JPH04273452A - Ｉｃチップの実装方法 - Google Patents
Ｉｃチップの実装方法Info
- Publication number
- JPH04273452A JPH04273452A JP3058324A JP5832491A JPH04273452A JP H04273452 A JPH04273452 A JP H04273452A JP 3058324 A JP3058324 A JP 3058324A JP 5832491 A JP5832491 A JP 5832491A JP H04273452 A JPH04273452 A JP H04273452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- resin
- wiring
- mounting
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 54
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 17
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 17
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 2
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000011990 functional testing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置、サーマ
ルヘッド、ＬＥＤアレイ等の半導体ＩＣを利用した製品
において、駆動用のＩＣチップを実装する方法に関する
ものである。
ルヘッド、ＬＥＤアレイ等の半導体ＩＣを利用した製品
において、駆動用のＩＣチップを実装する方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、液晶表示装置、サーマルヘッ
ド、ＬＥＤアレイ等の半導体ＩＣを利用した製品におい
てはこれらの装置を駆動用するための半導体製品（以下
ＩＣチップという）をプリント配線基板上に実装し、こ
のプリント基板を液晶表示装置、サーマルヘッド、ＬＥ
Ｄアレイ等の製品に付加した構成として商品化されてい
る。
ド、ＬＥＤアレイ等の半導体ＩＣを利用した製品におい
てはこれらの装置を駆動用するための半導体製品（以下
ＩＣチップという）をプリント配線基板上に実装し、こ
のプリント基板を液晶表示装置、サーマルヘッド、ＬＥ
Ｄアレイ等の製品に付加した構成として商品化されてい
る。
【０００３】この例を液晶電気光学装置で示す。通常の
液晶電気光学装置はＰＣＢ方式と呼ばれ、図２に示すよ
うなプリント回路基板２１（以下ＰＣＢ）上に樹脂でモ
ールドさせたパッケージＩＣ２２を搭載し、回路配線２
３を通じて、さらにゴムコネクター、またはフレキシブ
ル基板２４を用いて、液晶パネル２５と接続されていた
。この図面においては基板を２枚重ねただけしか示して
いないが、実際は液晶の部分が存在している。この実装
構造は現在でも、安価な液晶装置や設置スペースに余裕
のある場合に採用されている。しかしながら、これら製
品の軽量、薄型化等の要求が大きく、製品中に占めるプ
リント基板の容積が問題とされてきている。
液晶電気光学装置はＰＣＢ方式と呼ばれ、図２に示すよ
うなプリント回路基板２１（以下ＰＣＢ）上に樹脂でモ
ールドさせたパッケージＩＣ２２を搭載し、回路配線２
３を通じて、さらにゴムコネクター、またはフレキシブ
ル基板２４を用いて、液晶パネル２５と接続されていた
。この図面においては基板を２枚重ねただけしか示して
いないが、実際は液晶の部分が存在している。この実装
構造は現在でも、安価な液晶装置や設置スペースに余裕
のある場合に採用されている。しかしながら、これら製
品の軽量、薄型化等の要求が大きく、製品中に占めるプ
リント基板の容積が問題とされてきている。
【０００４】この問題を解決する構造として、ＣＯＢ方
式と呼ばれ、ＰＣＢ上にチップＩＣを搭載し、ＰＣＢ上
の回路配線にワイヤーボンディング法によって接続し、
樹脂でモールドし、この回路基板と液晶パネルとはじを
フレキシブル基板を用いて接続する構造や、ＴＡＢ方式
と呼ばれ、ポリイミド等の材質によるフィルム上に銅配
線を設け、ＩＣチップをチップ上のバンプ等を介して、
金・金の接合によってこの銅配線と接続し、このフィル
ムを液晶パネルの電極配線と直接接続して液晶電気光学
装置の容積を減らすものであった。これらの構造はいず
れも、ＩＣチップを液晶電気光学装置とは別の基板上に
設け、その基板と液晶パネルとをフィルム等にて接続す
るものであった。
式と呼ばれ、ＰＣＢ上にチップＩＣを搭載し、ＰＣＢ上
の回路配線にワイヤーボンディング法によって接続し、
樹脂でモールドし、この回路基板と液晶パネルとはじを
フレキシブル基板を用いて接続する構造や、ＴＡＢ方式
と呼ばれ、ポリイミド等の材質によるフィルム上に銅配
線を設け、ＩＣチップをチップ上のバンプ等を介して、
金・金の接合によってこの銅配線と接続し、このフィル
ムを液晶パネルの電極配線と直接接続して液晶電気光学
装置の容積を減らすものであった。これらの構造はいず
れも、ＩＣチップを液晶電気光学装置とは別の基板上に
設け、その基板と液晶パネルとをフィルム等にて接続す
るものであった。
【０００５】一方半導体ＩＣチップを直接に液晶表示装
置、サーマルヘッド、ＬＥＤアレイ等の素子が形成され
た基板上へ設ける方法が提案され一部実用化されている
。特に、液晶表示装置のガラス基板上に直接ＩＣチップ
を設ける技術は広くＣＯＧ（チップ・オン・ガラス）技
術として知られている。 このＣＯＧ技術とは、図３
にその概略図を示しているが、例えばガラス基板上３０
に設けられた素子（図３の場合は液晶装置）に接続され
た電極配線３１とＩＣチップ３２の取り出し電極３３と
を直接に接続し、プリント配線基板を省略し、周辺のＩ
Ｃ設置部分の容積を減らしたものであります。
置、サーマルヘッド、ＬＥＤアレイ等の素子が形成され
た基板上へ設ける方法が提案され一部実用化されている
。特に、液晶表示装置のガラス基板上に直接ＩＣチップ
を設ける技術は広くＣＯＧ（チップ・オン・ガラス）技
術として知られている。 このＣＯＧ技術とは、図３
にその概略図を示しているが、例えばガラス基板上３０
に設けられた素子（図３の場合は液晶装置）に接続され
た電極配線３１とＩＣチップ３２の取り出し電極３３と
を直接に接続し、プリント配線基板を省略し、周辺のＩ
Ｃ設置部分の容積を減らしたものであります。
【０００６】この接続部分の構造としては、図３のよう
に基板上の配線とＩＣチップ３２の電極部３３に設けら
れた導電性の突起物（バンプ）３４とを接触させ、基板
３０とＩＣチップ３２間を有機樹脂３５で固定するもの
や図４に示すように基板上４０の配線４１とＩＣチップ
４２の電極端子４３の間に導電性の粒子４４を分散させ
た有機樹脂４５を設け、この導電性の粒子４４でＩＣチ
ップ４２と基板上の配線４１との接続を行い、導電性の
粒子を分散させた有機樹脂で接着、固定するものがある
。また、接着に使用する有機樹脂としては光硬化性の樹
脂や熱硬化性のものあるいは自然硬化性の樹脂等が使用
されている。
に基板上の配線とＩＣチップ３２の電極部３３に設けら
れた導電性の突起物（バンプ）３４とを接触させ、基板
３０とＩＣチップ３２間を有機樹脂３５で固定するもの
や図４に示すように基板上４０の配線４１とＩＣチップ
４２の電極端子４３の間に導電性の粒子４４を分散させ
た有機樹脂４５を設け、この導電性の粒子４４でＩＣチ
ップ４２と基板上の配線４１との接続を行い、導電性の
粒子を分散させた有機樹脂で接着、固定するものがある
。また、接着に使用する有機樹脂としては光硬化性の樹
脂や熱硬化性のものあるいは自然硬化性の樹脂等が使用
されている。
【０００７】
【発明の解決しようとする課題】このような、ＣＯＧ技
術またはフリップチップ技術においては、ＩＣチップが
従来のように樹脂モールドされ、しかもリード電極が形
成されていないために不良のＩＣが発生した場合の補修
技術が問題となる。すなわち、ＩＣはウェハーの状態で
あればＩＣテスター等によって、個々の機能チェックを
行うことは可能であるが、ＩＣチップを基板上に設置す
る為に個々に分断した後では、各々をテストすることは
不可能であり、ＩＣチップはウェハーから分断の後にお
いては、不良が発生することは避けられず、不良のＩＣ
チップが基板上に設置されることがある。
術またはフリップチップ技術においては、ＩＣチップが
従来のように樹脂モールドされ、しかもリード電極が形
成されていないために不良のＩＣが発生した場合の補修
技術が問題となる。すなわち、ＩＣはウェハーの状態で
あればＩＣテスター等によって、個々の機能チェックを
行うことは可能であるが、ＩＣチップを基板上に設置す
る為に個々に分断した後では、各々をテストすることは
不可能であり、ＩＣチップはウェハーから分断の後にお
いては、不良が発生することは避けられず、不良のＩＣ
チップが基板上に設置されることがある。
【０００８】また、ＩＣチップと基板上の配線とを直接
に接触させるために、接続部分での不良も若干ながら発
生する。当然ながらこれらの不良が発生した場合は不良
箇所のＩＣチップを取り外して、良品のＩＣを再度接続
する必要がある。しかしながら、従来の実装技術では、
ＩＣチップの配線上への固定は一段階の工程で行われる
ために、ＩＣチップを実装後に不良が判明した場合には
不良部分のＩＣを除去し取り替えることが困難であった
。
に接触させるために、接続部分での不良も若干ながら発
生する。当然ながらこれらの不良が発生した場合は不良
箇所のＩＣチップを取り外して、良品のＩＣを再度接続
する必要がある。しかしながら、従来の実装技術では、
ＩＣチップの配線上への固定は一段階の工程で行われる
ために、ＩＣチップを実装後に不良が判明した場合には
不良部分のＩＣを除去し取り替えることが困難であった
。
【０００９】接着用の樹脂として、光硬化性樹脂を使用
した場合、その多くは変性アクリル材からなり完全硬化
後は非常に強力な溶剤を使用して樹脂を解かし取る必要
があった。また、エポキシ系の光硬化性樹脂を使用した
場合には完全硬化後はこの樹脂を溶解させる溶剤がなく
、熱歪みを加えて機械的に剥離させる方法しか存在して
いなかった。熱硬化性の樹脂を使用した場合も同様で、
樹脂を溶解させる溶剤がなく、熱歪みを加えて機械的に
剥離させる方法しか存在していなかった。
した場合、その多くは変性アクリル材からなり完全硬化
後は非常に強力な溶剤を使用して樹脂を解かし取る必要
があった。また、エポキシ系の光硬化性樹脂を使用した
場合には完全硬化後はこの樹脂を溶解させる溶剤がなく
、熱歪みを加えて機械的に剥離させる方法しか存在して
いなかった。熱硬化性の樹脂を使用した場合も同様で、
樹脂を溶解させる溶剤がなく、熱歪みを加えて機械的に
剥離させる方法しか存在していなかった。
【００１０】このような剥離法を用いてＩＣチップのリ
ペアを行った場合、接着に使用した樹脂が一部残存する
とともに、基板上の配線が剥がれたり、配線の接続部分
の表面が汚染され良好な電気接続を実現できなくなった
。そのため、基板上に搭載したＩＣチップの機能試験の
後に不良部分を容易にリペアできる確実な方法が求めら
れていた。
ペアを行った場合、接着に使用した樹脂が一部残存する
とともに、基板上の配線が剥がれたり、配線の接続部分
の表面が汚染され良好な電気接続を実現できなくなった
。そのため、基板上に搭載したＩＣチップの機能試験の
後に不良部分を容易にリペアできる確実な方法が求めら
れていた。
【００１１】
【課題を解決するための手段】基板上の電極配線または
ＩＣチップの取り出し電極上の突起物（バンプ）または
導電性粒子を介して、ＩＣチップと配線とを電気的に接
続する際において、光硬化性、熱硬化性あるいは自然硬
化性等異なる硬化条件の有機樹脂を組み合わせて混合し
て使用し仮接着工程の後、不良部分のチェックを行い、
不良部分のＩＣを有機樹脂を除去して取り替えることを
特徴とするものであります。
ＩＣチップの取り出し電極上の突起物（バンプ）または
導電性粒子を介して、ＩＣチップと配線とを電気的に接
続する際において、光硬化性、熱硬化性あるいは自然硬
化性等異なる硬化条件の有機樹脂を組み合わせて混合し
て使用し仮接着工程の後、不良部分のチェックを行い、
不良部分のＩＣを有機樹脂を除去して取り替えることを
特徴とするものであります。
【００１２】具体的なＩＣの実装工程を図１にフローチ
ャートとして示す。すなわち、まず配線付近に光硬化性
、熱硬化性あるいは自然硬化性の有機樹脂を組み合わせ
て混合した接着剤をディスペンサー等で滴下する。次に
ＩＣチップと配線の位置合わせを行う、次に圧力を加え
てＩＣチップと配線とを接触させるとともに、光または
熱を加えて、仮接着する。次にＩＣの不良および接続の
不良テストを行う。このテストで合格したものは、次工
程の本接着へ進み、不合格のものは接着材を除去し、再
度最初の工程に戻るものであります。液晶電気光学装置
等複数のＩＣチップを基板上に多数搭載する場合はこの
テストの工程を全てのＩＣチップが仮接着した後に行う
方が効率よくリペアできる。
ャートとして示す。すなわち、まず配線付近に光硬化性
、熱硬化性あるいは自然硬化性の有機樹脂を組み合わせ
て混合した接着剤をディスペンサー等で滴下する。次に
ＩＣチップと配線の位置合わせを行う、次に圧力を加え
てＩＣチップと配線とを接触させるとともに、光または
熱を加えて、仮接着する。次にＩＣの不良および接続の
不良テストを行う。このテストで合格したものは、次工
程の本接着へ進み、不合格のものは接着材を除去し、再
度最初の工程に戻るものであります。液晶電気光学装置
等複数のＩＣチップを基板上に多数搭載する場合はこの
テストの工程を全てのＩＣチップが仮接着した後に行う
方が効率よくリペアできる。
【００１３】ここでいう仮接着を実現する為に本発明に
おいては、光硬化性、熱硬化性あるいは自然硬化性の有
機樹脂を組み合わせて混合した接着剤を使用する。そし
てその割合を例えば光硬化性樹脂と熱硬化性樹脂を混合
する場合は光硬化性のものを全体の１０％残りを熱硬化
性にして混合し、仮接着の際には光を照射して、光硬化
性樹脂を硬化させ実現する。一方逆の場合には熱を加え
て仮接着を実現する。このように異なる種類の接着材の
割合の重みを付けて、仮接着を実現するものであります
。
おいては、光硬化性、熱硬化性あるいは自然硬化性の有
機樹脂を組み合わせて混合した接着剤を使用する。そし
てその割合を例えば光硬化性樹脂と熱硬化性樹脂を混合
する場合は光硬化性のものを全体の１０％残りを熱硬化
性にして混合し、仮接着の際には光を照射して、光硬化
性樹脂を硬化させ実現する。一方逆の場合には熱を加え
て仮接着を実現する。このように異なる種類の接着材の
割合の重みを付けて、仮接着を実現するものであります
。
【００１４】特に、光硬化性の樹脂と熱硬化性の樹脂と
を光硬化性の樹脂が少ない比率で混合した場合、仮接着
の工程での光照射で硬化するのは光硬化樹脂のみである
ので本発明の特徴である、接着材除去後に残存物が存在
せずかつ清浄な基板表面を実現できる。すなわち、他の
特性の樹脂の混合の組み合わせに比べて、硬化条件の差
が大きく、容易に未接着の部分の接着剤を除去できるも
のであります。
を光硬化性の樹脂が少ない比率で混合した場合、仮接着
の工程での光照射で硬化するのは光硬化樹脂のみである
ので本発明の特徴である、接着材除去後に残存物が存在
せずかつ清浄な基板表面を実現できる。すなわち、他の
特性の樹脂の混合の組み合わせに比べて、硬化条件の差
が大きく、容易に未接着の部分の接着剤を除去できるも
のであります。
【００１５】また、本発明でいう異なる性質の有機樹脂
を混合することには、異なる硬化条件のものを混合する
ことも含まれる。例えば、光硬化性の場合、硬化する光
の波長が３５０ｎｍと４０５ｎｍのものを１対９の割合
で混合することや、熱硬化の場合、硬化温度１００℃の
ものと２５０℃のものとを混合することも本発明の混合
の範囲に含まれる。
を混合することには、異なる硬化条件のものを混合する
ことも含まれる。例えば、光硬化性の場合、硬化する光
の波長が３５０ｎｍと４０５ｎｍのものを１対９の割合
で混合することや、熱硬化の場合、硬化温度１００℃の
ものと２５０℃のものとを混合することも本発明の混合
の範囲に含まれる。
【００１６】さらに、異なる特性の有機樹脂の混合割合
は仮接着を行う硬化条件の有機樹脂の割合を少なくする
ものであるが、５０％に近づく程、仮接着後に不良が判
明した場合にＩＣチップを剥がすことが困難になってく
る。その為、仮接着を行う硬化条件の有機樹脂の割合は
２０％以下にする方がリペア後の再度の接着で良好な電
気的接続の結果を得ることができる。逆に０％に近くな
ると、電気的な接触を保つために圧力を加えて仮接着し
たものがはがれ、電気的な接触がとれなくなるため、２
〜３％以上は必要であった。
は仮接着を行う硬化条件の有機樹脂の割合を少なくする
ものであるが、５０％に近づく程、仮接着後に不良が判
明した場合にＩＣチップを剥がすことが困難になってく
る。その為、仮接着を行う硬化条件の有機樹脂の割合は
２０％以下にする方がリペア後の再度の接着で良好な電
気的接続の結果を得ることができる。逆に０％に近くな
ると、電気的な接触を保つために圧力を加えて仮接着し
たものがはがれ、電気的な接触がとれなくなるため、２
〜３％以上は必要であった。
【００１７】
【実施例】本実施例は図３に示した構造の接続を持つＣ
ＯＧ技術に本発明を適用した。実装の工程は図１のフロ
ーチャートに従って各工程を行った。ガラス基板３０上
の電極配線３１は公知の方法により、透明電極を形成後
フォトリソ技術により形成され、さらにＩＣチップとの
接続部付近には無電界メッキ法により、ニッケルを０．
５μｍ、さらにその上に金を０．０５μｍの厚さに形成
しある。ＩＣチップ３２の電極３３はアルミニウム上に
チタンを形成し、その上面に無電界メッキにより、金を
２０μｍ形成しバンプ３４としている。
ＯＧ技術に本発明を適用した。実装の工程は図１のフロ
ーチャートに従って各工程を行った。ガラス基板３０上
の電極配線３１は公知の方法により、透明電極を形成後
フォトリソ技術により形成され、さらにＩＣチップとの
接続部付近には無電界メッキ法により、ニッケルを０．
５μｍ、さらにその上に金を０．０５μｍの厚さに形成
しある。ＩＣチップ３２の電極３３はアルミニウム上に
チタンを形成し、その上面に無電界メッキにより、金を
２０μｍ形成しバンプ３４としている。
【００１８】まず配線付近に光硬化性と熱硬化性の有機
樹脂を組み合わせて混合した接着剤をディスペンサー等
で滴下する。この有機樹脂の混合比率は光硬化性樹脂１
５％熱硬化性樹脂８５％とした。次にＩＣチップと配線
の位置合わせを行う、次に圧力を加えてＩＣチップと配
線とを接触させるとともに、３６５ｎｍの波長の光を持
つ紫外光源にて、３００秒光を照射し、混合した有機樹
脂のうち光硬化性の有機樹脂のみを硬化し、仮接着する
。次にＩＣの不良および接続の不良テストを行う。この
テストで合格したものは、次工程の本接着へ進む、不合
格のものは有機樹脂接着剤の溶剤またはシンナーを樹脂
部分に染み込ませて、約６０秒放置後、外部よりゆるや
かな力を加えて、ＩＣチップを剥離した。その後、有機
樹脂を溶剤にて除去し、清浄な接触面を再現した後に再
度、混合した有機樹脂により、ＩＣチップを接合する。 このようにして、全てのＩＣチップの正常動作を確認し
た後、１２０℃のＮ２ 雰囲気のオーブンて、１５分間
本接着を行い、ＩＣチップと基板との電気的な接続と接
着を完了した。
樹脂を組み合わせて混合した接着剤をディスペンサー等
で滴下する。この有機樹脂の混合比率は光硬化性樹脂１
５％熱硬化性樹脂８５％とした。次にＩＣチップと配線
の位置合わせを行う、次に圧力を加えてＩＣチップと配
線とを接触させるとともに、３６５ｎｍの波長の光を持
つ紫外光源にて、３００秒光を照射し、混合した有機樹
脂のうち光硬化性の有機樹脂のみを硬化し、仮接着する
。次にＩＣの不良および接続の不良テストを行う。この
テストで合格したものは、次工程の本接着へ進む、不合
格のものは有機樹脂接着剤の溶剤またはシンナーを樹脂
部分に染み込ませて、約６０秒放置後、外部よりゆるや
かな力を加えて、ＩＣチップを剥離した。その後、有機
樹脂を溶剤にて除去し、清浄な接触面を再現した後に再
度、混合した有機樹脂により、ＩＣチップを接合する。 このようにして、全てのＩＣチップの正常動作を確認し
た後、１２０℃のＮ２ 雰囲気のオーブンて、１５分間
本接着を行い、ＩＣチップと基板との電気的な接続と接
着を完了した。
【００１９】
【発明の効果】ＩＣチップと基板上の配線との接着を混
合した有機樹脂で行うことにより、仮接着が実現できた
ので、ＩＣチップのリペアが容易に行えるようになった
。また、以下の表１に示すように、混合有機樹脂により
、何度もリペアした後でも、電気的な接続部分の清浄の
程度と不要な樹脂の残存物が存在しないので、再現性の
良い、リペアを実現できた。
合した有機樹脂で行うことにより、仮接着が実現できた
ので、ＩＣチップのリペアが容易に行えるようになった
。また、以下の表１に示すように、混合有機樹脂により
、何度もリペアした後でも、電気的な接続部分の清浄の
程度と不要な樹脂の残存物が存在しないので、再現性の
良い、リペアを実現できた。
【００２０】表１にはリペアーを繰り返し行った場合の
ＩＣチップと配線との接続抵抗の値を示す。このように
繰り返し、リペアを行っても接続抵抗の値が変化せず再
現性のよい、電気接続を行える。
ＩＣチップと配線との接続抵抗の値を示す。このように
繰り返し、リペアを行っても接続抵抗の値が変化せず再
現性のよい、電気接続を行える。
【００２１】
【表１】
【図１】本発明の工程のフローを示す。
【図２】従来のＩＣの実装構造の概略図を示す。
【図３】本発明のＩＣチップの実装構造を示す。
【図４】本発明のＩＣチップの実装構造を示す。
３０・・・基板
３１・・・配線
３２・・・ＩＣチップ
３３・・・取り出し電極
３４・・・バンプ
３５・・・接着用樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上の電気配線とＩＣチップの電極
端子とを電気的に接続して基板上にＩＣチップを搭載す
るＩＣチップの実装方法であって、前記ＩＣチップを基
板に接着する為の有機樹脂として、異なる硬化条件の有
機樹脂を混合したものを使用して仮接着を行い、仮接着
工程の後にＩＣまたは接続部分のテストを行うことを特
徴とするＩＣチップの実装方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の有機樹脂として、光
硬化性の樹脂と熱硬化性の樹脂とを混合して使用したこ
とを特徴とするＩＣチップの実装方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3058324A JPH04273452A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Ｉｃチップの実装方法 |
| US07/841,526 US5261156A (en) | 1991-02-28 | 1992-02-26 | Method of electrically connecting an integrated circuit to an electric device |
| KR1019920003059A KR960002093B1 (ko) | 1991-02-28 | 1992-02-27 | 집적회로를 전기장치에 전기적으로 접속시키는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3058324A JPH04273452A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Ｉｃチップの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273452A true JPH04273452A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=13081110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3058324A Pending JPH04273452A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Ｉｃチップの実装方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04273452A (ja) |
| KR (1) | KR960002093B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004047772A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の接合材料および電子部品実装方法 |
| KR100889283B1 (ko) * | 2001-09-12 | 2009-03-17 | 니기소 가부시키가이샤 | 회로소자의 실장방법 및 가압장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101991063B1 (ko) | 2016-11-23 | 2019-06-21 | 한국기계연구원 | 이온수 필터 장치 및 이를 이용한 발전 장치 |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP3058324A patent/JPH04273452A/ja active Pending
-
1992
- 1992-02-27 KR KR1019920003059A patent/KR960002093B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100889283B1 (ko) * | 2001-09-12 | 2009-03-17 | 니기소 가부시키가이샤 | 회로소자의 실장방법 및 가압장치 |
| JP2004047772A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の接合材料および電子部品実装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920017218A (ko) | 1992-09-26 |
| KR960002093B1 (ko) | 1996-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5261156A (en) | Method of electrically connecting an integrated circuit to an electric device | |
| JP2564728B2 (ja) | 半導体集積回路チップの実装方法 | |
| US6940301B2 (en) | Test pad array for contact resistance measuring of ACF bonds on a liquid crystal display panel | |
| KR950008410B1 (ko) | Ic 칩의 전기적 접속방법, 이에 사용된 수지범프 형성 조성물 및 이에 의해 전기적으로 접속된 액정표시장치 | |
| US5375003A (en) | Method of connecting a tab film and a liquid crystal display panel | |
| JP3801666B2 (ja) | 電極の接続方法およびこれに用いる接続部材 | |
| JP2547895B2 (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JPH04273452A (ja) | Ｉｃチップの実装方法 | |
| JPH0121620B2 (ja) | ||
| US6369450B1 (en) | Method of producing mounting structure and mounting structure produced by the same | |
| JP3092880B2 (ja) | パネルの実装方法 | |
| Mori et al. | A new face down bonding technique using a low melting point metal | |
| JP3055193B2 (ja) | 回路の接続方法及び液晶装置の製造方法 | |
| JP2706405B2 (ja) | 半導体チップの実装方法 | |
| JP2961825B2 (ja) | 液晶装置の製造方法 | |
| JPH05203976A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH04117477A (ja) | 異方性導電材料及びこれを用いた集積回路素子の接続方法 | |
| KR100646068B1 (ko) | 이방성 도전 필름 | |
| JPS63136639A (ja) | 異方導電接着方法 | |
| JPH04322439A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Hwang | Advanced low-cost bare-die packaging technology for liquid crystal displays | |
| JPH09191029A (ja) | チップのリペア方法と回路基板 | |
| JPH08201839A (ja) | 液晶パネル構造及びその製造方法、液晶パネル構造の検査方法 | |
| JPH0897256A (ja) | 電子部品の接合方法 | |
| JP3041980B2 (ja) | 液晶パネル及び液晶パネルの製造方法 |