JP2002076492A - レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
保し、光学素子との結合効率が高いレーザ装置を提供す
る。 【解決手段】 第1面3と、第1面3より低い第2面4
および第3面5を有し、略凸状に形成されたヒートシン
ク2と、第1面3上に配置されたレーザ素子8とレーザ
素子8の主出射面10に近接して、第2面4上に設けら
れた光学素子12と、第3面5上に設けられた受光素子
13とを具備する。
Description
る。
されている。図4に於て、ステム100の上にヒートシ
ンク101が設けられ、ヒートシンク101の垂直面上
に、レーザ素子102が固定されている。そして、ステ
ム100の水平面上に、受光素子103が固定されてい
る。これらの部品により、レーザ装置104が構成され
ている。
VD用光ピックアップ105が図5に示されている。図
5に於て、発振波長が異なる第1レーザ装置106と、
第2レーザ装置107が配置されている。第1レーザ装
置106の上方に、ビームスプリッタ108を介して、
対物レンズ109が配置され、第2レーザ装置107の
上方に、反射ミラー110が配置されている。ビームス
プリッタ108の左側に、コリメータレンズ111と、
反射ミラー112が配置されている。
レーザ装置104では、レーザ素子102を垂直面に固
定し、受光素子103を水平面に固定するため、組立て
しにくく、両者の位置関係を正確に確保しにくい第1の
欠点が有る。更に、このレーザ装置104に、光学素子
(例えばコリメータレンズ等)を取付ける場合、キャッ
プ113の上方に光学素子を固定していた。そのため、
レーザ素子102と光学素子との距離が大きくなり、光
学素子との光結合効率が低い第2の欠点が有る。
は、第1レーザ装置106の上方に離れてビームスプリ
ッタ108を配置し、第2レーザ装置107の上方に離
れて反射ミラー110を配置するので、レーザ光の出力
損失が大きい第3の欠点が有る。また、ステム100を
有する第1レーザ装置106および第2レーザ装置10
7を配置するため、装置が大型化(広いスペースを必要
とする事)する第4の欠点が有る。
公報にて、小型化されたレーザ装置が示されている。こ
の公報によると、リードフレーム上に受光素子が設けら
れ、その上にレーザ素子が設けられている。しかし、レ
ーザ素子の副出射面の高さと受光素子に形成された受光
部の高さとの差が少ない。そのため、レーザ素子による
副出射光の入射角度が小さくなり、受光電流(モニタ電
流)が小さい第5の欠点が有る。
レーザ素子と受光素子の位置関係を正確に確保し、光学
素子との光結合効率が高い、レーザ光の出力損失が小さ
い、小型化した、受光電流が大きい、レーザ装置を提供
する。
に、請求項1の本発明では、第1面と、前記第1面より
低い第2面および第3面を有し、略凸状に形成されたヒ
ートシンクと、前記第1面上に配置されたレーザ素子
と、前記レーザ素子の主出射面に近接して、前記第2面
上に設けられた光学素子と、前記第3面上に設けられた
受光素子とを具備した。
リメータレンズであるものとする。
1面より低い第2面および第3面を有し、略凸状に形成
されたヒートシンクと、前記第1面上に互いに離れて配
置され、発振波長が異なる第1レーザ素子および第2レ
ーザ素子と、前記第1レーザ素子の主出射面に近接し
て、前記第2面上に設けられた偏光ビームスプリッタと
前記第2レーザ素子の主出射面に近接して、前記第2面
上に設けられた反射ミラーと、前記第3面上に設けられ
た受光素子とを具備した。
プリッタと、前記反射ミラーの代りに、前記第2面上に
1個のプリズムを設けた。
は前記第1レーザ素子および前記第2レーザ素子の主出
射面および副出射面が前記第1面より突出した位置にあ
るものとする。
第3面の段差が、前記受光素子の厚さよりも大きいもの
とする。
発明の実施の形態1に係るレーザ装置1を説明する。図
1に於て、ヒートシンク2は熱伝導率が高い、かつ、電
気伝導率が高い材質(例えば銅等)から成る。
より低い第2面4および第3面5を有し、断面形状が略
凸状に形成されている。この凸状部に於ける高い位置に
ある平面が第1面3である。凸状部に於ける低い位置に
ある平面が第2面4と、第3面5である。
て、垂直な側面6が形成されている。側面6につながっ
て、水平な第1面3が形成されている。第1面3につな
がって垂直な側面7が形成されている。側面7につなが
って、水平な第3面5が形成されている。第3面5につ
ながって、水平な第1端子部(図示せず)が形成されて
も良い。
を挟み、GaAlAs層から成るクラッド層から構成さ
れる半導体レーザ素子である。レーザ素子8の表面と、
裏面には、各々、表面電極と、裏面電極(共に図示せ
ず)が形成されている。
置し、後方が副出射面11が位置する様に、レーザ素子
8の裏面電極は、第1面3上に、銀ペースト等を介して
固着されている。レーザ素子8は、後方にモニタ用の副
出射が行われる様に、後面の反射膜の反射率が、前面の
反射率よりも高い様に、形成されている。
面11は、第1面3より突出した位置にある様に、レー
ザ素子8は設けられている。即ち、主出射面8は、側面
6よりも前方に位置し、副出射面11は、側面7よりも
後方に位置する様に、設けられている。換言すれば、レ
ーザ素子8の共振器長(活性層9の長さ)は、第1面3
の長さより長く、設けられている。
あり、レーザ素子8の主出射面10に近接する様に(例
えば0.1〜3mm)、第2面4上に接着材(図示せ
ず)等を介して、固定されている。
8を同一のヒートシンク2上に固定し、かつ、光学素子
12と主出射面10を近接させる事により、光学素子1
2とレーザ素子8との光結合効率が高くなる。
突出させる事により、主出射面10からの主出射光(レ
ーザビーム)は、側面6に衝突し、邪魔される事が防止
される。その結果として、主出射光は有効に利用され、
上記光結合効率は、更に高くなる。
射光は、光学素子12内に進入し、光学素子12によ
り、略平行な光線として、外部へ進行する。この平行光
線は、例えば、CD用ピックアップを構成する偏光ビー
ムスプリッタ内に進入する。
成るシリコン系結晶に、表面電極と裏面電極(共に図示
せず)が設けられたものである。表面電極は、例えばP
型拡散領域から成る受光部14とオーミック接触して形
成されている。受光素子13の裏面電極は、銀ペースト
等の導電性接着材15を介して、第3面5上に固着され
ている。
面7の高さ)は、受光素子13の厚さよりも大きくなる
様に、設けられている。この構成により、副出射面11
の高さと、受光部14の高さとの差が大きくなり、レー
ザ素子8に設けられた副出射面11からの副出射光の入
射角度が大きくなり、受光部14に於ける受光電流(モ
ニタ電流)が大きくなる。
視)する事ができ、主出射光量を正確に制御する事がで
きる。
突出させる事により、副出射面11からの副出射光は、
側面7に衝突し、邪魔される事が防止できる。その結
果、副出射光は有効に利用され、上記受光電流は、更に
大きくなる。
(共に図示せず)は、ヒートシンク2と近接して配置さ
れている。金等から成る第1金属細線(図示せず)は、
レーザ素子8の表面電極と、第2端子部の適所との間を
結ぶ様に配線されている。金等から成る第2金属細線
(図示せず)は、受光素子13の表面電極と、第3端子
部の適所との間を結ぶ様に配線されている。以上の部品
により、このレーザ装置1は構成されている。
係るレーザ装置16を説明する。図2(a)は、このレ
ーザ装置16の平面図、図2(b)は、レーザ装置16
の側面図である。
伝導率が高く、電気伝導率が高い材質(例えば銅等)か
ら成る。ヒートシンク17は第1面18と、第1面18
より低い第2面19および第3面20を有し、断面形状
が略凸状に形成されている。この凸状部に於ける高い位
置にある平面が第1面18である。凸状部に於ける低い
位置にある平面が、第2面19と、第3面5である。
21が形成されている。側面21につながって、水平な
第1面18が形成されている。第1面18につながっ
て、垂直な側面22が形成されている。垂直な側面22
につながって、水平な第3面20が形成されている。第
3面20につながって、水平な第1端子部(図示せず)
が形成されても良い。
と、それを挟むクラッド層から成り例えば650nmの
発振波長を有するものである。第1レーザ素子23の表
面と裏面には、各々、表面電極と裏面電極(共に図示せ
ず)が形成されている。
5が位置し、後方に副出射面26が位置する様に、第1
レーザ素子23の裏面電極は、第1面18上に、銀ペー
スト等を介して固着されている。第1レーザ素子23
は、後方にモニタ用の副出射が行われる様に、後面の反
射膜の反射率が、前面の反射率よりも高い様に、形成さ
れている。
副出射面26は、第1面18より突出した位置にある様
に、設けられている。即ち、主出射面25は、側面21
よりも前方に位置し、副出射面26は、側面22よりも
後方に位置する様に、設けられている。
示せず)と、それを挟み、GaAlAsのクラッド層か
ら成り、例えば780nmの発振波長を有するものであ
る。第2レーザ素子27の表面と裏面には、各々、表面
電極と裏面電極(共に図示せず)が形成されている。
8が位置し、後方に副出射面29が位置する様に、第2
レーザ素子27の裏面電極は、第1面18上に、銀ペー
スト等を介して固着されている。第2レーザ素子27
は、後方にモニタ用の副出射が行われる様に、後面の反
射膜の反射率が、前面の反射率よりも高い様に、形成さ
れている。
副出射面29は、第1面18より突出した位置にある様
に、設けられている。即ち、主出射面28は、側面21
よりも前方に位置し、副出射面29は、側面22よりも
後方に位置する様に、設けられている。
ザ素子27は、各々、発振波長が異なる。そして、第1
レーザ素子23と第2レーザ素子27は、第1面18上
に、互いに離れて位置する様に、配置されている。
素子23の主出射面25に近接する様に、第2面19上
に、接着材等を介して固着されている。
に突出させる事により、主出射面25からの主出射光
は、側面21に衝突し、邪魔される事が防止される。そ
の結果主出射光は有効に利用され、偏光ビームスプリッ
タ30との光結合効率は、高くなる。
主出射面28に近接する様に、第2面19上に、接着材
等を介して固着されている。第2レーザ素子27からの
主出射光は、反射ミラー32の反射面33にて反射さ
れ、その反射光34は、偏光ビームスプリッタ30内に
進入する様に、構成されている。
ら成るシリコン系結晶に、表面電極と裏面電極(共に図
示せず)が設けられたものである。表面電極は、例えば
P型拡散領域から成る受光部36とオーミック接触して
形成されている。受光素子35の裏面電極は、銀ペース
ト等の導電性接着材37を介して、第3面20上に固着
されている。
ち、側面22の高さ)は、受光素子35の厚さよりも大
きくなる様に、設けられている。この構成により、第1
レーザ素子23の副出射面26の高さと、受光部36の
高さとの差が大きくなる(図2(b)参照)。その結
果、副出射面26からの副出射光の入射角度が大きくな
り、受光部14に於ける受光電流(モニタ電流)は大き
くなる。
を、受光素子35の厚さよりも大きくする事により、第
2レーザ素子27の副出射面29の高さと、受光部36
の高さとの差が大きくなる。その結果、副出射面29か
らの副出射光の入射角度が大きくなり、受光部14に於
ける受光電流は大きくなる。
と、第4端子部(共に図示せず)は、ヒートシンク17
と近接して配置されている。金等から成る第1金属細線
(図示せず)は、第1レーザ素子23の表面電極と、第
2端子部の適所との間を結ぶ様に、配線されている。
は、第2レーザ素子27の表面電極と第3端子部の適所
との間を結ぶ様に、配線されている。金等から成る第3
金属細線(図示せず)は、受光素子35の表面電極と、
第4端子部の適所との間を結ぶ様に、配線されている。
以上の部品により、このレーザ装置16は構成されてい
る。
は、コリメータレンズ(図示せず)を介して、対物レン
ズが配置されている。偏光ビームスプリッタ30の側方
には凹レンズ(図示せず)を介して、光検出器39が配
置されている。上記部品と、レーザ装置16等により、
光ピックアップ装置40が構成されている。
6の動作説明を行う。最初に、使用者は例えば、プレー
ヤにDVDをセットし、DVD用運転スイッチ(共に図
示せず)を押したとする。その結果、第2端子部と第1
端子部との間に電圧が印加され、第4端子部と第1端子
部との間に電圧が印加される。また、第4端子部は電流
検出器(図示せず)に接続されている。
れ、主出射面25から主出射光42が出射され、副出射
面26が副出射光が出射される。
0を通過し、進行光42として、コリメータレンズを通
り、対物レンズ38を通り、DVDの記録面に到達す
る。上記記録面で反射された光は、対物レンズ38と、
コリメータレンズを通り、反射光43となり、偏光ビー
ムスプリッタ30内に進入する。
れ、進行光44として、光検出器39内に進入する。進
入した光は光検出器39によりデータとして再生され
る。
流検出器は、受光部36の受光電流を検出し、第1レー
ザ素子23に印加される電圧を制御し、650nmの発
振波長を持つ主出射光が所定の出力を行う様に、構成さ
れている。
を再生したい場合は、プレーヤからDVDを取除き、C
D−Rディスクをセットし、CD−R用運転スイッチ
(共に図示せず)を押す。その結果、第3端子部と第1
端子部との間に電圧が印加され第4端子部と第1端子部
との間に電圧が印加される。
れ、主出射面28から主出射光が出射され、主出射光3
3aは反射面33で反射され、反射光34となって、偏
光ビームスプリッタ30内に進入する。
れ、進行光42として、コリメータレンズと対物レンズ
38を通り、CD−Rディスクの記録面に到達する。上
記記録面で反射された光は、対物レンズ38と、コリメ
ータレンズを通り、反射光43となり、偏光ビームスプ
リッタ30内に進入する。
れ、進行光44として、光検出器39内に進入する。こ
の進入した光は、光検出器39により、データとして再
生される。
流検出器は、受光部36の受光電流を検出し、第2レー
ザ素子27に印加される電圧を制御し、780nmの発
振波長を持つ主出射光が所定の出力を行う様に、構成さ
れている。
係るレーザ装置46を説明する。図3は、このレーザ装
置46に用いられるプリズム47の平面図である。
面48が形成され、他側近傍に、境界面49が形成され
ている。即ち、反射面48は、図2(a)に示された反
射ミラー32に形成された反射面33と同一の機能を有
している。また、境界面49は、図2(a)に示された
偏光ビームスプリッタ30に形成された境界面31と同
一の機能を有している。
面28に近接し、境界面49が第1レーザ素子23に形
成された主出射面25に近接する様に、プリズム47は
第2面19上に固定されている。
30と、反射ミラー32の代りに、図3に示したプリズ
ム47は、第2面19上に設けられている。
出射された主出射光33aと、反射光34と、第1レー
ザ素子23から出射された主出射光41と、進行光42
と、反射光43と、進行光44は各々、図2に於て同じ
番号にて示した光と同一であり、同一の動作を行う。
第1面より低い第2面および第3面を有し、略凸状に形
成されたヒートシンクと、前記第1面上に配置されたレ
ーザ素子と、前記レーザ素子の主出射面に近接して、前
記第2面上に設けられた光学素子と、前記第3面上に設
けられた受光素子とを具備するものである。この様に、
光学素子と、レーザ素子と、受光素子を同一のヒートシ
ンク上に、同一方向(水平方向)にて組立てるので、組
立し易く、上記3部品につき、各部品同士の位置関係を
正確に確保できる。また、レーザ素子に近接する様に、
ヒートシンクの前面(第2面)に段差を設けて、光学素
子を設けるので、光学素子とレーザ素子を近接させる事
ができる。その結果、光学素子との光結合効率が高くな
る。
リメータレンズであるものとする。この様にして、レー
ザ素子から出射される主出射光(長円形のスポット)
は、コリメータレンズにより、真円のスポットに整形さ
れる。その結果、上記整形された光が対物レンズを通過
した後、集束されたスポットも真円となり、正確な信号
の再生ができる。また、コリメータレンズとレーザ素子
を近接させる事ができるので、光結合効率は高くなる。
1面より低い第2面および第3面を有し、略凸状に形成
されたヒートシンクと、前記第1面上に互いに離れて配
置され、発振波長が異なる第1レーザ素子および第2レ
ーザ素子と、前記第1レーザ素子の主出射面に近接し
て、前記第2面上に設けられた偏光ビームスプリッタと
前記第2レーザ素子の主出射面に近接して、前記第2面
上に設けられた反射ミラーと、前記第3面上に設けられ
た受光素子とを具備するものとする。この様に、第1レ
ーザ素子に近接して偏光ビームスプリッタを設けるの
で、レーザ光(主出射光)の出力損失を小さくできる。
また、従来の様に、ステム型のレーザ装置を2個並べる
のではなく、単なるレーザ素子を2個並べるので、装置
全体として小型化できる。そして、発振波長が異なる2
種類のレーザ光を出射するので、例えば異なる型のディ
スク(DVDとCD−R等)を再生できる。
プリッタと、前記反射ミラーの代りに、前記第2面上に
1個のプリズムを設ける構成とする。この様に、偏光ビ
ームスプリッタと、反射ミラーの代りに、1個のプリズ
ムを用いる事により、プリズムに形成された反射面と境
界面との位置関係が正確に得られる。故に、第1レーザ
素子からの主出射光と、第2レーザ素子からの主出射光
に於ける進行角度を正確に制御できる。
は前記第1レーザ素子および前記第2レーザ素子の主出
射面および副出射面が前記第1面より突出した位置にあ
る構成とする。この構成により、各レーザ素子からの主
出射光は、ヒートシンクの側面に衝突し、邪魔される事
を防止される。また、各レーザ素子からの副出射光はヒ
ートシンクの側面に衝突し、邪魔される事を防止され
る。
第3面の段差が、前記受光素子の厚さよりも大きい構成
とする。この構成により、レーザ素子の副出射面の高さ
と、受光部の高さとの差が大きくなり、副出射光の入射
角度が大きくなり、受光部における受光電流が大きくな
る。
面図である。
ーザ装置16の平面図、図2(b)はレーザ装置16の
側面図である。
用いられるプリズム47の平面図である。
ップの概略図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 第1面と、前記第1面より低い第2面お
よび第3面を有し、略凸状に形成されたヒートシンク
と、前記第1面上に配置されたレーザ素子と、前記レー
ザ素子の主出射面に近接して、前記第2面上に設けられ
た光学素子と、前記第3面上に設けられた受光素子とを
具備した事を特徴とするレーザ装置。 - 【請求項2】 前記光学素子はコリメータレンズである
事を特徴とする請求項1のレーザ装置。 - 【請求項3】 第1面と、前記第1面より低い第2面お
よび第3面を有し、略凸状に形成されたヒートシンク
と、前記第1面上に互いに離れて配置され、発振波長が
異なる第1レーザ素子および第2レーザ素子と、前記第
1レーザ素子の主出射面に近接して、前記第2面上に設
けられた偏光ビームスプリッタと、前記第2レーザ素子
の主出射面に近接して、前記第2面上に設けられた反射
ミラーと前記第3面上に設けられた受光素子とを具備し
た事を特徴とするレーザ装置。 - 【請求項4】 前記偏光ビームスプリッタと、前記反射
ミラーの代りに、前記第2面上に1個のプリズムを設け
た事を特徴とする請求項3のレーザ装置。 - 【請求項5】 前記レーザ素子又は前記第1レーザ素子
および前記第2レーザ素子の主出射面および副出射面が
前記第1面より突出した位置にある事を特徴とする請求
項1又は請求項3のレーザ装置。 - 【請求項6】 前記第1面と前記第3面の段差が、前記
受光素子の厚さよりも大きい事を特徴とする請求項1又
は請求項3のレーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000254121A JP2002076492A (ja) | 2000-08-24 | 2000-08-24 | レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006017104A Division JP2006121114A (ja) | 2006-01-26 | 2006-01-26 | レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002076492A true JP2002076492A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18743122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002076492A (ja) |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051107 |
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A02 | Decision of refusal |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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|
A521 | Written amendment |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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