JP2002052448A - 半導体ウェハおよびその加工方法 - Google Patents
半導体ウェハおよびその加工方法Info
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- JP2002052448A JP2002052448A JP2000244039A JP2000244039A JP2002052448A JP 2002052448 A JP2002052448 A JP 2002052448A JP 2000244039 A JP2000244039 A JP 2000244039A JP 2000244039 A JP2000244039 A JP 2000244039A JP 2002052448 A JP2002052448 A JP 2002052448A
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- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 オリエンテーションフラットによるウェハの
結晶方位の判別や位置合わせの精度を低下させることな
く、ウェハの処理工程中にチッピングや割れなどのウェ
ハの損傷を防止することができる、半導体ウェハおよび
その加工方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ１０の劈開してその外周に
劈開面１２を形成し、この劈開面１２と半導体ウェハ１
０の表裏面とが交差する部分である表面側角部および裏
面側角部の少なくとも一方を、劈開面１２の一部が所定
の厚さ分だけ残るように面取り加工する。
結晶方位の判別や位置合わせの精度を低下させることな
く、ウェハの処理工程中にチッピングや割れなどのウェ
ハの損傷を防止することができる、半導体ウェハおよび
その加工方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ１０の劈開してその外周に
劈開面１２を形成し、この劈開面１２と半導体ウェハ１
０の表裏面とが交差する部分である表面側角部および裏
面側角部の少なくとも一方を、劈開面１２の一部が所定
の厚さ分だけ残るように面取り加工する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハおよ
びその加工方法に関し、特にオリエンテーションフラッ
トが設けられた半導体ウェハおよびその加工方法に関す
る。
びその加工方法に関し、特にオリエンテーションフラッ
トが設けられた半導体ウェハおよびその加工方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とい
う）の結晶方位の判別や位置合わせのために、ウェハの
外周にオリエンテーションフラット（オリフラ）を作成
する場合がある。このようなオリエンテーションフラッ
トは、ウェハの外周部を研削することにより形成され、
あるいは結晶の劈開面を利用して形成される。
う）の結晶方位の判別や位置合わせのために、ウェハの
外周にオリエンテーションフラット（オリフラ）を作成
する場合がある。このようなオリエンテーションフラッ
トは、ウェハの外周部を研削することにより形成され、
あるいは結晶の劈開面を利用して形成される。
【０００３】しかし、ウェハの劈開面を加工せずにその
ままオリエンテーションフラットとして結晶方位の判別
や位置合わせに利用すると、ウェハの劈開面がウェハの
表裏面と直角をなす角部がウェハの処理工程中に欠け易
く、すなわちチッピングが生じ易く、このチッピング
（欠け）によりウェハが割れ易く、ウェハの不良率が高
くなり、歩留まりが低下するという問題がある。
ままオリエンテーションフラットとして結晶方位の判別
や位置合わせに利用すると、ウェハの劈開面がウェハの
表裏面と直角をなす角部がウェハの処理工程中に欠け易
く、すなわちチッピングが生じ易く、このチッピング
（欠け）によりウェハが割れ易く、ウェハの不良率が高
くなり、歩留まりが低下するという問題がある。
【０００４】このような問題が起こらないようにするた
め、ウェハの劈開面を含むウェハの全周を研削加工する
方法が知られている。
め、ウェハの劈開面を含むウェハの全周を研削加工する
方法が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ウェハの劈開
面を含むウェハの全周を研削加工する方法は、劈開面も
含むウェハ全周を同時に研削加工する方法であるため、
研削機の状態やオペレータの技量に左右され、劈開面を
加工せずにそのままオリエンテーションフラットとする
場合と比べて、オリエンテーションフラットによるウェ
ハの結晶方位の判別や位置合わせの精度が悪くなるとい
う問題がある。
面を含むウェハの全周を研削加工する方法は、劈開面も
含むウェハ全周を同時に研削加工する方法であるため、
研削機の状態やオペレータの技量に左右され、劈開面を
加工せずにそのままオリエンテーションフラットとする
場合と比べて、オリエンテーションフラットによるウェ
ハの結晶方位の判別や位置合わせの精度が悪くなるとい
う問題がある。
【０００６】また、ウェハを半導体レーザなどに利用す
る場合には、その共振面が良好な平坦度を有する必要が
ある等の理由から、その共振面として劈開面を利用して
いるので、上記の面取り加工方法は、このような用途に
使用することができない。
る場合には、その共振面が良好な平坦度を有する必要が
ある等の理由から、その共振面として劈開面を利用して
いるので、上記の面取り加工方法は、このような用途に
使用することができない。
【０００７】したがって、本発明は、このような従来の
問題点に鑑み、オリエンテーションフラットによるウェ
ハの結晶方位の判別や位置合わせの精度を低下させるこ
となく、ウェハの処理工程中にチッピングや割れなどの
ウェハの損傷を防止することができる、半導体ウェハお
よびその加工方法を提供することを目的とする。
問題点に鑑み、オリエンテーションフラットによるウェ
ハの結晶方位の判別や位置合わせの精度を低下させるこ
となく、ウェハの処理工程中にチッピングや割れなどの
ウェハの損傷を防止することができる、半導体ウェハお
よびその加工方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意研究した結果、ウェハを劈開した
後、ウェハの劈開面の一部が所定の厚さ分だけ残るよう
に、ウェハの劈開面がウェハの表裏面と直角をなす表面
側角部および裏面側角部の少なくとも一方を面取り加工
して、ウェハの外周にオリエンテーションフラットを形
成することにより、オリエンテーションフラットによる
ウェハの結晶方位の判別や位置合わせの精度を低下させ
ることなく、ウェハの処理工程中にチッピングや割れな
どのウェハの損傷を防止して、ウェハの不良率を低減す
ることができることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
を解決するために鋭意研究した結果、ウェハを劈開した
後、ウェハの劈開面の一部が所定の厚さ分だけ残るよう
に、ウェハの劈開面がウェハの表裏面と直角をなす表面
側角部および裏面側角部の少なくとも一方を面取り加工
して、ウェハの外周にオリエンテーションフラットを形
成することにより、オリエンテーションフラットによる
ウェハの結晶方位の判別や位置合わせの精度を低下させ
ることなく、ウェハの処理工程中にチッピングや割れな
どのウェハの損傷を防止して、ウェハの不良率を低減す
ることができることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００９】すなわち、本発明による半導体ウェハは、
半導体ウェハの外周に形成された劈開面と半導体ウェハ
の表裏面とが交差する部分である表面側角部および裏面
側角部の少なくとも一方が、劈開面の一部が所定の厚さ
分だけ残るように面取り加工されていることを特徴とす
る。この半導体ウェハにおいて、表面側角部および裏面
側角部の少なくとも一方の全長にわたって面取り加工さ
れていることが好ましい。また、この半導体ウェハの劈
開面に残される所定の厚さは、半導体ウェハの厚さに対
して１／２乃至９／１０の厚さにするのが好ましい。
半導体ウェハの外周に形成された劈開面と半導体ウェハ
の表裏面とが交差する部分である表面側角部および裏面
側角部の少なくとも一方が、劈開面の一部が所定の厚さ
分だけ残るように面取り加工されていることを特徴とす
る。この半導体ウェハにおいて、表面側角部および裏面
側角部の少なくとも一方の全長にわたって面取り加工さ
れていることが好ましい。また、この半導体ウェハの劈
開面に残される所定の厚さは、半導体ウェハの厚さに対
して１／２乃至９／１０の厚さにするのが好ましい。
【００１０】また、本発明による半導体ウェハの加工方
法は、半導体ウェハを劈開してその外周に劈開面を形成
し、この劈開面と半導体ウェハの表裏面とが交差する部
分である表面側角部および裏面側角部の少なくとも一方
を、前記劈開面の一部が所定の厚さ分だけ残るように面
取り加工することを特徴とする。この半導体ウェハの加
工方法において、表面側角部および裏面側角部の少なく
とも一方の全長にわたって面取り加工することが好まし
い。また、この半導体ウェハの加工方法において、劈開
面に残される所定の厚さは、半導体ウェハの厚さに対し
て１／２乃至９／１０の厚さにするのが好ましい。
法は、半導体ウェハを劈開してその外周に劈開面を形成
し、この劈開面と半導体ウェハの表裏面とが交差する部
分である表面側角部および裏面側角部の少なくとも一方
を、前記劈開面の一部が所定の厚さ分だけ残るように面
取り加工することを特徴とする。この半導体ウェハの加
工方法において、表面側角部および裏面側角部の少なく
とも一方の全長にわたって面取り加工することが好まし
い。また、この半導体ウェハの加工方法において、劈開
面に残される所定の厚さは、半導体ウェハの厚さに対し
て１／２乃至９／１０の厚さにするのが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明による半導体ウェハの加工
方法の実施の形態では、半導体ウェハの劈開してその外
周に劈開面を形成し、この劈開面と半導体ウェハの表裏
面とが交差する部分である表面側角部および裏面側角部
の少なくとも一方を、面取り装置により劈開面の一部が
所定の厚さ分だけ残るように面取り加工する。劈開面に
残される所定の厚さは、半導体ウェハの厚さに対して１
／２〜９／１０の厚さにするのが好ましい。１／２未満
の厚さにすると結晶方位の判別や位置合わせの精度が低
下し、９／１０より厚くするとチッピングや割れなどに
よる不良率が増加するからである。
方法の実施の形態では、半導体ウェハの劈開してその外
周に劈開面を形成し、この劈開面と半導体ウェハの表裏
面とが交差する部分である表面側角部および裏面側角部
の少なくとも一方を、面取り装置により劈開面の一部が
所定の厚さ分だけ残るように面取り加工する。劈開面に
残される所定の厚さは、半導体ウェハの厚さに対して１
／２〜９／１０の厚さにするのが好ましい。１／２未満
の厚さにすると結晶方位の判別や位置合わせの精度が低
下し、９／１０より厚くするとチッピングや割れなどに
よる不良率が増加するからである。
【００１２】劈開面の一部が上記の厚さ分だけ残るよう
に面取り加工することにより、オリエンテーションフラ
ットによるウェハの結晶方位の判別や位置合わせの精度
を低下させることなく、ウェハの処理工程中にチッピン
グや割れなどのウェハの損傷を防止して、ウェハの不良
率を低減することができる。
に面取り加工することにより、オリエンテーションフラ
ットによるウェハの結晶方位の判別や位置合わせの精度
を低下させることなく、ウェハの処理工程中にチッピン
グや割れなどのウェハの損傷を防止して、ウェハの不良
率を低減することができる。
【００１３】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明による半導体
ウェハおよびその加工方法について詳細に説明する。な
お、以下の実施例および比較例では、半導体ウェハの例
としてＧａＡｓウェハを使用した。
ウェハおよびその加工方法について詳細に説明する。な
お、以下の実施例および比較例では、半導体ウェハの例
としてＧａＡｓウェハを使用した。
【００１４】［実施例］ＧａＡｓ単結晶をスライスして
加工することにより、図１（ａ）および図１（ｂ）に示
すように、直径３インチ、厚さ５５０μｍの円形のＧａ
Ａｓウェハ１０を５０枚作製した。次に、これらのウェ
ハ１０を図２（ａ）の一点鎖線に沿って劈開することに
より、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、ウェ
ハ１０の外周に劈開面１２を形成してオリエンテーショ
ンフラットを形成した。その後、図３（ａ）および図３
（ｂ）に示すように、面取り加工装置を用いてオリエン
テーションフラットの角部の面取り加工を行って面取り
部１４を形成した。この面取り加工では、図４に示すよ
うに、ウェハ１０の表面と面取り部１４との間の角度が
２２度をなす治具を用いて、劈開面１２の部分が厚さ３
００μｍだけ残るように面取り加工を行った。
加工することにより、図１（ａ）および図１（ｂ）に示
すように、直径３インチ、厚さ５５０μｍの円形のＧａ
Ａｓウェハ１０を５０枚作製した。次に、これらのウェ
ハ１０を図２（ａ）の一点鎖線に沿って劈開することに
より、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、ウェ
ハ１０の外周に劈開面１２を形成してオリエンテーショ
ンフラットを形成した。その後、図３（ａ）および図３
（ｂ）に示すように、面取り加工装置を用いてオリエン
テーションフラットの角部の面取り加工を行って面取り
部１４を形成した。この面取り加工では、図４に示すよ
うに、ウェハ１０の表面と面取り部１４との間の角度が
２２度をなす治具を用いて、劈開面１２の部分が厚さ３
００μｍだけ残るように面取り加工を行った。
【００１５】このようにして面取り加工を行ったウェハ
１０について、貼付け、一次研磨、仕上研磨、剥ぎ取
り、洗浄、検査などの工程を行い、オリエンテーション
フラットのチッピングやウェハの割れを調べたところ、
チッピングや割れなどの破損は見られなかった。また、
本実施例のようなオリエンテーションフラットの角部の
面取り加工により、ウェハの不良率を０．５パーセント
まで低減できることがわかった。
１０について、貼付け、一次研磨、仕上研磨、剥ぎ取
り、洗浄、検査などの工程を行い、オリエンテーション
フラットのチッピングやウェハの割れを調べたところ、
チッピングや割れなどの破損は見られなかった。また、
本実施例のようなオリエンテーションフラットの角部の
面取り加工により、ウェハの不良率を０．５パーセント
まで低減できることがわかった。
【００１６】また、Ｘ線回折法によりオリエンテーショ
ンフラットの結晶方位とのずれを測定したところ、母数
５０枚で、平均０．６秒、標準偏差７．１秒であった。
ンフラットの結晶方位とのずれを測定したところ、母数
５０枚で、平均０．６秒、標準偏差７．１秒であった。
【００１７】なお、本実施例では、ウェハ１０の劈開面
１２がウェハ１０の表裏面と直角をなす表面側角部およ
び裏面側角部の両方を面取り加工したが、これらの角部
の一方のみを面取り加工してもよい。
１２がウェハ１０の表裏面と直角をなす表面側角部およ
び裏面側角部の両方を面取り加工したが、これらの角部
の一方のみを面取り加工してもよい。
【００１８】［比較例１］実施例と同様の方法でウェハ
の外周にオリエンテーションフラットを形成した後、面
取り加工しないウェハについて、実施例と同様の工程を
行い、オリエンテーションフラットのチッピングやウェ
ハの割れを調べたところ、３パーセント程度のオリエン
テーションフラットの破損（チッピング、割れ）が発生
していた。
の外周にオリエンテーションフラットを形成した後、面
取り加工しないウェハについて、実施例と同様の工程を
行い、オリエンテーションフラットのチッピングやウェ
ハの割れを調べたところ、３パーセント程度のオリエン
テーションフラットの破損（チッピング、割れ）が発生
していた。
【００１９】［比較例２］予めオリエンテーションフラ
ット研削したＧａＡｓ単結晶をスライスして加工した
後、オリエンテーションフラット部を含むウェハの全周
にわたって研削および面取り加工した。このように機械
加工したウェハについて、実施例と同様の工程を行い、
オリエンテーションフラットのチッピングやウェハの割
れを調べたところ、オリエンテーションフラットの破損
（チッピング、割れ）は発生しなかった。しかし、Ｘ線
回折法によりオリエンテーションフラットの結晶方位と
のずれを測定したところ、母数５０枚で、平均２７秒、
標準偏差３分３５秒であった。
ット研削したＧａＡｓ単結晶をスライスして加工した
後、オリエンテーションフラット部を含むウェハの全周
にわたって研削および面取り加工した。このように機械
加工したウェハについて、実施例と同様の工程を行い、
オリエンテーションフラットのチッピングやウェハの割
れを調べたところ、オリエンテーションフラットの破損
（チッピング、割れ）は発生しなかった。しかし、Ｘ線
回折法によりオリエンテーションフラットの結晶方位と
のずれを測定したところ、母数５０枚で、平均２７秒、
標準偏差３分３５秒であった。
【００２０】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、ウェ
ハを劈開した後、ウェハの劈開面の一部が所定の厚さ分
だけ残るように、ウェハの劈開面がウェハの表裏面と直
角をなす表面側角部および裏面側角部の少なくとも一方
を面取り加工して、ウェハの外周にオリエンテーション
フラットを形成することにより、オリエンテーションフ
ラットによるウェハの結晶方位の判別や位置合わせの精
度を低下させることなく、ウェハの処理工程中にチッピ
ングや割れなどのウェハの損傷を防止して、ウェハの不
良率を低減することができる。
ハを劈開した後、ウェハの劈開面の一部が所定の厚さ分
だけ残るように、ウェハの劈開面がウェハの表裏面と直
角をなす表面側角部および裏面側角部の少なくとも一方
を面取り加工して、ウェハの外周にオリエンテーション
フラットを形成することにより、オリエンテーションフ
ラットによるウェハの結晶方位の判別や位置合わせの精
度を低下させることなく、ウェハの処理工程中にチッピ
ングや割れなどのウェハの損傷を防止して、ウェハの不
良率を低減することができる。
【図１】本発明による半導体ウェハの加工方法の実施の
形態における工程を説明する図であり、（ａ）および
（ｂ）はそれぞれスライス加工により得られた半導体ウ
ェハの平面図および厚さ方向に拡大した断面図である。
形態における工程を説明する図であり、（ａ）および
（ｂ）はそれぞれスライス加工により得られた半導体ウ
ェハの平面図および厚さ方向に拡大した断面図である。
【図２】本発明による半導体ウェハの加工方法の実施の
形態における工程を説明する図であり、（ａ）および
（ｂ）はそれぞれ劈開後の半導体ウェハの平面図および
厚さ方向に拡大した断面図である。
形態における工程を説明する図であり、（ａ）および
（ｂ）はそれぞれ劈開後の半導体ウェハの平面図および
厚さ方向に拡大した断面図である。
【図３】本発明による半導体ウェハの加工方法の実施の
形態における工程を説明する図であり、（ａ）および
（ｂ）はそれぞれ面取り後の半導体ウェハの平面図およ
び厚さ方向に拡大した断面図である。
形態における工程を説明する図であり、（ａ）および
（ｂ）はそれぞれ面取り後の半導体ウェハの平面図およ
び厚さ方向に拡大した断面図である。
【図４】本発明による半導体ウェハの加工方法の実施の
形態における劈開面の面取り部を概略的に示す図。
形態における劈開面の面取り部を概略的に示す図。
【符号の説明】 １０ 半導体ウェハ １２ 劈開面 １４ 面取り部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松崎 義邦 東京都千代田区丸の内一丁目８番２号 同 和鉱業株式会社内 Ｆターム(参考） 3C049 AA02 CA02 CA05 CB01
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウェハの外周に形成された劈開面
と半導体ウェハの表裏面とが交差する部分である表面側
角部および裏面側角部の少なくとも一方が、前記劈開面
の一部が所定の厚さ分だけ残るように面取り加工されて
いることを特徴とする、半導体ウェハ。 - 【請求項２】 前記表面側角部および前記裏面側角部の
少なくとも一方の全長にわたって面取り加工されている
ことを特徴とする、請求項１に記載の半導体ウェハ。 - 【請求項３】 前記所定の厚さが前記半導体ウェハの厚
さに対して１／２乃至９／１０の厚さであることを特徴
とする、請求項１または２に記載の半導体ウェハ。 - 【請求項４】 半導体ウェハを劈開してその外周に劈開
面を形成し、この劈開面と前記半導体ウェハの表裏面と
が交差する部分である表面側角部および裏面側角部の少
なくとも一方を、前記劈開面の一部が所定の厚さ分だけ
残るように面取り加工することを特徴とする、半導体ウ
ェハの加工方法。 - 【請求項５】 前記表面側角部および前記裏面側角部の
少なくとも一方の全長にわたって面取り加工することを
特徴とする、請求項４に記載の半導体ウェハの加工方
法。 - 【請求項６】 前記所定の厚さが前記半導体ウェハの厚
さに対して１／２乃至９／１０の厚さであることを特徴
とする、請求項４または５に記載の半導体ウェハの加工
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000244039A JP2002052448A (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | 半導体ウェハおよびその加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000244039A JP2002052448A (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | 半導体ウェハおよびその加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002052448A true JP2002052448A (ja) | 2002-02-19 |
Family
ID=18734787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000244039A Pending JP2002052448A (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | 半導体ウェハおよびその加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002052448A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010515270A (ja) * | 2006-12-28 | 2010-05-06 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | サファイア基板及びその製造方法 |
| US8197303B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-06-12 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
| US8740670B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-06-03 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
| CN112326707A (zh) * | 2020-09-27 | 2021-02-05 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法 |
-
2000
- 2000-08-07 JP JP2000244039A patent/JP2002052448A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010515270A (ja) * | 2006-12-28 | 2010-05-06 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | サファイア基板及びその製造方法 |
| US8197303B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-06-12 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
| US8455879B2 (en) | 2006-12-28 | 2013-06-04 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
| US8740670B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-06-03 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
| US9464365B2 (en) | 2006-12-28 | 2016-10-11 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrate |
| CN112326707A (zh) * | 2020-09-27 | 2021-02-05 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法 |
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