JPH02132844A - 化合物半導体ウェハの分割方法 - Google Patents
化合物半導体ウェハの分割方法Info
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- JPH02132844A JPH02132844A JP1182923A JP18292389A JPH02132844A JP H02132844 A JPH02132844 A JP H02132844A JP 1182923 A JP1182923 A JP 1182923A JP 18292389 A JP18292389 A JP 18292389A JP H02132844 A JPH02132844 A JP H02132844A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 71
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N methanol Substances OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 10
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 abstract description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 51
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- 241000208140 Acer Species 0.000 description 1
- 101100045694 Caenorhabditis elegans art-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明１上 化合物半導体素子製造に必須の工程である
化合物半導体ウェハか収 チツプへの分割方法に関すム 従来の技術 従来技術で１表 ダイヤモンドカッター完全に化合物半
導体ウェハを切断してしまう方法 化合物半導体ウェハ
の表面にダイヤモンドカッターなどでストライプ状の傷
をつけた跣 ウェハに衝撃を加える力＼ ウェハ全体を
面内で広げる方向に力を加えるといった方法をとること
によって、ウェハからチップへと分割してい九 分割面
を、先導波路端面反射鏡として利用する化合物半導体レ
ーザ素子の場合、従来技術では まずダイヤモンドカッ
ターを用いてウェハの周辺部に短い罫描線を入れａ 次
低 罫描線に 開用カッターを当てて、罫描線に沿った
開を生じさせ、先導波路端面反射鏡となる分割面を形
成してい九 半導体ウェハよりチップを取り出す際の従
来技術による工程図を第５図に示も 半導体ウェハ１３
１の表面にダイヤモンド力ツタ１３２等でストライプ状
の溝を形成する〔第５図（ａ）］ ， 半導体ウェハ
１３１に衝撃を加える力＼ 半導体ウェハ１３１全体を
面内で拡げる方向に力を加えることにより、第５図（ｂ
）に示すようへ 半導体チップ１３３に分離されも 第
６図は（０１１）方向に先導波路４ｌを形成したＩＩＩ
−Ｖ族半導体ウエノ１１４２の光導波路端面反射鏡形成
開の工程図であ翫１１Ｉ−Ｖ族半導体ウェハｌ４２ク
ダイヤモンドカッタ−１４３を用いてＩＩＩ−Ｖ族
半導体ウェハ１４２の端部に〔Ｏｌ１〕方向に沿って罫
描線１４４を入れる〔第６図（ａ）〕。次く 罫描線１
４４に 開用カツター１４５を当ても 〔第６図（ｂ）
〕。すると、ＩＩＩ−Ｖ族半導体ウェハ１４２は（０１
１３ 開面に沿って割札 半導体バーに分離される〔
第６図（Ｃ）〕。同時く 光導波路端面反射鏡が形成さ
れも 発明が解決しようとする課題 上Ｅｌ 従来技術による３種類の化合物半導体ウェハ
分割方法１友 共にダイヤモンドカッター等によって化
合物半導体ウェハ表面に傷をつける工程が含まれていも
この工程はウェハ表面に極めて大きな応力を加える化
合物半導体素子の機能部分は化合物半導体ウェハ表面に
形成されているので、この応力（よ 機能部分に格子欠
陥や転位を誘起すも この工程で誘起された格子欠陥や
転位（よ 特にたとえば発光層となる活性領域を有する
半導体レーザ等の化合物半導体素子の性能や寿命に重大
な影響を及ぼしていも 化合物半導体ウェハ表面に発光
訊 裏面に光出射穴を有する面発光タイプの化合物半導
体発光素子を、従来技術に従って表面に傷を設けてチッ
プに分割しようとするとき、所定の位置でチップ分離す
るのは非常に困難であった これｉ１ 光出射穴が構
造的に弱い部分となっているたへ 従来技術によって形
成した罫描線（傷）に沿うのではなく、構造的に弱い光
出射穴に沿って、ウェハが 開されてしまうのが原因で
あム 光出射穴に沿って 開されるとこれは完全な不良
であム また 従棗 半導体レーザなどの光導波路端面
反射鏡を 開で形成する場合の 開間隔ζ上 精度のよ
い装置を用いても±２０μｍ程度であった 従来技術で
（よ ダイヤモンドカッターによる幅１０μｍ程度の罫
描線を利用しているためくこれ以上の精度を得ることζ
瓜 極めて困難であり丸 従って、半導体レーザの基本
特性を決めるパラメータのひとつである 開間隔すなわ
ち共振器長の設定精度向上には限界があっナ４ 本発明
の目的｛よ 第一へ 化合物半導体ウェハ表面に格子欠
陥や転位を誘起することのない化合物半導体ウェハのチ
ップへの分割方法を提供することであａ第２に化合物半
導体ウェハの分割によって半導体レーザ等の先導波路端
面反射鏡を形成する際に形成する位置精度を大幅に高八
半導体レーザ等の素子特性の安定化を達成することで
あも 第３に たとえ裏面に光出射穴といった構造的に
弱い部分があろうとｋ 所定の位置で化合物半導体ウェ
ハの分割が行える方法を、提供することであも課題を解
決するための手段 上記目的を達成するため艮 本発明の化合物半導体ウェ
ハの分割方法でｊ．ｔ． 表面にエビタキシャル法等
を用いて機能部分を形成した化合物半導体ウェハの裏面
に 前記機能部分に達する力＼ それよりも浅い深さへ
劈開方向に沿ったストライプ状溝を形成した樵 前記化
合物半導体ウェハを前記ストライプ状溝に沿って 開レ
チップに分割するものであも さらに望まし＜１友
本発明において、化合物半導体ウェハ裏面く やじり
形断面形状を持つ深いストライプ状溝を形成し 超音波
を印可する等して、これに沿った 開を生じさせる事に
より、ウェハをチップに分割方法を提供するものである
。
化合物半導体ウェハか収 チツプへの分割方法に関すム 従来の技術 従来技術で１表 ダイヤモンドカッター完全に化合物半
導体ウェハを切断してしまう方法 化合物半導体ウェハ
の表面にダイヤモンドカッターなどでストライプ状の傷
をつけた跣 ウェハに衝撃を加える力＼ ウェハ全体を
面内で広げる方向に力を加えるといった方法をとること
によって、ウェハからチップへと分割してい九 分割面
を、先導波路端面反射鏡として利用する化合物半導体レ
ーザ素子の場合、従来技術では まずダイヤモンドカッ
ターを用いてウェハの周辺部に短い罫描線を入れａ 次
低 罫描線に 開用カッターを当てて、罫描線に沿った
開を生じさせ、先導波路端面反射鏡となる分割面を形
成してい九 半導体ウェハよりチップを取り出す際の従
来技術による工程図を第５図に示も 半導体ウェハ１３
１の表面にダイヤモンド力ツタ１３２等でストライプ状
の溝を形成する〔第５図（ａ）］ ， 半導体ウェハ
１３１に衝撃を加える力＼ 半導体ウェハ１３１全体を
面内で拡げる方向に力を加えることにより、第５図（ｂ
）に示すようへ 半導体チップ１３３に分離されも 第
６図は（０１１）方向に先導波路４ｌを形成したＩＩＩ
−Ｖ族半導体ウエノ１１４２の光導波路端面反射鏡形成
開の工程図であ翫１１Ｉ−Ｖ族半導体ウェハｌ４２ク
ダイヤモンドカッタ−１４３を用いてＩＩＩ−Ｖ族
半導体ウェハ１４２の端部に〔Ｏｌ１〕方向に沿って罫
描線１４４を入れる〔第６図（ａ）〕。次く 罫描線１
４４に 開用カツター１４５を当ても 〔第６図（ｂ）
〕。すると、ＩＩＩ−Ｖ族半導体ウェハ１４２は（０１
１３ 開面に沿って割札 半導体バーに分離される〔
第６図（Ｃ）〕。同時く 光導波路端面反射鏡が形成さ
れも 発明が解決しようとする課題 上Ｅｌ 従来技術による３種類の化合物半導体ウェハ
分割方法１友 共にダイヤモンドカッター等によって化
合物半導体ウェハ表面に傷をつける工程が含まれていも
この工程はウェハ表面に極めて大きな応力を加える化
合物半導体素子の機能部分は化合物半導体ウェハ表面に
形成されているので、この応力（よ 機能部分に格子欠
陥や転位を誘起すも この工程で誘起された格子欠陥や
転位（よ 特にたとえば発光層となる活性領域を有する
半導体レーザ等の化合物半導体素子の性能や寿命に重大
な影響を及ぼしていも 化合物半導体ウェハ表面に発光
訊 裏面に光出射穴を有する面発光タイプの化合物半導
体発光素子を、従来技術に従って表面に傷を設けてチッ
プに分割しようとするとき、所定の位置でチップ分離す
るのは非常に困難であった これｉ１ 光出射穴が構
造的に弱い部分となっているたへ 従来技術によって形
成した罫描線（傷）に沿うのではなく、構造的に弱い光
出射穴に沿って、ウェハが 開されてしまうのが原因で
あム 光出射穴に沿って 開されるとこれは完全な不良
であム また 従棗 半導体レーザなどの光導波路端面
反射鏡を 開で形成する場合の 開間隔ζ上 精度のよ
い装置を用いても±２０μｍ程度であった 従来技術で
（よ ダイヤモンドカッターによる幅１０μｍ程度の罫
描線を利用しているためくこれ以上の精度を得ることζ
瓜 極めて困難であり丸 従って、半導体レーザの基本
特性を決めるパラメータのひとつである 開間隔すなわ
ち共振器長の設定精度向上には限界があっナ４ 本発明
の目的｛よ 第一へ 化合物半導体ウェハ表面に格子欠
陥や転位を誘起することのない化合物半導体ウェハのチ
ップへの分割方法を提供することであａ第２に化合物半
導体ウェハの分割によって半導体レーザ等の先導波路端
面反射鏡を形成する際に形成する位置精度を大幅に高八
半導体レーザ等の素子特性の安定化を達成することで
あも 第３に たとえ裏面に光出射穴といった構造的に
弱い部分があろうとｋ 所定の位置で化合物半導体ウェ
ハの分割が行える方法を、提供することであも課題を解
決するための手段 上記目的を達成するため艮 本発明の化合物半導体ウェ
ハの分割方法でｊ．ｔ． 表面にエビタキシャル法等
を用いて機能部分を形成した化合物半導体ウェハの裏面
に 前記機能部分に達する力＼ それよりも浅い深さへ
劈開方向に沿ったストライプ状溝を形成した樵 前記化
合物半導体ウェハを前記ストライプ状溝に沿って 開レ
チップに分割するものであも さらに望まし＜１友
本発明において、化合物半導体ウェハ裏面く やじり
形断面形状を持つ深いストライプ状溝を形成し 超音波
を印可する等して、これに沿った 開を生じさせる事に
より、ウェハをチップに分割方法を提供するものである
。
作用
この方法を持ってすれば 構造的に弱い部分を持つ化合
物半導体ウェハでｋ 精度よく所定の位置で分割できム
また 分割による格子欠陥や転位などもほとんど生じ
なしも 実施例 第１図は本発明にかかる実施例の工程断面図である。第
１図（ ａ ） ｆ＆ 表面に機能部分１１を有する
化合物半導体ウェハであム 機能部分はＩｎＰもしくは
ＧａＡｓ基板１２表面に化合物半導体エビタキシャル成
長、イオン注入 不純物拡敗 化学エッチング、ドライ
エッチン久 金属膜や絶縁体膜の形成等の工程を経て形
成され４ 機能部分ζ上 半導体レーザであれば活性凰
クラッド層等であり、その他光導波廠 トランジスタ
等の場合もあム 化合物半導体ウェハ裏面に１瓜 鏡面
研磨とＢｒ−メタノール混合液を用いた化学研暦を施し
ていも これ（Ｌ次の工程で、裏面にプラズマＣＶＤ法
で形成するシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜より
なるエッチングマスク１３との良好な密着性を確保する
ための工程であ翫 エッチングマスクｌ３を形゜成Ｕマ
スクｌ３にエッチング窓ｌ５を形成すも そして第１図
（ｂ）に示すよう随 裏面からほとんど機能部分に達す
るような深いストライプ状溝ｌ４を、化学エッチング法
で形成すム 溝１４の中はたとえば１０〜２０μ− 深
さ１００μｊ程度であも このとき、化合物半導体ウェ
ハとエッチングマスクとなるシリコン酸化膜もしくはシ
リコン窒化膜との間の良好な密着性な ぜひ必要であも
良好な密着性を実現できなけれ＋ｉ エッチング時
に大きなサイドエッチングが入り、幅が狭く深さの深い
ストライプ状溝を形成することはできなＬ％ ＩｎＰ
もしくはＧａＡｓの（００ｌ）基板の表面に直交する
開面ｉ；ｔ， （０１１）と（０１丁）である。スト
ライプ状溝１４はこの 間面に沿って形成される。第１
図（ｂ）ＬＥ， ウェハの（ＯＩＴ）断面であり、図
中のストライプ状溝１４は［０１１］方向に沿って形成
されてい；ｆ， ＩｎＰやＧａＡｓｌ＆ 容易に
開する性質を持っている。従って、シリコン酸化膜もし
くはシリコン窒化膜よりなるマスクｌ３を除去後、超音
波印加によって微弱な応力をウェハに与えるだけで、
開方向に沿って構造的に弱い部分、すなわちストライ
プ状溝ｌ４を形成してあるの弘第１図（Ｃ）に示すよう
く ウェハはストライプ状溝に沿って 開され 複数の
チップ１５に分割されもこのとき、機能部分に加わる応
力（表 従来技術による分割の時に加わる応力に較べ
はるかに小さ（℃ そのたべ 化合物半導体ウェハの表
面機能部分に 格子欠陥や転位が応力によって誘起され
る事がほとんどな（℃ 従って、特に大電流を必要とす
る発光素子の寿命を制限する要因の一つを取り除くこと
ができへ 第２図ζ上 機能部分に先導波路を有する化
合物半導体ウェハに関する実施例の工程断面図であム
第２図（ａ）ｌ飄（００１）基板２０上に［０１１］方
向に沿った先導波路２１を形成した化合物半導体ウェハ
の（ＯＩＴ）方向断面であ＆ ２２、２３はクラッド
層である。半導体レーザの光導波路の両端にＩＬ 通
焦 開で先導波路方向と直交する端面反射鏡を形成し
これで共振器を構成すａ 従って、端面反射鏡を形成
するためのストライプ状溝（よ 光導波路方向と直交す
る方向に形成しなければならな（℃ 化合物半導体ウェ
ハ裏面に（ＯＩＴ）に沿ったストライプ状溝２４を、Ｉ
ｎＰの場合には塩酸系エッチングＬ ＧａＡｓの場合
には硫酸系エッチング液を用いてエッチング法で形成す
も こうして、クラッド層２３に達するかそれよりも浅
いたとえば前述した寸法の溝２４を形成すも この方法
によれ（渋 第２図（ｂ）に示すよう４，− やじり形
で幅が狭く深い断面形状のストライプ状溝２４を得るこ
とができも このようなストライプ状溝２４を端面反射
鏡形成に利用するために（戴 光導波路は［０１１］方
向に沿って形成されねばならな（〜 こうしたの板たと
えば超音波印加等の微弱な応力をウエノ）に与えると、
ウェハは複数のチップｌ５に分割されも１２図（ｃ）に
示すよう＆ζ ストライプ状溝２４のやじり形断面先端
に沿って 開が起こり易し ストライプ状溝２４の位置
は フォトリソグラフイの精度で決定されも やじり形
断面先端の位置Ｌ 同様であム フォトリソグラフイの
精度を１μｍ程度に設定する事は容易であム 従って、
端面反射鏡２５の位置精度もこの程度となり、半導体レ
ーザの基本特性を決定するパラメータの一つである共振
器長２６の精度を、従来技術による±２０μｍから±ｌ
μｍ程度にまで抑えることが可能となつ九 第３図（表
裏面に光出射穴を有する化合物ウエノ１に関する実施例
の工程断面図であも 第３図（ａ）Ｉｔ 一種の面発
光レーザのウェハ断面図であム３ｌは基楓３２、３３は
クラッド凰３４はエッチング法で形成した４５“反射鏡
であモ３５は先導波路であり、同時に発光領域となる活
性層でもあム このレーザは第３図（ｃ）に示すよう番
へ３６はレーザ出射窓であり、裏面からのエッチングに
て形成され，４ ４０，４１は電掻であも 電極４０
、４１から活性層に電流を印加することにより、レーザ
光が発生し 活性層内を導波したレーザ光Ｌは４５゜反
射鏡によって裏面方向に反射されも このレーザ光Ｌ（
戴 光出射穴３６より、裏面垂直方向に出射することと
いわゆる面発光となａ さて、このように裏面に大きな
光出射穴３６を有する化合物半導体ウエノ１を、チツプ
３７に分割しようとするとき、化合物半導体の 開が容
易という性質が災いして、構造的に弱い部分である裏面
出射穴３６に沿って 開が起こってしまって不良となも
しかし 第３図（ｂ）に示すよう＆ミ ストライプ状
溝３８を 開方向に沿って形成しておけ（瓜 これに沿
って 開が生じ易くなａ なぜな収 光出射穴３６１上
ウェハ上で一定間隔をおいて並んでいるのに対し
ストライプ状溝３８はウエノ１全体にわたってほとんど
切れ目なく形成されているからであム 第４図はウェハ
の一部の概略を示すもので、光出射穴３６とストライプ
状溝３８の位置関係を示゜す。
物半導体ウェハでｋ 精度よく所定の位置で分割できム
また 分割による格子欠陥や転位などもほとんど生じ
なしも 実施例 第１図は本発明にかかる実施例の工程断面図である。第
１図（ ａ ） ｆ＆ 表面に機能部分１１を有する
化合物半導体ウェハであム 機能部分はＩｎＰもしくは
ＧａＡｓ基板１２表面に化合物半導体エビタキシャル成
長、イオン注入 不純物拡敗 化学エッチング、ドライ
エッチン久 金属膜や絶縁体膜の形成等の工程を経て形
成され４ 機能部分ζ上 半導体レーザであれば活性凰
クラッド層等であり、その他光導波廠 トランジスタ
等の場合もあム 化合物半導体ウェハ裏面に１瓜 鏡面
研磨とＢｒ−メタノール混合液を用いた化学研暦を施し
ていも これ（Ｌ次の工程で、裏面にプラズマＣＶＤ法
で形成するシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜より
なるエッチングマスク１３との良好な密着性を確保する
ための工程であ翫 エッチングマスクｌ３を形゜成Ｕマ
スクｌ３にエッチング窓ｌ５を形成すも そして第１図
（ｂ）に示すよう随 裏面からほとんど機能部分に達す
るような深いストライプ状溝ｌ４を、化学エッチング法
で形成すム 溝１４の中はたとえば１０〜２０μ− 深
さ１００μｊ程度であも このとき、化合物半導体ウェ
ハとエッチングマスクとなるシリコン酸化膜もしくはシ
リコン窒化膜との間の良好な密着性な ぜひ必要であも
良好な密着性を実現できなけれ＋ｉ エッチング時
に大きなサイドエッチングが入り、幅が狭く深さの深い
ストライプ状溝を形成することはできなＬ％ ＩｎＰ
もしくはＧａＡｓの（００ｌ）基板の表面に直交する
開面ｉ；ｔ， （０１１）と（０１丁）である。スト
ライプ状溝１４はこの 間面に沿って形成される。第１
図（ｂ）ＬＥ， ウェハの（ＯＩＴ）断面であり、図
中のストライプ状溝１４は［０１１］方向に沿って形成
されてい；ｆ， ＩｎＰやＧａＡｓｌ＆ 容易に
開する性質を持っている。従って、シリコン酸化膜もし
くはシリコン窒化膜よりなるマスクｌ３を除去後、超音
波印加によって微弱な応力をウェハに与えるだけで、
開方向に沿って構造的に弱い部分、すなわちストライ
プ状溝ｌ４を形成してあるの弘第１図（Ｃ）に示すよう
く ウェハはストライプ状溝に沿って 開され 複数の
チップ１５に分割されもこのとき、機能部分に加わる応
力（表 従来技術による分割の時に加わる応力に較べ
はるかに小さ（℃ そのたべ 化合物半導体ウェハの表
面機能部分に 格子欠陥や転位が応力によって誘起され
る事がほとんどな（℃ 従って、特に大電流を必要とす
る発光素子の寿命を制限する要因の一つを取り除くこと
ができへ 第２図ζ上 機能部分に先導波路を有する化
合物半導体ウェハに関する実施例の工程断面図であム
第２図（ａ）ｌ飄（００１）基板２０上に［０１１］方
向に沿った先導波路２１を形成した化合物半導体ウェハ
の（ＯＩＴ）方向断面であ＆ ２２、２３はクラッド
層である。半導体レーザの光導波路の両端にＩＬ 通
焦 開で先導波路方向と直交する端面反射鏡を形成し
これで共振器を構成すａ 従って、端面反射鏡を形成
するためのストライプ状溝（よ 光導波路方向と直交す
る方向に形成しなければならな（℃ 化合物半導体ウェ
ハ裏面に（ＯＩＴ）に沿ったストライプ状溝２４を、Ｉ
ｎＰの場合には塩酸系エッチングＬ ＧａＡｓの場合
には硫酸系エッチング液を用いてエッチング法で形成す
も こうして、クラッド層２３に達するかそれよりも浅
いたとえば前述した寸法の溝２４を形成すも この方法
によれ（渋 第２図（ｂ）に示すよう４，− やじり形
で幅が狭く深い断面形状のストライプ状溝２４を得るこ
とができも このようなストライプ状溝２４を端面反射
鏡形成に利用するために（戴 光導波路は［０１１］方
向に沿って形成されねばならな（〜 こうしたの板たと
えば超音波印加等の微弱な応力をウエノ）に与えると、
ウェハは複数のチップｌ５に分割されも１２図（ｃ）に
示すよう＆ζ ストライプ状溝２４のやじり形断面先端
に沿って 開が起こり易し ストライプ状溝２４の位置
は フォトリソグラフイの精度で決定されも やじり形
断面先端の位置Ｌ 同様であム フォトリソグラフイの
精度を１μｍ程度に設定する事は容易であム 従って、
端面反射鏡２５の位置精度もこの程度となり、半導体レ
ーザの基本特性を決定するパラメータの一つである共振
器長２６の精度を、従来技術による±２０μｍから±ｌ
μｍ程度にまで抑えることが可能となつ九 第３図（表
裏面に光出射穴を有する化合物ウエノ１に関する実施例
の工程断面図であも 第３図（ａ）Ｉｔ 一種の面発
光レーザのウェハ断面図であム３ｌは基楓３２、３３は
クラッド凰３４はエッチング法で形成した４５“反射鏡
であモ３５は先導波路であり、同時に発光領域となる活
性層でもあム このレーザは第３図（ｃ）に示すよう番
へ３６はレーザ出射窓であり、裏面からのエッチングに
て形成され，４ ４０，４１は電掻であも 電極４０
、４１から活性層に電流を印加することにより、レーザ
光が発生し 活性層内を導波したレーザ光Ｌは４５゜反
射鏡によって裏面方向に反射されも このレーザ光Ｌ（
戴 光出射穴３６より、裏面垂直方向に出射することと
いわゆる面発光となａ さて、このように裏面に大きな
光出射穴３６を有する化合物半導体ウエノ１を、チツプ
３７に分割しようとするとき、化合物半導体の 開が容
易という性質が災いして、構造的に弱い部分である裏面
出射穴３６に沿って 開が起こってしまって不良となも
しかし 第３図（ｂ）に示すよう＆ミ ストライプ状
溝３８を 開方向に沿って形成しておけ（瓜 これに沿
って 開が生じ易くなａ なぜな収 光出射穴３６１上
ウェハ上で一定間隔をおいて並んでいるのに対し
ストライプ状溝３８はウエノ１全体にわたってほとんど
切れ目なく形成されているからであム 第４図はウェハ
の一部の概略を示すもので、光出射穴３６とストライプ
状溝３８の位置関係を示゜す。
チップへの分割（表 超音波を印加することによって行
う。例えばこの工程｛瓜 ま負 ウェハを水またはメタ
ノーノレ、アセトンといった有機溶剤を満たした容器に
ひたし この容器を一般の超音波洗浄器に投入して、超
音波を印加するといったものである。このとき超音波の
強さを適当に設定しなけれ（戴 ストライプ状溝に沿っ
てだけでなく光出射穴に沿ってＬ 開が生じてしまう
。したがって、最適な超音波の強さ（戴 ウエ／％の厚
＆ ストライプ状溝３８の幅などによって大きく変化す
も例えば ウェハの厚さ１００μ代 ストライプ状溝３
８の幅１５μｍ×深さ９０μ亀 光出射穴３６底面の広
さ１００μｍＸ１００μｍのとき、一般の超音波洗浄器
を約２０Ｗで駆動すれば ストライプ状溝３８に沿って
だけ開を生じさせることができ九 このようへ 特に裏
面に大きな光出射穴を有する化合物半導体ウェハでＬ
本発明を持ってすれ（Ｌ 光出射穴で分割の生じること
なく所定の位置でウェハの分割を達成することができも 発明の効果 本発明によれは 表面に機能部分を有する化合物半導体
ウェハの裏面に溝を形成することにより、構造的に弱い
部分をもつ化合物半導体ウェハをチップに確実に分割で
き、分割不良をほとんど発生することがなしも したが
って、本発明｛よ 化合物半導体装置の大量製造に大き
く寄与するものである。
う。例えばこの工程｛瓜 ま負 ウェハを水またはメタ
ノーノレ、アセトンといった有機溶剤を満たした容器に
ひたし この容器を一般の超音波洗浄器に投入して、超
音波を印加するといったものである。このとき超音波の
強さを適当に設定しなけれ（戴 ストライプ状溝に沿っ
てだけでなく光出射穴に沿ってＬ 開が生じてしまう
。したがって、最適な超音波の強さ（戴 ウエ／％の厚
＆ ストライプ状溝３８の幅などによって大きく変化す
も例えば ウェハの厚さ１００μ代 ストライプ状溝３
８の幅１５μｍ×深さ９０μ亀 光出射穴３６底面の広
さ１００μｍＸ１００μｍのとき、一般の超音波洗浄器
を約２０Ｗで駆動すれば ストライプ状溝３８に沿って
だけ開を生じさせることができ九 このようへ 特に裏
面に大きな光出射穴を有する化合物半導体ウェハでＬ
本発明を持ってすれ（Ｌ 光出射穴で分割の生じること
なく所定の位置でウェハの分割を達成することができも 発明の効果 本発明によれは 表面に機能部分を有する化合物半導体
ウェハの裏面に溝を形成することにより、構造的に弱い
部分をもつ化合物半導体ウェハをチップに確実に分割で
き、分割不良をほとんど発生することがなしも したが
って、本発明｛よ 化合物半導体装置の大量製造に大き
く寄与するものである。
第１図は本発明にかかる実施例の工程断面医第２図は
機能部分に先導波路を有する化合物半導体ウェハに関す
る実施例の工程断面＠ 第３図（上 裏面に光出射穴を
有する化合物半導体ウェハに関する実施例の工程断面は
第４図はウェハの概略は 第５皿 第６図は従来の分
割工程図である。 １２， ２０． ３１・・・・化合物半導体基板、１１
・・・・機能部分、１４， ２４． ３８・・・・スト
ライプ状Ｒ １５・・・・半導体チップ、３６・・・
・光出射凡 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほかｌ名第 図 （α） 第 図 （Ｑ） 第 図
機能部分に先導波路を有する化合物半導体ウェハに関す
る実施例の工程断面＠ 第３図（上 裏面に光出射穴を
有する化合物半導体ウェハに関する実施例の工程断面は
第４図はウェハの概略は 第５皿 第６図は従来の分
割工程図である。 １２， ２０． ３１・・・・化合物半導体基板、１１
・・・・機能部分、１４， ２４． ３８・・・・スト
ライプ状Ｒ １５・・・・半導体チップ、３６・・・
・光出射凡 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほかｌ名第 図 （α） 第 図 （Ｑ） 第 図
Claims (7)
- （１）表面に結晶成長層が形成されこの成長層に半導体
素子の機能部が作成された化合物半導体ウェハを用意す
る工程と、前記ウェハの裏面から前記半導体基板の一部
を選択的にエッチングして前記成長層に達するかそれよ
りも浅い深さの劈開方向に沿った分割用のストライプ状
溝を形成する工程と、前記溝に沿って前記化合物半導体
ウェハを開し、前記半導体素子の形成された半導体チッ
プに分割する工程とを備えたことを特徴とする化合物半
導体ウェハの分割方法。 - （２）化合物半導体ウェハの裏面を、鏡面研磨し、更に
Ｂｒ−メタノール混合液を用いて化学研磨した後、前記
裏面にプラズマＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜もしく
はシリコン窒化膜を形成し、これをマスクとしたエッチ
ング法によりストライプ状溝を形成することを特徴とす
る請求項１記載の化合物半導体ウェハの分割方法。 - （３）化合物半導体（００１）基板上に形成した表面機
能部分に〔０１１〕方向に沿った光導波路を有する化合
物半導体ウェハ裏面に、前記光導波路と直交する方向に
沿って、請求項１記載のストライプ状溝を形成すること
を特徴とする請求項２記載の化合物半導体ウェハの分割
方法。 - （４）化合物半導体ウェハとしてＩｎＰウェハを用い、
塩酸系エッチング液でやじり形断面をもつストライプ状
溝を形成した請求項３記載の化合物半導体ウェハの分割
方法。 - （５）化合物半導体ウェハとしてＧａＡｓウェハを用い
、塩酸系エッチング液でストライプ状溝を形成した請求
項３記載の化合物半導体ウェハの分割方法。 - （６）表面機能部分に発光部、裏面に光出射穴を有する
化合物半導体ウェハを用いた請求項１記載の化合物半導
体ウェハの分割方法。 - （７）ストライプ状溝を形成した後に、請求項１記載の
化合物半導体ウェハに、超音波を印可してチップに分割
することを特徴とする化合物半導体ウェハの分割方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17807988 | 1988-07-19 | ||
| JP63-178079 | 1988-07-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02132844A true JPH02132844A (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=16042256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1182923A Pending JPH02132844A (ja) | 1988-07-19 | 1989-07-14 | 化合物半導体ウェハの分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02132844A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10328876A1 (de) * | 2003-06-26 | 2005-02-03 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterchips aus einem Wafer |
| JP2008505486A (ja) * | 2004-06-30 | 2008-02-21 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 極薄ダイおよびその製造方法 |
| JP2008544549A (ja) * | 2005-06-22 | 2008-12-04 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 化学的ダイ単一化技法 |
| JP2009130128A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Denso Corp | ウエハの分割方法 |
| CN103341692A (zh) * | 2013-06-26 | 2013-10-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 切割不规则图形基板的方法和显示装置 |
| KR101381123B1 (ko) * | 2012-11-26 | 2014-04-04 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 기판 커팅방법 |
| CN105217944A (zh) * | 2015-10-28 | 2016-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种切割裂片装置 |
| US11973309B2 (en) | 2019-03-07 | 2024-04-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor chip manufacturing device and method of manufacturing semiconductor chips |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP1182923A patent/JPH02132844A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US9416041B2 (en) | 2013-06-26 | 2016-08-16 | Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. | Method for cutting substrate of irregular pattern and display device |
| US10414683B2 (en) | 2013-06-26 | 2019-09-17 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method for cutting substrate of irregular pattern and display device |
| CN105217944A (zh) * | 2015-10-28 | 2016-01-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种切割裂片装置 |
| US11973309B2 (en) | 2019-03-07 | 2024-04-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor chip manufacturing device and method of manufacturing semiconductor chips |
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