JPH04262589A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- JPH04262589A JPH04262589A JP4426091A JP4426091A JPH04262589A JP H04262589 A JPH04262589 A JP H04262589A JP 4426091 A JP4426091 A JP 4426091A JP 4426091 A JP4426091 A JP 4426091A JP H04262589 A JPH04262589 A JP H04262589A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体装置の製造方
法に関し、特にレーザダイオードウェハの分割方法に関
する。
法に関し、特にレーザダイオードウェハの分割方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは、ガスレーザ、固体レー
ザとは異なり、チップ自身の平行した劈開面を共振器ミ
ラーとしている。この劈開面を有するレーザダイオード
の従来の形成方法は以下の通りである。
ザとは異なり、チップ自身の平行した劈開面を共振器ミ
ラーとしている。この劈開面を有するレーザダイオード
の従来の形成方法は以下の通りである。
【０００３】化合物半導体基板上にエピタキシャル成長
やイオン注入を行って活性層を形成する。このエピタキ
シャルウェハは基板の厚さを含めて数百μｍの厚さがあ
るのでこのままでは劈開は困難である。そこで、研磨に
より厚さを１００μｍ程度あるいはそれ以下とし、その
後メタル蒸着、アロイ等の処理を施して電極を形成しレ
ーザダイオードウェハを仕上げる。
やイオン注入を行って活性層を形成する。このエピタキ
シャルウェハは基板の厚さを含めて数百μｍの厚さがあ
るのでこのままでは劈開は困難である。そこで、研磨に
より厚さを１００μｍ程度あるいはそれ以下とし、その
後メタル蒸着、アロイ等の処理を施して電極を形成しレ
ーザダイオードウェハを仕上げる。
【０００４】図８はこのようにして形成されたウェハの
斜視図〔（ａ）〕とその部分平面図〔（ｂ）〕である〔
以下、（ａ）と（ｂ）のある図面は（ａ）が斜視図で（
ｂ）が平面図である〕。同図において、１ａは研磨によ
り薄く仕上げられたレーザダイオードウェハ、２は活性
ストライプ領域である。
斜視図〔（ａ）〕とその部分平面図〔（ｂ）〕である〔
以下、（ａ）と（ｂ）のある図面は（ａ）が斜視図で（
ｂ）が平面図である〕。同図において、１ａは研磨によ
り薄く仕上げられたレーザダイオードウェハ、２は活性
ストライプ領域である。
【０００５】次の劈開工程では、図９に示すように、ウ
ェハの一端にダイヤモンドポイント１１等でキズを入れ
、１本ずつ押し割るようにして劈開線９ａを走らせ、２
面に平行した劈開面を持つ棒状ウェハ１０ａ（図１０）
を作る。
ェハの一端にダイヤモンドポイント１１等でキズを入れ
、１本ずつ押し割るようにして劈開線９ａを走らせ、２
面に平行した劈開面を持つ棒状ウェハ１０ａ（図１０）
を作る。
【０００６】その後、図１０に示されるように、同じく
ダイヤモンドポイント１１でキズを入れて個々のペレッ
トに分離し、図１１に示す最終的形状のＬＤペレット８
ａを得る。
ダイヤモンドポイント１１でキズを入れて個々のペレッ
トに分離し、図１１に示す最終的形状のＬＤペレット８
ａを得る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の製造方
法では以下の問題点があった。まず、第１に、従来製法
では劈開を容易にするため、ウェハの膜厚を極めて薄く
するので、ウェハサイズが大きくなると取り扱い困難と
なり、またウェハ割れが起こり易くなる。
法では以下の問題点があった。まず、第１に、従来製法
では劈開を容易にするため、ウェハの膜厚を極めて薄く
するので、ウェハサイズが大きくなると取り扱い困難と
なり、またウェハ割れが起こり易くなる。
【０００８】第２に、劈開ラインを走らせる工程は自動
化、治具導入が困難であるため手作業が主となるが、こ
の作業には非常な熟練を要する。
化、治具導入が困難であるため手作業が主となるが、こ
の作業には非常な熟練を要する。
【０００９】第３に、ピンセットによるウェハ、棒状ウ
ェハ、ペレットの取り扱い回数が多くなり、カケ不良、
キズ不良等の外観不良率が高くなる。
ェハ、ペレットの取り扱い回数が多くなり、カケ不良、
キズ不良等の外観不良率が高くなる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明の製造プロセスでは、■ウェハのエピタキシ
ャル層成長面側に、エッチングにより活性ストライプ領
域（レーザ発振光ガイド領域）を残してそのストライプ
と直交する方向に劈開誘引溝を掘る工程と、■ウェハ裏
面の基板側に前記劈開誘引溝に重なるように劈開補助溝
を、ダイシングソー等の機械的手段を用いて加工する工
程と、■チョコレートブレーク態様にて活性ストライプ
領域に向かって劈開線を走らせる工程と、を備えている
。
め、本発明の製造プロセスでは、■ウェハのエピタキシ
ャル層成長面側に、エッチングにより活性ストライプ領
域（レーザ発振光ガイド領域）を残してそのストライプ
と直交する方向に劈開誘引溝を掘る工程と、■ウェハ裏
面の基板側に前記劈開誘引溝に重なるように劈開補助溝
を、ダイシングソー等の機械的手段を用いて加工する工
程と、■チョコレートブレーク態様にて活性ストライプ
領域に向かって劈開線を走らせる工程と、を備えている
。
【００１１】なお、活性ストライプ領域間の分離はダイ
シングソー等の機械的分離手段を用いて行われるが、そ
の工程は上記■の工程の前または後に設定される。
シングソー等の機械的分離手段を用いて行われるが、そ
の工程は上記■の工程の前または後に設定される。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１〜図５は本発明の第１の実施例を説明
するための斜視図と平面図である。図１に示されるレー
ザダイオードウェハ１には活性ストライプ領域２および
図示のない電極が既に形成されており、その厚さは２０
０〜５００μｍ程度である。まず、このウェハのエピタ
キシャル層成長面にフォトエッチングにより、活性スト
ライプ領域２と直交する劈開誘引溝３を形成する。この
場合に、活性ストライプ領域２の左右各１０μｍ程度は
エッチングせずに残すようにする。また、劈開誘引溝３
の形成には異方性エッチングを用いてその断面形状が逆
三角形となるようにする。
て説明する。図１〜図５は本発明の第１の実施例を説明
するための斜視図と平面図である。図１に示されるレー
ザダイオードウェハ１には活性ストライプ領域２および
図示のない電極が既に形成されており、その厚さは２０
０〜５００μｍ程度である。まず、このウェハのエピタ
キシャル層成長面にフォトエッチングにより、活性スト
ライプ領域２と直交する劈開誘引溝３を形成する。この
場合に、活性ストライプ領域２の左右各１０μｍ程度は
エッチングせずに残すようにする。また、劈開誘引溝３
の形成には異方性エッチングを用いてその断面形状が逆
三角形となるようにする。
【００１３】次に、図２に示すように、ウェハの基板側
（裏面側）にフォトリソグラフィ工程で用いられる両面
目合わせ装置を使って、劈開誘引溝に重なるようにダイ
シング用の劈開補助溝用マーク４を形成する。また、そ
の際、活性ストライプ領域の中間にペレット分離用マー
ク５も同時に形成する。
（裏面側）にフォトリソグラフィ工程で用いられる両面
目合わせ装置を使って、劈開誘引溝に重なるようにダイ
シング用の劈開補助溝用マーク４を形成する。また、そ
の際、活性ストライプ領域の中間にペレット分離用マー
ク５も同時に形成する。
【００１４】次に、図３に示すように、補助溝用マーク
４を利用し、ブレード厚２０〜３０μｍのダイシングソ
ーを使って、残りの膜厚が５０〜１００μｍとなるよう
に、基板裏面に劈開補助溝６を掘る。
４を利用し、ブレード厚２０〜３０μｍのダイシングソ
ーを使って、残りの膜厚が５０〜１００μｍとなるよう
に、基板裏面に劈開補助溝６を掘る。
【００１５】次に、図４に示すように、同様にダイシン
グソーを用いてペレット分離用マーク５に沿ってウェハ
１を分割し、棒状ウェハ７を形成する。
グソーを用いてペレット分離用マーク５に沿ってウェハ
１を分割し、棒状ウェハ７を形成する。
【００１６】次に、チョコレートを割る時のように、劈
開誘引溝３を広げる方向ａにこの棒を少し曲げ、活性ス
トライプ領域２に向かって劈開線９を走らせ、図５に示
すように個々のＬＤペレット８に分割する。この際、基
板側に粘着テープを貼り付けておきこれを利用して分割
することができる。この場合には分割と同時に粘着テー
プを少し引き伸ばすことにより、劈開面が相互にキズ付
け合うのを防止することができる。
開誘引溝３を広げる方向ａにこの棒を少し曲げ、活性ス
トライプ領域２に向かって劈開線９を走らせ、図５に示
すように個々のＬＤペレット８に分割する。この際、基
板側に粘着テープを貼り付けておきこれを利用して分割
することができる。この場合には分割と同時に粘着テー
プを少し引き伸ばすことにより、劈開面が相互にキズ付
け合うのを防止することができる。
【００１７】図６、図７は本発明の第２の実施例を説明
するための斜視図である。本実施例では、図３に示され
た段階までは第１の実施例と同様の加工がなされた後、
この状態でウェハを矢印ａの方向に曲げて劈開線９を走
らせ、劈開面を持つ棒状ウェハ１０に分割する。その後
はダイシングソーを用いて個々のペレットに分離する。
するための斜視図である。本実施例では、図３に示され
た段階までは第１の実施例と同様の加工がなされた後、
この状態でウェハを矢印ａの方向に曲げて劈開線９を走
らせ、劈開面を持つ棒状ウェハ１０に分割する。その後
はダイシングソーを用いて個々のペレットに分離する。
【００１８】この実施例の方法は、第１の実施例に比較
して、従来の技術プロセスと工程順序が変わらないので
、追加工程（例えば劈開端面へのコーティング等）の必
要な品種に対してその追加工程に変更を加えることなく
該工程を実施できるという利点を有する。
して、従来の技術プロセスと工程順序が変わらないので
、追加工程（例えば劈開端面へのコーティング等）の必
要な品種に対してその追加工程に変更を加えることなく
該工程を実施できるという利点を有する。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ウェハ
のエピタキシャル層成長面側に劈開誘引溝を、その裏面
に劈開補助溝を形成した後劈開を行うものであるので、
以下の効果を奏することができる。 ■ウェハは全体として十分の強度を有するので、ウェハ
の割れを防止することができ、その取り扱いが容易にな
る。 ■劈開はチョコレートブレーク方法にて実施できるため
、従来技術の場合のような高度の作業習熟を要しない。 ■全工程にわたってピンセットによる取り扱いを排除す
ることが可能となるので、カケ不良、キズ不良等の外観
不良を大幅に低減できる。 ■作業工程の自動化が容易になる。
のエピタキシャル層成長面側に劈開誘引溝を、その裏面
に劈開補助溝を形成した後劈開を行うものであるので、
以下の効果を奏することができる。 ■ウェハは全体として十分の強度を有するので、ウェハ
の割れを防止することができ、その取り扱いが容易にな
る。 ■劈開はチョコレートブレーク方法にて実施できるため
、従来技術の場合のような高度の作業習熟を要しない。 ■全工程にわたってピンセットによる取り扱いを排除す
ることが可能となるので、カケ不良、キズ不良等の外観
不良を大幅に低減できる。 ■作業工程の自動化が容易になる。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための斜視図
と部分平面図。
と部分平面図。
【図２】本発明の第１の実施例を説明するための斜視図
と部分平面図。
と部分平面図。
【図３】本発明の第１の実施例を説明するための斜視図
と部分平面図。
と部分平面図。
【図４】本発明の第１の実施例を説明するための斜視図
と部分平面図。
と部分平面図。
【図５】本発明の第１の実施例を説明するための斜視図
と部分平面図。
と部分平面図。
【図６】本発明の第２の実施例を説明するための斜視図
。
。
【図７】本発明の第２の実施例を説明するための斜視図
。
。
【図８】従来例を説明するための斜視図と部分平面図。
【図９】従来例を説明するための斜視図と部分平面図。
【図１０】従来例を説明するための斜視図。
【図１１】従来例を説明するための斜視図。
１、１ａ レーザダイオードウェハ
２ 活性ストライプ領域
３ 劈開誘引溝
４ 劈開補助溝用マーク
５ ペレット分離用マーク
６ 劈開補助溝
７ 棒状ウェハ
８、８ａ ＬＤペレット
９、９ａ 劈開線
１０、１０ａ 劈開面を持つ棒状ウェハ１１ ダイ
ヤモンドポイント
ヤモンドポイント
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザダイオードが作り込まれている
ウェハのエピタキシャル成長面を選択的にエッチングし
て活性ストライプ領域と直交する劈開誘引溝を該活性ス
トライプ領域にはかからない形状に形成する工程と、ウ
ェハ裏面に前記劈開誘引溝と重なる劈開補助溝を機械的
手段により形成する工程と、前記劈開誘引溝および劈開
補助溝の個所において劈開を行う工程と、を具備する光
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4426091A JPH04262589A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4426091A JPH04262589A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04262589A true JPH04262589A (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=12686547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4426091A Pending JPH04262589A (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04262589A (ja) |
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-
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- 1991-02-15 JP JP4426091A patent/JPH04262589A/ja active Pending
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