JPH04266032A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
薄膜トランジスタInfo
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- JPH04266032A JPH04266032A JP2724891A JP2724891A JPH04266032A JP H04266032 A JPH04266032 A JP H04266032A JP 2724891 A JP2724891 A JP 2724891A JP 2724891 A JP2724891 A JP 2724891A JP H04266032 A JPH04266032 A JP H04266032A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタの構
造に関する。
造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の薄膜トランジスタは、例えばSI
D Digest(1990)508〜511(T.
Chuangら)にあるように、基本的には図1のよう
な構造をしている。図1aは従来の薄膜トランジスタの
構造を示す平面図であり、図1bは図1a中のAB間の
縦断面図である。どちらも二酸化珪素からなるゲート絶
縁膜101と層間絶縁膜102には、フッ酸を含むエッ
チング液を用いた一度のエッチングで貫通したコンタク
ト孔103が開けられる。しかし、ゲート絶縁膜と層間
絶縁膜では求められる膜質が異なり、従ってエッチング
レートも異なるためコンタクト孔の寸法の制御が難しい
。
D Digest(1990)508〜511(T.
Chuangら)にあるように、基本的には図1のよう
な構造をしている。図1aは従来の薄膜トランジスタの
構造を示す平面図であり、図1bは図1a中のAB間の
縦断面図である。どちらも二酸化珪素からなるゲート絶
縁膜101と層間絶縁膜102には、フッ酸を含むエッ
チング液を用いた一度のエッチングで貫通したコンタク
ト孔103が開けられる。しかし、ゲート絶縁膜と層間
絶縁膜では求められる膜質が異なり、従ってエッチング
レートも異なるためコンタクト孔の寸法の制御が難しい
。
【0003】この事を従来の工程を追って説明する。ま
ず、ガラス等の絶縁基板上にシリコン薄膜104を形成
し、これを被覆するように二酸化珪素のゲート絶縁膜1
01を形成する。その後、ゲート電極105を形成して
、これをマスクとしてシリコン薄膜104にイオン打ち
込みを行いソース領域106、ドレイン領域107を形
成する。さらに二酸化珪素の層間絶縁膜102を全面に
形成した後、フッ酸を含むエッチング液を用いて一度の
エッチングで、ソース領域106とドレイン領域107
の上にゲート絶縁膜101と層間絶縁膜102を貫通す
るようにコンタクト孔103を開け、最後にソース電極
108とドレイン電極109を形成する
ず、ガラス等の絶縁基板上にシリコン薄膜104を形成
し、これを被覆するように二酸化珪素のゲート絶縁膜1
01を形成する。その後、ゲート電極105を形成して
、これをマスクとしてシリコン薄膜104にイオン打ち
込みを行いソース領域106、ドレイン領域107を形
成する。さらに二酸化珪素の層間絶縁膜102を全面に
形成した後、フッ酸を含むエッチング液を用いて一度の
エッチングで、ソース領域106とドレイン領域107
の上にゲート絶縁膜101と層間絶縁膜102を貫通す
るようにコンタクト孔103を開け、最後にソース電極
108とドレイン電極109を形成する
【0004】。
【発明が解決しようとする課題】ただし、上記の工程の
中で、ともに二酸化珪素からなるゲート絶縁膜101と
層間絶縁膜102であるが、その役割に対応して求めら
れる膜質が異なる。即ち、薄膜トランジスタの性能に大
きく影響するゲート絶縁膜101は、緻密で電荷トラッ
プ密度の小さい事が求められ、たとえばシリコン薄膜1
04表面の熱酸化、あるいはECRプラズマCVD等で
形成される。また、ゲート絶縁膜101のような膜質は
要求されず、比較的厚い層間絶縁膜102は、成膜速度
の速い気相成長法等で形成される。このように成膜方法
が異なれば、エッチングレートも異なり、例えば、シリ
コンの熱酸化による二酸化珪素に比べ、気相成長法によ
る二酸化珪素のエッチングレートは10から20倍も大
きい。
中で、ともに二酸化珪素からなるゲート絶縁膜101と
層間絶縁膜102であるが、その役割に対応して求めら
れる膜質が異なる。即ち、薄膜トランジスタの性能に大
きく影響するゲート絶縁膜101は、緻密で電荷トラッ
プ密度の小さい事が求められ、たとえばシリコン薄膜1
04表面の熱酸化、あるいはECRプラズマCVD等で
形成される。また、ゲート絶縁膜101のような膜質は
要求されず、比較的厚い層間絶縁膜102は、成膜速度
の速い気相成長法等で形成される。このように成膜方法
が異なれば、エッチングレートも異なり、例えば、シリ
コンの熱酸化による二酸化珪素に比べ、気相成長法によ
る二酸化珪素のエッチングレートは10から20倍も大
きい。
【0005】上述の従来の製造工程のように、コンタク
ト孔103をただ一度のエッチングで形成する場合、上
層の層間絶縁膜102がまずエッチングされてから下層
のゲート絶縁膜101のエッチングが始まることになる
。そして、下層のゲート絶縁膜101のエッチングが進
む間は、上層の層間絶縁膜102は端の部分がエッチン
グされて後退していく。ところが、前記のようにゲート
絶縁膜101のエッチングレートより層間絶縁膜102
のエッチングレートが大きいため、層間絶縁膜102の
端の後退が速く、従ってコンタクト孔103の径が大き
くなってしまうという問題があり、薄膜トランジスタの
微細化を困難にしている。
ト孔103をただ一度のエッチングで形成する場合、上
層の層間絶縁膜102がまずエッチングされてから下層
のゲート絶縁膜101のエッチングが始まることになる
。そして、下層のゲート絶縁膜101のエッチングが進
む間は、上層の層間絶縁膜102は端の部分がエッチン
グされて後退していく。ところが、前記のようにゲート
絶縁膜101のエッチングレートより層間絶縁膜102
のエッチングレートが大きいため、層間絶縁膜102の
端の後退が速く、従ってコンタクト孔103の径が大き
くなってしまうという問題があり、薄膜トランジスタの
微細化を困難にしている。
【0006】そこで本発明は、ともに二酸化珪素からな
るゲート絶縁膜と層間絶縁膜に別々にエッチングを施す
ことでコンタクト孔を小さくし、以上の問題を解決した
薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
るゲート絶縁膜と層間絶縁膜に別々にエッチングを施す
ことでコンタクト孔を小さくし、以上の問題を解決した
薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜トランジス
タは、絶縁基板あるいは絶縁膜上の、ソース領域及びド
レイン領域と該ソース領域と該ドレイン領域を結ぶチャ
ネル領域からなるシリコン薄膜、該シリコン薄膜を被覆
するゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜を介して少なくとも
一部分が該チャネル領域と対向するように設けたゲート
電極、該ゲート電極と該ゲート絶縁膜を被覆する層間絶
縁膜、該層間絶縁膜上に設けたソース電極とドレイン電
極からなり、該ソース領域と該ドレイン領域の上の該ゲ
ート絶縁膜に開けた第一のコンタクト孔と、該第一のコ
ンタクト孔を通して該ソース電極が該ソース領域に接す
るように、該ドレイン電極が該ドレイン領域に接するよ
うに該層間絶縁膜に開けた第二のコンタクト孔を有する
ことを特徴とする。
タは、絶縁基板あるいは絶縁膜上の、ソース領域及びド
レイン領域と該ソース領域と該ドレイン領域を結ぶチャ
ネル領域からなるシリコン薄膜、該シリコン薄膜を被覆
するゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜を介して少なくとも
一部分が該チャネル領域と対向するように設けたゲート
電極、該ゲート電極と該ゲート絶縁膜を被覆する層間絶
縁膜、該層間絶縁膜上に設けたソース電極とドレイン電
極からなり、該ソース領域と該ドレイン領域の上の該ゲ
ート絶縁膜に開けた第一のコンタクト孔と、該第一のコ
ンタクト孔を通して該ソース電極が該ソース領域に接す
るように、該ドレイン電極が該ドレイン領域に接するよ
うに該層間絶縁膜に開けた第二のコンタクト孔を有する
ことを特徴とする。
【0008】
【実施例】本発明の薄膜トランジスタは、基本的には図
2で示される構造をしている。図2aは本発明の薄膜ト
ランジスタの構造を示す平面図であり、図2bはABの
縦断面図である。201はシリコン薄膜であり、これは
ソース領域202、ドレイン領域203、チャネル領域
204からなる。205はゲート絶縁膜であり、これに
は第一のコンタクト孔206が開いている。207はゲ
ート電極、208は層間絶縁膜であり、層間絶縁膜20
8に第二のコンタクト孔209が開いている。210は
ソース電極、211はドレイン電極である。
2で示される構造をしている。図2aは本発明の薄膜ト
ランジスタの構造を示す平面図であり、図2bはABの
縦断面図である。201はシリコン薄膜であり、これは
ソース領域202、ドレイン領域203、チャネル領域
204からなる。205はゲート絶縁膜であり、これに
は第一のコンタクト孔206が開いている。207はゲ
ート電極、208は層間絶縁膜であり、層間絶縁膜20
8に第二のコンタクト孔209が開いている。210は
ソース電極、211はドレイン電極である。
【0009】以下、図3により工程を追いながら説明す
る。
る。
【0010】まず、ガラス基板あるいは絶縁膜上に減圧
気相成長法により多結晶シリコン薄膜301を形成する
。多結晶シリコン薄膜301は減圧気相成長法による形
成のほかに、減圧気相成長法と例えばレーザーアニール
法や固相成長法を組み合わせたり、プラズマCVD法あ
るいはスパッタ蒸着法などで形成したアモルファスシリ
コン薄膜をレーザーアニールや固相成長法により多結晶
化させることにより形成することもある。また、多結晶
シリコン薄膜に代えてアモルファスシリコン薄膜を用い
ることも考えられる。そして、多結晶シリコン薄膜30
1を被覆するように二酸化珪素のゲート絶縁膜302を
ECRプラズマCVDで約1500Åの膜厚で形成し、
その上にゲート電極303を形成する(図3a)。 ゲート絶縁膜の形成には、このほかシリコン薄膜301
表面の熱酸化などの方法もある。その後、ゲート電極3
03をマスクとしてシリコン薄膜に不純物としてホウ素
イオンあるいは燐イオンの打ち込み304を行うことで
、ソース領域305、ドレイン領域306を自己整合的
に形成して(図3b)から、フォトリソグラフィ技術と
ウエットエッチング(以下フォトエッチと略す)により
ゲート絶縁膜302に第一のコンタクト孔307を開け
る(図3c)。次に、二酸化珪素の層間絶縁膜308を
気相成長法で全面に約5000Åの膜厚で形成し、これ
をフォトエッチして第二のコンタクト孔309を開ける
。そして、最後にソース電極310とドレイン電極31
1を形成する。(図3d)。
気相成長法により多結晶シリコン薄膜301を形成する
。多結晶シリコン薄膜301は減圧気相成長法による形
成のほかに、減圧気相成長法と例えばレーザーアニール
法や固相成長法を組み合わせたり、プラズマCVD法あ
るいはスパッタ蒸着法などで形成したアモルファスシリ
コン薄膜をレーザーアニールや固相成長法により多結晶
化させることにより形成することもある。また、多結晶
シリコン薄膜に代えてアモルファスシリコン薄膜を用い
ることも考えられる。そして、多結晶シリコン薄膜30
1を被覆するように二酸化珪素のゲート絶縁膜302を
ECRプラズマCVDで約1500Åの膜厚で形成し、
その上にゲート電極303を形成する(図3a)。 ゲート絶縁膜の形成には、このほかシリコン薄膜301
表面の熱酸化などの方法もある。その後、ゲート電極3
03をマスクとしてシリコン薄膜に不純物としてホウ素
イオンあるいは燐イオンの打ち込み304を行うことで
、ソース領域305、ドレイン領域306を自己整合的
に形成して(図3b)から、フォトリソグラフィ技術と
ウエットエッチング(以下フォトエッチと略す)により
ゲート絶縁膜302に第一のコンタクト孔307を開け
る(図3c)。次に、二酸化珪素の層間絶縁膜308を
気相成長法で全面に約5000Åの膜厚で形成し、これ
をフォトエッチして第二のコンタクト孔309を開ける
。そして、最後にソース電極310とドレイン電極31
1を形成する。(図3d)。
【0011】上述の工程を経て出来上がった本発明の薄
膜トランジスタでは、従来の薄膜トランジスタに比べて
コンタクト孔が小さくでき、微細化が可能になる。この
ことを図4と図5により具体的に説明する。
膜トランジスタでは、従来の薄膜トランジスタに比べて
コンタクト孔が小さくでき、微細化が可能になる。この
ことを図4と図5により具体的に説明する。
【0012】図4は、上記(従来の技術)のように、共
に二酸化珪素ではあるが、互いに膜質の異なるゲート絶
縁膜と層間絶縁膜の2層に、1回のフォトエッチでコン
タクト孔を開ける従来の薄膜トランジスタの場合のコン
タクト孔の広がり方を示す図である。図4aはフォトエ
ッチ途中のフォトレジスト層も含めたコンタクト孔の上
図面、図4bは図4a中のAB間の縦断面図である。4
01はフォトリソグラフィ技術でフォトレジスト層40
2に開けた孔であり、エッチングによってこの下にコン
タクト孔が開けられる。破線403はフッ酸を含むエッ
チング液でエッチング(いわゆるウエットエッチング)
してコンタクト孔を開ける途中、ちょうど上層の層間絶
縁膜404のみエッチングが終わり、次に下層のゲート
絶縁膜405のエッチングが始まる瞬間のコンタクト孔
の外縁である。破線406はこの瞬間のゲート絶縁膜4
05と層間絶縁膜404の端の断面形状である。ウエッ
トエッチングではエッチングが等方的に進行するため、
層間絶縁膜404のみエッチングが終わった瞬間には、
層間絶縁膜404は膜面方向にも膜厚と同じだけエッチ
ングされて破線406のような形状になっている。即ち
、層間絶縁膜404の膜厚が0.5μmであれば、フォ
トレジスト層の孔401とこの瞬間のコンタクト孔の外
縁403の差(いわゆるアンダーカット量)は0.5μ
mである。この瞬間にはまだゲート絶縁膜405はエッ
チングされていない。
に二酸化珪素ではあるが、互いに膜質の異なるゲート絶
縁膜と層間絶縁膜の2層に、1回のフォトエッチでコン
タクト孔を開ける従来の薄膜トランジスタの場合のコン
タクト孔の広がり方を示す図である。図4aはフォトエ
ッチ途中のフォトレジスト層も含めたコンタクト孔の上
図面、図4bは図4a中のAB間の縦断面図である。4
01はフォトリソグラフィ技術でフォトレジスト層40
2に開けた孔であり、エッチングによってこの下にコン
タクト孔が開けられる。破線403はフッ酸を含むエッ
チング液でエッチング(いわゆるウエットエッチング)
してコンタクト孔を開ける途中、ちょうど上層の層間絶
縁膜404のみエッチングが終わり、次に下層のゲート
絶縁膜405のエッチングが始まる瞬間のコンタクト孔
の外縁である。破線406はこの瞬間のゲート絶縁膜4
05と層間絶縁膜404の端の断面形状である。ウエッ
トエッチングではエッチングが等方的に進行するため、
層間絶縁膜404のみエッチングが終わった瞬間には、
層間絶縁膜404は膜面方向にも膜厚と同じだけエッチ
ングされて破線406のような形状になっている。即ち
、層間絶縁膜404の膜厚が0.5μmであれば、フォ
トレジスト層の孔401とこの瞬間のコンタクト孔の外
縁403の差(いわゆるアンダーカット量)は0.5μ
mである。この瞬間にはまだゲート絶縁膜405はエッ
チングされていない。
【0013】次に、ゲート絶縁膜405のエッチングが
始まるが、ゲート絶縁膜405がエッチングされている
間には層間絶縁膜404の端もエッチングされて後退し
てゆくことになる。上述したように、ゲート絶縁膜40
5と層間絶縁膜404の形成方法が違うため、共に二酸
化珪素ではあってもエッチングレートは大きく異なり、
ゲート絶縁膜405をシリコン薄膜の熱酸化で形成し、
層間絶縁膜404を気相成長法で形成した場合には、層
間絶縁膜404のエッチングレートがゲート絶縁膜40
5より20倍程度大きい。つまり、1500Åの厚さの
ゲート絶縁膜405がエッチングされる間に、層間絶縁
膜404の端は30000Å(3μm)後退してしまう
。そのようにして形成されたコンタクト孔の外縁が40
7であり、フォトレジスト層の孔401より非常に大き
くなってしまう。フォトレジスト層の孔401が4μm
角の正方形であるとして、形成されたコンタクト孔の外
縁406は約11μm角となり、面積で7倍以上に広が
ってしまうことになる。また、この時の層間絶縁膜40
4とゲート絶縁膜405の端の断面形状が407であり
、ゲート絶縁膜405の端のテーパー部分の占める面積
が非常に大きい。
始まるが、ゲート絶縁膜405がエッチングされている
間には層間絶縁膜404の端もエッチングされて後退し
てゆくことになる。上述したように、ゲート絶縁膜40
5と層間絶縁膜404の形成方法が違うため、共に二酸
化珪素ではあってもエッチングレートは大きく異なり、
ゲート絶縁膜405をシリコン薄膜の熱酸化で形成し、
層間絶縁膜404を気相成長法で形成した場合には、層
間絶縁膜404のエッチングレートがゲート絶縁膜40
5より20倍程度大きい。つまり、1500Åの厚さの
ゲート絶縁膜405がエッチングされる間に、層間絶縁
膜404の端は30000Å(3μm)後退してしまう
。そのようにして形成されたコンタクト孔の外縁が40
7であり、フォトレジスト層の孔401より非常に大き
くなってしまう。フォトレジスト層の孔401が4μm
角の正方形であるとして、形成されたコンタクト孔の外
縁406は約11μm角となり、面積で7倍以上に広が
ってしまうことになる。また、この時の層間絶縁膜40
4とゲート絶縁膜405の端の断面形状が407であり
、ゲート絶縁膜405の端のテーパー部分の占める面積
が非常に大きい。
【0014】このように、層間絶縁膜とゲート絶縁膜に
1度のフォトエッチでコンタクト孔を形成すると、コン
タクト孔が大きくなり、薄膜トランジスタの微細化を妨
げる。
1度のフォトエッチでコンタクト孔を形成すると、コン
タクト孔が大きくなり、薄膜トランジスタの微細化を妨
げる。
【0015】図5は層間絶縁膜とゲート絶縁膜に別々に
フォトエッチを施してコンタクト孔を形成した本発明の
場合を説明する図で、図5aはコンタクト孔形成後のコ
ンタクト孔の大きさを示す上面図、図5bは図5a中の
AB間の縦断面図である。501はゲート絶縁膜502
の形成後、フォトエッチで開けた第一のコンタクト孔で
ある。503は層間絶縁膜504の形成後に開けた第二
のコンタクト孔である。
フォトエッチを施してコンタクト孔を形成した本発明の
場合を説明する図で、図5aはコンタクト孔形成後のコ
ンタクト孔の大きさを示す上面図、図5bは図5a中の
AB間の縦断面図である。501はゲート絶縁膜502
の形成後、フォトエッチで開けた第一のコンタクト孔で
ある。503は層間絶縁膜504の形成後に開けた第二
のコンタクト孔である。
【0016】第二のコンタクト孔503が第一のコンタ
クト孔501より小さくなっているのは、第二のコンタ
クト孔の形成時にゲート絶縁膜502が露出しないため
であり、この時の第二のコンタクト孔503と第一のコ
ンタクト孔501の大きさの差は、フォトマスクのアラ
イメント精度±0.5μm程度と、第二のコンタクト孔
503を形成する際の層間絶縁膜504のアンダーカッ
ト量0.5μm、第一のコンタクト孔501を形成する
際のゲート絶縁膜502のアンダーカット量0.15μ
mを含めてせいぜい1.2μm程度である。第二のコン
タクト孔503を4μm角の正方形とすれば、第一のコ
ンタクト孔501、即ちコンタクト孔の最外縁は約6.
4μm角となり、これは、ゲート絶縁膜と層間絶縁膜に
一度のフォトエッチでコンタクト孔を形成した図4の場
合のコンタクト孔の面積の約3分の1にすぎず、本発明
の薄膜トランジスタではコンタクト孔を小さくできるこ
とがわかる。
クト孔501より小さくなっているのは、第二のコンタ
クト孔の形成時にゲート絶縁膜502が露出しないため
であり、この時の第二のコンタクト孔503と第一のコ
ンタクト孔501の大きさの差は、フォトマスクのアラ
イメント精度±0.5μm程度と、第二のコンタクト孔
503を形成する際の層間絶縁膜504のアンダーカッ
ト量0.5μm、第一のコンタクト孔501を形成する
際のゲート絶縁膜502のアンダーカット量0.15μ
mを含めてせいぜい1.2μm程度である。第二のコン
タクト孔503を4μm角の正方形とすれば、第一のコ
ンタクト孔501、即ちコンタクト孔の最外縁は約6.
4μm角となり、これは、ゲート絶縁膜と層間絶縁膜に
一度のフォトエッチでコンタクト孔を形成した図4の場
合のコンタクト孔の面積の約3分の1にすぎず、本発明
の薄膜トランジスタではコンタクト孔を小さくできるこ
とがわかる。
【0017】本実施例では、薄膜トランジスタのゲート
絶縁膜と層間絶縁膜が共に二酸化珪素である場合につい
て述べたが、例えばゲート絶縁膜と層間絶縁膜がどちら
も二酸化珪素以外の同一の物質からなり、しかも互いの
形成条件などが違うため、エッチングレートが異なる場
合については、本発明が有効であることはいうまでもな
い。
絶縁膜と層間絶縁膜が共に二酸化珪素である場合につい
て述べたが、例えばゲート絶縁膜と層間絶縁膜がどちら
も二酸化珪素以外の同一の物質からなり、しかも互いの
形成条件などが違うため、エッチングレートが異なる場
合については、本発明が有効であることはいうまでもな
い。
【0018】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば薄膜
トランジスタの微細化が可能となる。そして、本発明に
よる薄膜トランジスタの微細化には様々な効用がある。
トランジスタの微細化が可能となる。そして、本発明に
よる薄膜トランジスタの微細化には様々な効用がある。
【0019】例えば、薄膜トランジスタは、アクティブ
マトリクス方式の液晶表示装置の画素駆動用素子として
用いられる。アクティブマトリクス方式の液晶表示装置
では、高精細化すると配線数と画像駆動素子数が増える
ため、開口率が小さくなってしまうという問題がある。 本発明により、画素ごとに設けられる薄膜トランジスタ
を小さくすれば、その分画素を広げることができ、高精
細で開口率が大きい液晶表示装置を作ることができる。
マトリクス方式の液晶表示装置の画素駆動用素子として
用いられる。アクティブマトリクス方式の液晶表示装置
では、高精細化すると配線数と画像駆動素子数が増える
ため、開口率が小さくなってしまうという問題がある。 本発明により、画素ごとに設けられる薄膜トランジスタ
を小さくすれば、その分画素を広げることができ、高精
細で開口率が大きい液晶表示装置を作ることができる。
【0020】また、本発明の薄膜トランジスタは、密着
型イメージセンサー、プリンタヘッドなど薄膜トランジ
スタを用いる多くの装置の高密度化に有効である。
型イメージセンサー、プリンタヘッドなど薄膜トランジ
スタを用いる多くの装置の高密度化に有効である。
【図1】図1aは従来の薄膜トランジスタの基本的な構
造を示す平面図であり、図1bはそのAB縦断面図。
造を示す平面図であり、図1bはそのAB縦断面図。
【図2】図2aは本発明の薄膜トランジスタの基本的な
構造を示す平面図であり、図2bはそのAB縦断面図。
構造を示す平面図であり、図2bはそのAB縦断面図。
【図3】本発明の薄膜トランジスタの構造工程ごとの縦
断面図。
断面図。
【図4】従来の技術による、薄膜トランジスタのコンタ
クト孔の広がりを説明する図。
クト孔の広がりを説明する図。
【図5】本発明の薄膜トランジスタの、コンタクト孔の
大きさを説明する図。
大きさを説明する図。
101、205、302、405、502 ゲート絶
縁膜 102、208、308、404、504 層間絶縁
膜103 コンタクト孔 104、201、301 シリコン薄膜105、20
7、303 ゲート電極106、202、305
ソース領域107、203、306 ドレイン領域1
08、210、310 ソース電極109、211、
311 ドレイン電極204 チャネル領域 206、307、501 第一のコンタクト孔209
、309、503 第二のコンタクト孔304 イ
オン打ち込み(イオンシャワー)401 フォトレジ
スト層の孔 402 フォトレジスト 403 層間絶縁膜404のみエッチングされた瞬間
のコンタクト孔の外縁
縁膜 102、208、308、404、504 層間絶縁
膜103 コンタクト孔 104、201、301 シリコン薄膜105、20
7、303 ゲート電極106、202、305
ソース領域107、203、306 ドレイン領域1
08、210、310 ソース電極109、211、
311 ドレイン電極204 チャネル領域 206、307、501 第一のコンタクト孔209
、309、503 第二のコンタクト孔304 イ
オン打ち込み(イオンシャワー)401 フォトレジ
スト層の孔 402 フォトレジスト 403 層間絶縁膜404のみエッチングされた瞬間
のコンタクト孔の外縁
Claims (1)
- 【請求項1】絶縁基板あるいは絶縁膜上の、ソース領域
及びドレイン領域と該ソース領域と該ドレイン領域を結
ぶチャネル領域からなるシリコン薄膜、該シリコン薄膜
を被覆するゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜を介して少な
くとも一部分が該チャネル領域と対向するように設けた
ゲート電極、該ゲート電極と該ゲート絶縁膜を被覆する
層間絶縁膜、該層間絶縁膜上に設けたソース電極とドレ
イン電極からなり、該ソース領域と該ドレイン領域の上
の該ゲート絶縁膜に開けた第一のコンタクト孔と、該第
一のコンタクト孔を通して該ソース電極が該ソース領域
に接するように、該ドレイン電極が該ドレイン領域に接
するように該層間絶縁膜に開けた第二のコンタクト孔を
有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2724891A JPH04266032A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 薄膜トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2724891A JPH04266032A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 薄膜トランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04266032A true JPH04266032A (ja) | 1992-09-22 |
Family
ID=12215777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2724891A Pending JPH04266032A (ja) | 1991-02-21 | 1991-02-21 | 薄膜トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04266032A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018186282A (ja) * | 2011-09-29 | 2018-11-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-02-21 JP JP2724891A patent/JPH04266032A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018186282A (ja) * | 2011-09-29 | 2018-11-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020194969A (ja) * | 2011-09-29 | 2020-12-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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