JP2012049175A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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semiconductor
fillet
substrate
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Yukio Katamura
幸雄 片村
Yasuo Tane
泰雄 種
Atsushi Yoshimura
淳 芳村
Fumihiro Iwami
文宏 岩見
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Abstract

【課題】基板などの下地と半導体チップとの間に発生するボイドを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、第１主面５ａに電極パッド１７が形成され第２主面５ｂに接着層３が設けられた半導体チップ５と、半導体チップを載置する基板１２と、を有する半導体装置の製造方法であって、基板の表面において、半導体チップの第２主面の外縁に接触する部分にフィレット形成材１３ａを塗布する工程と、半導体チップの第２主面を、接着層を介して基板に接着する工程と、を備える。
【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の多くは、回路基板やリードフレームなどの上に半導体チップを載置し、封止樹脂でモールドされた構造を有する。この構造は、製造が容易であり低コストであることから、広く採用されている。
しかしながら、例えば、回路基板とその上に接着された半導体チップとの間に隙間、所謂ヒケが生じると、樹脂封止する際に樹脂に含まれるＳｉ等が侵入した際、下段の半導体チップの表面にダメージを与え特性不良などを生じさせる場合がある。さらに、封止樹脂を成形する際に、高圧の樹脂がヒケに侵入した際にチップ剥離、所謂口開きを起こすこともある。そこで、ヒケの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法が求められている。
特開２００８−２８８５７１号公報
本発明の実施形態は、基板などの下地と半導体チップとの間に発生するヒケを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１主面に電極パッドが形成され第２主面に接着層が設けられた半導体チップと、前記半導体チップを載置する基板と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記基板の表面において、前記半導体チップの第２主面の外縁に接触する部分にフィレット形成材を塗布する工程と、前記半導体チップの第２主面を、前記接着層を介して前記基板に接着する工程と、を備える。
第１の実施形態に係る半導体チップの製造過程を示す模式図であり、（ａ）は、半導体ウェーハの裏面に接着剤を塗布する過程を示し、（ｂ）は、接着層が形成された半導体ウェーハをダイシングした状態、（ｃ）は、半導体チップの第１主面、（ｄ）は、半導体チップの第２主面を示している。 第１の実施形態に係る半導体装置の製造過程を示す模式図である。（ａ）は、基板の表面にフィレット形成材が塗布された状態を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のIIb−IIb断面を示している。 図２に続く半導体装置の製造過程を示す模式図である。（ａ）は、半導体チップを基板に接着した状態を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のIIIb−IIIb断面を示している。 第２の実施形態に係る半導体装置の製造過程を示す模式図である。（ａ）は、基板に固定された第１の半導体チップの第１主面にフィレット形成材が塗布された状態を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すIVb−IVb断面を示している。 図４に続く半導体装置の製造過程を示す模式図である。（ａ）は、第２の半導体チップを第１の半導体チップに接着した状態を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のVb−Vb断面を示している。 第２の実施形態の変形例に係る半導体装置の製造過程を模式的に示す平面図であり、（ａ）は、基板に固定された第１の半導体チップの第１主面にフィレット形成材が塗布された状態を示し、（ｂ）は、第２の半導体チップを第１の半導体チップに接着した状態を示している。 比較例に係る半導体装置を示す模式図であり、（ａ）は、半導体チップの第２主面を示す平面図であり、（ｂ）は、半導体チップが載置された状態の基板を示す断面図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る半導体チップ５の製造過程を示す模式図である。図１（ａ）は、半導体ウェーハ２の裏面２ｂに接着剤３ａを塗布し、接着層３を形成する過程を示している。
半導体ウェーハ２の裏面２ｂに接着剤３ａを膜状に付着させ、接着層３を形成する方法として、例えば、塗布方式、インクジェット法、スプレー法、霧状の塗布方式、ロールコーター法、スクリーン印刷法、ジェットディスペンス方式、スキージ方式などを例示することができる。
本実施形態では、インクジェット法を用いて接着層３を形成する方法を例示する。インクジェット法では、半導体ウェーハ２の裏面２ｂに対し、非接触で接着剤３ａを付着させ均一な厚みの薄膜を形成することができる。
例えば、図１（ａ）に示すように、樹脂と溶媒とを含む接着剤３ａを、吐出部１０から半導体ウェーハ２の裏面２ｂに向けて吐出させる。半導体ウェーハ２は、接着剤３ａの吐出方向Ｚに交叉するＸ方向に移動させる。これにより、接着剤３ａを半導体ウェーハ２の裏面２ｂに膜状に付着させ、接着層３を形成することができる。
続いて、例えば、半導体ウェーハ２を所定温度のステージに載置することにより、接着剤３ａを加熱し溶媒を蒸散させる。加熱温度は、４０℃以上、１２０℃以下とすることができる。接着剤３ａが熱硬化性の樹脂を含んでいれば、所謂Ｂステージの接着層３を形成することができる。
さらに、接着剤３ａを膜状に付着させる際の厚みに限定はないが、１回の塗布で１μｍ以下となるようにすると、接着層３の表面に発生する凹凸を抑制することもできる。そして、接着層３を厚くするために、塗布と加熱を繰り返して積層することができる。
一方、接着層３は、接着性を有する樹脂をシート状に成形した、所謂ＤＡＦ（Die Attach Film）を用いて形成することもできる。例えば、半導体ウェーハ２の裏面にＤＡＦを貼り付けても良い。
図１（ｂ）は、半導体ウェーハ２を裏面２ｂから見た平面図であり、接着層３が形成された半導体ウェーハ２をダイシングした状態を示している。
半導体ウェーハ２の表面２ａには、ダイシングライン４で画された複数の半導体チップ５が設けられている。そして、半導体ウェーハ２をダイシングライン４に沿ってダイサーで切断することにより（以下「ダイシング工程」と称する場合がある）、個々の半導体チップ５を分離することができる。
図１（ｃ）は、半導体チップ５の第１主面５ａを模式的に示す平面図であり、図１（ｄ）は、半導体チップ５の第２主面５ｂを模式的に示す平面図である。半導体チップ５の第１主面５ａは、半導体ウェーハ２の表面２ａに対応し、半導体チップ５の第２主面５ｂは、半導体ウェーハ２の裏面２ｂに対応する。
図１（ｃ）に示すように、半導体チップ５の第１主面には、素子領域６が設けられ、電極パッド１７が配置されている。一方、図１（ｄ）に示すように、半導体チップ５の第２主面５ｂには、接着層３が形成されている。
ここで、インクジェット法を用いて半導体ウェーハ２の全裏面２ｂに接着剤３ａを塗布した場合であっても、図１（ｄ）に示すように、半導体チップ５の外周部５ｃに接着層３が形成されない場合もある。例えば、ダイシング工程において、半導体チップ５の外周部５ｃに形成した接着層３がダイサーの刃に巻き取られて無くなる場合などである。
なお、半導体チップ５の接着層３は、例えば、先にダイシングを行い、その後、ダイシングされたウェーハの裏面に、インクジェット法を用いて形成することもできる。この場合においても、チップ端およびチップのコーナー部の接着層３の厚さが不均一となり、半導体チップ５の外周部５ｃの接着層３が薄くなる場合、または、形成されない場合がある。
後述するように、半導体チップ５の外周部５ｃにおける接着層３が形成されない部分をヒケと称する。
図２および図３は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造過程を模式的に示す平面図である。
本実施形態に係る半導体装置１００は、半導体チップ５を載置する基板１２の表面１２ａにおいて、半導体チップ５の第２主面の外縁に接触する部分にフィレット（fillet)形成材１３ａを塗布する工程を備える。そして、半導体チップ５の第２主面５ｂを、接着層３を介して基板１２に接着する工程を備えている。
ここで、フィレット(fillet)とは、２つの部材の接合部において、外側にはみ出した接着部材などを意味する。例えば、半導体チップ５を基板１２に接着した場合に、基板１２を上面視した時に半導体チップ５の第２主面５ｂと、基板１２の表面１２ａと、の間から、接着部材（フィレット形成材１３ａ）がはみ出した部分が形成される。この部分を、フィレットと称する。
図２（ａ）は、基板１２の表面１２ａにフィレット形成材１３ａが塗布された状態を示している。フィレット形成材１３ａは、半導体チップ５の第２主面５ｂの外縁が接する部分に塗布されている。同図中に示すように、フィレット形成材１３ａは、半導体チップ５の外形に沿ってライン状に塗布する。
図２（ｂ）は、図２（ａ）に示すIIb−IIb断面を示している。半導体チップ５は、素子領域６が設けられた第１主面５ａを上にして、接着層３が設けられた第２主面５ｂの側を基板１２の表面１２ａに接着させる。同図中に示すように、第２主面５ｂの外周部５ｃには、接着層３が無いか、または薄く形成されている。
フィレット形成材１３ａの塗布は、例えば、インクジェット法を用いて行うことができる。インクジェット法には、例えば、サーマル式および圧電方式の２つの方式があるが、どちらの方式を用いても良い。
サーマル方式は、加熱により気泡を発生させる膜沸騰現象を利用して液体を吐出させる。圧電方式は、圧電素子の屈曲変位を利用して液体を吐出させる。そして、吐出部１０には、インクジェット法により液体を吐出させる既知のインクジェットヘッドを用いることができる。
フィレット形成材１３ａとして、例えば、絶縁性樹脂を溶媒に拡散したものを使用することができる。絶縁性樹脂は、熱硬化性樹脂でも良いし、熱可塑性樹脂でも良い。そして、接着性および耐熱性の観点から、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂などの熱硬化性樹脂を選択することができる。
エポキシ樹脂の場合、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂などを用いることができる。これらの樹脂は、単独で用いても良いし、２種類以上を混合して用いてもよい。
絶縁性樹脂を拡散する溶媒は、溶質である樹脂を溶解可能なものを適宜選択する。例えば、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、シクロヘキサノン、イソホロンなどを用いることができる。これらの溶媒は、単独で用いても良いし、２種類以上を混合したものでも良い。さらに、必要に応じて硬化促進剤、触媒、フィラー、カップリング剤などを添加することもできる。
インクジェット法を用いる場合、フィレット形成材１３ａの粘度を下げて吐出部１０（図１（ａ）参照）の目詰まりを抑制する。例えば、室温（２５℃）における粘度を０．０１５Ｐａ・ｓ（Ｂ型粘度計（ＪＩＳ Ｋ ７１１７−２）による値）以下とする。
フィレット形成材１３ａの粘度は、例えば、樹脂と、樹脂を拡散する溶媒の混合比により制御することができる。例えば、エポキシ樹脂をγ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）に拡散する場合、エポキシ樹脂の割合を約２５重量％とすれば、２５℃における粘度を０．０１５Ｐａ・ｓ以下にすることができる。
なお、フィレット形成材１３ａの塗布は、上記のインクジェット法のほかに、例えば、ディスペンサ法を用いて行うこともできる。ディスペンサは、一定量のフィレット形成材１３ａを所定のノズルから吐出させ基板１２の表面に塗布する。ノズルは、フィレット形成材１３ａおよび塗布パターンに適合するように選択することができる。
図３（ａ）は、半導体チップ５を基板１２に接着した状態を示している。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示すIIIb−IIIb断面を示している。ここで、半導体チップ５を基板１２に接着する工程（図２〜図３の工程）をダイボンディング工程と称する場合がある。
基板１２の表面に塗布されたフィレット形成材１３ａの粘度は、半導体チップ５の裏面に設けられた接着層３の硬化前の粘度よりも低い。したがって、例えば、半導体チップ５を基板１２の表面１２ａに載置し圧力を加えて接着させると、フィレット形成材１３ａは、半導体チップ５の第２主面５ｂの外縁に接触し、外周部５ｃを埋めて隙間なく密着し、一部が外側へ押し出される。その後、熱処理を加えてフィレット形成材１３ａを硬化させると、図３（ａ）に示すように、半導体チップ５の外縁に沿ってフィレット１３が形成される。
フィレット１３は、半導体チップ５から基板１２に向けて広がるテーパー形状を有している。このフィレット１３の底部（基板側）の端は、半導体チップ５の外縁よりも外側に位置している。また、フィレット１３の上部（半導体チップ側）の端は、半導体チップ５の第２主面５ｂの外縁とほぼ一致、または、外縁よりも外側に位置することが望ましい。このフィレット１３により、半導体チップ５の第２主面５ｂの外周部５ｃに形成されるヒケ（図１（ｄ）参照）を埋めることができる。
なお、フィレット１３の上部の端は、半導体チップ５の第２主面５ｂの外縁よりもやや内側に形成することも可能である。この場合、フィレット１３の底部の端が半導体チップ５の第２主面５ｂの外縁よりも外側に位置していれば、フィレット１３と半導体チップ５の間にできる空間は小さくなる。その結果、フィレット１３を形成しない場合に比べて、封止樹脂の侵入を抑制することができる。
フィレット形成材１３ａに含まれる樹脂と、接着層３に含まれる樹脂と、を同じもの、または、同種のものとすることができる。これにより、図３（ｂ）に示すように、接着層３とフィレット１３とを一体に形成することができる。これにより、接着層３とフィレット１３との間の剥離を抑制することができる。
例えば、図７（ａ）は、比較例に係る半導体チップ２３の第２主面を示している。半導体チップ２５の第２主面には、接着層３が形成されていない部分、所謂カケ２４ａが存在する場合がある。カケ２４ａは、半導体ウェーハ２のダイシング時における接着層３の剥がれや、半導体チップ２３の第２主面の外縁における欠けなどによって生じる。
そして、図７（ｂ）に示すように、半導体チップ２３の第２主面を基板１２の表面１２ａに接着させると、カケ２４ａに対応する外縁部にヒケ２４を生じることがある。ヒケ２４は、例えば、接着層３の厚さ、または、カケ２４ａの深さに相当する空隙であり、半導体チップ２３を基板１２の上に樹脂封じする際に、高圧のモールド樹脂がヒケ２４に侵入し半導体チップ２３を基板１２から剥離させる、所謂口開きが起こる場合がある。
これに対し、本実施形態に係る半導体装置１００では、例えば、半導体チップ５の第２主面５ｂにカケ２４ａがあったとしても、基板１２の表面１２ａに塗布されたフィレット形成材１３ａが、半導体チップ５の第２主面５ｂに接触しカケ２４ａを埋めてヒケ２４の発生を抑制する。これにより、口開き等の不具合の発生を減らすことができる。
図７（ａ）に示すカケ２４ａの大きさは、例えば、半導体チップ２３、２５の外縁から内側に向かう方向に０．２ｍｍ程度である。したがって、基板１２の表面１２ａに塗布するフィレット形成材の幅Ｗ（図２（ａ）参照）は、０．４ｍｍ程度に設けることができる。
ここで、インクジェット法を用いれば、比較的細い領域に精度良く接着層３を形成することができる。すなわち、インクジェット法は、本実施形態におけるフィレット形成剤１３ａを塗布する方法として好適である。
また、インクジェット法によれば、粘度の低い接着剤を塗布し加熱により粘度を上げる。すなわち、基板１２の表面に塗布されたフィレット形成材１３ａの粘度を、半導体チップ５の裏面に設けられた接着層３の粘度よりも低くすることは容易である。
インクジェット法では、接着剤３ａの塗布時における吐出ノズルの目詰まりを抑制するために、接合剤の２５℃における粘度を０．０１５Ｐａ・ｓ以下とすることが好ましい。一方、ダイボンディング工程直前の接着層３は、Ｂステージ状態であり、接着層３の粘度は、１５０℃において約１００Ｐａ・ｓ程度である。すなわち、基板１２の表面に塗布されたフィレット形成材１３ａの粘度を、半導体チップ５の裏面に設けられた接着層３の粘度よりも低くすることは容易である。
さらに、インクジェット法で接着層３も形成すれば、フィレット形成材１３ａに含まれる樹脂と、接着層３に含まれる樹脂と、を同じものとすることは容易である。接着層３に求められる粘度と、フィレット形成材１３ａ粘度は、それぞれ加熱温度や加熱時間を調整することにより実現できるからである。
また、図７（ｂ）に示すように、半導体チップ２３の上に、半導体チップ２５を重ねて接着する場合にも、半導体チップ２５の第２主面２５ｂの外縁と、半導体チップ２３の第１主面２３ａの間にヒケ２４が生じる場合がある。これに対しては、次に説明する第２の実施形態に示すように、半導体チップ２３の第１主面２３ａにフィレット形成材１３ａを塗布することができる。
（第２の実施形態）
図４および図５は、本実施形態に係る半導体装置２００の製造過程を示す模式図である。半導体装置２００は、第１主面に素子領域６を有し、第２主面に接着層３を有する複数の半導体チップを搭載する。
そして、半導体装置２００の製造方法は、複数の半導体チップを載置する基板１２の上に固定された第１の半導体チップ（１５）の第１主面１５ａにフィレット形成材１３ａを塗布する工程を備えている。
フィレット形成材１３ａは、半導体チップ１５の第１主面１５ａにおいて、第２の半導体チップ（１９）の第２主面１９ｂの外縁に接触する部分に塗布される。
さらに、半導体装置２００の製造方法は、半導体チップ１９の第２主面１９ｂに設けられた接着層３を介して、半導体チップ１９を半導体チップ１５に接着する工程を備える。
図４（ａ）は、基板に固定された半導体チップ１５の第１主面１５ａにフィレット形成材１３ａが塗布された状態を示している。図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるIVb−IVb断面を示している。
図４（ａ）に示すように、半導体チップ１５は、素子領域６に設けられた複数の電極パッド１７を有している。電極パッド１７は、素子領域６の１つの辺に沿って、例えば、直線上に配置されている。そして、図４（ｂ）に示すように、例えば、半導体チップ１５と半導体チップ１９のサイズが同じであれば、半導体チップ１９は、半導体チップ１５の電極パッド１７に重ならないように、位置をずらして半導体チップ１５の第１主面１５ａに積載される。
例えば、半導体チップ１９は、電極パッド１７が並ぶ方向（並び方向）と垂直な方向（垂直方向）に位置をずらして載置される。したがって、フィレット形成材１３ａは、半導体チップ１５の電極パッド１７が設けられた側の一辺、および、垂直方向の２つの辺に対応する第２主面の外縁が接触する部分に塗布されている。すなわち、フィレット形成材１３ａは、半導体チップ１５の４辺のうち３辺に塗布されているといえる。
図５（ａ）は、半導体チップ１９を第１の半導体チップ（１５）に接着した状態を示している。図５（ｂ）は、図５（ａ）におけるVb−Vb断面を示している。
図５（ａ）に示すように、半導体チップ１９は、半導体チップ１５の電極パッド１７を露出させた状態に重ねて載置される。半導体チップ１９の第２主面における電極パッド１７に沿った外縁には、フィレット１３が形成される。
フィレット１３は、上段の半導体チップ１９から下段の半導体チップ１５に向かって広がるテーパー形状を有している。このフィレット１３の底部（半導体チップ１５の第１主面側）の端は、半導体チップ１９の第２主面１９ｂの外縁よりも外側に位置している。そして、フィレット１３の上部の端は半導体チップ１９の外縁とほぼ一致、または、外縁よりも外側に位置することが望ましい。このフィレット１３により、半導体チップ１９の外周部１９ｃに形成されるヒケを埋めることができる。
なお、フィレット１３の上部の端は、半導体チップ１９の外縁よりもやや内側に位置しても良い。フィレット１３の底部の端が半導体チップ１９の外縁よりも外側に位置していれば、フィレット１３と半導体チップ１９との間にできる空間は小さくなる。その結果、フィレット１３が無い場合に比べて、封止樹脂に含まれるＳｉ等が侵入する確率を減らすことができる。そして、半導体チップ１５の第１主面１５ａに設けられた素子領域６に与えるダメージを軽減し、特性の劣化を回避することができる。
本実施形態は、図５（ｂ）に示す２つの半導体チップ１５および１９を積載した構成に限られる訳ではなく、半導体チップ１９の上に、同様の手順で別の半導体チップを積載しても良い。
フィレット１３は、半導体チップ１５の電極パッド１７の上に広がらないように形成する。このためには、半導体チップ１９のずらし幅を大きくすれば良いが、積載される半導体チップの数が多くなると、複数の半導体チップを積載したスタック構造の幅（基板１２を上面視した場合における半導体チップ１５および１９が占める幅）が広くなり半導体装置のサイズが大きくなるという問題が生じる。
したがって、半導体チップ１９のずらし量は、電極パッド１７を露出させるための最小限の幅に止め、フィレット形成材１３ａの塗布幅Ｗ（図２（ａ）参照）を狭くすることが好ましい。例えば、前述した接着層３のカケ２４ａの幅を勘案して、０．４ｍｍ以下にすることができる。
一方、複数の半導体チップ１５および１９を積載する半導体装置２００では、その積載方向のサイズが厚くなる。そして、積載する半導体チップの数が増えるにしたがい、半導体装置２００のサイズは大きくなる。そこで、半導体チップの厚さを薄くすることが望ましい。しかしながら、薄く加工され強度が低下した半導体チップの間にヒケ２４が発生してしまうと、封止樹脂が侵入し半導体チップを破損する確率が高くなってしまう。したがって、本実施形態に係る半導体装置２００では、半導体チップの破損を効果的に防止し、さらに、小型化を実現することができる。
ここで、下段の半導体チップ１５のそれぞれの電極パッド１７にフィレット１３が接触しないことが好ましい。この後のワイヤボンディング工程において、電極パッド１７にワイヤが接続されるからである。ここで、電極パッド１７とフィレット１３が重なってしまうと、電極パッド１７の開口領域が狭くなってしまう。その結果、電極パッド１７とワイヤの電気的接触が取れない確率が高くなってしまう。すなわち、フィレット１３の底面の端部が電極パッド１７上にかからないように、フィレット形成剤１３ａを形成することが好ましい。このように、決められた位置に制度よくフィレット形成剤１３ａを形成する方法としては、インクジェット法が好ましい。
また、フィレット形成剤１３ａは、基板１２を上面視した場合における、上段の半導体チップ１９と下段の半導体チップ１９の重なる領域において、下段の半導体チップ１９の電極パッド１７が設けられた側の一辺、および、それに垂直な２つの辺に対応する第２主面の外縁が接触する部分のみに形成できればよい。すなわち、フィレット形成剤１３ａを必要最小限の部分に使用することにより、使用する接着剤総量を減らすことができる。このように、決められた位置に精度よくフィレット形成剤１３ａを形成する方法としては、インクジェット法が好ましい。
また、導体チップ１９の電極パッド１７が設けられた側の反対側の辺ではヒケが生じる可能性は殆どない。すなわち、上段の半導体チップ１９が電極パッド１７と反対側にずれているため、上段の半導体チップ１９の周辺部１９ｃが下段の半導体チップ１５の端部に位置することは無いからである。すなわち、下段の半導体チップ１５の電極パッド１７が設けられた側と反対側の辺にはフィレット１３を形成する必要はない。その結果、フィレット形成剤１３ａを必要最小限の部分に使用することにより、使用する接着剤総量を減らすことができる。
図６は、第２の実施形態の変形例に係る半導体装置３００の製造過程を模式的に示す平面図である。図６（ａ）は、基板に固定された第１の半導体チップ（３２）の第１主面にフィレット形成材１３ａが塗布された状態を示し、図６（ｂ）は、第２の半導体チップ（３３）を第１の半導体チップ（３２）の第１主面に接着した状態を示している。
図６（ａ）に示すように、半導体装置３００に搭載される半導体チップ３２および３３では、素子領域６の隣り合う２辺に沿って複数の電極パッド１７が設けられている。したがって、図６（ｂ）に示すように、半導体チップ３３は、半導体チップ３２の第１主面に対し斜めにずらして載置され、半導体チップ３２の素子領域６の２辺に沿って設けられた電極パッド１７を露出させる。言い換えると、紙面の横方向をＸ方向、紙面の縦方向をＹ方向とした場合、Ｘ方向とＹ方向の両方にずれていると言える。
本変形例に係る製造方法においても、半導体チップ３２の第１主面には、フィレット形成材１３ａが塗布される。フィレット形成材１３ａは、半導体チップ３３の電極パッド１７が設けられた側の２辺に対応する第２主面の外縁が接する部分に塗布される。そして、半導体チップ３３の第２主面の外縁に沿ってフィレット１３が形成される。
本実施形態に係る半導体装置２００および３００では、第１の半導体チップの第１主面にフィレット形成材１３ａを塗布する。そして、第２の半導体チップの第２主面の外縁がフィレット形成材１３ａに接触するように、第２半導体チップを第１半導体チップに接着する。そして、第２半導体チップの第２主面の外縁に沿ってフィレット１３が形成される。
フィレット１３は、第２半導体チップの第２主面の周辺部のヒケを埋めて密着する。そして、例えば、図７（ａ）に示すように、半導体チップ２５の第２主面２５ｂに接着層３のカケ２４ａが存在しても、図７（ｂ）に示す半導体チップ２３の第１主面２３ａと、半導体チップ２５の第２主面２５ｂと、の間におけるヒケ２４の発生を抑制することができる。その結果、封止樹脂をモールドする際の高圧樹脂による素子領域６へのダメージ、及び、第１の半導体チップと第２の半導体チップとの間の口開きを低減することができる。さらに、ヒケ２４の内部に封止樹脂に含まれるＳｉなどの異物が侵入し半導体チップの特性劣化の要因となることを防ぐこともできる。
本実施形態においても、フィレット形成材１３ａは、インクジェット法またはディスペンサ法を用いて塗布することができる。フィレット形成材１３ａには、例えば、絶縁性樹脂を含ませることが可能であり、接着層３に含まれる樹脂と同じ、または、同種の樹脂を用いることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
２・・・半導体ウェーハ、 ３・・・接着層、 ３ａ・・・接着剤、 ５、１５、１９、２３、２５、３２、３３・・・半導体チップ、 ５ａ、１５ａ、２３ａ・・・第１主面、 ５ｂ、１９ｂ、２５ｂ・・・第２主面、 ６・・・素子領域、 １０・・・吐出部、 １２・・・基板、 １２ａ・・・表面、 １３・・・フィレット、 １３ａ・・・フィレット形成材、 １７・・・電極パッド、 ２４・・・ヒケ、 ２４ａ・・・カケ、 １００、２００、３００ 半導体装置、 Ｗ・・・塗布幅

Claims (5)

  1. 第１主面に電極パッドが形成され第２主面に接着層が設けられた半導体チップと、前記半導体チップを載置する基板と、を有する半導体装置の製造方法であって、
    前記基板の表面において、前記半導体チップの第２主面の外縁に接触する部分にフィレット形成材を塗布する工程と、
    前記半導体チップの第２主面を、前記接着層を介して前記基板に接着する工程と、
    を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 第１主面に複数の電極パッドが形成され第２主面に接着層が設けられた複数の半導体チップと、前記半導体チップを積み重ねて載置する基板と、を有する半導体装置の製造方法であって、
    前記基板の上に固定された第１の半導体チップの第１主面において、前記第１の半導体チップの上に載置される第２の半導体チップの第２主面の外縁に接触する部分にフィレット形成材を塗布する工程と、
    前記第２の半導体チップを、前記第２の半導体チップの前記接着層を介して前記第１の半導体チップに接着する工程と、
    を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 前記第１の半導体チップに形成された前記複数の電極パッドは、前記第１の半導体チップの１つまたは２つの辺に沿って配置され、前記第１の半導体チップの第１主面に塗布されたフィレット形成材と前記複数の電極パッドが重ならないことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記フィレット形成材の塗布を、インクジェット法またはディスペンサ法を用いて行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
  5. 前記半導体チップを接着する工程において、前記フィレット形成材の粘度は、前記接着層の硬化前の粘度よりも低いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
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