JPH04206560A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04206560A JPH04206560A JP2329719A JP32971990A JPH04206560A JP H04206560 A JPH04206560 A JP H04206560A JP 2329719 A JP2329719 A JP 2329719A JP 32971990 A JP32971990 A JP 32971990A JP H04206560 A JPH04206560 A JP H04206560A
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- resin sealing
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、半導体装置の製造方法、特に、樹脂封止工程
で樹脂板厚ハリができるのを阻止する方法に関する。
で樹脂板厚ハリができるのを阻止する方法に関する。
第5図は従来半導体装置の製造に使用してきたリードフ
レームの一例を示す平面図、第6図は第5図に示すリー
ドフレームの樹脂封止状態を示す平面図である。
レームの一例を示す平面図、第6図は第5図に示すリー
ドフレームの樹脂封止状態を示す平面図である。
図において1はインナーリード、2はアウターリード、
4はセクションバー、5はクレードル、6は樹脂本体、
6′は樹脂板厚バリである。
4はセクションバー、5はクレードル、6は樹脂本体、
6′は樹脂板厚バリである。
アウターリード2をセクションパー4のみで連結固定し
た例である。
た例である。
すなわち、セクションパー4がタイバーを兼ねている。
第7図はアウターリード間にタイバーを有するリードフ
レームの樹脂封止状態を示す平面図である。
レームの樹脂封止状態を示す平面図である。
図において第5図、第6図の符号と同一符号は同一また
は相当するものを示し、3はタイバーである。
は相当するものを示し、3はタイバーである。
上記のように、リードフレームでは、アウターリード2
が中間部分においてタイバー3で端部にセクションパー
4で連結固定されている。第5図。
が中間部分においてタイバー3で端部にセクションパー
4で連結固定されている。第5図。
第6図に示すように、タイバー3がなくて、アウターリ
ード2が端部においてセクションパー4のみで連結固定
されたものもある。
ード2が端部においてセクションパー4のみで連結固定
されたものもある。
タイバー3は、本来の目的であるアウターリード2の固
定、半導体装置組立工程におけるリードの強度の確保の
ほかに、樹脂封止の際樹脂がアウターリード2間にはみ
出してできる樹脂板厚バリ6′の広がりを阻止する役目
をする。
定、半導体装置組立工程におけるリードの強度の確保の
ほかに、樹脂封止の際樹脂がアウターリード2間にはみ
出してできる樹脂板厚バリ6′の広がりを阻止する役目
をする。
しかし、従来、タイバー3は、リードフレームの製作時
に、金属製の同一の板材で他の部分と一体に形成されて
いた。
に、金属製の同一の板材で他の部分と一体に形成されて
いた。
従って、タイバー3は、アウターリード2間の絶縁を確
保するために、樹脂封止後に除去しなければならない。
保するために、樹脂封止後に除去しなければならない。
また、アウターリード2間にできる樹脂板厚バ+76
’は、一般にタイバー3で阻止されるため、タイバー3
を内側の端面が樹脂本体6に接する位置に設けると樹脂
板厚バリ6′の発生をなくすることができるが、樹脂封
止後のタイバー3除去の際、樹脂本体6がダメージを受
けるので、タイバー3は樹脂本体6からやや離れた位置
に設けなければならない。
’は、一般にタイバー3で阻止されるため、タイバー3
を内側の端面が樹脂本体6に接する位置に設けると樹脂
板厚バリ6′の発生をなくすることができるが、樹脂封
止後のタイバー3除去の際、樹脂本体6がダメージを受
けるので、タイバー3は樹脂本体6からやや離れた位置
に設けなければならない。
そのため、第7図に示すように、樹脂本体6とタイバー
3及びクレードル4との中間領域に樹脂板厚バリ6′が
できる。
3及びクレードル4との中間領域に樹脂板厚バリ6′が
できる。
タイバー3を設けてないリードフレームでは、第6図に
示すように、樹脂板厚バリ発生領域はさらに拡大する。
示すように、樹脂板厚バリ発生領域はさらに拡大する。
樹脂封止に使用する金型に樹脂封止の際リードフレーム
のアウターリード2間及びアウターリード2とクレード
ル4間の領域に樹脂がはみ出るのを阻止する金型に凸部
を設けて、樹脂板厚バリ6′の発生を阻止する方法も考
えられるが、この凸部とアウターリード2及びその他の
リードフレームの各部位との完全な接触を確保すること
が難しく、樹脂板厚バリの発生をなくすることが困難で
ある。
のアウターリード2間及びアウターリード2とクレード
ル4間の領域に樹脂がはみ出るのを阻止する金型に凸部
を設けて、樹脂板厚バリ6′の発生を阻止する方法も考
えられるが、この凸部とアウターリード2及びその他の
リードフレームの各部位との完全な接触を確保すること
が難しく、樹脂板厚バリの発生をなくすることが困難で
ある。
特に、アウターリード2間の間隔が小さくなったファイ
ンピッチのリードフレームには、上記方法を適用するこ
とが無理である。
ンピッチのリードフレームには、上記方法を適用するこ
とが無理である。
上記のように、従来の方法では、樹脂封止の際樹脂板厚
バリの発生が避けられなく、後工程においてこの樹脂板
厚バリを除去する必要があり、手間がかかるうえに、除
去不充分による不具合が発生することがあった。
バリの発生が避けられなく、後工程においてこの樹脂板
厚バリを除去する必要があり、手間がかかるうえに、除
去不充分による不具合が発生することがあった。
また、樹脂封止後タイバーを除去するが、通常、アウタ
ーリードのタイバー切断跡をわざわざリード処理するこ
とをしないので、素材が露出したままになり、品質上好
ましくないという問題があった。
ーリードのタイバー切断跡をわざわざリード処理するこ
とをしないので、素材が露出したままになり、品質上好
ましくないという問題があった。
本発明は上記の問題を解消するためになされたもので、
樹脂板厚バリが発生することがなく、アウターリードに
素材が露出したままとなることのない製造方法を提供す
ることを目的とする。
樹脂板厚バリが発生することがなく、アウターリードに
素材が露出したままとなることのない製造方法を提供す
ることを目的とする。
本発明の製造方法は、アウターリードをセクションパー
の゛みて連結固定するリードフレームに高耐熱物質をタ
イバー状に挿入あるいは付着させて固定し、樹脂封止の
際に樹脂がアウターリード間にはみ出て樹脂板厚バリが
できるのを阻止することを特徴とするものである。
の゛みて連結固定するリードフレームに高耐熱物質をタ
イバー状に挿入あるいは付着させて固定し、樹脂封止の
際に樹脂がアウターリード間にはみ出て樹脂板厚バリが
できるのを阻止することを特徴とするものである。
高耐熱物質をリードフレームのアウターリード部分に内
側の端面が樹脂封止の際のキャビティの境界部分に重な
る状態に挿入あるいは付着させて固定すると、樹脂封止
後に高耐熱物質を容易に脱落させることができ、また、
高耐熱物質に電気的絶縁体を使用すると、高耐熱物質が
脱落しない状態に樹脂封止してもよい。
側の端面が樹脂封止の際のキャビティの境界部分に重な
る状態に挿入あるいは付着させて固定すると、樹脂封止
後に高耐熱物質を容易に脱落させることができ、また、
高耐熱物質に電気的絶縁体を使用すると、高耐熱物質が
脱落しない状態に樹脂封止してもよい。
第1図、第2図は本発明の方法の一例を示す平面図であ
る。
る。
図において1.2.4,5.6は第5回、第6図の同一
符号と同一または相当する部分を示し、7は高耐熱物質
である。
符号と同一または相当する部分を示し、7は高耐熱物質
である。
アウターリード2を端部でセクションパー4のみで連結
固定したリードフレームのアウターリード2部分に高耐
熱物質7をタイバー状に内側の端面が樹脂封止の際のキ
ャビティの境界部分に重なる状態に挿入または付着させ
て固定する。
固定したリードフレームのアウターリード2部分に高耐
熱物質7をタイバー状に内側の端面が樹脂封止の際のキ
ャビティの境界部分に重なる状態に挿入または付着させ
て固定する。
高耐熱物質7には、金属、または、300 ”C以上の
耐熱を有するポリイミド、シリコン樹脂、エポキシ樹脂
等の高分子!tI質を使用する。
耐熱を有するポリイミド、シリコン樹脂、エポキシ樹脂
等の高分子!tI質を使用する。
これらの挿入、付着は、固形状の物体は強制挿入により
(接着側を併用してもよい)、液状の物質はボッティン
グ、注入法等により行う。
(接着側を併用してもよい)、液状の物質はボッティン
グ、注入法等により行う。
樹脂封止の際、高耐熱物質7によって樹脂のアウターリ
ード2間からの流出が阻まれ、第2図に示すように、樹
脂板厚バリの付着してない樹脂本体6が得られる。
ード2間からの流出が阻まれ、第2図に示すように、樹
脂板厚バリの付着してない樹脂本体6が得られる。
高耐熱物質7を第1図、第2図に示すように、アウター
リード2部分に内側の端面が樹脂封止の際にキャビティ
の境界部分に重なる状態に挿入または付着させて固定す
ると、樹脂封止の際高耐熱物質7のいずれの部分も樹脂
内に埋まることがなく、樹脂封止後高耐熱物質7を容易
に脱落させることができる。
リード2部分に内側の端面が樹脂封止の際にキャビティ
の境界部分に重なる状態に挿入または付着させて固定す
ると、樹脂封止の際高耐熱物質7のいずれの部分も樹脂
内に埋まることがなく、樹脂封止後高耐熱物質7を容易
に脱落させることができる。
上記方法では、高耐熱物質7の位置の正確さが要求され
、正確さを欠くと、樹脂板厚バリが発生したり、高耐熱
物質7が脱落しにくくなる。
、正確さを欠くと、樹脂板厚バリが発生したり、高耐熱
物質7が脱落しにくくなる。
高耐熱物質7に電気的絶縁体を使用し、樹脂封止後高耐
熱物質7を除去しなくてもよい方法を採ると、高耐熱物
質7の位置の高度の精度が必要でなくなる。
熱物質7を除去しなくてもよい方法を採ると、高耐熱物
質7の位置の高度の精度が必要でなくなる。
第3図は高耐熱物質に電気的絶縁体を使用した本発明の
方法の一例を示す平面図である。
方法の一例を示す平面図である。
各符号は第2図の同一符号と同一または相当するものを
示す。ただし、高耐熱物1t7にシリコン樹脂等絶縁性
のよいものを使用する。
示す。ただし、高耐熱物1t7にシリコン樹脂等絶縁性
のよいものを使用する。
リードフレームのインナーリード1とアウターリード2
に跨がる部分に高耐熱物質7をタイパル状に内側の端面
が樹脂封止の際のキャビティの境界部分より内側に位置
する状態に挿入あるいは付着させて固定する。
に跨がる部分に高耐熱物質7をタイパル状に内側の端面
が樹脂封止の際のキャビティの境界部分より内側に位置
する状態に挿入あるいは付着させて固定する。
この場合、高耐熱物質7のほとんどの部分か一部分が樹
脂本体6内に埋まる構造に封止される。
脂本体6内に埋まる構造に封止される。
第4図は本発明の方法を小型少数ビンパッケージの半導
体装置に適用した例を示す平面図である。
体装置に適用した例を示す平面図である。
図において2,6.7は第2図の同一符号に相当するも
のを示し、8は樹脂注入ゲーI・である。
のを示し、8は樹脂注入ゲーI・である。
樹脂注入ゲート8がアウターリード2間に取付ける高耐
熱物質7に添って設けられていて、樹脂封止後のゲート
ブレーク作業時に高耐熱物質7も除去されるようになっ
ている。
熱物質7に添って設けられていて、樹脂封止後のゲート
ブレーク作業時に高耐熱物質7も除去されるようになっ
ている。
なお、上記には主にSOPパッケージのものを例に説明
したが、更に多ビン化されたもの、QFPパッケージ等
形状の異なるものに適用できることは勿論である。
したが、更に多ビン化されたもの、QFPパッケージ等
形状の異なるものに適用できることは勿論である。
以上説明したように、本発明によると、樹脂封止の際の
樹脂板厚ハリが発生しなくなり、樹脂封止後に樹脂板厚
ハリを除去する必要がなくなり、工数削減になり、また
、除去不完全により不具合が発生することがなくなり、
さらに、アウターリードに素材が露出した部分ができる
ことがなくなり、品質の向上とコストダウンに寄り、す
る効果が大である。
樹脂板厚ハリが発生しなくなり、樹脂封止後に樹脂板厚
ハリを除去する必要がなくなり、工数削減になり、また
、除去不完全により不具合が発生することがなくなり、
さらに、アウターリードに素材が露出した部分ができる
ことがなくなり、品質の向上とコストダウンに寄り、す
る効果が大である。
第1図、第2図は本発明の方法の−・例を示す平面図、
第3図は本発明の方法の他の例を示す平面図、第4図は
本発明の方法を小型少数ビンバ、ケージの半導体装置に
適用した例を示す平面図、第5図は従来半導体装置の製
造に使用してきたIJ−ドフレームの一例を示す平面図
、第6図は第5図に示すリードフレームの樹脂封止状態
を示す平面図、第7図は従来のタイバーを有するリード
フレームの樹脂封止状態を示す平面図である。 1・・・インナーリード、2・・・アウターリード、3
・・・タイバー、4・・・セクションバー、5・・・ク
レードル、6・・・樹脂本体、6′・・・樹脂板厚ハリ
、7・・・高耐熱物質、8・・・樹脂注入ゲート。 なお図中同一符号は同一または相当するものを示す。
第3図は本発明の方法の他の例を示す平面図、第4図は
本発明の方法を小型少数ビンバ、ケージの半導体装置に
適用した例を示す平面図、第5図は従来半導体装置の製
造に使用してきたIJ−ドフレームの一例を示す平面図
、第6図は第5図に示すリードフレームの樹脂封止状態
を示す平面図、第7図は従来のタイバーを有するリード
フレームの樹脂封止状態を示す平面図である。 1・・・インナーリード、2・・・アウターリード、3
・・・タイバー、4・・・セクションバー、5・・・ク
レードル、6・・・樹脂本体、6′・・・樹脂板厚ハリ
、7・・・高耐熱物質、8・・・樹脂注入ゲート。 なお図中同一符号は同一または相当するものを示す。
Claims (2)
- (1)アウターリードをセクションバーのみで連結固定
したリードフレームに高耐熱物質をタイバー状に挿入あ
るいは付着させて固定し、樹脂封止の際に樹脂がアウタ
ーリード間にはみ出て樹脂板厚バリができるのを阻止す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (2)樹脂封止後に高耐熱物質を容易に脱落させること
ができるように、高耐熱物質をリードフレームのアウタ
ーリード部分に内側の端面が樹脂封止の際のキャビティ
の境界部分に重なる状態に挿入あるいは付着させて固定
することを特徴とする請求項第1項記載の半導体装置の
製造方法。(3)樹脂封止後に高耐熱物質を脱落させな
くても使用できるように、高耐熱物質に電気的絶縁体を
使用し、該高耐熱物質をリードフレームのインナーリー
ドとアウターリードに跨がる部分に内側の端面が樹脂封
止の際のキャビティの境界部分より内側に位置する状態
に挿入あるいは付着させて固定することを特徴とする請
求項第1項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2329719A JPH04206560A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2329719A JPH04206560A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04206560A true JPH04206560A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18224502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2329719A Pending JPH04206560A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04206560A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0683518A3 (en) * | 1994-05-16 | 1998-09-09 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device |
US5989474A (en) * | 1994-07-29 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Method for fabricating resin-sealed semiconductor device using leadframe provided with resin dam bar |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2329719A patent/JPH04206560A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0683518A3 (en) * | 1994-05-16 | 1998-09-09 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device |
US5837567A (en) * | 1994-05-16 | 1998-11-17 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device |
CN1097312C (zh) * | 1994-05-16 | 2002-12-25 | 株式会社日立制作所 | 引线框架及其制造方法,和使用此引线框架的半导体器件 |
US5989474A (en) * | 1994-07-29 | 1999-11-23 | Nec Corporation | Method for fabricating resin-sealed semiconductor device using leadframe provided with resin dam bar |
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