JPH0421919A

JPH0421919A - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH0421919A
Application number: JP12646490A
Authority: JP
Inventors: Mikio Matsuzaki; 幹男松崎
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1990-05-16
Filing date: 1990-05-16
Publication date: 1992-01-24
Anticipated expiration: 2011-01-29
Also published as: JPH087858B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、薄膜磁気ヘッドに関し、スライダの媒体対向
面側に設けられる２本のレール部の一方にのみ薄膜磁気
変換素子を設けると共に、薄膜磁気変換素子の取出電極
を横並びに配置することにより、磁気記録の高密度化及
び高速化に極めて有用な小型、薄型の薄膜磁気ヘッドを
提供できるようにしたものである。

〈従来の技術〉従来より、磁気ディスク装置には、磁気記録媒体の走行
によって生じる動圧を利用して、磁気記録媒体との間に
微小な空気ベアリングによる間隙を保って浮上する薄膜
磁気ヘッドが用いられている。その基本的な構成は、磁
気記録媒体と対向する面側に浮上面を有するスライダの
空気流出端部側に薄膜磁気変換素子を備える構造となっ
ている。第７図は米国特許第４，８５６．１８１号等で
知られたこの種の薄膜磁気ヘッドの基本的な構造を示し
、セラミック構造体でなるスライダ１の媒体対向面側に
、間隔をおいて２本のレール部１０１．１０２を突設し
、レール部１０１．１０２の表面を高度の平面度を有す
る浮上面１０３．１０４とすると共に、レール部１０１
．１０２の空気流出方向ａの端部のそれぞれに薄膜磁気
変換素子２Ａ、２Ｂを設けである。

４１Ａ、４２Ａは薄膜磁気変換素子２Ａの取出電極、４
１Ｂ、４２Ｂは薄膜磁気変換素子２Ｂの取出電極であり
、薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂを設けた端面と同一の端
面１０５において、厚み方向に縦並びに配置されている
。取出電極（４１Ａ、４２Ａ）、（４１Ｂ、４２Ｂ）は
薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂのコイル（図示しない）に
導通接続されていて、磁気ディスク装置のリード導体が
接続固定される。

磁気ディスク装置に装着して使用する場合、２つの薄膜
磁気変換素子２Ａ、２Ｂが同時に使用される訳ではなく
、何れか一方だけが使用される。

薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂのどちらを使用するかは、
主として、磁気ディスク装置側の要求によって定まる。

例えば磁気ディスクの両面側で記録再生を行なう場合、
表側の記録再生時には薄膜磁気変換素子２Ａを使用し、
裏側の記録再生には薄膜磁気変換素子２Ｂを使用する。

そこで、薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂが何れが要求され
た場合でも対応できるように、レール部１０１．１０２
の両者に薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂを設けである。

薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂはｒｃ製造テクノロジと同
様のプロセスにしたがって形成された薄膜素子である。

〈発明が解決しようとする課題〉この種の薄膜磁気ヘッドは、磁気記録の高密度化及び高
速化に対応するため、ますます、小型化される傾向にあ
る。小型化のメリットに関しては、特開昭６４−２１７
１３号公報に詳しく述べられており、高密度記録を達成
するのに必要な浮上最減少及びスペーシングロス低下に
有効であること、ジンバルとの組合せにおいて、共振周
波数を高め、クラッシュ防止及び耐久性向上に効果があ
ること、動圧と支持バネ圧との間の適正なバランスを保
ち、フライト姿勢を良好に保ち、安定な浮上特性が得ら
れること、小型化によるヘッドの質量減少はアームのア
クセス運動の高速化をもたらすこと等の種々のメリット
が得られる。

更に、薄膜磁気ヘッドの小型化のうちでも、薄型化は、
磁気ディスク装置のヘッドディスクアセンブリにおいて
、薄膜磁気ヘッドの配置される磁気ディスク間の間隔を
小さくし、磁気ディスクの枚数を増大させ、記憶容量を
増大させるのに有効である。

〈発明が解決しようとする課題〉しかし、第７図に示した従来技術及び特開昭６４−２１
７１３号公報に開示された薄膜磁気ヘッドには、次のよ
うな問題点があった。

（Ａ）薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂを有する端面１０５
上において、取出電極（４１Ａ、４２Ａ）、（４１Ｂ、
４２Ｂ）を厚み方向に縦並びに配置してあったため、ス
ライダ１をある厚み以下には薄くすることができない。

このため、小型化及び薄型化に限界を生じていた。

（Ｂ）小型化を図った場合、取出電極（４１Ａ。

４２Ａ）、（４１Ｂ、４２Ｂ）の面積も小さくなるのは
当然である。このため、ヘッド支持装置と組合せて薄膜
磁気ヘッド装置を構成する場合、磁気ディスク装置に導
かれるリード導体を接続するための面積が小さくなり、
リード導体接続作業がしにくくなると共に、取出電極間
の距離が短くなり、半田ブリッジ等を生じ易くなる。

（Ｃ）磁気ディスク装置に装着して使用する場合、２つ
の薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂの何れか一方だけが使用
される。それにも拘わらず、２つの薄膜磁気変換素子２
Ａ、２Ｂを備えているため、薄膜磁気変換素子に起因す
るトラブル発生の確率が高くなる。例えば、浮上面１０
３．１０４の平面度を出すための研磨工程における割れ
、クラック等の発生確率は薄膜磁気変換素子の数が多い
程、高くなる。これらの欠陥は歩留りを低下させ、浮上
特性及び読み書き動作に悪影響を与えることがある。

（Ｄ）１個の薄膜磁気変換素子があればよいのに、２個
の薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂを備え、薄膜磁気変換素
子２Ａ、２Ｂ毎に引出端子導体（４１Ａ、４２Ａ）、（
４１Ｂ、４２Ｂ）を形成していたため、引出端子導体（
４１Ａ、４２Ａ）、（４１Ｂ、４２Ｂ）を形成するのに
必要な面積以下には小型化できない。このため、高密度
記録対応の小型の磁気ヘッドを得ることが困難になって
いる。

別の従来技術として、特開昭６２−８３０７号公報には
、スライダの浮上面とは反対側の面を部分的に削除して
質量を小さくし、磁気ディスクの面ぶれに対する追従性
を向上させる技術が開示されている。しかし、この従来
技術では、スライダの形状が複雑化するため、薄膜磁気
ヘッドに対するヘッド支持装置の取付けが不安定になり
易い。

また、薄膜磁気変換素子の取出電極を厚み方向に縦並び
に配置してあったので、上記した問題点を解決すること
がで幹ない。

そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、磁気記録の高密度化、高速化及び記憶容量の増大化
に極めて有用な小型、薄型の薄膜磁気ヘッドを提供する
ことである。

く課題を解決するための手段〉上述する課題解決のため、本発明は、一面側に間隔を隔
てて対向する２本のレール部を有するスライダと、前記
スライダに備えられた薄膜磁気変換素子とを有する薄膜
磁気ヘッドであって、前記薄膜磁気変換素子は、前記レ
ール部の長さ方向に位置する前記スライダの一端面にお
いて、前記２木のレール部の一方にのみ備えられており
、前記薄膜磁気変換素子の取出電極は、前記レール部の長
さ方向と直交する幅方向に横並びに配置されていることを特徴とする。

く作用〉スライダに設けられる２本のレール部の一方にのみ、薄
膜磁気変換素子を備えるので、１個の薄膜磁気変換素子
に必要なスペースまで小型化でき、高密度記録及び高速
化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドが得られる。

また、薄膜磁気変換素子が従来の２個から１個になるの
で、薄膜磁気変換素子に起因するトラブル発生の確率が
低下し、歩留りが向上すると共に、安定した浮上特性及
び磁気記録再生特性が得られる。

更に、薄膜磁気変換素子の取出電極は、レール部の長さ
方向と直交する幅方向に横並びに配置されているので、
スライダが１つの取出電極の幅に対応した厚みまで薄型
化できる。このため、−層小型で、高密度記録及び高速
化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドが得られる。

また、薄型になるため、磁気ディスク装置のヘッドディ
スクアセンブリにおいて、薄膜磁気ヘッドの配置される
磁気ディスク間の間隔を小さくし、磁気ディスクの枚数
を増大させ、記憶容量を増大させることができる。

しかも、取出電極を横並びに配置しであるので、スライ
ダの厚み方向に一致する取出電極の幅を増大できる。こ
のため、取出電極に対する外部のリード導体接続が容易
になる。

〈実施例〉第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。

第７図と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示して
いる。スライダ１は、Ａｌ２Ｏ，・ＴＩＣ等で構成され
る基体部分１１０に、Ａｌ２Ｏ３等でなる絶縁膜１２０
をスパッタ等の手段によって付着させた構造となってい
て、絶縁膜１２０の上に薄膜磁気変換素子２を設けであ
る。

スライダ１に形成された２本のレール部１０１．１０２
のうち、レール部１０１の空気流出端部にのみ薄膜磁気
変換素子２を備えさせ、レール部１０２には薄膜磁気変
換素子は備えない。図示とは逆に、レール部１０２にの
み、薄膜磁気変換素子２を備えさせ、レール部１０１に
は薄膜磁気変換素子２を備えない構成であってもよい。

レール部１０１．１０２のどちらに薄膜磁気変換素子２
を設けるかは、前述したように、磁気ディスク装置の要
求によって定まる。

上述のように、薄膜磁気変換素子２は、レール部１０１
．１０２の長さ方向に位置するスライダ１の一端面１０
５において、２本のレール部１０１．１０２の一方にの
み備えられているので、スライダ１の端面１０５の面積
を、１個の薄膜磁気変換素子２に必要なスペースまで小
型化でき、高密度記録及び高速化に対応した小型の薄膜
磁気ヘッドが得られる。また、薄膜磁気変換素子２が従
来の２個から１個になるので、薄膜磁気変換素子２に起
因するトラブル発生の確率が低下し、歩留りが向上する
と共に、安定した浮上特性及び磁気記録再生特性が得ら
れる。

薄膜磁気変換素子２の取出電極４１．４２は、レール部
１０１．１０２の長さ方向と直交する幅方向に横並びに
配置されている。スライダ１の厚みＴは、１つの取出電
極４１または４２の幅Ｗに応じた厚みまで薄型化できる
。このため、−層小型で、高密度記録及び高速化に対応
した小型の薄膜磁気ヘッドが得られる。また、薄くなる
ため、磁気ディスク装置のヘッドディスクアセンブリに
おいて、磁気ディスク間の間隔を小さくし、磁気ディス
クの枚数を増大させ、記憶容量を増大させることができ
る。

しかも、取出電極４１．４２を横並びに配置しであるの
で、スライダ１の厚み方向に一致する取出電極の幅Ｗを
増大できる。このため、取出電極４１．４２に対する外
部のリード導体接続が容易になる。

第２図は面内記録再生用の薄膜磁気変換素子２の付近の
拡大斜視図、第３図は同じく拡大断面図、第４図は取出
電極付近の拡大断面図である。

スライダ１は、アルティック等で構成される基体部分１
１０に、Ａｌ２Ｏ５等でなる絶縁膜１２０をスパッタ等
の手段によって付着させた構造となっていて、絶縁膜１
２０の上に薄膜磁気変換素子２を設けである。

２１はパーマロイ等でなる下部磁性膜、２２はＡｌ２Ｏ
３等で形成されたギャップ膜、２３はコイル膜、２４１
〜２４３はフォトレジスト等で形成された眉間絶縁膜、
２５はパーマロイ等でなる上部磁性膜である。２６はＡ
ｌ２Ｏ５等の保護膜、２７．２８はリード導体である。

下部磁性Ｉ！２１及び上部磁性膜２５は、先端部がギャ
ップ＠２２を介して対向するポール部２１１．２５１と
なフていて、ポール部２１１、ギャップ＠２２及びポー
ル部２５１により、変換ギャップを構成している。ポー
ル部２１１．２５１にはヨーク部２１２．２５２が連続
しており、ヨーク部２１２．２５２は後方の結合部２１
３．２５３において磁気回路を完成するように互いに結
合されている。コイル膜２３は結合部２１３．２５３の
まわりを渦巻状にまわるように形成されている。コイル
膜２３の両端はリード導体２７．２８に接続されている
。

リード導体２７．２８は取出電極４１．４２を形成する
領域まで導出され、その端部に取出電極４１．４２が形
成されている。リード導体２７．２８は、具体的には、
パーマロイ／鋼／チタンのメツキ膜として形成する。

取出電極４１．４２は、通常は、銅メツキ膜等として構
成され、第４図に示すように、その表面には金等の保護
膜４３が付着される。銅メツキ膜の代りに半田メツキ膜
として設けられることもある。また、取出電極４１．４
２の周りは薄膜磁気変換素子２の全体を保護する保護膜
２６によって覆われている。

第５図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に別の実施例
における要部の斜視図、第６図は同じく取出電極付近の
拡大断面図を示している。この実施例の特徴は、リード
導体２７．２８のうち、薄膜磁気変換素子２から遠い方
の取出電極４２を形成すべきリード導体２８は、近い方
の取出電極４１の下を通って導かれていることである。

このような構造であると、更に小型化、薄型化が可能に
なると共に、取出電極４１．４２の面積拡大が可能にな
る。第５図及び第６図に示す構造の取出電極４１．４２
は、メツキ組成浴に添加されるレベリング剤の量をコン
トロールすることによって、容易に得ることができる。

図示は省略するが、本発明は垂直記録再生用の薄膜磁気
ヘッドにも適用が可能である。

〈発明の効果〉以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が
得られる。

（ａ”）スライダに設けられる２本のレール部の一方に
のみ、薄膜磁気変換素子を備えるので、１個の薄膜磁気
変換素子に必要なスペースまで小型化でき、高密度記録
及び高速化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。

（ｂ）薄膜磁気変換素子が〈従来の２個から１個になる
ので、薄膜磁気変換素子に起因するトラブル発生の確率
が低下し、歩留りが向上すると共に、安定した浮上特性
及び磁気記録再生特性を有する薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。

（ｃ）薄膜磁気変換素子の取出電極は、レール部の長さ
方向と直交する幅方向に横並びに配置されているので、
スライダが１つの取出電極の幅に対応した厚みまで薄型
化でき、高密度記録、高速化及び記憶容量の増大化に極
めて有効な小型、かつ薄型の薄膜磁気ヘッドを提供でき
る。

（ｄ）取出電極を横並びに配置しであるので、スライダ
の厚み方向で見た取出電極の幅を増大させ、取出電極に
対する外部のリード導体接続の容易な薄膜磁気ヘッドを
提供できる。

（ｅ）ヘッド支持装置に対する取付は安定性の良好な薄
膜磁気ヘッドを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図、第２図
は面内記録再生用の薄膜磁気変換素子２の付近の拡大斜
視図、第３図は同じく拡大断面図、第４図は取出電極付
近の拡大断面図、第５図は本発明に係る薄膜磁気ヘッド
の更に別の実施例における要部の斜視図、第６図は同じ
く取出電極付近の拡大断面図、第７図は従来の薄膜磁気
ヘッドの斜視図である。１・・・スライダ２・・・薄膜磁気変換素子１０１．１０２・・・レール部４１．４２・・・取出電極 ■

Claims

【特許請求の範囲】

（１）一面側に間隔を隔てて対向する２本のレール部を
有するスライダと、前記スライダに備えられた薄膜磁気
変換素子とを有する薄膜磁気ヘッドであつて、前記薄膜磁気変換素子は、前記レール部の長さ方向に位
置する前記スライダの一端面において、前記２本のレー
ル部の一方にのみ備えられており、前記薄膜磁気変換素子の取出電極は、前記レール部の長
さ方向と直交する幅方向に横並びに配置されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
（２）前記取出電極は、前記薄膜磁気変換素子を構成す
るコイルに接続されるリード導体の上に形成されており
、前記リード導体のうち、前記薄膜磁気変換素子から遠い
方の取出電極を形成すべきリード導体は、近い方の取出
電極の下を通って導かれていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。