JPH04218049A - レジスト組成物 - Google Patents
レジスト組成物Info
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- JPH04218049A JPH04218049A JP3088880A JP8888091A JPH04218049A JP H04218049 A JPH04218049 A JP H04218049A JP 3088880 A JP3088880 A JP 3088880A JP 8888091 A JP8888091 A JP 8888091A JP H04218049 A JPH04218049 A JP H04218049A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、IC回路、プリント
配線板、フォトマスク等の製造に有用なレジスト組成物
に関する。
配線板、フォトマスク等の製造に有用なレジスト組成物
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、プリント配線板用フォトレジスト
としてドライフィルムフォトレジストが主として使われ
ている。しかし、ドライフィルムフォトレジストは、そ
の工法上の理由からカバーシートをレジスト層上部に設
けなくてはならず、また、レジスト層そのものの薄膜化
にも限界があった。そのため、100μmより微細な回
路形成を産業レベルで実施することは困難であった。
としてドライフィルムフォトレジストが主として使われ
ている。しかし、ドライフィルムフォトレジストは、そ
の工法上の理由からカバーシートをレジスト層上部に設
けなくてはならず、また、レジスト層そのものの薄膜化
にも限界があった。そのため、100μmより微細な回
路形成を産業レベルで実施することは困難であった。
【0003】レジスト被膜の薄膜化のために、近年、電
気泳動によりレジスト成分を基材に塗布する電着工法が
考案されている(特開昭50−17827号、同60−
207139号の各公報等参照)。しかし、これらの工
法は、レジスト被膜の厚みを均一にすることが困難であ
る、レジスト被膜にピンホールが生じやすい等の欠点を
有するため、まだ産業化されるに至っていない。
気泳動によりレジスト成分を基材に塗布する電着工法が
考案されている(特開昭50−17827号、同60−
207139号の各公報等参照)。しかし、これらの工
法は、レジスト被膜の厚みを均一にすることが困難であ
る、レジスト被膜にピンホールが生じやすい等の欠点を
有するため、まだ産業化されるに至っていない。
【0004】そこで、膜厚の均一な薄いレジスト被膜を
形成するための工法としてディップ工法を用いてスルー
ホール付配線板を製造する方法が特許出願されている(
特願平1−44115号、同1−279193号、同2
−17378号、同2−43431号等参照)。
形成するための工法としてディップ工法を用いてスルー
ホール付配線板を製造する方法が特許出願されている(
特願平1−44115号、同1−279193号、同2
−17378号、同2−43431号等参照)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記ディッ
プ工法では、基材をディップ(浸漬)する液状のレジス
ト組成物の流動特性によっては、膜厚の均一な薄いレジ
スト被膜を得ることが出来ない場合があった。たとえば
、基材をレジスト組成物にディップした後引き上げる際
、レジスト組成物の粘度が高すぎると、基材にレジスト
組成物が厚く付きすぎてしまう。また、基材をレジスト
組成物から引き上げ終えた後静止する際、レジスト組成
物の粘度が低すぎると、レジスト組成物が基材から垂れ
落ちすぎるため、レジスト組成物が薄く付きすぎてしま
う。また、液垂れのために、レジスト組成物が不均一に
付きやすい。
プ工法では、基材をディップ(浸漬)する液状のレジス
ト組成物の流動特性によっては、膜厚の均一な薄いレジ
スト被膜を得ることが出来ない場合があった。たとえば
、基材をレジスト組成物にディップした後引き上げる際
、レジスト組成物の粘度が高すぎると、基材にレジスト
組成物が厚く付きすぎてしまう。また、基材をレジスト
組成物から引き上げ終えた後静止する際、レジスト組成
物の粘度が低すぎると、レジスト組成物が基材から垂れ
落ちすぎるため、レジスト組成物が薄く付きすぎてしま
う。また、液垂れのために、レジスト組成物が不均一に
付きやすい。
【0006】このような事情に鑑み、この発明は、ディ
ップ工法によって厚みの均一な薄いレジスト被膜を形成
することができる流動特性を有するレジスト組成物を提
供することを課題とする。
ップ工法によって厚みの均一な薄いレジスト被膜を形成
することができる流動特性を有するレジスト組成物を提
供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
、鋭意検討した結果、発明者らは、ディップ工法によっ
て基材上にレジスト被膜を形成する際、レジスト組成物
として、せん断速度に応じて粘度が変化する非ニュート
ン流体を用い、しかも、その見かけ粘度が、基材をレジ
スト組成物から引き上げる状態(以下、これを「高せん
断速度状態」と称する)では低く、基材を引き上げ終え
た後基材を静止する状態(以下、これを「低せん断速度
状態」と称する)では高くなるようなものを用いれば、
厚みの均一な薄いレジスト被膜を形成することができる
ことを見出し、この発明を完成するに至った。
、鋭意検討した結果、発明者らは、ディップ工法によっ
て基材上にレジスト被膜を形成する際、レジスト組成物
として、せん断速度に応じて粘度が変化する非ニュート
ン流体を用い、しかも、その見かけ粘度が、基材をレジ
スト組成物から引き上げる状態(以下、これを「高せん
断速度状態」と称する)では低く、基材を引き上げ終え
た後基材を静止する状態(以下、これを「低せん断速度
状態」と称する)では高くなるようなものを用いれば、
厚みの均一な薄いレジスト被膜を形成することができる
ことを見出し、この発明を完成するに至った。
【0008】すなわち、この発明にかかるレジスト組成
物は、液状のレジスト組成物であって、下記三つの条件
(a)、(b)、(c)を満たすことを特徴とする。 (a)塑性流体ないし擬塑性流体であること。 (b)見かけ粘度が、せん断速度30s−1以上の時に
は200cps以下であり、せん断速度5s−1以下の
時には250cps以上であること。
物は、液状のレジスト組成物であって、下記三つの条件
(a)、(b)、(c)を満たすことを特徴とする。 (a)塑性流体ないし擬塑性流体であること。 (b)見かけ粘度が、せん断速度30s−1以上の時に
は200cps以下であり、せん断速度5s−1以下の
時には250cps以上であること。
【0009】(c)上記流動特性(a)および(b)を
得るために、少なくとも一部が疎水化処理された粒径1
μm以下の微粉体が添加されている。 上述したように、この発明のレジスト組成物は、塑性流
体ないし擬塑性流体である必要がある。前記非ニュート
ン流体としては、塑性流体、擬塑性流体の他にチキソト
ロピー性流体があるが、チキソトロピー性流体は、この
発明のレジスト組成物としては用いられない。チキソト
ロピー性流体の場合は、流動性を持たせるためには、振
動を与えたり、かき混ぜたりしなければならず、しかも
、静止するとゲル状に固まってしまうといった特性があ
るため、チキソトロピー性のレジスト組成物を基材に塗
布すると、レジスト被膜に厚みムラが生じるからである
。
得るために、少なくとも一部が疎水化処理された粒径1
μm以下の微粉体が添加されている。 上述したように、この発明のレジスト組成物は、塑性流
体ないし擬塑性流体である必要がある。前記非ニュート
ン流体としては、塑性流体、擬塑性流体の他にチキソト
ロピー性流体があるが、チキソトロピー性流体は、この
発明のレジスト組成物としては用いられない。チキソト
ロピー性流体の場合は、流動性を持たせるためには、振
動を与えたり、かき混ぜたりしなければならず、しかも
、静止するとゲル状に固まってしまうといった特性があ
るため、チキソトロピー性のレジスト組成物を基材に塗
布すると、レジスト被膜に厚みムラが生じるからである
。
【0010】また、この発明のレジスト組成物は、上述
したように、高せん断速度状態と低せん断速度状態のそ
れぞれの状態において、所定の範囲の見かけ粘度を有す
る必要がある。図1は、この発明の一実施例であるレジ
スト組成物をディップ工法によって基材に塗布する工程
を模式的に表す。また、図2のグラフは、同レジスト組
成物の見かけ粘度とせん断速度の関係を表す。図1の(
a)にみるように、基材1をレジスト組成物2から引き
上げる時の○印の部分のレジスト組成物にかかるせん断
速度(高せん断速度)は、通常、30s−1以上である
。この時のレジスト組成物2の見かけ粘度は、200c
ps以下であることが必要であり、150cps以下で
あることが好ましい。すなわち、図2にみるように、粘
度曲線Cは、高せん断速度状態時には、領域Aを通る必
要がある。高せん断速度状態時の見かけ粘度が200c
psを超えるレジスト組成物を用いた場合は、レジスト
組成物が基材に厚く付きすぎるからである。また、図1
の(b)にみるように、基材1をレジスト組成物2から
引き上げ終えた後、基材1を静止する時のレジスト組成
物にかかるせん断速度(低せん断速度)は、通常、5s
−1以下である。この時のレジスト組成物2の見かけ粘
度は、250cps以上であることが必要であり、40
0cps以上であることが好ましい。すなわち、図2に
みるように、粘度曲線Cは、低せん断速度状態時には、
領域Bを通る必要がある。低せん断速度状態時の見かけ
粘度が250cpsを下回るレジスト組成物を用いた場
合は、レジスト組成物が基材から垂れ落ちるため、レジ
スト被膜がムラになったり、薄く付きすぎたりするから
である。
したように、高せん断速度状態と低せん断速度状態のそ
れぞれの状態において、所定の範囲の見かけ粘度を有す
る必要がある。図1は、この発明の一実施例であるレジ
スト組成物をディップ工法によって基材に塗布する工程
を模式的に表す。また、図2のグラフは、同レジスト組
成物の見かけ粘度とせん断速度の関係を表す。図1の(
a)にみるように、基材1をレジスト組成物2から引き
上げる時の○印の部分のレジスト組成物にかかるせん断
速度(高せん断速度)は、通常、30s−1以上である
。この時のレジスト組成物2の見かけ粘度は、200c
ps以下であることが必要であり、150cps以下で
あることが好ましい。すなわち、図2にみるように、粘
度曲線Cは、高せん断速度状態時には、領域Aを通る必
要がある。高せん断速度状態時の見かけ粘度が200c
psを超えるレジスト組成物を用いた場合は、レジスト
組成物が基材に厚く付きすぎるからである。また、図1
の(b)にみるように、基材1をレジスト組成物2から
引き上げ終えた後、基材1を静止する時のレジスト組成
物にかかるせん断速度(低せん断速度)は、通常、5s
−1以下である。この時のレジスト組成物2の見かけ粘
度は、250cps以上であることが必要であり、40
0cps以上であることが好ましい。すなわち、図2に
みるように、粘度曲線Cは、低せん断速度状態時には、
領域Bを通る必要がある。低せん断速度状態時の見かけ
粘度が250cpsを下回るレジスト組成物を用いた場
合は、レジスト組成物が基材から垂れ落ちるため、レジ
スト被膜がムラになったり、薄く付きすぎたりするから
である。
【0011】この発明では、レジスト組成物に上述した
ような流動特性を持たせるため、微粉体をレジスト組成
物に添加して粘度を調整するようにする。この発明で用
いられる微粉体としては、レジスト組成物の粘度を所望
の値に調整することができ、しかも、同微粉体の添加に
よってレジスト組成物の性能が低下しないようなもので
あることが必要である。また、レジスト組成物の感光領
域の波長において透明もしくはほぼ透明であることが好
ましい。このような微粉体の具体例としては、シリカ、
ジルコニア、チタニアなどの無機微粉体、アクリル樹脂
、スチレン樹脂などの有機微粉体等が挙げられ、これら
のうちでもシリカの使用が好ましいが、特に限定されな
い。
ような流動特性を持たせるため、微粉体をレジスト組成
物に添加して粘度を調整するようにする。この発明で用
いられる微粉体としては、レジスト組成物の粘度を所望
の値に調整することができ、しかも、同微粉体の添加に
よってレジスト組成物の性能が低下しないようなもので
あることが必要である。また、レジスト組成物の感光領
域の波長において透明もしくはほぼ透明であることが好
ましい。このような微粉体の具体例としては、シリカ、
ジルコニア、チタニアなどの無機微粉体、アクリル樹脂
、スチレン樹脂などの有機微粉体等が挙げられ、これら
のうちでもシリカの使用が好ましいが、特に限定されな
い。
【0012】この発明で用いられる微粉体は、その一部
もしくは全部が疎水化処理されている必要がある。もし
も、微粉体が表面に水酸基やカルボキシル基等の親水基
を持つ場合、それら親水基の間に水素結合が生じやすい
ため、レジスト組成物の流動特性がチキソトロピー性を
示すようになったり、微粉体の二次凝集が起きたりして
、非ニュートン性が得られなかったり、レジスト被膜に
厚みムラが生じやすくなったりするので、好ましくない
からである。疎水化処理の方法としては、特に限定され
ないが、微粉体に疎水化処理剤を添加混合して微粉体の
表面を疎水化する方法等が挙げられる。そのような疎水
化処理剤としては、たとえば、シランカップリング剤、
エステル化剤、アルキル化剤等が挙げられるが、特に限
定されない。また、疎水化処理微粉体(A)と未処理微
粉体(B)との重量割合(A/B)については、特に限
定されないが、50/50以上が好ましく、75/25
以上がより好ましい。
もしくは全部が疎水化処理されている必要がある。もし
も、微粉体が表面に水酸基やカルボキシル基等の親水基
を持つ場合、それら親水基の間に水素結合が生じやすい
ため、レジスト組成物の流動特性がチキソトロピー性を
示すようになったり、微粉体の二次凝集が起きたりして
、非ニュートン性が得られなかったり、レジスト被膜に
厚みムラが生じやすくなったりするので、好ましくない
からである。疎水化処理の方法としては、特に限定され
ないが、微粉体に疎水化処理剤を添加混合して微粉体の
表面を疎水化する方法等が挙げられる。そのような疎水
化処理剤としては、たとえば、シランカップリング剤、
エステル化剤、アルキル化剤等が挙げられるが、特に限
定されない。また、疎水化処理微粉体(A)と未処理微
粉体(B)との重量割合(A/B)については、特に限
定されないが、50/50以上が好ましく、75/25
以上がより好ましい。
【0013】また、前記微粉体の粒径については、1μ
m以下であることが必要である。もしも粒径が1μmを
超える微粉体を用いた場合、目的とする回路形成に支障
を来したり、レジスト被膜に厚みムラが生じやすくなっ
たりするからである。この発明のレジスト組成物に含ま
れる前記微粉体以外の成分としては、特に限定されず、
たとえば、従来のレジスト組成物に通常含まれている(
感光性)樹脂、感光剤、溶媒、増感剤、着色剤、粘度調
整剤、変色剤等が挙げられる。これら成分および前記微
粉体の配合割合についても、特に限定されず、レジスト
組成物が前記流動特性(a)および(b)を持つように
適宜選択される。
m以下であることが必要である。もしも粒径が1μmを
超える微粉体を用いた場合、目的とする回路形成に支障
を来したり、レジスト被膜に厚みムラが生じやすくなっ
たりするからである。この発明のレジスト組成物に含ま
れる前記微粉体以外の成分としては、特に限定されず、
たとえば、従来のレジスト組成物に通常含まれている(
感光性)樹脂、感光剤、溶媒、増感剤、着色剤、粘度調
整剤、変色剤等が挙げられる。これら成分および前記微
粉体の配合割合についても、特に限定されず、レジスト
組成物が前記流動特性(a)および(b)を持つように
適宜選択される。
【0014】
【作用】レジスト組成物の見かけ粘度を、高せん断速度
状態時には低く、低せん断速度状態時には高くなるよう
に調整すると、ディップ工法によって膜厚の均一な薄い
レジスト被膜が形成する。
状態時には低く、低せん断速度状態時には高くなるよう
に調整すると、ディップ工法によって膜厚の均一な薄い
レジスト被膜が形成する。
【0015】
【実施例】以下に、この発明の具体的な実施例を比較例
と併せて説明するが、この発明は、下記実施例に限定さ
れない。 ─実施例1〜5および比較例1〜5─ 後記表1に示す配合割合で各成分を配合して、実施例1
〜5および比較例1〜5のレジスト組成物を調整した。
と併せて説明するが、この発明は、下記実施例に限定さ
れない。 ─実施例1〜5および比較例1〜5─ 後記表1に示す配合割合で各成分を配合して、実施例1
〜5および比較例1〜5のレジスト組成物を調整した。
【0016】ただし、表中の固形分の配合割合は、下記
■、■、■の総量の、レジスト組成物全体に対する重量
%を示す。なお、下記■と■の重量比(■/■)は、2
5/75である。■ 2,3,4−トリヒドロキシベ
ンゾフェノンと1−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホン酸塩化物からのエステル化物。
■、■、■の総量の、レジスト組成物全体に対する重量
%を示す。なお、下記■と■の重量比(■/■)は、2
5/75である。■ 2,3,4−トリヒドロキシベ
ンゾフェノンと1−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホン酸塩化物からのエステル化物。
【0017】■ クレゾールノボラック樹脂。■
粒径7〜20nmのシリカ微粉体。表中の液状成分の配
合割合は、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、酢酸エチル、トルエンを適宜配合した総量の、
レジスト組成物全体に対する重量%を示す。
粒径7〜20nmのシリカ微粉体。表中の液状成分の配
合割合は、エチレングリコールモノエチルエーテルアセ
テート、酢酸エチル、トルエンを適宜配合した総量の、
レジスト組成物全体に対する重量%を示す。
【0018】表中の微粉体の配合割合は、上記■のシリ
カ微粉体の、前記固形分全体に対する重量%を示す。表
中の微粉体の疎水化率は、上記■のシリカ微粉体全体中
に含まれる疎水化処理シリカ微粉体の、シリカ微粉体全
体に対する重量割合を示す。次に、得られたレジスト組
成物の流体性状と見かけ粘度を調べ、その結果を第1表
に示した。見かけ粘度については、レオメータ(HAK
KE社製、RV−20)を用い、せん断速度を0s−1
から100s−1まで1分間で変化させ、1分間100
s−1でホールドした後、100s−1から0s−1ま
で1分間で変化させた時に得られた粘度曲線から、低せ
ん断速度(5s−1)時および高せん断速度(30s−
1)時の見かけ粘度を求めた。なお、レジスト組成物が
チキソトロピー性を示す場合(比較例4)の高せん断速
度時および低せん断速度時の見かけ粘度については、せ
ん断速度を0s−1から100s−1まで1分間で変化
させた時(昇せん断速度時)に得られた粘度曲線から求
めた。
カ微粉体の、前記固形分全体に対する重量%を示す。表
中の微粉体の疎水化率は、上記■のシリカ微粉体全体中
に含まれる疎水化処理シリカ微粉体の、シリカ微粉体全
体に対する重量割合を示す。次に、得られたレジスト組
成物の流体性状と見かけ粘度を調べ、その結果を第1表
に示した。見かけ粘度については、レオメータ(HAK
KE社製、RV−20)を用い、せん断速度を0s−1
から100s−1まで1分間で変化させ、1分間100
s−1でホールドした後、100s−1から0s−1ま
で1分間で変化させた時に得られた粘度曲線から、低せ
ん断速度(5s−1)時および高せん断速度(30s−
1)時の見かけ粘度を求めた。なお、レジスト組成物が
チキソトロピー性を示す場合(比較例4)の高せん断速
度時および低せん断速度時の見かけ粘度については、せ
ん断速度を0s−1から100s−1まで1分間で変化
させた時(昇せん断速度時)に得られた粘度曲線から求
めた。
【0019】次に、前記得られたレジスト組成物を用い
、通常のディップ条件で、スルーホール付き銅張り板上
にレジスト被膜を形成させ、スルーホールエッジ部の被
膜形成状態を調べ、その結果を表1に示した。
、通常のディップ条件で、スルーホール付き銅張り板上
にレジスト被膜を形成させ、スルーホールエッジ部の被
膜形成状態を調べ、その結果を表1に示した。
【0020】
【表1】
【0021】表1にみるように、実施例1〜5にかかる
レジスト組成物を用いて形成されたレジスト被膜は、い
ずれも膜厚が適度に薄いものであり、しかも、膜厚にバ
ラツキが少ない良好な被膜であることが確認された。一
方、比較例1〜2にかかるレジスト組成物のように、擬
塑性流体であるが、粘度範囲が不適当なレジスト組成物
から形成されたレジスト被膜は、厚く付きすぎたり薄く
付きすぎたりしており、満足のいく被膜性状ではなかっ
た。また、比較例3にかかるレジスト組成物のように、
せん断速度に関わらず粘度が一定のニュートン流体であ
るレジスト組成物から形成されたレジスト被膜は、薄く
付きすぎており、満足のいく被膜性状ではなかった。さ
らに、比較例4にかかるレジスト組成物のようにチキソ
トロピー性を示すレジスト組成物、および、比較例5に
かかるレジスト組成物のように、疎水化率が0%の微粉
体の添加により粘度調整されたレジスト組成物から形成
されたレジスト被膜は、いずれも膜厚にバラツキが大き
く、満足のいく被膜性状ではなかった。
レジスト組成物を用いて形成されたレジスト被膜は、い
ずれも膜厚が適度に薄いものであり、しかも、膜厚にバ
ラツキが少ない良好な被膜であることが確認された。一
方、比較例1〜2にかかるレジスト組成物のように、擬
塑性流体であるが、粘度範囲が不適当なレジスト組成物
から形成されたレジスト被膜は、厚く付きすぎたり薄く
付きすぎたりしており、満足のいく被膜性状ではなかっ
た。また、比較例3にかかるレジスト組成物のように、
せん断速度に関わらず粘度が一定のニュートン流体であ
るレジスト組成物から形成されたレジスト被膜は、薄く
付きすぎており、満足のいく被膜性状ではなかった。さ
らに、比較例4にかかるレジスト組成物のようにチキソ
トロピー性を示すレジスト組成物、および、比較例5に
かかるレジスト組成物のように、疎水化率が0%の微粉
体の添加により粘度調整されたレジスト組成物から形成
されたレジスト被膜は、いずれも膜厚にバラツキが大き
く、満足のいく被膜性状ではなかった。
【0022】
【発明の効果】この発明にかかるレジスト組成物によれ
ば、膜厚が均一で適度に薄い良好な被膜性状を有するレ
ジスト被膜を形成することができる。
ば、膜厚が均一で適度に薄い良好な被膜性状を有するレ
ジスト被膜を形成することができる。
【図1】この発明の一実施例であるレジスト組成物をデ
ィップ工法によって基材に塗布する工程を模式的に説明
する図である。
ィップ工法によって基材に塗布する工程を模式的に説明
する図である。
【図2】同レジスト組成物の見かけ粘度とせん断速度の
関係を表すグラフである。
関係を表すグラフである。
2 レジスト組成物
Claims (2)
- 【請求項1】 液状のレジスト組成物であって、下記
三つの条件(a)、(b)、(c)を満たすことを特徴
とするレジスト組成物。 (a)塑性流体ないし擬塑性流体であること。 (b)見かけ粘度が、せん断速度30s −1以上の時
には200cps以下であり、せん断速度5s−1以下
の時には250cps以上であること。 (c)上記流動特性(a)および(b)を得るために、
少なくとも一部が疎水化処理された粒径1μm以下の微
粉体が添加されていること。 - 【請求項2】 微粉体がシリカである請求項1記載の
レジスト組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3088880A JPH04218049A (ja) | 1990-07-20 | 1991-04-20 | レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2-193248 | 1990-07-20 | ||
JP19324890 | 1990-07-20 | ||
JP3088880A JPH04218049A (ja) | 1990-07-20 | 1991-04-20 | レジスト組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04218049A true JPH04218049A (ja) | 1992-08-07 |
Family
ID=26430222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3088880A Pending JPH04218049A (ja) | 1990-07-20 | 1991-04-20 | レジスト組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04218049A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06180499A (ja) * | 1992-12-14 | 1994-06-28 | Matsushita Electric Works Ltd | 液状レジスト組成物 |
JP2001194775A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-07-19 | Kansai Research Institute | 活性粒子、感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
EP1058697A4 (en) * | 1998-03-05 | 2002-10-16 | Du Pont | POLYMERIC FILMS WITH TEMPERATURE AND SHEAR CONTROLLED VISCOSITY RESPONSE |
WO2008123049A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Jsr Corporation | 被膜形成方法及びそれに用いる樹脂組成物、絶縁膜を有する構造体及びその製造方法並びに電子部品 |
JP2008277771A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Jsr Corp | 被膜形成方法、絶縁膜を有する構造体及びその製造方法並びに電子部品 |
JP2009133924A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Jsr Corp | 被膜形成方法及びそれに用いるポジ型感光性樹脂組成物 |
WO2009150918A1 (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | Jsr株式会社 | 絶縁性被膜を有する構造体及びその製造方法、ポジ型感光性樹脂組成物並びに電子部品 |
-
1991
- 1991-04-20 JP JP3088880A patent/JPH04218049A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06180499A (ja) * | 1992-12-14 | 1994-06-28 | Matsushita Electric Works Ltd | 液状レジスト組成物 |
EP1058697A4 (en) * | 1998-03-05 | 2002-10-16 | Du Pont | POLYMERIC FILMS WITH TEMPERATURE AND SHEAR CONTROLLED VISCOSITY RESPONSE |
JP2001194775A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-07-19 | Kansai Research Institute | 活性粒子、感光性樹脂組成物及びパターン形成方法 |
WO2008123049A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Jsr Corporation | 被膜形成方法及びそれに用いる樹脂組成物、絶縁膜を有する構造体及びその製造方法並びに電子部品 |
JP2008277771A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Jsr Corp | 被膜形成方法、絶縁膜を有する構造体及びその製造方法並びに電子部品 |
JP2009133924A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-18 | Jsr Corp | 被膜形成方法及びそれに用いるポジ型感光性樹脂組成物 |
WO2009150918A1 (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | Jsr株式会社 | 絶縁性被膜を有する構造体及びその製造方法、ポジ型感光性樹脂組成物並びに電子部品 |
JP5246259B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2013-07-24 | Jsr株式会社 | 絶縁性被膜を有する構造体及びその製造方法、ポジ型感光性樹脂組成物並びに電子部品 |
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