JPH04252040A - 接着剤塗布装置およびダイボンディング方法 - Google Patents
接着剤塗布装置およびダイボンディング方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
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- Coating Apparatus (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は接着剤塗布装置およびそ
の塗布装置を利用したダイボンディング方法に関するも
のである。
の塗布装置を利用したダイボンディング方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の接着剤塗布装置およびそ
れを利用したダイボンディング方法としては、例えば、
図４（ａ），（ｂ）に示される、半導体チップをセラミ
ックパッケージ（ＰＫＧ）にダイボンディングするもの
がある。各分図の下方は平面図、上方はこの平面図にお
ける矢示断面図を示す。まず、ディスペンサ２のノズル
２ａからダイボンディング用接着剤３がＰＫＧ１上に吐
出される（同図（ａ）参照）。この接着剤３には熱硬化
性の導電性樹脂が用いられている。次に、接着剤３が塗
布されたＰＫＧ１上に半導体チップ４がのせられる。そ
して、この半導体チップ４に均等な力が印加され、半導
体チップ４はＰＫＧ１に密着する。最後に半導体チップ
４とＰＫＧ１とが加熱され、ダイボンディング作業は完
了する（同図 （ｂ）参照）。
れを利用したダイボンディング方法としては、例えば、
図４（ａ），（ｂ）に示される、半導体チップをセラミ
ックパッケージ（ＰＫＧ）にダイボンディングするもの
がある。各分図の下方は平面図、上方はこの平面図にお
ける矢示断面図を示す。まず、ディスペンサ２のノズル
２ａからダイボンディング用接着剤３がＰＫＧ１上に吐
出される（同図（ａ）参照）。この接着剤３には熱硬化
性の導電性樹脂が用いられている。次に、接着剤３が塗
布されたＰＫＧ１上に半導体チップ４がのせられる。そ
して、この半導体チップ４に均等な力が印加され、半導
体チップ４はＰＫＧ１に密着する。最後に半導体チップ
４とＰＫＧ１とが加熱され、ダイボンディング作業は完
了する（同図 （ｂ）参照）。
【０００３】しかし、このような接着剤塗布装置および
方法にあっては、半導体チップ４のチップ・サイズが大
きくなると被着面への接着剤３のまわりが悪くなり、図
示のように半導体チップ４の四隅に空領５が生じた。こ
のため、この空領５の部分において半導体チップ４とＰ
ＫＧ１とのボンディングは不完全になっていた。
方法にあっては、半導体チップ４のチップ・サイズが大
きくなると被着面への接着剤３のまわりが悪くなり、図
示のように半導体チップ４の四隅に空領５が生じた。こ
のため、この空領５の部分において半導体チップ４とＰ
ＫＧ１とのボンディングは不完全になっていた。
【０００４】このような不具合を解消するため、チップ
サイズの大きい半導体チップ４のダイボンディグは図４
（ｃ），（ｄ）のように行われていた。つまり、ディス
ペンサ６に複数個のノズル６ａが設けられ、ＰＫＧ１の
被着面に接着剤３が分散して塗布されるようにして行わ
れた。その後、上記と同様に半導体チップ４が被着面に
ダイボンディングされる。この被着面への接着剤３の分
散塗布により、被着面全体に接着剤３がまわりこむよう
になった。
サイズの大きい半導体チップ４のダイボンディグは図４
（ｃ），（ｄ）のように行われていた。つまり、ディス
ペンサ６に複数個のノズル６ａが設けられ、ＰＫＧ１の
被着面に接着剤３が分散して塗布されるようにして行わ
れた。その後、上記と同様に半導体チップ４が被着面に
ダイボンディングされる。この被着面への接着剤３の分
散塗布により、被着面全体に接着剤３がまわりこむよう
になった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように改良されたはずの接着剤塗布装置および方法によ
っても、いまだ次のような課題があった。つまり、被着
面全体に接着剤３がまわりこむようになったが、接着面
に図４（ｄ）に示される気泡（ボイド）７が発生し、こ
の気泡７に起因して様々な不具合が生じた。例えば、接
着剤３を加熱して硬化させる際、気泡７が膨脹し、半導
体チップ４を被着面に対して傾けてしまうことがある。 最悪の場合にはチップ割れの原因になることもある。ま
た、この気泡７により、半導体チップ４に発生する熱の
放熱性が悪化し、また、接着面に対する導電性が低下し
た。このような不具合に基づき、半導体チップ４の正常
な動作が妨げられる場合があった。
ように改良されたはずの接着剤塗布装置および方法によ
っても、いまだ次のような課題があった。つまり、被着
面全体に接着剤３がまわりこむようになったが、接着面
に図４（ｄ）に示される気泡（ボイド）７が発生し、こ
の気泡７に起因して様々な不具合が生じた。例えば、接
着剤３を加熱して硬化させる際、気泡７が膨脹し、半導
体チップ４を被着面に対して傾けてしまうことがある。 最悪の場合にはチップ割れの原因になることもある。ま
た、この気泡７により、半導体チップ４に発生する熱の
放熱性が悪化し、また、接着面に対する導電性が低下し
た。このような不具合に基づき、半導体チップ４の正常
な動作が妨げられる場合があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解消するためになされたもので、接着剤を吐出するノ
ズルは、吐出量の多い第１のノズルと、この第１のノズ
ルの周囲に設けられた吐出量の少ない複数個の第２のノ
ズルとを備えて構成されたものである。
を解消するためになされたもので、接着剤を吐出するノ
ズルは、吐出量の多い第１のノズルと、この第１のノズ
ルの周囲に設けられた吐出量の少ない複数個の第２のノ
ズルとを備えて構成されたものである。
【０００７】また、このノズルを有する接着剤塗布装置
を用いて被着面に接着剤を塗布し、対象物を被着面に対
して押圧してこの対象物を被着面にダイボンディングす
るものである。
を用いて被着面に接着剤を塗布し、対象物を被着面に対
して押圧してこの対象物を被着面にダイボンディングす
るものである。
【０００８】
【作用】第１のノズルから吐出された多量の接着剤は、
対象物が被着面に対して押圧されることによって四方に
多量に拡散し、第２のノズルからその周囲に吐出された
少量の接着剤と気泡を生じることなく融合する。
対象物が被着面に対して押圧されることによって四方に
多量に拡散し、第２のノズルからその周囲に吐出された
少量の接着剤と気泡を生じることなく融合する。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の一実施例による接着剤塗布装
置を図１を参照して以下に説明する。ここで、同図（ａ
）は底面図、同図（ｂ）は側面図、同図（ｃ）は同図（
ａ）の矢示一部断面図である。
置を図１を参照して以下に説明する。ここで、同図（ａ
）は底面図、同図（ｂ）は側面図、同図（ｃ）は同図（
ａ）の矢示一部断面図である。
【００１０】接着剤塗布装置１０は、ダイボンディング
用接着剤を分配するディスペンサ１１と、このディスペ
ンサ１１の先端部に設けられたシャワーノズル１２とか
ら構成されている。ディスペンサ１１の内部には空領部
１１ａがあり、この空領部１１ａにダイボンディング用
接着剤が充填される。この接着剤には熱硬化性の導電性
樹脂が使用される。例えば、放熱性が良く、導電性の良
好なＡｇ−ポリイミド，Ａｇ−ガラス，Ａｇ−アルミ等
が使用される。また、シャワーノズル１２は、中央部に
設けられた口径の大きい第１のノズル１２ａと、この第
１のノズル１２ａの周囲に設けられた口径が中程度の第
２のノズル１２ｂおよび口径の小さい第３のノズル１２
ｃとから構成されている。第１のノズル１２ａからは多
量の接着剤が吐出され、第２および第３のノズル１２ｂ
，１２ｃからはそれぞれの口径に応じた少量の接着剤が
その周囲に吐出される。
用接着剤を分配するディスペンサ１１と、このディスペ
ンサ１１の先端部に設けられたシャワーノズル１２とか
ら構成されている。ディスペンサ１１の内部には空領部
１１ａがあり、この空領部１１ａにダイボンディング用
接着剤が充填される。この接着剤には熱硬化性の導電性
樹脂が使用される。例えば、放熱性が良く、導電性の良
好なＡｇ−ポリイミド，Ａｇ−ガラス，Ａｇ−アルミ等
が使用される。また、シャワーノズル１２は、中央部に
設けられた口径の大きい第１のノズル１２ａと、この第
１のノズル１２ａの周囲に設けられた口径が中程度の第
２のノズル１２ｂおよび口径の小さい第３のノズル１２
ｃとから構成されている。第１のノズル１２ａからは多
量の接着剤が吐出され、第２および第３のノズル１２ｂ
，１２ｃからはそれぞれの口径に応じた少量の接着剤が
その周囲に吐出される。
【００１１】次に、このような接着剤塗布装置１０を用
いて、半導体チップをＰＫＧやリードフレームにダイボ
ンディングする方法について説明する。図２はこのボン
ディング方法における各プロセスを示す図であり、図３
はこの方法を用いた製造ラインの斜視図である。この図
３を主として図２を参照しつつ本発明の一実施例による
ダイボンディング方法について以下に説明する。なお、
図２および図３において、図１と同一部分については同
符号を用いてその説明は省略する。
いて、半導体チップをＰＫＧやリードフレームにダイボ
ンディングする方法について説明する。図２はこのボン
ディング方法における各プロセスを示す図であり、図３
はこの方法を用いた製造ラインの斜視図である。この図
３を主として図２を参照しつつ本発明の一実施例による
ダイボンディング方法について以下に説明する。なお、
図２および図３において、図１と同一部分については同
符号を用いてその説明は省略する。
【００１２】搬送ベルト２１にＰＫＧ２２が乗せられて
移動しており（図３Ａ）、接着剤塗布装置１０の下方に
位置する所まで来ると搬送ベルト２１が止まり、ＰＫＧ
２２は静止する（図３Ｂ）。ＰＫＧ２２が静止すると接
着剤塗布装置１０が降下し、ディスペンサ１１に充填さ
れている接着剤２３がシャワーノズル１２からＰＫＧ２
２の被着面に吐出される（図２（ａ）参照）。この際、
上述のように、第１のノズル１２ａからは多量の接着剤
２３が吐出され、第２および第３のノズル１２ｂ，１２
ｃからはそれぞれの口径に応じた少量の接着剤２３が吐
出される。その後、再び搬送ベルト２１が稼動して接着
剤２３が塗布されたＰＫＧ２２はさらに搬送され（図３
Ｃ）、所定位置にＰＫＧ２２が達すると搬送ベルト２１
が再度停止する（図３Ｄ）。その後、コレット２４がパ
レット２５上に整列された半導体チップ２６を吸着し、
静止したＰＫＧ２２上まで吸着したＰＫＧ２２を搬送す
る。
移動しており（図３Ａ）、接着剤塗布装置１０の下方に
位置する所まで来ると搬送ベルト２１が止まり、ＰＫＧ
２２は静止する（図３Ｂ）。ＰＫＧ２２が静止すると接
着剤塗布装置１０が降下し、ディスペンサ１１に充填さ
れている接着剤２３がシャワーノズル１２からＰＫＧ２
２の被着面に吐出される（図２（ａ）参照）。この際、
上述のように、第１のノズル１２ａからは多量の接着剤
２３が吐出され、第２および第３のノズル１２ｂ，１２
ｃからはそれぞれの口径に応じた少量の接着剤２３が吐
出される。その後、再び搬送ベルト２１が稼動して接着
剤２３が塗布されたＰＫＧ２２はさらに搬送され（図３
Ｃ）、所定位置にＰＫＧ２２が達すると搬送ベルト２１
が再度停止する（図３Ｄ）。その後、コレット２４がパ
レット２５上に整列された半導体チップ２６を吸着し、
静止したＰＫＧ２２上まで吸着したＰＫＧ２２を搬送す
る。
【００１３】コレット２４がＰＫＧ２２上に位置すると
コレット２４は降下し、半導体チップ２６はＰＫＧ２２
の被着面に近付けられる（図２（ｂ）参照）。さらに、
コレット２４が降下することにより、半導体チップ２６
は接着剤２３を介して被着面上に均等に押圧される（図
２（ｃ）参照）。この押圧により、第１のノズル２１ａ
から吐出された多量の接着剤２３は、被着面上において
四方に多量に拡散し、第２および第３のノズル２１ｂ，
２１ｃからその周囲に吐出された少量の接着剤２３と気
泡を生じることなく融合する。その後、コレット２４と
半導体チップ２６との吸着が解かれ（図２（ｄ）参照）
、接着剤２３によって隙間なく半導体チップ２６に密着
したＰＫＧ２２はさらに搬送ベルト２１によって搬送さ
れる（図３Ｅ）。その後、半導体チップ２６およびＰＫ
Ｇ２２が加熱処理されて接着剤２３は硬化され、ＰＫＧ
２２への半導体チップ２６のダイボンディング作業が完
了する。
コレット２４は降下し、半導体チップ２６はＰＫＧ２２
の被着面に近付けられる（図２（ｂ）参照）。さらに、
コレット２４が降下することにより、半導体チップ２６
は接着剤２３を介して被着面上に均等に押圧される（図
２（ｃ）参照）。この押圧により、第１のノズル２１ａ
から吐出された多量の接着剤２３は、被着面上において
四方に多量に拡散し、第２および第３のノズル２１ｂ，
２１ｃからその周囲に吐出された少量の接着剤２３と気
泡を生じることなく融合する。その後、コレット２４と
半導体チップ２６との吸着が解かれ（図２（ｄ）参照）
、接着剤２３によって隙間なく半導体チップ２６に密着
したＰＫＧ２２はさらに搬送ベルト２１によって搬送さ
れる（図３Ｅ）。その後、半導体チップ２６およびＰＫ
Ｇ２２が加熱処理されて接着剤２３は硬化され、ＰＫＧ
２２への半導体チップ２６のダイボンディング作業が完
了する。
【００１４】本実施例によれば、上記のように、口径の
大きい第１のノズル２１ａから吐出された多量の接着剤
２３は第２および第３のノズル２１ｂ，２１ｃから吐出
された少量の接着剤２３と気泡を生じることなく融合す
る。従って、接着面に存在する気泡に起因した従来の様
々な問題、例えば、半導体チップ２６の被着面に対する
傾き、チップ割れ、放熱性の悪化、被着面に対する導電
性の低下といった問題を生じることがなくなる。この結
果、半導体チップ２６の正常な動作を確保することが可
能になる。
大きい第１のノズル２１ａから吐出された多量の接着剤
２３は第２および第３のノズル２１ｂ，２１ｃから吐出
された少量の接着剤２３と気泡を生じることなく融合す
る。従って、接着面に存在する気泡に起因した従来の様
々な問題、例えば、半導体チップ２６の被着面に対する
傾き、チップ割れ、放熱性の悪化、被着面に対する導電
性の低下といった問題を生じることがなくなる。この結
果、半導体チップ２６の正常な動作を確保することが可
能になる。
【００１５】なお、上記実施例の説明では、接着剤塗布
装置１０の第１のノズル１２ａの口径を大きくし、第２
および第３のノズル１２ｂ，１２ｃの口径を小さくする
ことにより、被着面の中央部にのみ接着剤２３が多量に
塗布されるようにしたが、必ずしもこのような構成を取
る必要はない。すなわち、シャワーノズルを構成する複
数個の各ノズルの口径を等しく形成し、各ノズルへの接
着剤の吐出量を調整することによっても上記実施例と同
様な効果を奏することが出来る。つまり、中央部に位置
するノズルへの接着剤の充填経路とその周囲にあるノズ
ルへの接着剤の充填経路とをそれぞれ異なるものとし、
中央部に位置するノズルへの充填経路に対する充填圧力
をその周囲に位置するノズルへの充填経路に対する充填
圧力に比較して増大させることによって実現しても良い
。このような構成の塗布装置でも被着面の中央部にのみ
多量の接着剤を塗布することが可能になる。
装置１０の第１のノズル１２ａの口径を大きくし、第２
および第３のノズル１２ｂ，１２ｃの口径を小さくする
ことにより、被着面の中央部にのみ接着剤２３が多量に
塗布されるようにしたが、必ずしもこのような構成を取
る必要はない。すなわち、シャワーノズルを構成する複
数個の各ノズルの口径を等しく形成し、各ノズルへの接
着剤の吐出量を調整することによっても上記実施例と同
様な効果を奏することが出来る。つまり、中央部に位置
するノズルへの接着剤の充填経路とその周囲にあるノズ
ルへの接着剤の充填経路とをそれぞれ異なるものとし、
中央部に位置するノズルへの充填経路に対する充填圧力
をその周囲に位置するノズルへの充填経路に対する充填
圧力に比較して増大させることによって実現しても良い
。このような構成の塗布装置でも被着面の中央部にのみ
多量の接着剤を塗布することが可能になる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、第
１のノズルから吐出された多量の接着剤は、対象物が被
着面に対して押圧されることによって四方に多量に拡散
し、第２のノズルからその周囲に吐出された少量の接着
剤と気泡を生じることなく融合する。このため、この気
泡に起因する従来の様々な問題は解消される。
１のノズルから吐出された多量の接着剤は、対象物が被
着面に対して押圧されることによって四方に多量に拡散
し、第２のノズルからその周囲に吐出された少量の接着
剤と気泡を生じることなく融合する。このため、この気
泡に起因する従来の様々な問題は解消される。
【図１】本発明の一実施例による接着剤塗布装置の構造
を示す図である。
を示す図である。
【図２】図１に示された接着剤塗布装置を用いた本発明
の一実施例によるダイボンディング方法の各プロセスを
示す図である。
の一実施例によるダイボンディング方法の各プロセスを
示す図である。
【図３】図２に示された本発明の一実施例によるダイボ
ンディング方法を使用した製造ラインの斜視図である。
ンディング方法を使用した製造ラインの斜視図である。
【図４】従来の接着剤塗布装置およびダイボンディング
方法を示す図である。
方法を示す図である。
１０…接着剤塗布装置
１１…ディスペンサ
１１ａ…空領部
１２…シャワーノズル
１２ａ…第１のノズル
１２ｂ…第２のノズル
１２ｃ…第３のノズル
２２…セラミックパッケ−ジ（ＰＫＧ）２３…ダイボン
ディング用接着剤 ２４…コレット ２５…パレット ２６…半導体チップ
ディング用接着剤 ２４…コレット ２５…パレット ２６…半導体チップ
Claims (2)
- 【請求項１】接着剤を吐出するノズルを備えて構成され
た接着剤塗布装置において、前記ノズルは、吐出量の多
い第１のノズルと、この第１のノズルの周囲に設けられ
た吐出量の少ない複数個の第２のノズルとを備えて構成
されていることを特徴とする接着剤塗布装置。 - 【請求項２】請求項１記載の接着剤塗布装置を用いて被
着面にダイボンディング用接着剤を塗布し、対象物を前
記被着面に対して押圧してこの対象物を前記被着面にダ
イボンディングすることを特徴とするダイボンディング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP210091A JPH04252040A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 接着剤塗布装置およびダイボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP210091A JPH04252040A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 接着剤塗布装置およびダイボンディング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04252040A true JPH04252040A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=11519931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP210091A Pending JPH04252040A (ja) | 1991-01-11 | 1991-01-11 | 接着剤塗布装置およびダイボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04252040A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003092374A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2004504714A (ja) * | 2000-07-17 | 2004-02-12 | ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 転写リソグラフィ・プロセスのための自動液体ディスペンス方法およびシステム |
| JP2008288415A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR20160011602A (ko) * | 2014-07-22 | 2016-02-01 | 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 | 성형 금형, 성형 장치, 성형품의 제조 방법 및 수지 몰드 방법 |
| JP2016022671A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド方法 |
| JP2019046840A (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-22 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-01-11 JP JP210091A patent/JPH04252040A/ja active Pending
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