JPH0421919A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0421919A JPH0421919A JP12646490A JP12646490A JPH0421919A JP H0421919 A JPH0421919 A JP H0421919A JP 12646490 A JP12646490 A JP 12646490A JP 12646490 A JP12646490 A JP 12646490A JP H0421919 A JPH0421919 A JP H0421919A
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Landscapes
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- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、薄膜磁気ヘッドに関し、スライダの媒体対向
面側に設けられる2本のレール部の一方にのみ薄膜磁気
変換素子を設けると共に、薄膜磁気変換素子の取出電極
を横並びに配置することにより、磁気記録の高密度化及
び高速化に極めて有用な小型、薄型の薄膜磁気ヘッドを
提供できるようにしたものである。
面側に設けられる2本のレール部の一方にのみ薄膜磁気
変換素子を設けると共に、薄膜磁気変換素子の取出電極
を横並びに配置することにより、磁気記録の高密度化及
び高速化に極めて有用な小型、薄型の薄膜磁気ヘッドを
提供できるようにしたものである。
〈従来の技術〉
従来より、磁気ディスク装置には、磁気記録媒体の走行
によって生じる動圧を利用して、磁気記録媒体との間に
微小な空気ベアリングによる間隙を保って浮上する薄膜
磁気ヘッドが用いられている。その基本的な構成は、磁
気記録媒体と対向する面側に浮上面を有するスライダの
空気流出端部側に薄膜磁気変換素子を備える構造となっ
ている。第7図は米国特許第4,856.181号等で
知られたこの種の薄膜磁気ヘッドの基本的な構造を示し
、セラミック構造体でなるスライダ1の媒体対向面側に
、間隔をおいて2本のレール部101.102を突設し
、レール部101.102の表面を高度の平面度を有す
る浮上面103.104とすると共に、レール部101
.102の空気流出方向aの端部のそれぞれに薄膜磁気
変換素子2A、2Bを設けである。
によって生じる動圧を利用して、磁気記録媒体との間に
微小な空気ベアリングによる間隙を保って浮上する薄膜
磁気ヘッドが用いられている。その基本的な構成は、磁
気記録媒体と対向する面側に浮上面を有するスライダの
空気流出端部側に薄膜磁気変換素子を備える構造となっ
ている。第7図は米国特許第4,856.181号等で
知られたこの種の薄膜磁気ヘッドの基本的な構造を示し
、セラミック構造体でなるスライダ1の媒体対向面側に
、間隔をおいて2本のレール部101.102を突設し
、レール部101.102の表面を高度の平面度を有す
る浮上面103.104とすると共に、レール部101
.102の空気流出方向aの端部のそれぞれに薄膜磁気
変換素子2A、2Bを設けである。
41A、42Aは薄膜磁気変換素子2Aの取出電極、4
1B、42Bは薄膜磁気変換素子2Bの取出電極であり
、薄膜磁気変換素子2A、2Bを設けた端面と同一の端
面105において、厚み方向に縦並びに配置されている
。取出電極(41A、42A)、(41B、42B)は
薄膜磁気変換素子2A、2Bのコイル(図示しない)に
導通接続されていて、磁気ディスク装置のリード導体が
接続固定される。
1B、42Bは薄膜磁気変換素子2Bの取出電極であり
、薄膜磁気変換素子2A、2Bを設けた端面と同一の端
面105において、厚み方向に縦並びに配置されている
。取出電極(41A、42A)、(41B、42B)は
薄膜磁気変換素子2A、2Bのコイル(図示しない)に
導通接続されていて、磁気ディスク装置のリード導体が
接続固定される。
磁気ディスク装置に装着して使用する場合、2つの薄膜
磁気変換素子2A、2Bが同時に使用される訳ではなく
、何れか一方だけが使用される。
磁気変換素子2A、2Bが同時に使用される訳ではなく
、何れか一方だけが使用される。
薄膜磁気変換素子2A、2Bのどちらを使用するかは、
主として、磁気ディスク装置側の要求によって定まる。
主として、磁気ディスク装置側の要求によって定まる。
例えば磁気ディスクの両面側で記録再生を行なう場合、
表側の記録再生時には薄膜磁気変換素子2Aを使用し、
裏側の記録再生には薄膜磁気変換素子2Bを使用する。
表側の記録再生時には薄膜磁気変換素子2Aを使用し、
裏側の記録再生には薄膜磁気変換素子2Bを使用する。
そこで、薄膜磁気変換素子2A、2Bが何れが要求され
た場合でも対応できるように、レール部101.102
の両者に薄膜磁気変換素子2A、2Bを設けである。
た場合でも対応できるように、レール部101.102
の両者に薄膜磁気変換素子2A、2Bを設けである。
薄膜磁気変換素子2A、2Bはrc製造テクノロジと同
様のプロセスにしたがって形成された薄膜素子である。
様のプロセスにしたがって形成された薄膜素子である。
〈発明が解決しようとする課題〉
この種の薄膜磁気ヘッドは、磁気記録の高密度化及び高
速化に対応するため、ますます、小型化される傾向にあ
る。小型化のメリットに関しては、特開昭64−217
13号公報に詳しく述べられており、高密度記録を達成
するのに必要な浮上最減少及びスペーシングロス低下に
有効であること、ジンバルとの組合せにおいて、共振周
波数を高め、クラッシュ防止及び耐久性向上に効果があ
ること、動圧と支持バネ圧との間の適正なバランスを保
ち、フライト姿勢を良好に保ち、安定な浮上特性が得ら
れること、小型化によるヘッドの質量減少はアームのア
クセス運動の高速化をもたらすこと等の種々のメリット
が得られる。
速化に対応するため、ますます、小型化される傾向にあ
る。小型化のメリットに関しては、特開昭64−217
13号公報に詳しく述べられており、高密度記録を達成
するのに必要な浮上最減少及びスペーシングロス低下に
有効であること、ジンバルとの組合せにおいて、共振周
波数を高め、クラッシュ防止及び耐久性向上に効果があ
ること、動圧と支持バネ圧との間の適正なバランスを保
ち、フライト姿勢を良好に保ち、安定な浮上特性が得ら
れること、小型化によるヘッドの質量減少はアームのア
クセス運動の高速化をもたらすこと等の種々のメリット
が得られる。
更に、薄膜磁気ヘッドの小型化のうちでも、薄型化は、
磁気ディスク装置のヘッドディスクアセンブリにおいて
、薄膜磁気ヘッドの配置される磁気ディスク間の間隔を
小さくし、磁気ディスクの枚数を増大させ、記憶容量を
増大させるのに有効である。
磁気ディスク装置のヘッドディスクアセンブリにおいて
、薄膜磁気ヘッドの配置される磁気ディスク間の間隔を
小さくし、磁気ディスクの枚数を増大させ、記憶容量を
増大させるのに有効である。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし、第7図に示した従来技術及び特開昭64−21
713号公報に開示された薄膜磁気ヘッドには、次のよ
うな問題点があった。
713号公報に開示された薄膜磁気ヘッドには、次のよ
うな問題点があった。
(A)薄膜磁気変換素子2A、2Bを有する端面105
上において、取出電極(41A、42A)、(41B、
42B)を厚み方向に縦並びに配置してあったため、ス
ライダ1をある厚み以下には薄くすることができない。
上において、取出電極(41A、42A)、(41B、
42B)を厚み方向に縦並びに配置してあったため、ス
ライダ1をある厚み以下には薄くすることができない。
このため、小型化及び薄型化に限界を生じていた。
(B)小型化を図った場合、取出電極(41A。
42A)、(41B、42B)の面積も小さくなるのは
当然である。このため、ヘッド支持装置と組合せて薄膜
磁気ヘッド装置を構成する場合、磁気ディスク装置に導
かれるリード導体を接続するための面積が小さくなり、
リード導体接続作業がしにくくなると共に、取出電極間
の距離が短くなり、半田ブリッジ等を生じ易くなる。
当然である。このため、ヘッド支持装置と組合せて薄膜
磁気ヘッド装置を構成する場合、磁気ディスク装置に導
かれるリード導体を接続するための面積が小さくなり、
リード導体接続作業がしにくくなると共に、取出電極間
の距離が短くなり、半田ブリッジ等を生じ易くなる。
(C)磁気ディスク装置に装着して使用する場合、2つ
の薄膜磁気変換素子2A、2Bの何れか一方だけが使用
される。それにも拘わらず、2つの薄膜磁気変換素子2
A、2Bを備えているため、薄膜磁気変換素子に起因す
るトラブル発生の確率が高くなる。例えば、浮上面10
3.104の平面度を出すための研磨工程における割れ
、クラック等の発生確率は薄膜磁気変換素子の数が多い
程、高くなる。これらの欠陥は歩留りを低下させ、浮上
特性及び読み書き動作に悪影響を与えることがある。
の薄膜磁気変換素子2A、2Bの何れか一方だけが使用
される。それにも拘わらず、2つの薄膜磁気変換素子2
A、2Bを備えているため、薄膜磁気変換素子に起因す
るトラブル発生の確率が高くなる。例えば、浮上面10
3.104の平面度を出すための研磨工程における割れ
、クラック等の発生確率は薄膜磁気変換素子の数が多い
程、高くなる。これらの欠陥は歩留りを低下させ、浮上
特性及び読み書き動作に悪影響を与えることがある。
(D)1個の薄膜磁気変換素子があればよいのに、2個
の薄膜磁気変換素子2A、2Bを備え、薄膜磁気変換素
子2A、2B毎に引出端子導体(41A、42A)、(
41B、42B)を形成していたため、引出端子導体(
41A、42A)、(41B、42B)を形成するのに
必要な面積以下には小型化できない。このため、高密度
記録対応の小型の磁気ヘッドを得ることが困難になって
いる。
の薄膜磁気変換素子2A、2Bを備え、薄膜磁気変換素
子2A、2B毎に引出端子導体(41A、42A)、(
41B、42B)を形成していたため、引出端子導体(
41A、42A)、(41B、42B)を形成するのに
必要な面積以下には小型化できない。このため、高密度
記録対応の小型の磁気ヘッドを得ることが困難になって
いる。
別の従来技術として、特開昭62−8307号公報には
、スライダの浮上面とは反対側の面を部分的に削除して
質量を小さくし、磁気ディスクの面ぶれに対する追従性
を向上させる技術が開示されている。しかし、この従来
技術では、スライダの形状が複雑化するため、薄膜磁気
ヘッドに対するヘッド支持装置の取付けが不安定になり
易い。
、スライダの浮上面とは反対側の面を部分的に削除して
質量を小さくし、磁気ディスクの面ぶれに対する追従性
を向上させる技術が開示されている。しかし、この従来
技術では、スライダの形状が複雑化するため、薄膜磁気
ヘッドに対するヘッド支持装置の取付けが不安定になり
易い。
また、薄膜磁気変換素子の取出電極を厚み方向に縦並び
に配置してあったので、上記した問題点を解決すること
がで幹ない。
に配置してあったので、上記した問題点を解決すること
がで幹ない。
そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、磁気記録の高密度化、高速化及び記憶容量の増大化
に極めて有用な小型、薄型の薄膜磁気ヘッドを提供する
ことである。
し、磁気記録の高密度化、高速化及び記憶容量の増大化
に極めて有用な小型、薄型の薄膜磁気ヘッドを提供する
ことである。
く課題を解決するための手段〉
上述する課題解決のため、本発明は、一面側に間隔を隔
てて対向する2本のレール部を有するスライダと、前記
スライダに備えられた薄膜磁気変換素子とを有する薄膜
磁気ヘッドであって、前記薄膜磁気変換素子は、前記レ
ール部の長さ方向に位置する前記スライダの一端面にお
いて、前記2木のレール部の一方にのみ備えられており
、 前記薄膜磁気変換素子の取出電極は、前記レール部の長
さ方向と直交する幅方向に横並びに配置されていること を特徴とする。
てて対向する2本のレール部を有するスライダと、前記
スライダに備えられた薄膜磁気変換素子とを有する薄膜
磁気ヘッドであって、前記薄膜磁気変換素子は、前記レ
ール部の長さ方向に位置する前記スライダの一端面にお
いて、前記2木のレール部の一方にのみ備えられており
、 前記薄膜磁気変換素子の取出電極は、前記レール部の長
さ方向と直交する幅方向に横並びに配置されていること を特徴とする。
く作用〉
スライダに設けられる2本のレール部の一方にのみ、薄
膜磁気変換素子を備えるので、1個の薄膜磁気変換素子
に必要なスペースまで小型化でき、高密度記録及び高速
化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドが得られる。
膜磁気変換素子を備えるので、1個の薄膜磁気変換素子
に必要なスペースまで小型化でき、高密度記録及び高速
化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドが得られる。
また、薄膜磁気変換素子が従来の2個から1個になるの
で、薄膜磁気変換素子に起因するトラブル発生の確率が
低下し、歩留りが向上すると共に、安定した浮上特性及
び磁気記録再生特性が得られる。
で、薄膜磁気変換素子に起因するトラブル発生の確率が
低下し、歩留りが向上すると共に、安定した浮上特性及
び磁気記録再生特性が得られる。
更に、薄膜磁気変換素子の取出電極は、レール部の長さ
方向と直交する幅方向に横並びに配置されているので、
スライダが1つの取出電極の幅に対応した厚みまで薄型
化できる。このため、−層小型で、高密度記録及び高速
化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドが得られる。
方向と直交する幅方向に横並びに配置されているので、
スライダが1つの取出電極の幅に対応した厚みまで薄型
化できる。このため、−層小型で、高密度記録及び高速
化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドが得られる。
また、薄型になるため、磁気ディスク装置のヘッドディ
スクアセンブリにおいて、薄膜磁気ヘッドの配置される
磁気ディスク間の間隔を小さくし、磁気ディスクの枚数
を増大させ、記憶容量を増大させることができる。
スクアセンブリにおいて、薄膜磁気ヘッドの配置される
磁気ディスク間の間隔を小さくし、磁気ディスクの枚数
を増大させ、記憶容量を増大させることができる。
しかも、取出電極を横並びに配置しであるので、スライ
ダの厚み方向に一致する取出電極の幅を増大できる。こ
のため、取出電極に対する外部のリード導体接続が容易
になる。
ダの厚み方向に一致する取出電極の幅を増大できる。こ
のため、取出電極に対する外部のリード導体接続が容易
になる。
〈実施例〉
第1図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
第7図と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示して
いる。スライダ1は、Al2O,・TIC等で構成され
る基体部分110に、Al2O3等でなる絶縁膜120
をスパッタ等の手段によって付着させた構造となってい
て、絶縁膜120の上に薄膜磁気変換素子2を設けであ
る。
いる。スライダ1は、Al2O,・TIC等で構成され
る基体部分110に、Al2O3等でなる絶縁膜120
をスパッタ等の手段によって付着させた構造となってい
て、絶縁膜120の上に薄膜磁気変換素子2を設けであ
る。
スライダ1に形成された2本のレール部101.102
のうち、レール部101の空気流出端部にのみ薄膜磁気
変換素子2を備えさせ、レール部102には薄膜磁気変
換素子は備えない。図示とは逆に、レール部102にの
み、薄膜磁気変換素子2を備えさせ、レール部101に
は薄膜磁気変換素子2を備えない構成であってもよい。
のうち、レール部101の空気流出端部にのみ薄膜磁気
変換素子2を備えさせ、レール部102には薄膜磁気変
換素子は備えない。図示とは逆に、レール部102にの
み、薄膜磁気変換素子2を備えさせ、レール部101に
は薄膜磁気変換素子2を備えない構成であってもよい。
レール部101.102のどちらに薄膜磁気変換素子2
を設けるかは、前述したように、磁気ディスク装置の要
求によって定まる。
を設けるかは、前述したように、磁気ディスク装置の要
求によって定まる。
上述のように、薄膜磁気変換素子2は、レール部101
.102の長さ方向に位置するスライダ1の一端面10
5において、2本のレール部101.102の一方にの
み備えられているので、スライダ1の端面105の面積
を、1個の薄膜磁気変換素子2に必要なスペースまで小
型化でき、高密度記録及び高速化に対応した小型の薄膜
磁気ヘッドが得られる。また、薄膜磁気変換素子2が従
来の2個から1個になるので、薄膜磁気変換素子2に起
因するトラブル発生の確率が低下し、歩留りが向上する
と共に、安定した浮上特性及び磁気記録再生特性が得ら
れる。
.102の長さ方向に位置するスライダ1の一端面10
5において、2本のレール部101.102の一方にの
み備えられているので、スライダ1の端面105の面積
を、1個の薄膜磁気変換素子2に必要なスペースまで小
型化でき、高密度記録及び高速化に対応した小型の薄膜
磁気ヘッドが得られる。また、薄膜磁気変換素子2が従
来の2個から1個になるので、薄膜磁気変換素子2に起
因するトラブル発生の確率が低下し、歩留りが向上する
と共に、安定した浮上特性及び磁気記録再生特性が得ら
れる。
薄膜磁気変換素子2の取出電極41.42は、レール部
101.102の長さ方向と直交する幅方向に横並びに
配置されている。スライダ1の厚みTは、1つの取出電
極41または42の幅Wに応じた厚みまで薄型化できる
。このため、−層小型で、高密度記録及び高速化に対応
した小型の薄膜磁気ヘッドが得られる。また、薄くなる
ため、磁気ディスク装置のヘッドディスクアセンブリに
おいて、磁気ディスク間の間隔を小さくし、磁気ディス
クの枚数を増大させ、記憶容量を増大させることができ
る。
101.102の長さ方向と直交する幅方向に横並びに
配置されている。スライダ1の厚みTは、1つの取出電
極41または42の幅Wに応じた厚みまで薄型化できる
。このため、−層小型で、高密度記録及び高速化に対応
した小型の薄膜磁気ヘッドが得られる。また、薄くなる
ため、磁気ディスク装置のヘッドディスクアセンブリに
おいて、磁気ディスク間の間隔を小さくし、磁気ディス
クの枚数を増大させ、記憶容量を増大させることができ
る。
しかも、取出電極41.42を横並びに配置しであるの
で、スライダ1の厚み方向に一致する取出電極の幅Wを
増大できる。このため、取出電極41.42に対する外
部のリード導体接続が容易になる。
で、スライダ1の厚み方向に一致する取出電極の幅Wを
増大できる。このため、取出電極41.42に対する外
部のリード導体接続が容易になる。
第2図は面内記録再生用の薄膜磁気変換素子2の付近の
拡大斜視図、第3図は同じく拡大断面図、第4図は取出
電極付近の拡大断面図である。
拡大斜視図、第3図は同じく拡大断面図、第4図は取出
電極付近の拡大断面図である。
スライダ1は、アルティック等で構成される基体部分1
10に、Al2O5等でなる絶縁膜120をスパッタ等
の手段によって付着させた構造となっていて、絶縁膜1
20の上に薄膜磁気変換素子2を設けである。
10に、Al2O5等でなる絶縁膜120をスパッタ等
の手段によって付着させた構造となっていて、絶縁膜1
20の上に薄膜磁気変換素子2を設けである。
21はパーマロイ等でなる下部磁性膜、22はAl2O
3等で形成されたギャップ膜、23はコイル膜、241
〜243はフォトレジスト等で形成された眉間絶縁膜、
25はパーマロイ等でなる上部磁性膜である。26はA
l2O5等の保護膜、27.28はリード導体である。
3等で形成されたギャップ膜、23はコイル膜、241
〜243はフォトレジスト等で形成された眉間絶縁膜、
25はパーマロイ等でなる上部磁性膜である。26はA
l2O5等の保護膜、27.28はリード導体である。
下部磁性I!21及び上部磁性膜25は、先端部がギャ
ップ@22を介して対向するポール部211.251と
なフていて、ポール部211、ギャップ@22及びポー
ル部251により、変換ギャップを構成している。ポー
ル部211.251にはヨーク部212.252が連続
しており、ヨーク部212.252は後方の結合部21
3.253において磁気回路を完成するように互いに結
合されている。コイル膜23は結合部213.253の
まわりを渦巻状にまわるように形成されている。コイル
膜23の両端はリード導体27.28に接続されている
。
ップ@22を介して対向するポール部211.251と
なフていて、ポール部211、ギャップ@22及びポー
ル部251により、変換ギャップを構成している。ポー
ル部211.251にはヨーク部212.252が連続
しており、ヨーク部212.252は後方の結合部21
3.253において磁気回路を完成するように互いに結
合されている。コイル膜23は結合部213.253の
まわりを渦巻状にまわるように形成されている。コイル
膜23の両端はリード導体27.28に接続されている
。
リード導体27.28は取出電極41.42を形成する
領域まで導出され、その端部に取出電極41.42が形
成されている。リード導体27.28は、具体的には、
パーマロイ/鋼/チタンのメツキ膜として形成する。
領域まで導出され、その端部に取出電極41.42が形
成されている。リード導体27.28は、具体的には、
パーマロイ/鋼/チタンのメツキ膜として形成する。
取出電極41.42は、通常は、銅メツキ膜等として構
成され、第4図に示すように、その表面には金等の保護
膜43が付着される。銅メツキ膜の代りに半田メツキ膜
として設けられることもある。また、取出電極41.4
2の周りは薄膜磁気変換素子2の全体を保護する保護膜
26によって覆われている。
成され、第4図に示すように、その表面には金等の保護
膜43が付着される。銅メツキ膜の代りに半田メツキ膜
として設けられることもある。また、取出電極41.4
2の周りは薄膜磁気変換素子2の全体を保護する保護膜
26によって覆われている。
第5図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に別の実施例
における要部の斜視図、第6図は同じく取出電極付近の
拡大断面図を示している。この実施例の特徴は、リード
導体27.28のうち、薄膜磁気変換素子2から遠い方
の取出電極42を形成すべきリード導体28は、近い方
の取出電極41の下を通って導かれていることである。
における要部の斜視図、第6図は同じく取出電極付近の
拡大断面図を示している。この実施例の特徴は、リード
導体27.28のうち、薄膜磁気変換素子2から遠い方
の取出電極42を形成すべきリード導体28は、近い方
の取出電極41の下を通って導かれていることである。
このような構造であると、更に小型化、薄型化が可能に
なると共に、取出電極41.42の面積拡大が可能にな
る。第5図及び第6図に示す構造の取出電極41.42
は、メツキ組成浴に添加されるレベリング剤の量をコン
トロールすることによって、容易に得ることができる。
なると共に、取出電極41.42の面積拡大が可能にな
る。第5図及び第6図に示す構造の取出電極41.42
は、メツキ組成浴に添加されるレベリング剤の量をコン
トロールすることによって、容易に得ることができる。
図示は省略するが、本発明は垂直記録再生用の薄膜磁気
ヘッドにも適用が可能である。
ヘッドにも適用が可能である。
〈発明の効果〉
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が
得られる。
得られる。
(a”)スライダに設けられる2本のレール部の一方に
のみ、薄膜磁気変換素子を備えるので、1個の薄膜磁気
変換素子に必要なスペースまで小型化でき、高密度記録
及び高速化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。
のみ、薄膜磁気変換素子を備えるので、1個の薄膜磁気
変換素子に必要なスペースまで小型化でき、高密度記録
及び高速化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。
(b)薄膜磁気変換素子が〈従来の2個から1個になる
ので、薄膜磁気変換素子に起因するトラブル発生の確率
が低下し、歩留りが向上すると共に、安定した浮上特性
及び磁気記録再生特性を有する薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。
ので、薄膜磁気変換素子に起因するトラブル発生の確率
が低下し、歩留りが向上すると共に、安定した浮上特性
及び磁気記録再生特性を有する薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。
(c)薄膜磁気変換素子の取出電極は、レール部の長さ
方向と直交する幅方向に横並びに配置されているので、
スライダが1つの取出電極の幅に対応した厚みまで薄型
化でき、高密度記録、高速化及び記憶容量の増大化に極
めて有効な小型、かつ薄型の薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。
方向と直交する幅方向に横並びに配置されているので、
スライダが1つの取出電極の幅に対応した厚みまで薄型
化でき、高密度記録、高速化及び記憶容量の増大化に極
めて有効な小型、かつ薄型の薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。
(d)取出電極を横並びに配置しであるので、スライダ
の厚み方向で見た取出電極の幅を増大させ、取出電極に
対する外部のリード導体接続の容易な薄膜磁気ヘッドを
提供できる。
の厚み方向で見た取出電極の幅を増大させ、取出電極に
対する外部のリード導体接続の容易な薄膜磁気ヘッドを
提供できる。
(e)ヘッド支持装置に対する取付は安定性の良好な薄
膜磁気ヘッドを提供できる。
膜磁気ヘッドを提供できる。
第1図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図、第2図
は面内記録再生用の薄膜磁気変換素子2の付近の拡大斜
視図、第3図は同じく拡大断面図、第4図は取出電極付
近の拡大断面図、第5図は本発明に係る薄膜磁気ヘッド
の更に別の実施例における要部の斜視図、第6図は同じ
く取出電極付近の拡大断面図、第7図は従来の薄膜磁気
ヘッドの斜視図である。 1・・・スライダ 2・・・薄膜磁気変換素子 101.102・・・レール部 41.42・・・取出電極 ■
は面内記録再生用の薄膜磁気変換素子2の付近の拡大斜
視図、第3図は同じく拡大断面図、第4図は取出電極付
近の拡大断面図、第5図は本発明に係る薄膜磁気ヘッド
の更に別の実施例における要部の斜視図、第6図は同じ
く取出電極付近の拡大断面図、第7図は従来の薄膜磁気
ヘッドの斜視図である。 1・・・スライダ 2・・・薄膜磁気変換素子 101.102・・・レール部 41.42・・・取出電極 ■
Claims (2)
- (1)一面側に間隔を隔てて対向する2本のレール部を
有するスライダと、前記スライダに備えられた薄膜磁気
変換素子とを有する薄膜磁気ヘッドであつて、 前記薄膜磁気変換素子は、前記レール部の長さ方向に位
置する前記スライダの一端面において、前記2本のレー
ル部の一方にのみ備えられており、 前記薄膜磁気変換素子の取出電極は、前記レール部の長
さ方向と直交する幅方向に横並びに配置されていること を特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - (2)前記取出電極は、前記薄膜磁気変換素子を構成す
るコイルに接続されるリード導体の上に形成されており
、 前記リード導体のうち、前記薄膜磁気変換素子から遠い
方の取出電極を形成すべきリード導体は、近い方の取出
電極の下を通って導かれていること を特徴とする請求項1に記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2126464A JPH087858B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2126464A JPH087858B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33614196A Division JP2793580B2 (ja) | 1996-12-16 | 1996-12-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0421919A true JPH0421919A (ja) | 1992-01-24 |
JPH087858B2 JPH087858B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=14935870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2126464A Expired - Fee Related JPH087858B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH087858B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7370406B2 (en) | 2003-06-09 | 2008-05-13 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin film structure |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57105819A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | Thin film magnetic head |
JPH0395715A (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-22 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
JPH03263605A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-25 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッドの構造 |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP2126464A patent/JPH087858B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57105819A (en) * | 1980-12-24 | 1982-07-01 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | Thin film magnetic head |
JPH0395715A (ja) * | 1989-09-07 | 1991-04-22 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
JPH03263605A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-25 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッドの構造 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7370406B2 (en) | 2003-06-09 | 2008-05-13 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a thin film structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH087858B2 (ja) | 1996-01-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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