を開発すべく鋭意研究を重ねた。
は、高価かつ使用量の多いアルミノキサンを使用しない
で、スチレン系モノマーを重合させてシンジオタクチッ
ク構造のスチレン系重合体を効率よく製造することがで
きる触媒及び該触媒を用いたスチレン系重合体の製造方
法を開発すべく鋭意研究を重ねた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】その結果、特定の遷移金
属化合物と特定の塩とを組み合わせたものを触媒として
使用することによって、目的とするシンジオタクチック
構造を有するスチレン系重合体を効率よく製造できるこ
とを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成し
たものである。
属化合物と特定の塩とを組み合わせたものを触媒として
使用することによって、目的とするシンジオタクチック
構造を有するスチレン系重合体を効率よく製造できるこ
とを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成し
たものである。
【０００７】すなわち、本発明は、（Ａ）一般式 Ｍ1 Ｒ1 Ｒ2 ＸＹ ・・・（Ｉ） 〔式中、Ｍ1 はチタン，ジルコニウムあるいはハフニウ
ムを示し、Ｒ1 及びＲ2はそれぞれシクロペンタジエニ
ル基，置換シクロペンタジエニル基，インデニル基ある
いはフルオレニル基を示し、Ｘ及びＹはそれぞれ水素，
炭素数１〜２０の炭化水素基，炭素数１〜２０のアルコ
キシ基，アミノ基あるいは炭素数１〜２０のチオアルコ
キシ基を示す。ただし、Ｒ1 及びＲ2 は炭素数１〜５の
炭化水素基，炭素数１〜２０及び珪素数１〜５のアルキ
ルシリル基あるいは炭素数１〜２０及びゲルマニウム数
１〜５のゲルマニウム含有炭化水素基によって架橋され
ていてもよい。〕で表わされる遷移金属化合物よりなる
群から選ばれた少なくとも１種の化合物及び（Ｂ）下記
一般式（II）又は（III) （〔Ｌ1 −Ｈ〕g+）h （〔Ｍ2 Ｘ1 Ｘ2 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（II） （〔Ｌ2 〕g+）h （〔Ｍ3 Ｘ1 Ｘ2 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（III) （但し、Ｌ2 は後述のＭ4 又はＲ3 Ｒ4 Ｍ5 である。）
〔式（II），（III)中、Ｌ1 はルイス塩基（但し、リン
を除く。）、Ｍ2 及びＭ3 は硼素、Ｍ4 は周期律表の８
族〜１２族から選ばれる金属、Ｍ5 は周期律表の８族〜
１０族から選ばれる金属、Ｘ1 〜Ｘn はそれぞれ水素原
子，ジアルキルアミノ基，アルコキシ基，アリールオキ
シ基，炭素数１〜２０のアルキル基，炭素数６〜２０の
アリール基，アルキルアリール基，アリールアルキル
基，置換アルキル基，有機メタロイド基又はハロゲン原
子を示し、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれシクロペンタジエニ
ル基，置換シクロペンタジエニル基，インデニル基又は
フルオレニル基を示す。ｍはＭ2 ，Ｍ3 の原子価で１〜
７の整数、ｎは２〜８の整数、ｇはＬ1 −Ｈ，Ｌ2 のイ
オン価数で１〜７の整数、ｈは１以上の整数，ｉ＝ｈ×
ｇ／（ｎ−ｍ）である。〕で表される硼素を含む配位錯
化物を主成分とする、高度のシンジオタクチック構造を
有するスチレン系重合体製造用触媒、並びにスチレン及
び／又はスチレン誘導体を製造するにあたり、上記触媒
を用いることを特徴とするスチレン系重合体の製造方法
を提供するものである。
ムを示し、Ｒ1 及びＲ2はそれぞれシクロペンタジエニ
ル基，置換シクロペンタジエニル基，インデニル基ある
いはフルオレニル基を示し、Ｘ及びＹはそれぞれ水素，
炭素数１〜２０の炭化水素基，炭素数１〜２０のアルコ
キシ基，アミノ基あるいは炭素数１〜２０のチオアルコ
キシ基を示す。ただし、Ｒ1 及びＲ2 は炭素数１〜５の
炭化水素基，炭素数１〜２０及び珪素数１〜５のアルキ
ルシリル基あるいは炭素数１〜２０及びゲルマニウム数
１〜５のゲルマニウム含有炭化水素基によって架橋され
ていてもよい。〕で表わされる遷移金属化合物よりなる
群から選ばれた少なくとも１種の化合物及び（Ｂ）下記
一般式（II）又は（III) （〔Ｌ1 −Ｈ〕g+）h （〔Ｍ2 Ｘ1 Ｘ2 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（II） （〔Ｌ2 〕g+）h （〔Ｍ3 Ｘ1 Ｘ2 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（III) （但し、Ｌ2 は後述のＭ4 又はＲ3 Ｒ4 Ｍ5 である。）
〔式（II），（III)中、Ｌ1 はルイス塩基（但し、リン
を除く。）、Ｍ2 及びＭ3 は硼素、Ｍ4 は周期律表の８
族〜１２族から選ばれる金属、Ｍ5 は周期律表の８族〜
１０族から選ばれる金属、Ｘ1 〜Ｘn はそれぞれ水素原
子，ジアルキルアミノ基，アルコキシ基，アリールオキ
シ基，炭素数１〜２０のアルキル基，炭素数６〜２０の
アリール基，アルキルアリール基，アリールアルキル
基，置換アルキル基，有機メタロイド基又はハロゲン原
子を示し、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれシクロペンタジエニ
ル基，置換シクロペンタジエニル基，インデニル基又は
フルオレニル基を示す。ｍはＭ2 ，Ｍ3 の原子価で１〜
７の整数、ｎは２〜８の整数、ｇはＬ1 −Ｈ，Ｌ2 のイ
オン価数で１〜７の整数、ｈは１以上の整数，ｉ＝ｈ×
ｇ／（ｎ−ｍ）である。〕で表される硼素を含む配位錯
化物を主成分とする、高度のシンジオタクチック構造を
有するスチレン系重合体製造用触媒、並びにスチレン及
び／又はスチレン誘導体を製造するにあたり、上記触媒
を用いることを特徴とするスチレン系重合体の製造方法
を提供するものである。
【０００８】本発明の触媒は、上記の（Ａ）及び（Ｂ）
成分を主成分とするものであるが、ここで（Ａ）成分
は、共役π電子を有する配位子を２個有する遷移金属化
合物である。遷移金属としては、周期律表第３〜６族金
属及びランタン系金属が挙げられ、そのうち第４族金属
（チタン，ジルコニウム，ハフニウム等）が好ましい。
このような（Ａ）成分である遷移金属化合物については
各種のものがある。例えば、一般式 Ｍ1 Ｒ1 Ｒ2 ＸＹ ・・・（Ｉ） 〔式中、Ｍ1 はチタン，ジルコニウムあるいはハフニウ
ムを示し、Ｒ1 及びＲ2 はそれぞれシクロペンタジエニ
ル基，置換シクロペンタジエニル基，インデニル基ある
いはフルオレニル基を示し、Ｘ及びＹはそれぞれ水素，
炭素数１〜２０の炭化水素基，炭素数１〜２０のアルコ
キシ基，アミノ基あるいは炭素数１〜２０のチオアルコ
キシ基を示す。ただし、Ｒ1 及びＲ2 は炭素数１〜５の
炭化水素基，炭素数１〜２０及び珪素数１〜５のアルキ
ルシリル基あるいは炭素数１〜２０及びゲルマニウム数
１〜５のゲルマニウム含有炭化水素基によって架橋され
ていてもよい。〕で表わされる遷移金属化合物よりなる
群から選ばれた少なくとも１種の化合物がある。
成分を主成分とするものであるが、ここで（Ａ）成分
は、共役π電子を有する配位子を２個有する遷移金属化
合物である。遷移金属としては、周期律表第３〜６族金
属及びランタン系金属が挙げられ、そのうち第４族金属
（チタン，ジルコニウム，ハフニウム等）が好ましい。
このような（Ａ）成分である遷移金属化合物については
各種のものがある。例えば、一般式 Ｍ1 Ｒ1 Ｒ2 ＸＹ ・・・（Ｉ） 〔式中、Ｍ1 はチタン，ジルコニウムあるいはハフニウ
ムを示し、Ｒ1 及びＲ2 はそれぞれシクロペンタジエニ
ル基，置換シクロペンタジエニル基，インデニル基ある
いはフルオレニル基を示し、Ｘ及びＹはそれぞれ水素，
炭素数１〜２０の炭化水素基，炭素数１〜２０のアルコ
キシ基，アミノ基あるいは炭素数１〜２０のチオアルコ
キシ基を示す。ただし、Ｒ1 及びＲ2 は炭素数１〜５の
炭化水素基，炭素数１〜２０及び珪素数１〜５のアルキ
ルシリル基あるいは炭素数１〜２０及びゲルマニウム数
１〜５のゲルマニウム含有炭化水素基によって架橋され
ていてもよい。〕で表わされる遷移金属化合物よりなる
群から選ばれた少なくとも１種の化合物がある。
【０００９】この一般式（Ｉ）中のＲ1 ，Ｒ2 はシクロ
ペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニル基（具体
的にはメチルシクロペンタジエニル基；１，３−ジメチ
ルシクロペンタジエニル基；１，２，４−トリメチルシ
クロペンタジエニル基；１，２，３，４−テトラメチル
シクロペンタジエニル基；ペンタメチルシクロペンタジ
エニル基；トリメチルシリルシクロペンタジエニル基；
１，３−ジ（トリメチルシリル）シクロペンタジエニル
基；１，２，４−トリ（トリメチルシリル）シクロペン
タジエニル基；ターシャリーブチルシクロペンタジエニ
ル基；１，３−ジ（ターシャリーブチル）シクロペンタ
ジエニル基；１，２，４−トリ（ターシャリーブチル）
シクロペンタジエニル基など），インデニル基，置換イ
ンデニル基（具体的にはメチルインデニル基；ジメチル
インデニル基；トリメチルインデニル基など），フルオ
レニル基あるいは置換フルオレニル基（例えばメチルフ
ルオレニル基）を示し、Ｒ1 ，Ｒ2 は同一でも異なって
もよく、更にＲ1 とＲ2 が炭素数１〜５のアルキリデン
基（具体的には、メチン基，エチリデン基，プロピリデ
ン基，ジメチルカルビル基等）又は炭素数１〜２０及び
珪素数１〜５のアルキルシリル基（具体的には、ジメチ
ルシリル基，ジエチルシリル基，ジベンジルシリル基
等）により架橋された構造のものでもよい。一方、Ｘ，
Ｙは、上述の如くであるが、より詳しくは、それぞれ独
立に、水素，炭素数１〜２０のアルキル基（メチル基，
エチル基，プロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，
アミル基，イソアミル基，オクチル基，２−エチルヘキ
シル基等），炭素数６〜２０のアリール基（具体的に
は、フェニル基，ナフチル基等）、炭素数７〜２０のア
リールアルキル基（具体的には、ベンジル基等）、炭素
数１〜２０のアルコキシ基（具体的には、メトキシ基，
エトキシ基，プロポキシ基，ブトキシ基，アミルオキシ
基，ヘキシルオキシ基，オクチルオキシ基，２−エチル
ヘキシルオキシ基等）、炭素数６〜２０のアリールオキ
シ基（具体的には、フェノキシ基等)、さらにはアミノ
基や炭素数１〜２０のチオアルコキシ基を示す。
ペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニル基（具体
的にはメチルシクロペンタジエニル基；１，３−ジメチ
ルシクロペンタジエニル基；１，２，４−トリメチルシ
クロペンタジエニル基；１，２，３，４−テトラメチル
シクロペンタジエニル基；ペンタメチルシクロペンタジ
エニル基；トリメチルシリルシクロペンタジエニル基；
１，３−ジ（トリメチルシリル）シクロペンタジエニル
基；１，２，４−トリ（トリメチルシリル）シクロペン
タジエニル基；ターシャリーブチルシクロペンタジエニ
ル基；１，３−ジ（ターシャリーブチル）シクロペンタ
ジエニル基；１，２，４−トリ（ターシャリーブチル）
シクロペンタジエニル基など），インデニル基，置換イ
ンデニル基（具体的にはメチルインデニル基；ジメチル
インデニル基；トリメチルインデニル基など），フルオ
レニル基あるいは置換フルオレニル基（例えばメチルフ
ルオレニル基）を示し、Ｒ1 ，Ｒ2 は同一でも異なって
もよく、更にＲ1 とＲ2 が炭素数１〜５のアルキリデン
基（具体的には、メチン基，エチリデン基，プロピリデ
ン基，ジメチルカルビル基等）又は炭素数１〜２０及び
珪素数１〜５のアルキルシリル基（具体的には、ジメチ
ルシリル基，ジエチルシリル基，ジベンジルシリル基
等）により架橋された構造のものでもよい。一方、Ｘ，
Ｙは、上述の如くであるが、より詳しくは、それぞれ独
立に、水素，炭素数１〜２０のアルキル基（メチル基，
エチル基，プロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，
アミル基，イソアミル基，オクチル基，２−エチルヘキ
シル基等），炭素数６〜２０のアリール基（具体的に
は、フェニル基，ナフチル基等）、炭素数７〜２０のア
リールアルキル基（具体的には、ベンジル基等）、炭素
数１〜２０のアルコキシ基（具体的には、メトキシ基，
エトキシ基，プロポキシ基，ブトキシ基，アミルオキシ
基，ヘキシルオキシ基，オクチルオキシ基，２−エチル
ヘキシルオキシ基等）、炭素数６〜２０のアリールオキ
シ基（具体的には、フェノキシ基等)、さらにはアミノ
基や炭素数１〜２０のチオアルコキシ基を示す。
【００１０】このような一般式（Ｉ）で表わされる遷移
金属化合物の具体例としては、ビスシクロペンタジエニ
ルチタンジメチル；ビスシクロペンタジエニルチタンジ
エチル；ビスシクロペンタジエニルチタンジプロピル；
ビスシクロペンタジエニルチタンジブチル；ビス（メチ
ルシクロペンタジエニル）チタンジメチル；ビス（ター
シャリーブチルシクロペンタジエニル）チタンジメチ
ル；ビス（１，３−ジメチルシクロペンタジエニル）チ
タンジメチル；ビス（１，３−ジターシャリーブチルシ
クロペンタジエニル）チタンジメチル；ビス（１，２，
４−トリメチルシクロペンタジエニル）チタンジメチ
ル；ビス（１，２，３，４−テトラメチルシクロペンタ
ジエニル）チタンジメチル；ビスシクロペンタジエニル
チタンジメチル；ビス（トリメチルシリルシクロペンタ
ジエニル）チタンジメチル；ビス（１，３−ジ（トリメ
チルシリル）シクロペンタジエニル）チタンジメチル；
ビス（１，２，４−トリ（（トリメチルシリル）シクロ
ペンタジエニル）チタンジメチル；ビスインデニルチタ
ンジメチル；ビスフルオレニルチタンジメチル；メチレ
ンビスシクロペンタジエニルチタンジメチル；エチリデ
ンビスシクロペンタジエニルチタンジメチル；メチレン
ビス（２，３，４，５−テトラメチルシクロペンタジエ
ニル）チタンジメチル；エチリデンビス（２，３，４，
５−テトラメチルシクロペンタジエニル）チタンジメチ
ル；ジメチルシリルビス（２，３，４，５−テトラメチ
ルシクロペンタジエニル）チタンジメチル；メチレンビ
スインデニルチタンジメチル；エチリデンビスインデニ
ルチタンジメチル；ジメチルシリルビスインデニルチタ
ンジメチル；メチレンビスフルオレニルチタンジメチ
ル；エチリデンビスフルオレニルチタンジメチル；ジメ
チルシリルビスフルオレニルチタンジメチル；メチレン
（ターシャリーブチルシクロペンタジエニル）（シクロ
ペンタジエニル）チタンジメチル；メチレン（シクロペ
ンタジエニル）（インデニル）チタンジメチル；エチリ
デン（シクロペンタジエニル）（インデニル）チタンジ
メチル；ジメチルシリル（シクロペンタジエニル）（イ
ンデニル）チタンジメチル；メチレン(シクロペンタジ
エニル）（フルオレニル）チタンジメチル；エチリデン
（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタンジメ
チル；ジメチルシリル（シクロペンタジエニル）（フル
オレニル）チタンジメチル；メチレン（インデニル）
（フルオレニル）チタンジメチル；エチリデン（インデ
ニル）（フルオレニル）チタンジメチル；ジメチルシリ
ル（インデニル）（フルオレニル）チタンジメチル；ビ
スシクロペンタジエニルチタンジベンジル；ビス（ター
シャリーブチルシクロペンタジエニル）チタンジベンジ
ル；ビス（メチルシクロペンタジエニル）チタンジベン
ジル；ビス（１，３−ジメチルシクロペンタジエニル）
チタンジベンジル；ビス（１，２，４−トリメチルシク
ロペンタジエニル）チタンジベンジル；ビス（１，２，
３，４−テトラメチルシクロペンタジエニル）チタンジ
ベンジル；ビスペンタメチルシクロペンタジエニルチタ
ンジベンジル；ビス（トリメチルシリルシクロペンタジ
エニル）チタンジベンジル；ビス（１，３−ジ−（トリ
メチルシリル）シクロペンタジエニル）チタンジベンジ
ル；ビス（１，２，４−トリ（トリメチルシリル）シク
ロペンタジエニル）チタンジベンジル；ビスインデニル
チタンジベンジル；ビスフルオレニルチタンジベンジ
ル；メチレンビスシクロペンタジエニルチタンジベンジ
ル；エチリデンビスシクロペンタジエニルチタンジベン
ジル；メチレンビス（２，３，４，５−テトラメチルシ
クロペンタジエニル）チタンジベンジル；エチリデンビ
ス（２，３，４，５−テトラメチルシクロペンタジエニ
ル）チタンジベンジル；ジメチルシリルビス（２，３，
４，５−テトラメチルシクロペンタジエニル）チタンジ
ベンジル；メチレンビスインデニルチタンジベンジル；
エチリデンビスインデニルチタンジベンジル；ジメチル
シリルビスインデニルチタンジベンジル；メチレンビス
フルオレニルチタンジベンジル；エチリデンビスフルオ
レニルチタンジベンジル；ジメチルシリルビスフルオレ
ニルチタンジベンジル；メチレン（シクロペンタジエニ
ル）（インデニル）チタンジベンジル；エチリデン（シ
クロペンタジエニル）（インデニル）チタンジベンジ
ル；ジメチルシリル（シクロペンタジエニル）（インデ
ニル）チタンジベンジル；メチレン（シクロペンタジエ
ニル）（フルオレニル）チタンジベンジル；エチリデン
（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタンジベ
ンジル；ジメチルシリル(シクロペンタジエニル）（フ
ルオレニル）チタンジベンジル；メチレン（インデニ
ル）（フルオレニル）チタンジベンジル；エチリデン
（インデニル）（フルオレニル）チタンジベンジル；ジ
メチルシリル（インデニル）（フルオレニル）チタンジ
ベンジル；ビスシクロペンタジエニルチタンジメトキサ
イド；ビスシクロペンタジエニルチタンジエトキシド；
ビスシクロペンタジエニルチタンジプロポキサイド；ビ
スシクロペンタジエニルチタンジブトキサイド；ビスシ
クロペンタジエニルチタンジフェノキサイド；ビス（メ
チルシクロペンタジエニル）チタンジメトキサイド；ビ
ス（１，３−ジメチルシクロペンタジエニル）チタンジ
メトキサイド；ビス（１，２，４−トリメチルシクロペ
ンタジエニル）チタンジメトキサイド；ビス（１，２，
３，４−テイラメチルシクロペンタジエニル）チタンジ
メトキサイド；ビスペンタメチルシクロペンタジエニル
チタンジメトキサイド；ビス（トリメチルシリルシクロ
ペンタジエニル）チタンジメトキサイド；ビス（１，３
−ジ（トリメチルシリル）シクロペンタジエニル）チタ
ンジメトキサイド；ビス（１，２，４−トリ（トリメチ
ルシリル）シクロペンタジエニル）チタンジメトキサイ
ド；ビスインデニルチタンジメトキサイド；ビスフルオ
レニルチタンジメトキサイド；メチレンビスシクロペン
タジエニルチタンジメトキサイド；エチリデンビスシク
ロペンタジエニルチタンジメトキサイド；メチレンビス
（２，３，４，５−テトラメチルシクロペンタジエニ
ル）チタンジメトキサイド；エチリデンビス（２，３，
４，５−テトラメチルシクロペンタジエニル）チタンジ
メトキサイド；ジメチルシリルビス（２，３，４，５−
テトラメチルシクロペンタジエニル）チタンジメトキサ
イド；メチレンビスインデニルチタンジメトキサイド；
メチレンビス（メチルインデニル）チタンジメトキサイ
ド；エチリデンビスインデニルチタンジメトキサイド；
ジメチルシリルビスインデニルチタンジメトキサイド；
メチレンビスフルオレニルチタンジメトキサイド；メチ
レンビス（メチルフルオレニル）チタンジメトキサイ
ド；エチリデンビスフルオレニルチタンジメトキサイ
ド；ジメチルシリルビスフルオレニルチタンジメトキサ
イド；メチレン（シクロペンタジエニル）（インデニ
ル）チタンジメトキサイド；エチリデン（シクロペンタ
ジエニル）（インデニル）チタンジメトキサイド；ジメ
チルシリル（シクロペンタジエニル）（インデニル）チ
タンジメトキサイド；メチレン（シクロペンタジエニ
ル）（フルオレニル）チタンジメトキサイド；エチリデ
ン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタンジ
メトキサイド；ジメチルシリル（シクロペンタジエニ
ル）（フルオレニル）チタンジメトキサイド；メチレン
（インデニル）（フルオレニル）チタンジメトキサイ
ド；エチリデン（インデニル）（フルオレニル）チタン
ジメトキサイド；ジメチルシリル（インデニル）（フル
オレニル）チタンジメトキサイド等が挙げられる。
金属化合物の具体例としては、ビスシクロペンタジエニ
ルチタンジメチル；ビスシクロペンタジエニルチタンジ
エチル；ビスシクロペンタジエニルチタンジプロピル；
ビスシクロペンタジエニルチタンジブチル；ビス（メチ
ルシクロペンタジエニル）チタンジメチル；ビス（ター
シャリーブチルシクロペンタジエニル）チタンジメチ
ル；ビス（１，３−ジメチルシクロペンタジエニル）チ
タンジメチル；ビス（１，３−ジターシャリーブチルシ
クロペンタジエニル）チタンジメチル；ビス（１，２，
４−トリメチルシクロペンタジエニル）チタンジメチ
ル；ビス（１，２，３，４−テトラメチルシクロペンタ
ジエニル）チタンジメチル；ビスシクロペンタジエニル
チタンジメチル；ビス（トリメチルシリルシクロペンタ
ジエニル）チタンジメチル；ビス（１，３−ジ（トリメ
チルシリル）シクロペンタジエニル）チタンジメチル；
ビス（１，２，４−トリ（（トリメチルシリル）シクロ
ペンタジエニル）チタンジメチル；ビスインデニルチタ
ンジメチル；ビスフルオレニルチタンジメチル；メチレ
ンビスシクロペンタジエニルチタンジメチル；エチリデ
ンビスシクロペンタジエニルチタンジメチル；メチレン
ビス（２，３，４，５−テトラメチルシクロペンタジエ
ニル）チタンジメチル；エチリデンビス（２，３，４，
５−テトラメチルシクロペンタジエニル）チタンジメチ
ル；ジメチルシリルビス（２，３，４，５−テトラメチ
ルシクロペンタジエニル）チタンジメチル；メチレンビ
スインデニルチタンジメチル；エチリデンビスインデニ
ルチタンジメチル；ジメチルシリルビスインデニルチタ
ンジメチル；メチレンビスフルオレニルチタンジメチ
ル；エチリデンビスフルオレニルチタンジメチル；ジメ
チルシリルビスフルオレニルチタンジメチル；メチレン
（ターシャリーブチルシクロペンタジエニル）（シクロ
ペンタジエニル）チタンジメチル；メチレン（シクロペ
ンタジエニル）（インデニル）チタンジメチル；エチリ
デン（シクロペンタジエニル）（インデニル）チタンジ
メチル；ジメチルシリル（シクロペンタジエニル）（イ
ンデニル）チタンジメチル；メチレン(シクロペンタジ
エニル）（フルオレニル）チタンジメチル；エチリデン
（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタンジメ
チル；ジメチルシリル（シクロペンタジエニル）（フル
オレニル）チタンジメチル；メチレン（インデニル）
（フルオレニル）チタンジメチル；エチリデン（インデ
ニル）（フルオレニル）チタンジメチル；ジメチルシリ
ル（インデニル）（フルオレニル）チタンジメチル；ビ
スシクロペンタジエニルチタンジベンジル；ビス（ター
シャリーブチルシクロペンタジエニル）チタンジベンジ
ル；ビス（メチルシクロペンタジエニル）チタンジベン
ジル；ビス（１，３−ジメチルシクロペンタジエニル）
チタンジベンジル；ビス（１，２，４−トリメチルシク
ロペンタジエニル）チタンジベンジル；ビス（１，２，
３，４−テトラメチルシクロペンタジエニル）チタンジ
ベンジル；ビスペンタメチルシクロペンタジエニルチタ
ンジベンジル；ビス（トリメチルシリルシクロペンタジ
エニル）チタンジベンジル；ビス（１，３−ジ−（トリ
メチルシリル）シクロペンタジエニル）チタンジベンジ
ル；ビス（１，２，４−トリ（トリメチルシリル）シク
ロペンタジエニル）チタンジベンジル；ビスインデニル
チタンジベンジル；ビスフルオレニルチタンジベンジ
ル；メチレンビスシクロペンタジエニルチタンジベンジ
ル；エチリデンビスシクロペンタジエニルチタンジベン
ジル；メチレンビス（２，３，４，５−テトラメチルシ
クロペンタジエニル）チタンジベンジル；エチリデンビ
ス（２，３，４，５−テトラメチルシクロペンタジエニ
ル）チタンジベンジル；ジメチルシリルビス（２，３，
４，５−テトラメチルシクロペンタジエニル）チタンジ
ベンジル；メチレンビスインデニルチタンジベンジル；
エチリデンビスインデニルチタンジベンジル；ジメチル
シリルビスインデニルチタンジベンジル；メチレンビス
フルオレニルチタンジベンジル；エチリデンビスフルオ
レニルチタンジベンジル；ジメチルシリルビスフルオレ
ニルチタンジベンジル；メチレン（シクロペンタジエニ
ル）（インデニル）チタンジベンジル；エチリデン（シ
クロペンタジエニル）（インデニル）チタンジベンジ
ル；ジメチルシリル（シクロペンタジエニル）（インデ
ニル）チタンジベンジル；メチレン（シクロペンタジエ
ニル）（フルオレニル）チタンジベンジル；エチリデン
（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタンジベ
ンジル；ジメチルシリル(シクロペンタジエニル）（フ
ルオレニル）チタンジベンジル；メチレン（インデニ
ル）（フルオレニル）チタンジベンジル；エチリデン
（インデニル）（フルオレニル）チタンジベンジル；ジ
メチルシリル（インデニル）（フルオレニル）チタンジ
ベンジル；ビスシクロペンタジエニルチタンジメトキサ
イド；ビスシクロペンタジエニルチタンジエトキシド；
ビスシクロペンタジエニルチタンジプロポキサイド；ビ
スシクロペンタジエニルチタンジブトキサイド；ビスシ
クロペンタジエニルチタンジフェノキサイド；ビス（メ
チルシクロペンタジエニル）チタンジメトキサイド；ビ
ス（１，３−ジメチルシクロペンタジエニル）チタンジ
メトキサイド；ビス（１，２，４−トリメチルシクロペ
ンタジエニル）チタンジメトキサイド；ビス（１，２，
３，４−テイラメチルシクロペンタジエニル）チタンジ
メトキサイド；ビスペンタメチルシクロペンタジエニル
チタンジメトキサイド；ビス（トリメチルシリルシクロ
ペンタジエニル）チタンジメトキサイド；ビス（１，３
−ジ（トリメチルシリル）シクロペンタジエニル）チタ
ンジメトキサイド；ビス（１，２，４−トリ（トリメチ
ルシリル）シクロペンタジエニル）チタンジメトキサイ
ド；ビスインデニルチタンジメトキサイド；ビスフルオ
レニルチタンジメトキサイド；メチレンビスシクロペン
タジエニルチタンジメトキサイド；エチリデンビスシク
ロペンタジエニルチタンジメトキサイド；メチレンビス
（２，３，４，５−テトラメチルシクロペンタジエニ
ル）チタンジメトキサイド；エチリデンビス（２，３，
４，５−テトラメチルシクロペンタジエニル）チタンジ
メトキサイド；ジメチルシリルビス（２，３，４，５−
テトラメチルシクロペンタジエニル）チタンジメトキサ
イド；メチレンビスインデニルチタンジメトキサイド；
メチレンビス（メチルインデニル）チタンジメトキサイ
ド；エチリデンビスインデニルチタンジメトキサイド；
ジメチルシリルビスインデニルチタンジメトキサイド；
メチレンビスフルオレニルチタンジメトキサイド；メチ
レンビス（メチルフルオレニル）チタンジメトキサイ
ド；エチリデンビスフルオレニルチタンジメトキサイ
ド；ジメチルシリルビスフルオレニルチタンジメトキサ
イド；メチレン（シクロペンタジエニル）（インデニ
ル）チタンジメトキサイド；エチリデン（シクロペンタ
ジエニル）（インデニル）チタンジメトキサイド；ジメ
チルシリル（シクロペンタジエニル）（インデニル）チ
タンジメトキサイド；メチレン（シクロペンタジエニ
ル）（フルオレニル）チタンジメトキサイド；エチリデ
ン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタンジ
メトキサイド；ジメチルシリル（シクロペンタジエニ
ル）（フルオレニル）チタンジメトキサイド；メチレン
（インデニル）（フルオレニル）チタンジメトキサイ
ド；エチリデン（インデニル）（フルオレニル）チタン
ジメトキサイド；ジメチルシリル（インデニル）（フル
オレニル）チタンジメトキサイド等が挙げられる。
【００１１】また、ジルコニウム化合物としては、エチ
リデンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジメトキ
サイド，ジメチルシリルビスシクロペンタジエニルジル
コニウムジメトキサイド等があり、更にハフニウム化合
物としては、エチリデンビスシクロペンタジエニルハフ
ニウムジメトキサイド，ジメチルシリルビスシクロペン
タジエニルハフニウムジメトキサイド等がある。これら
のなかでも特にチタン化合物が好ましい。
リデンビスシクロペンタジエニルジルコニウムジメトキ
サイド，ジメチルシリルビスシクロペンタジエニルジル
コニウムジメトキサイド等があり、更にハフニウム化合
物としては、エチリデンビスシクロペンタジエニルハフ
ニウムジメトキサイド，ジメチルシリルビスシクロペン
タジエニルハフニウムジメトキサイド等がある。これら
のなかでも特にチタン化合物が好ましい。
【００１２】一方、上記の（Ａ）成分とともに触媒の主
成分を構成する（Ｂ）成分は、カチオンと複数の基が金
属に結合したアニオンとからなる配位錯化合物である。
このような配位錯化合物は、様々なものがあるが、例え
ば、下記一般式（II）あるいは（III)で示される化合物
を好適に使用することができる。 （〔Ｌ1 −Ｈ〕g+）h （〔Ｍ2 Ｘ1 Ｘ2 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（II） あるいは （〔Ｌ2 〕g+）h （〔Ｍ3 Ｘ1 Ｘ2 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（III) （但し、Ｌ2 は後述のＭ4 ，Ｒ3 Ｒ4 Ｍ5 又はＲ5 3Ｃで
ある。） 〔式（II），（III)中、Ｌ1 はルイス塩基、Ｍ2 及びＭ
3 はそれぞれ周期律表の５族〜１５族から選ばれる金
属、Ｍ4 は周期律表の８族〜１２族から選ばれる金属、
Ｍ5 は周期律表の８族〜１０族から選ばれる金属、Ｘ1
〜Ｘn はそれぞれ水素原子，ジアルキルアミノ基，アル
コキシ基，アリールオキシ基，炭素数１〜２０のアルキ
ル基，炭素数６〜２０のアリール基，アルキルアリール
基，アリールアルキル基，置換アルキル基，有機メタロ
イド基又はハロゲン原子を示し、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞ
れシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニル
基，インデニル基又はフルオレニル基、Ｒ5 はアルキル
基を示す。ｍはＭ2 ，Ｍ3 の原子価で１〜７の整数、ｎ
は２〜８の整数、ｇはＬ1 −Ｈ，Ｌ2 のイオン価数で１
〜７の整数、ｈは１以上の整数，ｉ＝ｈ×ｇ／（ｎ−
ｍ）である。〕Ｍ2 及びＭ3 の具体例としてはＢ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ等、Ｍ4 の具体例としてはＡ
ｇ，Ｃｕ等、Ｍ5 の具体例としてはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等
が挙げられる。Ｘ1 〜Ｘn の具体例としては、例えば、
ジアルキルアミノ基としてジメチルアミノ基，ジエチル
アミノ基、アルコキシ基としてメトキシ基，エトキシ
基，ｎ−ブトキシ基、アリールオキシ基としてフェノキ
シ基，２，６−ジメチルフェノキシ基，ナフチルオキシ
基、炭素数１〜２０のアルキル基としてメチル基，エチ
ル基，ｎ−プロピル基，ｉｓｏ−プロピル基，ｎ−ブチ
ル基，ｎ−オクチル基，２−エチルヘキシル基、炭素数
６〜２０のアリール基，アルキルアリール基若しくはア
リールアルキル基としてフェニル基，ｐ−トリル基，ベ
ンジル基，ペンタフルオロフェニル基，３，５−ジ（ト
リフルオロメチル）フェニル基，４−ターシャリ−ブチ
ルフェニル基，２，６−ジメチルフェニル基，３，５−
ジメチルフェニル基，２，４−ジメチルフェニル基，
１，２−ジメチルフェニル基、ハロゲンとしてＦ，Ｃ
ｌ，Ｂｒ，Ｉ、有機メタロイド基として五メチルアンチ
モン基，トリメチルシリル基，トリメチルゲルミル基，
ジフェニルアルシン基，ジシクロヘキシルアンチモン
基，ジフェニル硼素基が挙げられる。Ｒ5 及びＲ6 の置
換シクロペンタジエニル基の具体例としては、メチルシ
クロペンタジエニル基，ブチルシクロペンタジエニル
基，ペンタメチルシクロペンタジエニル基ガ挙げられ
る。
成分を構成する（Ｂ）成分は、カチオンと複数の基が金
属に結合したアニオンとからなる配位錯化合物である。
このような配位錯化合物は、様々なものがあるが、例え
ば、下記一般式（II）あるいは（III)で示される化合物
を好適に使用することができる。 （〔Ｌ1 −Ｈ〕g+）h （〔Ｍ2 Ｘ1 Ｘ2 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（II） あるいは （〔Ｌ2 〕g+）h （〔Ｍ3 Ｘ1 Ｘ2 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（III) （但し、Ｌ2 は後述のＭ4 ，Ｒ3 Ｒ4 Ｍ5 又はＲ5 3Ｃで
ある。） 〔式（II），（III)中、Ｌ1 はルイス塩基、Ｍ2 及びＭ
3 はそれぞれ周期律表の５族〜１５族から選ばれる金
属、Ｍ4 は周期律表の８族〜１２族から選ばれる金属、
Ｍ5 は周期律表の８族〜１０族から選ばれる金属、Ｘ1
〜Ｘn はそれぞれ水素原子，ジアルキルアミノ基，アル
コキシ基，アリールオキシ基，炭素数１〜２０のアルキ
ル基，炭素数６〜２０のアリール基，アルキルアリール
基，アリールアルキル基，置換アルキル基，有機メタロ
イド基又はハロゲン原子を示し、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞ
れシクロペンタジエニル基，置換シクロペンタジエニル
基，インデニル基又はフルオレニル基、Ｒ5 はアルキル
基を示す。ｍはＭ2 ，Ｍ3 の原子価で１〜７の整数、ｎ
は２〜８の整数、ｇはＬ1 −Ｈ，Ｌ2 のイオン価数で１
〜７の整数、ｈは１以上の整数，ｉ＝ｈ×ｇ／（ｎ−
ｍ）である。〕Ｍ2 及びＭ3 の具体例としてはＢ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ等、Ｍ4 の具体例としてはＡ
ｇ，Ｃｕ等、Ｍ5 の具体例としてはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等
が挙げられる。Ｘ1 〜Ｘn の具体例としては、例えば、
ジアルキルアミノ基としてジメチルアミノ基，ジエチル
アミノ基、アルコキシ基としてメトキシ基，エトキシ
基，ｎ−ブトキシ基、アリールオキシ基としてフェノキ
シ基，２，６−ジメチルフェノキシ基，ナフチルオキシ
基、炭素数１〜２０のアルキル基としてメチル基，エチ
ル基，ｎ−プロピル基，ｉｓｏ−プロピル基，ｎ−ブチ
ル基，ｎ−オクチル基，２−エチルヘキシル基、炭素数
６〜２０のアリール基，アルキルアリール基若しくはア
リールアルキル基としてフェニル基，ｐ−トリル基，ベ
ンジル基，ペンタフルオロフェニル基，３，５−ジ（ト
リフルオロメチル）フェニル基，４−ターシャリ−ブチ
ルフェニル基，２，６−ジメチルフェニル基，３，５−
ジメチルフェニル基，２，４−ジメチルフェニル基，
１，２−ジメチルフェニル基、ハロゲンとしてＦ，Ｃ
ｌ，Ｂｒ，Ｉ、有機メタロイド基として五メチルアンチ
モン基，トリメチルシリル基，トリメチルゲルミル基，
ジフェニルアルシン基，ジシクロヘキシルアンチモン
基，ジフェニル硼素基が挙げられる。Ｒ5 及びＲ6 の置
換シクロペンタジエニル基の具体例としては、メチルシ
クロペンタジエニル基，ブチルシクロペンタジエニル
基，ペンタメチルシクロペンタジエニル基ガ挙げられ
る。
【００１３】一般式（II），（III)の化合物の中で、具
体的には、下記のものを特に好適に使用できる。例えば
一般式（II）の化合物としては、テトラフェニル硼酸ト
リエチルアンモニウム，テトラフェニル硼酸トリ（ｎ−
ブチル）アンモニウム，テトラフェニル硼酸トリメチル
アンモニウム，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸
トリエチルアンモニウム，テトラ（ペンタフルオロフェ
ニル）硼酸トリ（ｎ−ブチル）アンモニウム，ヘキサフ
ルオロ砒素酸トリエチルアンモニウム，テトラ（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸ピリジニウム，テトラ（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸ピロリニウム，テトラ（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウ
ム，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸メチルジフ
ェニルアンモニウム等が挙げられる。また、例えば一般
式（III)の化合物としては、テトラフェニル硼酸フェロ
セニウム，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸ジメ
チルフェロセニウム，テトラ（ペンタフルオロフェニ
ル）硼酸フェロセニウム，テトラ（ペンタフルオロフェ
ニル）硼酸デカメチルフェロセニウム，テトラ（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸アセチルフェロセニウム，テト
ラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸ホルミルフェロセニ
ウム，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸シアノフ
ェロセニウム，テトラフェニル硼酸銀，テトラ（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸銀，テトラフェニル硼酸トリチ
ル，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸トリチル，
ヘキサフルオロ砒素酸銀，ヘキサフルオロアンチモン酸
銀，テトラフルオロ硼酸銀等が挙げられる。
体的には、下記のものを特に好適に使用できる。例えば
一般式（II）の化合物としては、テトラフェニル硼酸ト
リエチルアンモニウム，テトラフェニル硼酸トリ（ｎ−
ブチル）アンモニウム，テトラフェニル硼酸トリメチル
アンモニウム，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸
トリエチルアンモニウム，テトラ（ペンタフルオロフェ
ニル）硼酸トリ（ｎ−ブチル）アンモニウム，ヘキサフ
ルオロ砒素酸トリエチルアンモニウム，テトラ（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸ピリジニウム，テトラ（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸ピロリニウム，テトラ（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウ
ム，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸メチルジフ
ェニルアンモニウム等が挙げられる。また、例えば一般
式（III)の化合物としては、テトラフェニル硼酸フェロ
セニウム，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸ジメ
チルフェロセニウム，テトラ（ペンタフルオロフェニ
ル）硼酸フェロセニウム，テトラ（ペンタフルオロフェ
ニル）硼酸デカメチルフェロセニウム，テトラ（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸アセチルフェロセニウム，テト
ラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸ホルミルフェロセニ
ウム，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸シアノフ
ェロセニウム，テトラフェニル硼酸銀，テトラ（ペンタ
フルオロフェニル）硼酸銀，テトラフェニル硼酸トリチ
ル，テトラ（ペンタフルオロフェニル）硼酸トリチル，
ヘキサフルオロ砒素酸銀，ヘキサフルオロアンチモン酸
銀，テトラフルオロ硼酸銀等が挙げられる。
【００１４】本発明の触媒は、必要に応じてさらに
（Ｃ）成分として有機アルミニウム化合物を使用する。
ここで有機アルミニウム化合物とは、一般式（IV) Ｒ6 m Ａl （ＯＲ7 ) n Ｘ3-m-n ・・・（IV) 〔式中、Ｒ6 ，Ｒ7 はそれぞれ独立に炭素数１〜８、好
ましくは１〜４のアルキル基を示し、Ｘは水素あるいは
ハロゲン、例えば、Ｃl ，Ｂr , Ｆなどを示し、ｍは０
＜ｍ≦３、好ましくはｍ＝２，３、より好ましくはｍ＝
３を示し、ｎは０≦ｎ＜３を示す。〕で表される化合物
である。これらの化合物のうちＲ3 Ａl ，Ｒ2 Ａl Ｈ
（式中、Ｒはアルキル基を表す）として例えば、トリメ
チルアルミニウム，トリイソブチルアルミニウムが好ま
しい。
（Ｃ）成分として有機アルミニウム化合物を使用する。
ここで有機アルミニウム化合物とは、一般式（IV) Ｒ6 m Ａl （ＯＲ7 ) n Ｘ3-m-n ・・・（IV) 〔式中、Ｒ6 ，Ｒ7 はそれぞれ独立に炭素数１〜８、好
ましくは１〜４のアルキル基を示し、Ｘは水素あるいは
ハロゲン、例えば、Ｃl ，Ｂr , Ｆなどを示し、ｍは０
＜ｍ≦３、好ましくはｍ＝２，３、より好ましくはｍ＝
３を示し、ｎは０≦ｎ＜３を示す。〕で表される化合物
である。これらの化合物のうちＲ3 Ａl ，Ｒ2 Ａl Ｈ
（式中、Ｒはアルキル基を表す）として例えば、トリメ
チルアルミニウム，トリイソブチルアルミニウムが好ま
しい。
【００１５】本発明の触媒が、（Ａ）成分と（Ｂ）成分
からなり、（Ｃ）成分を含まない場合には、（Ａ）成分
は、共役π電子を有する配位子を２個有し、かつ、金属
−水素結合あるいは金属−炭素σ結合を有する遷移金属
化合物であるのが好ましい。この種の遷移金属化合物と
しては、例えば、ジメチルシリルビスシクロペンタジエ
ニルチタンジベンジル，メチレンビスシクロペンタジエ
ニルチタンジベンジルなどが挙げられる。
からなり、（Ｃ）成分を含まない場合には、（Ａ）成分
は、共役π電子を有する配位子を２個有し、かつ、金属
−水素結合あるいは金属−炭素σ結合を有する遷移金属
化合物であるのが好ましい。この種の遷移金属化合物と
しては、例えば、ジメチルシリルビスシクロペンタジエ
ニルチタンジベンジル，メチレンビスシクロペンタジエ
ニルチタンジベンジルなどが挙げられる。
【００１６】本発明の触媒は、前記（Ａ）及び（Ｂ）成
分、さらに必要に応じて（Ｃ）成分を主成分とするもの
であり、前記の他に、さらに所望により他の触媒成分を
加えることもできる。この触媒中の（Ａ）成分，（Ｂ）
成分及び（Ｃ）成分の配合割合は、各種の条件により異
なり、一義的には定められないが、通常は（Ａ）成分と
（Ｂ）成分のモル比が0.１：１〜１：0.１、（Ａ）成分
と（Ｃ）成分のモル比が１：0.１〜１：１０００であ
る。
分、さらに必要に応じて（Ｃ）成分を主成分とするもの
であり、前記の他に、さらに所望により他の触媒成分を
加えることもできる。この触媒中の（Ａ）成分，（Ｂ）
成分及び（Ｃ）成分の配合割合は、各種の条件により異
なり、一義的には定められないが、通常は（Ａ）成分と
（Ｂ）成分のモル比が0.１：１〜１：0.１、（Ａ）成分
と（Ｃ）成分のモル比が１：0.１〜１：１０００であ
る。
【００１７】上記のような本発明の触媒は、高度のシン
ジオタクチック構造を有するスチレン系重合体の製造に
おいて高い活性を示す。したがって、本発明は、さらに
上記のような触媒を用いてスチレン系重合体を製造する
方法をも提供するものである。
ジオタクチック構造を有するスチレン系重合体の製造に
おいて高い活性を示す。したがって、本発明は、さらに
上記のような触媒を用いてスチレン系重合体を製造する
方法をも提供するものである。
【００１８】本発明の方法によりスチレン系重合体を製
造するには、上記の（Ａ）及び（Ｂ）成分及び必要に応
じて（Ｃ）成分を主成分とする触媒の存在下でスチレン
及び／又はスチレン誘導体（アルキルスチレン，アルコ
キシスチレン，ハロゲン化スチレン，ビニル安息香酸エ
ステルなど）等のスチレン系モノマーを重合（あるいは
共重合）する。ここで本発明の触媒とスチレン系モノマ
ーとの接触方法としては、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の
反応物とモノマーを接触させる方法、（Ａ）成分と
（Ｂ）成分の反応物に（Ｃ）成分を加えたものとモノマ
ーを接触させる方法、（Ａ）成分と（Ｃ）成分の反応
物に（Ｂ）成分を加えたものとモノマーを接触させる方
法、モノマーに（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の各成分を一
成分ずつ添加する方法等の種々の方法がある。また、
（Ａ）成分と（Ｂ）成分との反応物は、予め単離精製さ
れたものでも良い。
造するには、上記の（Ａ）及び（Ｂ）成分及び必要に応
じて（Ｃ）成分を主成分とする触媒の存在下でスチレン
及び／又はスチレン誘導体（アルキルスチレン，アルコ
キシスチレン，ハロゲン化スチレン，ビニル安息香酸エ
ステルなど）等のスチレン系モノマーを重合（あるいは
共重合）する。ここで本発明の触媒とスチレン系モノマ
ーとの接触方法としては、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の
反応物とモノマーを接触させる方法、（Ａ）成分と
（Ｂ）成分の反応物に（Ｃ）成分を加えたものとモノマ
ーを接触させる方法、（Ａ）成分と（Ｃ）成分の反応
物に（Ｂ）成分を加えたものとモノマーを接触させる方
法、モノマーに（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の各成分を一
成分ずつ添加する方法等の種々の方法がある。また、
（Ａ）成分と（Ｂ）成分との反応物は、予め単離精製さ
れたものでも良い。
【００１９】スチレン系モノマーの重合は塊状でもよ
く、ペンタン，ヘキサン，ヘプタン等の脂肪族炭化水
素、シクロヘキサン等の脂環族炭化水素あるいはベンゼ
ン，トルエン，キシレン等の芳香族炭化水素溶媒中で行
ってもよい。また、重合温度は特に制限はないが、一般
には０〜９０℃、好ましくは２０〜７０℃である。
く、ペンタン，ヘキサン，ヘプタン等の脂肪族炭化水
素、シクロヘキサン等の脂環族炭化水素あるいはベンゼ
ン，トルエン，キシレン等の芳香族炭化水素溶媒中で行
ってもよい。また、重合温度は特に制限はないが、一般
には０〜９０℃、好ましくは２０〜７０℃である。
【００２０】さらに、得られるスチレン系重合体の分子
量を調節するには、水素の存在下で重合反応を行うこと
が効果的である。
量を調節するには、水素の存在下で重合反応を行うこと
が効果的である。
【００２１】このようにして得られるスチレン系重合体
は、高度のシンジオタクチック構造を有するものであ
る。ここで、スチレン系重合体における高度のシンジオ
タクチック構造とは、立体化学構造が高度のシンジオタ
クチック構造、すなわち炭素−炭素結合から形成される
主鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が
交互に反対方向に位置する立体構造を有することを意味
し、そのタクティシティーは同位体炭素による核磁気共
鳴法（13Ｃ−ＮＭＲ法）により定量される。13Ｃ−ＮＭ
Ｒ法により測定されるタクティシティーは、連続する複
数個の構成単位の存在割合、例えば２個の場合はダイア
ッド，３個の場合はトリアッド，５個の場合はペンタッ
ドによって示すことができるが、本発明に言う「高度の
シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体」と
は、通常はラセミダイアッドで７５％以上、好ましくは
８５％以上、若しくはラセミペンタッドで３０％以上、
好ましくは５０％以上のシンジオタクティシティーを有
するポリスチレン，ポリ（アルキルスチレン），ポリ
（ハロゲン化スチレン），ポリ（アルコキシスチレ
ン），ポリ（ビニル安息香酸エステル）及びこれらの混
合物、あるいはこれらを主成分とする共重合体を意味す
る。なお、ここでポリ（アルキルスチレン）としては、
ポリ（メチルスチレン），ポリ（エチルスチレン），ポ
リ（イソプロピルスチレン），ポリ（ターシャリーブチ
ルスチレン）等があり、ポリ（ハロゲン化スチレン）と
しては、ポリ（クロロスチレン），ポリ（ブロモスチレ
ン），ポリ（フルオロスチレン）等がある。また、ポリ
（アルコキシスチレン）としては、ポリ（メトキシスチ
レン），ポリ（エトキシスチレン）等がある。これらの
うち特に好ましいスチレン系重合体としては、ポリスチ
レン，ポリ（ｐ−メチルスチレン），ポリ（ｍ−メチル
スチレン），ポリ（ｐ−ターシャリーブチルスチレ
ン），ポリ（ｐ−クロロスチレン），ポリ（ｍ−クロロ
スチレン），ポリ（ｐ−フルオロスチレン）、さらには
スチレンとｐ−メチルスチレンとの共重合体をあげるこ
とができる。
は、高度のシンジオタクチック構造を有するものであ
る。ここで、スチレン系重合体における高度のシンジオ
タクチック構造とは、立体化学構造が高度のシンジオタ
クチック構造、すなわち炭素−炭素結合から形成される
主鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が
交互に反対方向に位置する立体構造を有することを意味
し、そのタクティシティーは同位体炭素による核磁気共
鳴法（13Ｃ−ＮＭＲ法）により定量される。13Ｃ−ＮＭ
Ｒ法により測定されるタクティシティーは、連続する複
数個の構成単位の存在割合、例えば２個の場合はダイア
ッド，３個の場合はトリアッド，５個の場合はペンタッ
ドによって示すことができるが、本発明に言う「高度の
シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体」と
は、通常はラセミダイアッドで７５％以上、好ましくは
８５％以上、若しくはラセミペンタッドで３０％以上、
好ましくは５０％以上のシンジオタクティシティーを有
するポリスチレン，ポリ（アルキルスチレン），ポリ
（ハロゲン化スチレン），ポリ（アルコキシスチレ
ン），ポリ（ビニル安息香酸エステル）及びこれらの混
合物、あるいはこれらを主成分とする共重合体を意味す
る。なお、ここでポリ（アルキルスチレン）としては、
ポリ（メチルスチレン），ポリ（エチルスチレン），ポ
リ（イソプロピルスチレン），ポリ（ターシャリーブチ
ルスチレン）等があり、ポリ（ハロゲン化スチレン）と
しては、ポリ（クロロスチレン），ポリ（ブロモスチレ
ン），ポリ（フルオロスチレン）等がある。また、ポリ
（アルコキシスチレン）としては、ポリ（メトキシスチ
レン），ポリ（エトキシスチレン）等がある。これらの
うち特に好ましいスチレン系重合体としては、ポリスチ
レン，ポリ（ｐ−メチルスチレン），ポリ（ｍ−メチル
スチレン），ポリ（ｐ−ターシャリーブチルスチレ
ン），ポリ（ｐ−クロロスチレン），ポリ（ｍ−クロロ
スチレン），ポリ（ｐ−フルオロスチレン）、さらには
スチレンとｐ−メチルスチレンとの共重合体をあげるこ
とができる。
【００２２】本発明の方法により製造されるスチレン系
重合体は、一般に、重量平均分子量10,000〜3,000,000
、好ましくは100,000 〜1,500,000 、数平均分子量5,0
00 〜1,500,000 、好ましくは50,000〜1,000,000のもの
であり、上記のようにシンジオクタティシティーの高い
ものであるが、重合後、必要に応じて塩酸等を含む洗浄
液で脱灰処理し、さらに洗浄，減圧乾燥を経てメチルエ
チルケトン等の溶媒で洗浄して可溶分を除去し、得られ
る不溶分をさらにクロロホルム等を用いて処理すれば、
極めてシンジオタクティシティーの大きい高純度のスチ
レン系重合体が入手できる。
重合体は、一般に、重量平均分子量10,000〜3,000,000
、好ましくは100,000 〜1,500,000 、数平均分子量5,0
00 〜1,500,000 、好ましくは50,000〜1,000,000のもの
であり、上記のようにシンジオクタティシティーの高い
ものであるが、重合後、必要に応じて塩酸等を含む洗浄
液で脱灰処理し、さらに洗浄，減圧乾燥を経てメチルエ
チルケトン等の溶媒で洗浄して可溶分を除去し、得られ
る不溶分をさらにクロロホルム等を用いて処理すれば、
極めてシンジオタクティシティーの大きい高純度のスチ
レン系重合体が入手できる。
【００２３】この高度のシンジオタクチック構造を有す
るスチレン系重合体は、融点が１６０〜３１０℃であっ
て、従来のアタクチック構造のスチレン系重合体に比べ
て耐熱性が格段に優れている。
るスチレン系重合体は、融点が１６０〜３１０℃であっ
て、従来のアタクチック構造のスチレン系重合体に比べ
て耐熱性が格段に優れている。
【００２４】
【実施例】次に、本発明を実施例および比較例により更
に詳しく説明する。
に詳しく説明する。
【００２５】実施例１ 内容積５００mlの反応容器にスチレン２００mlを入れ、
５０℃に昇温し、ジメチルシリルビス（シクロペンタジ
エニル）チタンジベンジル1.５ミリモル及びメチルフェ
ロセニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート
1.５ミリモルの接触混合トルエン溶液５mlを加え、同温
度で３時間反応を行った。反応後、メタノールにて重合
を停止させ、塩酸−メタノール溶液で脱灰し、メタノー
ルで洗浄を行った後、乾燥して重合体２0.０ｇを得た。
次いで、この重合体をソックスレー抽出器を用いてメチ
ルエチルケトンで抽出したところ、３２重量％で抽出残
物（ＭＩＰ）を得た。このものの融点（Ｔｍ）は２６４
℃であり、シンジオタクチックポリスチレンであること
を確認した。また重量平均分子量は９５,0００であっ
た。
５０℃に昇温し、ジメチルシリルビス（シクロペンタジ
エニル）チタンジベンジル1.５ミリモル及びメチルフェ
ロセニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート
1.５ミリモルの接触混合トルエン溶液５mlを加え、同温
度で３時間反応を行った。反応後、メタノールにて重合
を停止させ、塩酸−メタノール溶液で脱灰し、メタノー
ルで洗浄を行った後、乾燥して重合体２0.０ｇを得た。
次いで、この重合体をソックスレー抽出器を用いてメチ
ルエチルケトンで抽出したところ、３２重量％で抽出残
物（ＭＩＰ）を得た。このものの融点（Ｔｍ）は２６４
℃であり、シンジオタクチックポリスチレンであること
を確認した。また重量平均分子量は９５,0００であっ
た。
【００２６】実施例２ 実施例１においてジメチルシリルビス（シクロペンタジ
エニル）チタンジベンジル，メチルフェロセニウムテト
ラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート以外にトリイソ
ブチルアルミニウム1.５ミリモルを加えたこと以外は、
実施例１と同様な操作を行った。重合体の収量は２4.０
ｇであり、この重合体は、抽出残物（ＭＩＰ）１８重量
％、融点（Ｔｍ）２６３℃、重量平均分子量１５０,0０
０のシンジオタクチックポリスチレンであった。
エニル）チタンジベンジル，メチルフェロセニウムテト
ラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート以外にトリイソ
ブチルアルミニウム1.５ミリモルを加えたこと以外は、
実施例１と同様な操作を行った。重合体の収量は２4.０
ｇであり、この重合体は、抽出残物（ＭＩＰ）１８重量
％、融点（Ｔｍ）２６３℃、重量平均分子量１５０,0０
０のシンジオタクチックポリスチレンであった。
【００２７】
【発明の効果】本発明の触媒は、従来のアルミノキサン
を主成分とするものに比べて安価であり、高度のシンジ
オタクチック構造を有するスチレン系重合体の製造に高
い活性を有する。したがって、本発明の方法によれば、
安価に効率よくシンジオタクチックスチレン系重合体を
製造することができる。
を主成分とするものに比べて安価であり、高度のシンジ
オタクチック構造を有するスチレン系重合体の製造に高
い活性を有する。したがって、本発明の方法によれば、
安価に効率よくシンジオタクチックスチレン系重合体を
製造することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 （Ａ）一般式 Ｍ1 Ｒ1 Ｒ2 ＸＹ ・・・（Ｉ） 〔式中、Ｍ1 はチタン，ジルコニウムあるいはハフニウ
ムを示し、Ｒ1 及びＲ2はそれぞれシクロペンタジエニ
ル基，置換シクロペンタジエニル基，インデニル基ある
いはフルオレニル基を示し、Ｘ及びＹはそれぞれ水素，
炭素数１〜２０の炭化水素基，炭素数１〜２０のアルコ
キシ基，アミノ基あるいは炭素数１〜２０のチオアルコ
キシ基を示す。ただし、Ｒ1 及びＲ2 は炭素数１〜５の
炭化水素基，炭素数１〜２０及び珪素数１〜５のアルキ
ルシリル基あるいは炭素数１〜２０及びゲルマニウム数
１〜５のゲルマニウム含有炭化水素基によって架橋され
ていてもよい。〕で表わされる遷移金属化合物よりなる
群から選ばれた少なくとも１種の化合物及び（Ｂ）下記
一般式（II）又は（III) （〔Ｌ1 −Ｈ〕g+）h （〔Ｍ2 Ｘ1 Ｘ2 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（II） （〔Ｌ2 〕g+）h （〔Ｍ3 Ｘ1 Ｘ2 ・・・Ｘn 〕(n-m)-）i ・・・（III) （但し、Ｌ2 は後述のＭ4 又はＲ3 Ｒ4 Ｍ5 である。）
〔式（II），（III)中、Ｌ1 はルイス塩基（但し、リン
を除く。）、Ｍ2 及びＭ3 は硼素、Ｍ4 は周期律表の８
族〜１２族から選ばれる金属、Ｍ5 は周期律表の８族〜
１０族から選ばれる金属、Ｘ1 〜Ｘn はそれぞれ水素原
子，ジアルキルアミノ基，アルコキシ基，アリールオキ
シ基，炭素数１〜２０のアルキル基，炭素数６〜２０の
アリール基，アルキルアリール基，アリールアルキル
基，置換アルキル基，有機メタロイド基又はハロゲン原
子を示し、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれシクロペンタジエニ
ル基，置換シクロペンタジエニル基，インデニル基又は
フルオレニル基を示す。ｍはＭ2 ，Ｍ3 の原子価で１〜
７の整数、ｎは２〜８の整数、ｇはＬ1 −Ｈ，Ｌ2 のイ
オン価数で１〜７の整数、ｈは１以上の整数，ｉ＝ｈ×
ｇ／（ｎ−ｍ）である。〕で表される硼素を含む配位錯
化物を主成分とする、高度のシンジオタクチック構造を
有するスチレン系重合体製造用触媒。 - 【請求項２】 （Ａ），（Ｂ）成分とともに、（Ｃ）有
機アルミニウム化合物を含む請求項１記載の触媒。 - 【請求項３】 スチレン及び／又はスチレン誘導体を重
合するにあたり、請求項１の触媒を用いることを特徴と
するスチレン系重合体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2415573A JP2840462B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | スチレン系重合体の製造方法及びその触媒 |
| AT91121240T ATE153036T1 (de) | 1990-12-28 | 1991-12-11 | Verfahren zur herstellung eines styrolpolymers |
| EP91121240A EP0492282B1 (en) | 1990-12-28 | 1991-12-11 | Process for producing a styrene polymer |
| DE69126110T DE69126110T2 (de) | 1990-12-28 | 1991-12-11 | Verfahren zur Herstellung eines Styrolpolymers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2415573A JP2840462B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | スチレン系重合体の製造方法及びその触媒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04249503A JPH04249503A (ja) | 1992-09-04 |
| JP2840462B2 true JP2840462B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=18523915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2415573A Expired - Fee Related JP2840462B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | スチレン系重合体の製造方法及びその触媒 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0492282B1 (ja) |
| JP (1) | JP2840462B2 (ja) |
| AT (1) | ATE153036T1 (ja) |
| DE (1) | DE69126110T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6147184A (en) * | 1992-03-23 | 2000-11-14 | Rhone-Poulenc Chimie | Onium borates/borates of organometallic complexes and cationic initiation of polymerization therewith |
| FR2688783A1 (fr) * | 1992-03-23 | 1993-09-24 | Rhone Poulenc Chimie | Nouveaux borates d'onium ou de complexe organometallique amorceurs cationiques de polymerisation. |
| JP3473955B2 (ja) * | 1993-03-31 | 2003-12-08 | 出光興産株式会社 | ビニル系重合体製造用の触媒及びビニル芳香族系重合体の製造方法 |
| JP3189175B2 (ja) * | 1993-07-02 | 2001-07-16 | 出光興産株式会社 | 芳香族ビニル化合物共重合体の製造方法 |
| JPH0733812A (ja) * | 1993-07-02 | 1995-02-03 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スチレン系重合体製造触媒及びそれを用いたスチレン系重合体の製造方法 |
| US5453474A (en) * | 1993-10-08 | 1995-09-26 | The Dow Chemical Company | Process for preparation of syndiotactic vinylidene aromatic polymers using reduced metal cationic catalysts |
| JPH07188325A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-25 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スチレン系重合体の製造方法 |
| EP0675139B1 (en) * | 1994-03-31 | 1998-10-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Process for producing styrenic polymer |
| US6479424B1 (en) | 1998-12-14 | 2002-11-12 | Bp Corporation North America Inc. | Fluxional catalysts and related ligands containing bulky substituents |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL276385A1 (en) * | 1987-01-30 | 1989-07-24 | Exxon Chemical Patents Inc | Method for polymerization of olefines,diolefins and acetylene unsaturated compounds |
| IL85097A (en) * | 1987-01-30 | 1992-02-16 | Exxon Chemical Patents Inc | Catalysts based on derivatives of a bis(cyclopentadienyl)group ivb metal compound,their preparation and their use in polymerization processes |
| US5155080A (en) * | 1988-07-15 | 1992-10-13 | Fina Technology, Inc. | Process and catalyst for producing syndiotactic polyolefins |
| CA2024830A1 (en) * | 1989-09-29 | 1991-03-30 | Richard E. Campbell, Jr. | Process for preparation of syndiotactic vinyl aromatic polymers |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP2415573A patent/JP2840462B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-12-11 EP EP91121240A patent/EP0492282B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-11 AT AT91121240T patent/ATE153036T1/de not_active IP Right Cessation
- 1991-12-11 DE DE69126110T patent/DE69126110T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0492282B1 (en) | 1997-05-14 |
| DE69126110T2 (de) | 1997-08-28 |
| ATE153036T1 (de) | 1997-05-15 |
| EP0492282A1 (en) | 1992-07-01 |
| DE69126110D1 (de) | 1997-06-19 |
| JPH04249503A (ja) | 1992-09-04 |
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