JPH04254464A - 半導体磁器物質 - Google Patents
半導体磁器物質Info
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- JPH04254464A JPH04254464A JP3031836A JP3183691A JPH04254464A JP H04254464 A JPH04254464 A JP H04254464A JP 3031836 A JP3031836 A JP 3031836A JP 3183691 A JP3183691 A JP 3183691A JP H04254464 A JPH04254464 A JP H04254464A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電圧依存非直線抵抗特
性を有する半導体磁器物質に係り、特に従来品に比して
安価に提供することを可能とした磁器物質に関するもの
である。 【０００２】 【従来の技術】小型モータのノイズ防止用リングバリス
タに使用される半導体磁器物質は、一般にＳｒＴｉＯ３
を主成分とする系統に属する物質と、ＳｎＯ２ を主
成分とする系統の物質に分類される。後者に属するＳｎ
Ｏ２ 系については、主成分であるＳｎＯ２ にＳｂ２
Ｏ５ 、Ｂｉ２ Ｏ３ 、ＣｏＯを副成分として含有
する非直線性抵抗体に関する特許（特公昭５２−４０７
６０、特公昭５２−４７１５８）が公告され実用化され
ている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】上述のＳｒＴｉＯ３
を主成分とする磁器物質においては、非直線係数αは極
めて高いという優位性を有するが、該磁器物質はその成
分に起因する焼結性の劣化により脆く、したがってモー
タに取り付ける際に割れが発生し易いなどの欠点を有し
ているために、特にパーツの小型化は困難である。 【０００４】一方、ＳｎＯ２ を主成分とする磁器物質
は、非直線係数αは前者程ではないが、実用上差し支え
のない程度の値を有する反面、焼結体の強度が前者に比
して極めて高く、十分前者の欠点を償うことができると
いう利点を有する。 【０００５】しかしながら後者においては磁器物質の原
料にＳｎＯ２ 、Ｓｂ２ Ｏ５ 、Ｂｉ２ Ｏ３ およ
びＣｏＯという高価な粉末を使用するために、必然的に
製品の価格は相当上昇するなどの問題点を有している。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、斯る課題
を解決するため、ＳｎＯ２ を主成分とする磁器物質の
主原料である高価なＳｎＯ２ 粉末の少なくとも一部を
、はるかに安価なＺｎＯに代替えすることを考え、鋭意
研究の結果、ＳｎＯ２ ２０〜９９．５モル％、ＺｎＯ
０．５〜７０モル％、Ｓｂ２ Ｏ５ ０．０５〜２０
モル％、ＣｏＯ ０．１〜４０モル％からなり、合計１
００ モル％となるように配合された磁器物質が従来の
ＳｎＯ２ を主成分とする焼結品と同等以上の非直線係
数を示し、しかも靭性（抗折強度）を有すること、並び
に従来のＳｎＯ２ 主成分品より安価に製造できること
を見い出したのである。 【０００７】 【作用】焼結体の電気特性はその結晶構造に関連性を有
すると考えられる。ＺｎＯは六方格子を形成することが
ＳｎＯ２ と類似している。すなわちＳｎＯ２ は、正
方格子、三斜晶形格子を形成すると同時に六方格子を形
成する。 【０００８】したがって、ＳｎＯ２ を主成分とする磁
器組成物のＳｎＯ２ を同一六方格子を形成するＺｎＯ
に代えてもその焼結体の電気特性にはそれ程変化が無い
とも考えられる。また、Ｓｂ２ Ｏ５ 、Ｂｉ２ Ｏ３
は焼結体のバインダの働きも兼ねると考えられる。Ｓ
ｂ２ Ｏ５ は ３５０℃で熱分解して、 ６５６℃の
融点を有するＳｂ２ Ｏ３ となる。Ｂｉ２ Ｏ３ の
融点は ８２０℃である。ＳｎＯ２ 、ＺｎＯの融点は
焼結温度より高いため、少なくともＳｂ２ Ｏ５ およ
びＢｉ２ Ｏ３ のいずれか一方をを混合する必要があ
るが両方を同時に加える必要はない。Ｓｂ２ Ｏ５ の
適量使用によりＢｉ２ Ｏ３ の使用は省略できること
が確かめられた。ＺｎＯはＳｎＯ２ よりバインダによ
り結合される効果が小さいと考えられるので、ＺｎＯを
ＳｎＯ２ に多量に代替えした場合は、焼結は不完全に
なることが予想されたが、７０モル％までのＺｎＯを含
ませ得ることがわかった。バインダの混合比が小さけれ
ば焼結は不完全になる。焼結が不完全な場合には磁器物
質のバリスタ電圧は上昇し、非直線係数、機械強度は低
下する。一方バインダの混合比を高くすれば、ＳｎＯ２
、ＺｎＯ粒子間にバインダ層が幅広く発生すると共に
、ＳｎＯ２ 、ＺｎＯ両粒子の内部までバインダ成分が
浸透してバリスタ電圧の上昇、非直線性の低下を引き起
こす原因となるであろうし、さらにこれらの層が脆いた
めに機械強度は低下するであろう。したがって、上記Ｚ
ｎＯによりＳｎＯ２ を置換するための条件を理論的に
導き出すことは必ずしも容易ではなく、数多くの実験に
よる試行錯誤を経る必要があった。 【０００９】すなわち、本発明者らは、種々の異なる組
成の磁器物質についての実験の繰り返しによってＳｎＯ
２ を主成分とする磁器物質のＳｎＯ２ の一部をＺｎ
Ｏに代えても非直線抵抗値αおよび抗折強度τ（ｋｇ／
ｃｍ２ ）が同等以上となる特定組成の半導体磁器物質
が得られることを知り、高価なＳｎＯ２ 粉末を安価な
ＺｎＯにより置換して、製造コストの大幅な低減をもた
らすことになった。 【００１０】以下実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。 【００１１】 【実施例】高純度ＳｎＯ２ 、ＺｎＯ、Ｓｂ２ Ｏ５
、ＣｏＯを表１の試料番号１〜１４に示すモル％の混合
比に秤量配合し、その各々につきボールミルにより１０
時間湿式撹拌を行い、乾燥後粉砕した。次に、これら１
４試料粉砕物の各々を、１，１００ ℃×２時間大気中
で仮焼し、再粉砕を行って１４種類の原料粉末を得た。 さらに、これら原料粉末に１０〜１５重量％のポリビニ
ールアルコールを有機結合剤として混合して造粒し、約
１ｔｏｎ／ｃｍ２ の圧力で圧縮して、直径１０ｍｍ、
厚さ１．０ｍｍ の円板に成形した。 【００１２】これら円板を大気中、表１に示す温度でそ
れぞれ４時間焼成して、磁器試料を得た。 【００１３】次に、これら試料円板の各々につき表裏面
に銀ペーストを塗布し、 ８００℃に加温して焼き付け
、銀電極を形成した。 【００１４】以上の方法により作製された試料につき、
バリスタ電圧Ｖ１ 、並びに非直線係数α、抗折強度τ
（ｋｇ／ｃｍ２ ）を測定した。各試料につき、ＳｎＯ
２ 、ＺｎＯ、Ｓｂ２ Ｏ５ 、ＣｏＯの混合比とバリ
スタ電圧Ｖ１ 、非直線係数αおよび抗折強度τ（ｋｇ
／ｃｍ２ ）との関係を表に示す。 【００１５】なお、バリスタ電圧の測定法、非直線係数
および抗折強度の算出式を以下に記述する。 【００１６】（１） バリスタ電圧Ｖ１ の測定法試料
の接点に直流定電流電源および直流電流計を直列に接続
する。また、試料の接点の両端に直流電圧計を並列に接
続して、直流定電流電源より試料に１ｍＡの電流を流す
ために要する電圧を直流電圧計で測定してバリスタ電圧
Ｖ１（Ｖ） とした。 【００１７】（２） 非直線係数αの測定法１ｍＡの電
流を流すのに要する電圧Ｖ１ および１０ｍＡの電流を
流すのに要する電圧Ｖ１０を測定して、各々の測定値を
次式に代入して非直線係数αを算出する。 α＝１／ｌｏｇ （Ｖ１０／Ｖ１ ） 【００１８】（３） 抗折強度τ（ｋｇ／ｃｍ２ ）の
測定法一般に脆性物質の機械的強度の目安として、抗折
強度が用いられるため、試料の抗折強度を測定した。 【００１９】幅 ０．４ｃｍ、厚さ０．１ｃｍ の方形
断面を有する試料を上述の１４枚の円板試料の作製過程
において、同時に作製して、磁器試料（銀ペースト塗布
、焼き付けは行わず）を用意した。この試料を支点間距
離１．２ｃｍ の２つの支点上に水平に置き、中央部に
毎秒約５ｋｇの速さで荷重を加え、最大破壊荷重Ｐｍを
測定し、次式により抗折強度を算出した。 τ＝ ３／２ ×（１．２ ×Ｐｍ）／（０．４ ×０
．１） ｋｇ／ｃｍ２ 【００２０】組成粉末ＳｎＯ２
、ＺｎＯ、Ｓｂ２ Ｏ５、ＣｏＯの混合比と、これよ
り作製した磁器物質のバリスタ電圧Ｖ１ 、非直線係数
α、および抗折強度τとの関係を総括して表に示す。た
だし、試料番号１４は比較例としてＺｎＯを含まない従
来品である。 【表１】 【００２１】同表の結果を考察して次の知見を得た。 【００２２】（１） 特許請求の範囲に明記した組成（
試料番号 １、３ 、５ 、７ 、９ 、１０、１２、
１３）の磁器物質は従来品（試料番号１４）に比してバ
リスタ電圧Ｖ１ （Ｖ） 、非直線係数αおよび抗折強
度τが同等もしくは優れている。 【００２３】（２） ＳｎＯ２ が３０モル％未満、Ｚ
ｎＯが７０モルを超える場合はバリスタ電圧が極端に高
い反面、非直線係数αおよび抗折強度τ（ｋｇ／ｃｍ２
）は低い（試料番号２）。 【００２４】（３） またＳｂ２ Ｏ５ が２０モル％
を超える場合では抗折強度τ（ｋｇ／ｃｍ２ ）が低い
（試料番号４）。 【００２５】（４） 一方ＣｏＯが４０モル％を超える
場合（試料番号６）およびＳｂ２ Ｏ５ が０．０５モ
ル％未満（試料番号８）では両者共バリスタ電圧Ｖ１
（Ｖ） が高い。 【００２６】（５） さらにＣｏＯが ０．１モル％未
満では逆にバリスタ電圧Ｖ１ （Ｖ） が低い（試料番
号１１）。 【００２７】（６） なお、ＺｎＯが ０．５モル％未
満の場合には、バリスタ電圧Ｖ１ （Ｖ） 、非直線係
数α、抗折強度τ（ｋｇ／ｃｍ２ ）共満足できる値で
あるが、製造コストは従来品と同等となり、低減の効果
が得られない（試料番号１４）。 【００２８】上述のように、ＳｎＯ２ ３０〜９９．５
モル％、ＺｎＯ ０．５〜７０モル％、Ｓｂ２ Ｏ５
０．０５〜２０モル％、ＣｏＯ ０．１〜４０モル％か
らなり合計が １００モル％となる如き組成を有する半
導体磁器物質がバリスタ電圧Ｖ１ （Ｖ）、非直線係数
α、抗折強度τ（ｋｇ／ｃｍ２ ）共満足できる値を示
すため、小型モータのノイズ防止用リングバリスタ用素
材として十分利用できる。すなわち、ＺｎＯを主成分の
一部に代替えしても従来のＳｎＯ２ を主成分とするバ
リスタと同等以上の非直線係数および機械的強度を有す
ることが明らかであることが判明した。 【００２９】 【発明の効果】本発明の開発により、高価なＳｎＯ２
粉末を安価なＺｎＯに代替えして従来のＳｎＯ２ を主
成分とするバリスタと同等以上の非直線係数および機械
強度を有するバリスタを製造することを可能とした。
性を有する半導体磁器物質に係り、特に従来品に比して
安価に提供することを可能とした磁器物質に関するもの
である。 【０００２】 【従来の技術】小型モータのノイズ防止用リングバリス
タに使用される半導体磁器物質は、一般にＳｒＴｉＯ３
を主成分とする系統に属する物質と、ＳｎＯ２ を主
成分とする系統の物質に分類される。後者に属するＳｎ
Ｏ２ 系については、主成分であるＳｎＯ２ にＳｂ２
Ｏ５ 、Ｂｉ２ Ｏ３ 、ＣｏＯを副成分として含有
する非直線性抵抗体に関する特許（特公昭５２−４０７
６０、特公昭５２−４７１５８）が公告され実用化され
ている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】上述のＳｒＴｉＯ３
を主成分とする磁器物質においては、非直線係数αは極
めて高いという優位性を有するが、該磁器物質はその成
分に起因する焼結性の劣化により脆く、したがってモー
タに取り付ける際に割れが発生し易いなどの欠点を有し
ているために、特にパーツの小型化は困難である。 【０００４】一方、ＳｎＯ２ を主成分とする磁器物質
は、非直線係数αは前者程ではないが、実用上差し支え
のない程度の値を有する反面、焼結体の強度が前者に比
して極めて高く、十分前者の欠点を償うことができると
いう利点を有する。 【０００５】しかしながら後者においては磁器物質の原
料にＳｎＯ２ 、Ｓｂ２ Ｏ５ 、Ｂｉ２ Ｏ３ およ
びＣｏＯという高価な粉末を使用するために、必然的に
製品の価格は相当上昇するなどの問題点を有している。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明者らは、斯る課題
を解決するため、ＳｎＯ２ を主成分とする磁器物質の
主原料である高価なＳｎＯ２ 粉末の少なくとも一部を
、はるかに安価なＺｎＯに代替えすることを考え、鋭意
研究の結果、ＳｎＯ２ ２０〜９９．５モル％、ＺｎＯ
０．５〜７０モル％、Ｓｂ２ Ｏ５ ０．０５〜２０
モル％、ＣｏＯ ０．１〜４０モル％からなり、合計１
００ モル％となるように配合された磁器物質が従来の
ＳｎＯ２ を主成分とする焼結品と同等以上の非直線係
数を示し、しかも靭性（抗折強度）を有すること、並び
に従来のＳｎＯ２ 主成分品より安価に製造できること
を見い出したのである。 【０００７】 【作用】焼結体の電気特性はその結晶構造に関連性を有
すると考えられる。ＺｎＯは六方格子を形成することが
ＳｎＯ２ と類似している。すなわちＳｎＯ２ は、正
方格子、三斜晶形格子を形成すると同時に六方格子を形
成する。 【０００８】したがって、ＳｎＯ２ を主成分とする磁
器組成物のＳｎＯ２ を同一六方格子を形成するＺｎＯ
に代えてもその焼結体の電気特性にはそれ程変化が無い
とも考えられる。また、Ｓｂ２ Ｏ５ 、Ｂｉ２ Ｏ３
は焼結体のバインダの働きも兼ねると考えられる。Ｓ
ｂ２ Ｏ５ は ３５０℃で熱分解して、 ６５６℃の
融点を有するＳｂ２ Ｏ３ となる。Ｂｉ２ Ｏ３ の
融点は ８２０℃である。ＳｎＯ２ 、ＺｎＯの融点は
焼結温度より高いため、少なくともＳｂ２ Ｏ５ およ
びＢｉ２ Ｏ３ のいずれか一方をを混合する必要があ
るが両方を同時に加える必要はない。Ｓｂ２ Ｏ５ の
適量使用によりＢｉ２ Ｏ３ の使用は省略できること
が確かめられた。ＺｎＯはＳｎＯ２ よりバインダによ
り結合される効果が小さいと考えられるので、ＺｎＯを
ＳｎＯ２ に多量に代替えした場合は、焼結は不完全に
なることが予想されたが、７０モル％までのＺｎＯを含
ませ得ることがわかった。バインダの混合比が小さけれ
ば焼結は不完全になる。焼結が不完全な場合には磁器物
質のバリスタ電圧は上昇し、非直線係数、機械強度は低
下する。一方バインダの混合比を高くすれば、ＳｎＯ２
、ＺｎＯ粒子間にバインダ層が幅広く発生すると共に
、ＳｎＯ２ 、ＺｎＯ両粒子の内部までバインダ成分が
浸透してバリスタ電圧の上昇、非直線性の低下を引き起
こす原因となるであろうし、さらにこれらの層が脆いた
めに機械強度は低下するであろう。したがって、上記Ｚ
ｎＯによりＳｎＯ２ を置換するための条件を理論的に
導き出すことは必ずしも容易ではなく、数多くの実験に
よる試行錯誤を経る必要があった。 【０００９】すなわち、本発明者らは、種々の異なる組
成の磁器物質についての実験の繰り返しによってＳｎＯ
２ を主成分とする磁器物質のＳｎＯ２ の一部をＺｎ
Ｏに代えても非直線抵抗値αおよび抗折強度τ（ｋｇ／
ｃｍ２ ）が同等以上となる特定組成の半導体磁器物質
が得られることを知り、高価なＳｎＯ２ 粉末を安価な
ＺｎＯにより置換して、製造コストの大幅な低減をもた
らすことになった。 【００１０】以下実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。 【００１１】 【実施例】高純度ＳｎＯ２ 、ＺｎＯ、Ｓｂ２ Ｏ５
、ＣｏＯを表１の試料番号１〜１４に示すモル％の混合
比に秤量配合し、その各々につきボールミルにより１０
時間湿式撹拌を行い、乾燥後粉砕した。次に、これら１
４試料粉砕物の各々を、１，１００ ℃×２時間大気中
で仮焼し、再粉砕を行って１４種類の原料粉末を得た。 さらに、これら原料粉末に１０〜１５重量％のポリビニ
ールアルコールを有機結合剤として混合して造粒し、約
１ｔｏｎ／ｃｍ２ の圧力で圧縮して、直径１０ｍｍ、
厚さ１．０ｍｍ の円板に成形した。 【００１２】これら円板を大気中、表１に示す温度でそ
れぞれ４時間焼成して、磁器試料を得た。 【００１３】次に、これら試料円板の各々につき表裏面
に銀ペーストを塗布し、 ８００℃に加温して焼き付け
、銀電極を形成した。 【００１４】以上の方法により作製された試料につき、
バリスタ電圧Ｖ１ 、並びに非直線係数α、抗折強度τ
（ｋｇ／ｃｍ２ ）を測定した。各試料につき、ＳｎＯ
２ 、ＺｎＯ、Ｓｂ２ Ｏ５ 、ＣｏＯの混合比とバリ
スタ電圧Ｖ１ 、非直線係数αおよび抗折強度τ（ｋｇ
／ｃｍ２ ）との関係を表に示す。 【００１５】なお、バリスタ電圧の測定法、非直線係数
および抗折強度の算出式を以下に記述する。 【００１６】（１） バリスタ電圧Ｖ１ の測定法試料
の接点に直流定電流電源および直流電流計を直列に接続
する。また、試料の接点の両端に直流電圧計を並列に接
続して、直流定電流電源より試料に１ｍＡの電流を流す
ために要する電圧を直流電圧計で測定してバリスタ電圧
Ｖ１（Ｖ） とした。 【００１７】（２） 非直線係数αの測定法１ｍＡの電
流を流すのに要する電圧Ｖ１ および１０ｍＡの電流を
流すのに要する電圧Ｖ１０を測定して、各々の測定値を
次式に代入して非直線係数αを算出する。 α＝１／ｌｏｇ （Ｖ１０／Ｖ１ ） 【００１８】（３） 抗折強度τ（ｋｇ／ｃｍ２ ）の
測定法一般に脆性物質の機械的強度の目安として、抗折
強度が用いられるため、試料の抗折強度を測定した。 【００１９】幅 ０．４ｃｍ、厚さ０．１ｃｍ の方形
断面を有する試料を上述の１４枚の円板試料の作製過程
において、同時に作製して、磁器試料（銀ペースト塗布
、焼き付けは行わず）を用意した。この試料を支点間距
離１．２ｃｍ の２つの支点上に水平に置き、中央部に
毎秒約５ｋｇの速さで荷重を加え、最大破壊荷重Ｐｍを
測定し、次式により抗折強度を算出した。 τ＝ ３／２ ×（１．２ ×Ｐｍ）／（０．４ ×０
．１） ｋｇ／ｃｍ２ 【００２０】組成粉末ＳｎＯ２
、ＺｎＯ、Ｓｂ２ Ｏ５、ＣｏＯの混合比と、これよ
り作製した磁器物質のバリスタ電圧Ｖ１ 、非直線係数
α、および抗折強度τとの関係を総括して表に示す。た
だし、試料番号１４は比較例としてＺｎＯを含まない従
来品である。 【表１】 【００２１】同表の結果を考察して次の知見を得た。 【００２２】（１） 特許請求の範囲に明記した組成（
試料番号 １、３ 、５ 、７ 、９ 、１０、１２、
１３）の磁器物質は従来品（試料番号１４）に比してバ
リスタ電圧Ｖ１ （Ｖ） 、非直線係数αおよび抗折強
度τが同等もしくは優れている。 【００２３】（２） ＳｎＯ２ が３０モル％未満、Ｚ
ｎＯが７０モルを超える場合はバリスタ電圧が極端に高
い反面、非直線係数αおよび抗折強度τ（ｋｇ／ｃｍ２
）は低い（試料番号２）。 【００２４】（３） またＳｂ２ Ｏ５ が２０モル％
を超える場合では抗折強度τ（ｋｇ／ｃｍ２ ）が低い
（試料番号４）。 【００２５】（４） 一方ＣｏＯが４０モル％を超える
場合（試料番号６）およびＳｂ２ Ｏ５ が０．０５モ
ル％未満（試料番号８）では両者共バリスタ電圧Ｖ１
（Ｖ） が高い。 【００２６】（５） さらにＣｏＯが ０．１モル％未
満では逆にバリスタ電圧Ｖ１ （Ｖ） が低い（試料番
号１１）。 【００２７】（６） なお、ＺｎＯが ０．５モル％未
満の場合には、バリスタ電圧Ｖ１ （Ｖ） 、非直線係
数α、抗折強度τ（ｋｇ／ｃｍ２ ）共満足できる値で
あるが、製造コストは従来品と同等となり、低減の効果
が得られない（試料番号１４）。 【００２８】上述のように、ＳｎＯ２ ３０〜９９．５
モル％、ＺｎＯ ０．５〜７０モル％、Ｓｂ２ Ｏ５
０．０５〜２０モル％、ＣｏＯ ０．１〜４０モル％か
らなり合計が １００モル％となる如き組成を有する半
導体磁器物質がバリスタ電圧Ｖ１ （Ｖ）、非直線係数
α、抗折強度τ（ｋｇ／ｃｍ２ ）共満足できる値を示
すため、小型モータのノイズ防止用リングバリスタ用素
材として十分利用できる。すなわち、ＺｎＯを主成分の
一部に代替えしても従来のＳｎＯ２ を主成分とするバ
リスタと同等以上の非直線係数および機械的強度を有す
ることが明らかであることが判明した。 【００２９】 【発明の効果】本発明の開発により、高価なＳｎＯ２
粉末を安価なＺｎＯに代替えして従来のＳｎＯ２ を主
成分とするバリスタと同等以上の非直線係数および機械
強度を有するバリスタを製造することを可能とした。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＳｎＯ２ ３０〜９９．５モル％、Ｚ
ｎＯ ０．５〜７０モル％、Ｓｂ２ Ｏ５ ０．０５〜
２０モル％、ＣｏＯ ０．１〜４０モル％からなり、そ
の合計が １００モル％となる各成分から構成される半
導体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3031836A JPH04254464A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体磁器物質 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3031836A JPH04254464A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体磁器物質 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04254464A true JPH04254464A (ja) | 1992-09-09 |
Family
ID=12342149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3031836A Pending JPH04254464A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体磁器物質 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04254464A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007128785A1 (fr) * | 2006-05-05 | 2007-11-15 | Areva T&D Sa | Utilisation de b2o3 dans une ceramique semiconductrice a base d'oxyde d'etain pour en diminuer le courant de fuite et eventuellement pour en stabiliser les proprietes electriques |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS502194A (ja) * | 1973-05-14 | 1975-01-10 |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP3031836A patent/JPH04254464A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS502194A (ja) * | 1973-05-14 | 1975-01-10 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007128785A1 (fr) * | 2006-05-05 | 2007-11-15 | Areva T&D Sa | Utilisation de b2o3 dans une ceramique semiconductrice a base d'oxyde d'etain pour en diminuer le courant de fuite et eventuellement pour en stabiliser les proprietes electriques |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19951212 |