JPH04199890A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH04199890A JPH04199890A JP2336143A JP33614390A JPH04199890A JP H04199890 A JPH04199890 A JP H04199890A JP 2336143 A JP2336143 A JP 2336143A JP 33614390 A JP33614390 A JP 33614390A JP H04199890 A JPH04199890 A JP H04199890A
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Landscapes
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、信号再生フォトダイオード（以下にはＰＤ
と略す）とモニター用ＰＤとを内蔵した面発光形半導体
レーザ装置に関するものである。
と略す）とモニター用ＰＤとを内蔵した面発光形半導体
レーザ装置に関するものである。
第２図は、従来のファブベロー型ＬＤを用いた半導体レ
ーザが装置を示す図であり、図において、（１）はＬＤ
、（２）はサブマウント、（３）は放熱ブロック、（４
）はモニタＰＤ、（５）はステム、（６）は金線、（７
）はリート線、（８）はキャップ、（１００）はＬＤで
ある。
ーザが装置を示す図であり、図において、（１）はＬＤ
、（２）はサブマウント、（３）は放熱ブロック、（４
）はモニタＰＤ、（５）はステム、（６）は金線、（７
）はリート線、（８）はキャップ、（１００）はＬＤで
ある。
このような第２図のものは、ＬＤチップ（１）は熱応力
緩和材としてのサブマウント（２）を介して放熱ブロッ
ク（３）に組立てられ、放熱ブロック（３）はモニタｍ
ｍＰＤチップ（４）が組み込まれたステム（５）に組立
てられている。
緩和材としてのサブマウント（２）を介して放熱ブロッ
ク（３）に組立てられ、放熱ブロック（３）はモニタｍ
ｍＰＤチップ（４）が組み込まれたステム（５）に組立
てられている。
ＬＤチップ（１）及びＰＤチップ（４）は金線（６）か
ホンディンクされ、リード線（７）へ電気的に導通され
ている。ステム（５）にキャップ（８）が取り付けられ
、ＬＤ（１００）か構成される。
ホンディンクされ、リード線（７）へ電気的に導通され
ている。ステム（５）にキャップ（８）が取り付けられ
、ＬＤ（１００）か構成される。
ＬＤ（１００）はピックアップに組み込まれ、オーディ
オディスク、ビデオディスク等の光ディスクの読取り用
光源として使用される。
オディスク、ビデオディスク等の光ディスクの読取り用
光源として使用される。
第３図はピックアップ（２００，）の構成図である。Ｌ
Ｄ（１００）の前面にコリメートレンズ（９）が設置さ
れ、偏光ビームスピリツタ（１０）、嵐波長板（１１）
、対物レンズ（１２）、集束レンズ（１３） 、信号再
生用ＰＤ（１４）及び光ディスク（１５）により、ピッ
クアップか構成される。
Ｄ（１００）の前面にコリメートレンズ（９）が設置さ
れ、偏光ビームスピリツタ（１０）、嵐波長板（１１）
、対物レンズ（１２）、集束レンズ（１３） 、信号再
生用ＰＤ（１４）及び光ディスク（１５）により、ピッ
クアップか構成される。
次に動作について説明する。
第２図に示すＬＤ（ｔｏｏ）は、リード線（７）に電圧
が印加されると、ＬＤチップ（１）に電流か流れ、レー
ザ発振が始まり、ＬＤチップ（１）より二方向にレーザ
光が第３図中、矢印で示す如く放射される。一方のレー
ザ光は光デイスク読取り用光源として用いられ、他方の
レーザ光はモニター用ＰＤ （４）に入射し、ＬＤ光出
力の制御に用いられる。モニターＰＤ （４）はレーザ
光に対して傾斜しており、レーザ光の入射光かモニタＰ
Ｄ （４）で反射され再びＬＤチップ（１）へ入射する
事のないように組立てられている。
が印加されると、ＬＤチップ（１）に電流か流れ、レー
ザ発振が始まり、ＬＤチップ（１）より二方向にレーザ
光が第３図中、矢印で示す如く放射される。一方のレー
ザ光は光デイスク読取り用光源として用いられ、他方の
レーザ光はモニター用ＰＤ （４）に入射し、ＬＤ光出
力の制御に用いられる。モニターＰＤ （４）はレーザ
光に対して傾斜しており、レーザ光の入射光かモニタＰ
Ｄ （４）で反射され再びＬＤチップ（１）へ入射する
事のないように組立てられている。
第３図に示すピックアップ（２００）では、ＬＤ （１
００）より放射されたレーザ光がコリメートレンズ（９
）を通り平行光線となり、偏光ヒームスビリッタ（１０
）で直線偏光となり、ざらに属波長板（１１）を通って
円偏光となる。対物レンズ（１２）で光ティスフ（１５
）上で光スポットに絞られる。光スポットは光ディスク
（１５）のヒツトの部分では弱められ、ラントの部分て
は弱められずに反射した光は対物レンズ（１２）を通過
して平行光線となる。また、属波長板（１１）を通過す
ると、往きとは９０℃偏光方向が異なる直線偏光になる
ため、偏光ビームスビリツタ（ｌＯ）で反射され、反射
光は集束レンズ（１３）を通り信号再生用ＰＤ（１４）
に入射し信号再生が行なわれる事となる。
００）より放射されたレーザ光がコリメートレンズ（９
）を通り平行光線となり、偏光ヒームスビリッタ（１０
）で直線偏光となり、ざらに属波長板（１１）を通って
円偏光となる。対物レンズ（１２）で光ティスフ（１５
）上で光スポットに絞られる。光スポットは光ディスク
（１５）のヒツトの部分では弱められ、ラントの部分て
は弱められずに反射した光は対物レンズ（１２）を通過
して平行光線となる。また、属波長板（１１）を通過す
ると、往きとは９０℃偏光方向が異なる直線偏光になる
ため、偏光ビームスビリツタ（ｌＯ）で反射され、反射
光は集束レンズ（１３）を通り信号再生用ＰＤ（１４）
に入射し信号再生が行なわれる事となる。
従来の半導体レーザ装置、ファプリーベロー形ＬＤを用
いたものは、以上のように構成されているので、ＬＤチ
ップ、ＰＤチップのタイポンド面、ワイヤホント面か平
行面上てはないため、組立工程か複雑になる。またピッ
クアップにおいては部品数が多くなり、小型化が困難で
あり、所要の性能を得るため部品の位置調整を必要とす
る。
いたものは、以上のように構成されているので、ＬＤチ
ップ、ＰＤチップのタイポンド面、ワイヤホント面か平
行面上てはないため、組立工程か複雑になる。またピッ
クアップにおいては部品数が多くなり、小型化が困難で
あり、所要の性能を得るため部品の位置調整を必要とす
る。
さらに面発光型ＬＤにおいてはモニタＰＤと良好に光結
合する方法がないなどの問題点があった。
合する方法がないなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもの−で、ＬＤ組立工程の簡略化、ピックアップの小
型化及び位置調整を少なくする事を目的としている。
たもの−で、ＬＤ組立工程の簡略化、ピックアップの小
型化及び位置調整を少なくする事を目的としている。
この発明に係る半導体レーザ装置は、面発光型ＬＤを用
い、サブマウントの同一平面内にモニタ用ＰＤと信号再
生用ＰＤを形成し、ビームスプリッタが装着され、ビー
ムスプリッタの両サイドにミラー効果を有する傾斜面を
有するキャップを装着するようにしたものである。
い、サブマウントの同一平面内にモニタ用ＰＤと信号再
生用ＰＤを形成し、ビームスプリッタが装着され、ビー
ムスプリッタの両サイドにミラー効果を有する傾斜面を
有するキャップを装着するようにしたものである。
この発明における半導体レーザ装置はＬＤ、モニタ用Ｐ
Ｄ、信号再生用ＰＤが平行面上にあるため、ダイポンド
、ワイヤポンドの簡略化かでき、モニタ用ＰＤ、信号再
生用ＰＤがサブマウント内に写真製版技術を用いて形成
されるため高い位置精度を有し、ピックアップ組立時、
調整を少なくてき、又、小形化できる。
Ｄ、信号再生用ＰＤが平行面上にあるため、ダイポンド
、ワイヤポンドの簡略化かでき、モニタ用ＰＤ、信号再
生用ＰＤがサブマウント内に写真製版技術を用いて形成
されるため高い位置精度を有し、ピックアップ組立時、
調整を少なくてき、又、小形化できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、（１）は面発光型ＬＤ、（２）はサブマウ
ント、（３）は放熱ブロック、（４）はモニタ用ＰＤ、
（８）はキャップ、（ｌＯ）は偏光ビームスプリッタ、
（［４）は信号再生用ＰＤ、（１６）は傾斜面である。
図において、（１）は面発光型ＬＤ、（２）はサブマウ
ント、（３）は放熱ブロック、（４）はモニタ用ＰＤ、
（８）はキャップ、（ｌＯ）は偏光ビームスプリッタ、
（［４）は信号再生用ＰＤ、（１６）は傾斜面である。
このような第１図のものは面発光形ＬＤ（１）を用い、
サブマウント（２）の同一平面内に写真製版技術、拡散
技術を用いてモニタ用ＰＤ （４）及び信号再生用ＰＤ
（１４）を形成する。
サブマウント（２）の同一平面内に写真製版技術、拡散
技術を用いてモニタ用ＰＤ （４）及び信号再生用ＰＤ
（１４）を形成する。
ビームスプリッタ（１０）か装着され、ビームスプリッ
タ（１０）の両サイドにミラー効果を有する傾斜面（１
６）を有するキャップ（８）を装着し、半導体レーザ装
置か構成される。
タ（１０）の両サイドにミラー効果を有する傾斜面（１
６）を有するキャップ（８）を装着し、半導体レーザ装
置か構成される。
次に動作について説明する。ＬＤ（１）よりの出射光は
ビームスプリッタ（ｌＯ）により直進光と反射光に分け
られる。反射光は、ミラー効果を有する傾斜面（１６）
で反射され、モニタＰＤ （４）に入射しＬＤ光の制御
に用いられる。
ビームスプリッタ（ｌＯ）により直進光と反射光に分け
られる。反射光は、ミラー効果を有する傾斜面（１６）
で反射され、モニタＰＤ （４）に入射しＬＤ光の制御
に用いられる。
直進光は、ディスク（１５）に照射され、信号光となっ
た反射光はビームスプリッタ（１０）に入射し、ビーム
スプリッタ（１０）で反射され、反射光はミラー効果を
有する傾斜面（１６）で反射され信号再生用ＰＤ（１４
）に入射し、信号が再生される。
た反射光はビームスプリッタ（１０）に入射し、ビーム
スプリッタ（１０）で反射され、反射光はミラー効果を
有する傾斜面（１６）で反射され信号再生用ＰＤ（１４
）に入射し、信号が再生される。
以上のように本発明によれば、面発光形ＬＤを用い、サ
ブマウントの同一平面内にモニタ用ＰＤ、（３号再生用
ＰＤを形成しているため、ＬＤ、ＰＤか平行面上にあり
、組立工程の簡略化がてきる。
ブマウントの同一平面内にモニタ用ＰＤ、（３号再生用
ＰＤを形成しているため、ＬＤ、ＰＤか平行面上にあり
、組立工程の簡略化がてきる。
又、モニタＰＤ、信号再生用ＰＤがサブマウント内に写
真製版技術を用いて形成されるため、高い位置精度を有
し、ピックアップ組立時調整が少なくて良く、又、小形
化できるという効果がある。
真製版技術を用いて形成されるため、高い位置精度を有
し、ピックアップ組立時調整が少なくて良く、又、小形
化できるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置の
構成図、第２図は従来の半導体レーザ装置の構成図、第
３図は従来のピックアップの構成図である。 図において、（１）は面発光型、（２）はサブマウント
、（３）は放熱ブロック、（４）はモニタ用ＰＤ、（８
）はキャップ、（１ｏ）はビームスプリッタ、（１４）
は信号再生用ＰＤ、（１６）はミラー効果を有する傾斜
面である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
構成図、第２図は従来の半導体レーザ装置の構成図、第
３図は従来のピックアップの構成図である。 図において、（１）は面発光型、（２）はサブマウント
、（３）は放熱ブロック、（４）はモニタ用ＰＤ、（８
）はキャップ、（１ｏ）はビームスプリッタ、（１４）
は信号再生用ＰＤ、（１６）はミラー効果を有する傾斜
面である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- レーザダイオードチップが熱応力緩和材としてのサブ
マウントを介して放熱体に組立てられている半導体レー
ザ装置において、該レーザダイオードが面発光形レーザ
ダイオードで構成され、該サブマウントの同一平面内に
モニタフォトダイオードと信号再生用フォトダイオード
が形成され、ビームスプリッタを装着し、ビームスプリ
ッタの両サイドにミラー効果を有する傾斜面を有するキ
ャップを装着したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2336143A JPH04199890A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2336143A JPH04199890A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199890A true JPH04199890A (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=18296139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2336143A Pending JPH04199890A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199890A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0600426A3 (en) * | 1992-11-30 | 1995-12-13 | Canon Kk | Device with light emitting diode and method for its production. |
| JPH09180235A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Samsung Electron Co Ltd | 表面光レ−ザ−の光出力制御装置とこれを採用した記録／再生用の光ピックアップ |
| EP0786837A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Integrated laser-based light source |
| EP0786838A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Laser based light source using diffraction, scattering or transmission |
| EP0786836A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Laser-based light source |
| EP0802591A2 (en) * | 1996-04-18 | 1997-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Laser diode package having an optical power monitoring function |
| US5748658A (en) * | 1993-10-22 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup head |
| EP0865122A1 (en) * | 1997-03-10 | 1998-09-16 | Motorola, Inc. | Semiconductor laser package with power monitoring system |
| US5812582A (en) * | 1995-10-03 | 1998-09-22 | Methode Electronics, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser feedback system and method |
| JP2000353332A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-12-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 光出力モジュール及びこれを採用した互換型光ピックアップ装置 |
| EP0786839B1 (en) * | 1996-01-23 | 2003-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light output apparatus and optical pickup apparatus employing the same |
| WO2006030578A1 (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-23 | Nec Corporation | 集積光部品とその製造方法、及び光通信装置 |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP2336143A patent/JPH04199890A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0600426A3 (en) * | 1992-11-30 | 1995-12-13 | Canon Kk | Device with light emitting diode and method for its production. |
| US5748658A (en) * | 1993-10-22 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical pickup head |
| US5812582A (en) * | 1995-10-03 | 1998-09-22 | Methode Electronics, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser feedback system and method |
| JPH09180235A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Samsung Electron Co Ltd | 表面光レ−ザ−の光出力制御装置とこれを採用した記録／再生用の光ピックアップ |
| EP0786839B1 (en) * | 1996-01-23 | 2003-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light output apparatus and optical pickup apparatus employing the same |
| US5835514A (en) * | 1996-01-25 | 1998-11-10 | Hewlett-Packard Company | Laser-based controlled-intensity light source using reflection from a convex surface and method of making same |
| US5809050A (en) * | 1996-01-25 | 1998-09-15 | Hewlett-Packard Company | Integrated controlled intensity laser-based light source using diffraction, scattering and transmission |
| EP0786837A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Integrated laser-based light source |
| EP0786836A3 (en) * | 1996-01-25 | 1997-10-29 | Hewlett Packard Co | Laser light source |
| EP0786838A3 (en) * | 1996-01-25 | 1997-10-08 | Hewlett Packard Co | Laser light source with a diffractive, scattering or transmissive element |
| EP0786838A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Laser based light source using diffraction, scattering or transmission |
| US5771254A (en) * | 1996-01-25 | 1998-06-23 | Hewlett-Packard Company | Integrated controlled intensity laser-based light source |
| EP0786837A3 (en) * | 1996-01-25 | 1997-10-15 | Hewlett Packard Co | Integrated laser light source |
| EP0786836A2 (en) * | 1996-01-25 | 1997-07-30 | Hewlett-Packard Company | Laser-based light source |
| EP0802591A3 (en) * | 1996-04-18 | 1998-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Laser diode package having an optical power monitoring function |
| US5920585A (en) * | 1996-04-18 | 1999-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Laser diode package having an optical power monitoring function |
| EP0802591A2 (en) * | 1996-04-18 | 1997-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Laser diode package having an optical power monitoring function |
| EP0865122A1 (en) * | 1997-03-10 | 1998-09-16 | Motorola, Inc. | Semiconductor laser package with power monitoring system |
| JP2000353332A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-12-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 光出力モジュール及びこれを採用した互換型光ピックアップ装置 |
| US6587481B1 (en) | 1999-04-19 | 2003-07-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting module and compatible optical pickup device adopting the same |
| WO2006030578A1 (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-23 | Nec Corporation | 集積光部品とその製造方法、及び光通信装置 |
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