JPH04196345A - 金属基板の構造 - Google Patents
金属基板の構造Info
- Publication number
- JPH04196345A JPH04196345A JP32649090A JP32649090A JPH04196345A JP H04196345 A JPH04196345 A JP H04196345A JP 32649090 A JP32649090 A JP 32649090A JP 32649090 A JP32649090 A JP 32649090A JP H04196345 A JPH04196345 A JP H04196345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- metal
- base metal
- wiring layer
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 17
- 238000013021 overheating Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 19
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、金属基板の構造に関する。
(従来の技術)
従来の金属基板の構造としては第4図に示すようなもの
があった。この金属基板1はベース金属ち 9であるアルミニュウム2の上に絶縁層台を介して配線
I4が積層されている一般的な金属基板の構造である。
があった。この金属基板1はベース金属ち 9であるアルミニュウム2の上に絶縁層台を介して配線
I4が積層されている一般的な金属基板の構造である。
前記配線層4の上には電子部品である発熱量の多い半導
体素子(パワーデバイス)6と発熱−の少ない半導体素
子5が搭載されている。
体素子(パワーデバイス)6と発熱−の少ない半導体素
子5が搭載されている。
前記発熱量の少ない半導体素子5はアルミニュウム2の
ワイヤー7によって配線層4と電気的に結線され、ワイ
ヤー7と配線層4の接合部は超名波接合で結ばれている
。前記パワーデバイス6は端子15によって配線層4と
電気的に結線され、端子15と配線層4の接合部はばん
だ8によって結ばれている。
ワイヤー7によって配線層4と電気的に結線され、ワイ
ヤー7と配線層4の接合部は超名波接合で結ばれている
。前記パワーデバイス6は端子15によって配線層4と
電気的に結線され、端子15と配線層4の接合部はばん
だ8によって結ばれている。
しかしながら、このような従来の金属基板の構造におい
てはベース金属9をアルミニュウム2とした場合には、
パワーデバイス6による発熱および外部環境の温度差に
よる温度変化によってアルミニュウム2と発熱量の少な
い半導体素子5の接合部に熱を持ってしまい、アルミニ
ュウム2と発熱量の少ない半導体素子5とは熱膨張係数
が大きく異なるのでパワーデバイス6によって発生した
熱によって半導体素子5と金属基板1の接合部が剥離す
ることがあった。
てはベース金属9をアルミニュウム2とした場合には、
パワーデバイス6による発熱および外部環境の温度差に
よる温度変化によってアルミニュウム2と発熱量の少な
い半導体素子5の接合部に熱を持ってしまい、アルミニ
ュウム2と発熱量の少ない半導体素子5とは熱膨張係数
が大きく異なるのでパワーデバイス6によって発生した
熱によって半導体素子5と金属基板1の接合部が剥離す
ることがあった。
そこで、特にチップ勺イズが大きく発熱量の少ない半導
体素子であるS1チツプが搭載されているときは金属基
板と81チツプとの間にストレス繻和材(バッファ材)
を挿入して、ストレスを低減する手法が取られているが
部品点数および工数の増加を招き、それでもS1チツプ
と金属基板の接合部の剥離が生じてしまう。
体素子であるS1チツプが搭載されているときは金属基
板と81チツプとの間にストレス繻和材(バッファ材)
を挿入して、ストレスを低減する手法が取られているが
部品点数および工数の増加を招き、それでもS1チツプ
と金属基板の接合部の剥離が生じてしまう。
また、ベース金属を鉄系合金とした場合には鉄系合金の
熱膨張係数が小さくSiチップやチップ部品を鉄系合金
に接合可能であるが、鉄系合金の熱伝導率が低いために
放熱性が悪く、鉄系合金上に発熱量の多い電子部品くパ
ワーデバイス)を搭載したとき、鉄系含金と電子部品の
接合部に熱が溜まってしまい、電子部品の過熱を起こし
金属基板上の電子部品を破壊してしまうという問題点が
あった。
熱膨張係数が小さくSiチップやチップ部品を鉄系合金
に接合可能であるが、鉄系合金の熱伝導率が低いために
放熱性が悪く、鉄系合金上に発熱量の多い電子部品くパ
ワーデバイス)を搭載したとき、鉄系含金と電子部品の
接合部に熱が溜まってしまい、電子部品の過熱を起こし
金属基板上の電子部品を破壊してしまうという問題点が
あった。
この発明は、このような従来の問題点に着目してなされ
たもので金R基板に搭載する電子部品のスペックに合わ
せてベース金属を選定できるように異なった2種類以上
の材料で金属基板を構成することによって、金属基板の
S造の信頼性を向上させることを目的としている。
たもので金R基板に搭載する電子部品のスペックに合わ
せてベース金属を選定できるように異なった2種類以上
の材料で金属基板を構成することによって、金属基板の
S造の信頼性を向上させることを目的としている。
本発明においては、ベース金属の土に絶縁層をz
介して配線層を積層し、該配線層上−電子部品を搭載す
る金属基板の構造において、前記ベース金属は発熱量の
多い電子部品が搭載される熱転導案の高い材料からなる
第1のベース金属と、該第1のベース金属に搭載されて
いる電子部品より発熱量の少ない電子部品が搭載される
熱膨張係数の小さい材料からなる第2のベース金属とを
少なくとも有し、第1および第2のベース金属は前記絶
縁層および前記配線層の積層される方向(こ対して垂直
方向でお互いに接着される構成とした。
る金属基板の構造において、前記ベース金属は発熱量の
多い電子部品が搭載される熱転導案の高い材料からなる
第1のベース金属と、該第1のベース金属に搭載されて
いる電子部品より発熱量の少ない電子部品が搭載される
熱膨張係数の小さい材料からなる第2のベース金属とを
少なくとも有し、第1および第2のベース金属は前記絶
縁層および前記配線層の積層される方向(こ対して垂直
方向でお互いに接着される構成とした。
(作用]
第1のベース金属は熱伝導率が高いため、搭載された電
子部品の熱を効果的に放熱することができ、第2のベー
ス金属は熱膨張係数が小さく、熱伝導率が低いため、発
熱量が多い電子部品からの熱がベース金属を介して伝わ
りにくい。
子部品の熱を効果的に放熱することができ、第2のベー
ス金属は熱膨張係数が小さく、熱伝導率が低いため、発
熱量が多い電子部品からの熱がベース金属を介して伝わ
りにくい。
(実施例)
以下、この発明を図面に基づいて説明する。
第1図は、本発明の一実施例を示す図である。
まず、構成を説明する。
金属基板1のベース金属9は鉄系合金10とアルミニュ
ウム2で構成されている。ベース金属9には絶縁層3を
介して配線層4が積層されている。
ウム2で構成されている。ベース金属9には絶縁層3を
介して配線層4が積層されている。
2つのベース金属9は前記絶縁層3および前記配線層4
の積層される方向(図面上下方向)に対して垂直の方向
(図面左右方向)でお互いにエポキシ系樹脂の接着剤1
1によって接着されている。
の積層される方向(図面上下方向)に対して垂直の方向
(図面左右方向)でお互いにエポキシ系樹脂の接着剤1
1によって接着されている。
ベース金属9が鉄系合金10の上には絶縁層3を介して
配線層4が積層され、さらにその上に発熱量の少ない半
導体素子5が積層されている。ベース金属9がアルミニ
ュウム2の上には絶縁層3を介して配線層4が積層され
、さらにその上に発熱量の多い半導体素子(パワーデバ
イス)6が積層されている。半導体素子5はワイヤー7
によって配線@4と電気的に結線され、結線部は超音波
接合によって結ばれている。パワーデバイス6は端子1
5によって配線層4と電気的に結線され、結線部ははん
だ8によって結ばれている。
配線層4が積層され、さらにその上に発熱量の少ない半
導体素子5が積層されている。ベース金属9がアルミニ
ュウム2の上には絶縁層3を介して配線層4が積層され
、さらにその上に発熱量の多い半導体素子(パワーデバ
イス)6が積層されている。半導体素子5はワイヤー7
によって配線@4と電気的に結線され、結線部は超音波
接合によって結ばれている。パワーデバイス6は端子1
5によって配線層4と電気的に結線され、結線部ははん
だ8によって結ばれている。
次に作用を説明する。
パワーデバイス6はアルミニコウム2からなるベース金
属9の上に搭載されているので、パワーデバイス6によ
り発ケする熱は熱転11率の高いアルミニュウム2へ放
熱され、さらに空気中に放熱されるのでパワーデバイス
6と金属基板1との接合部には熱は溜まらないので温度
1胃が起こらず、過熱による素子破壊が防げる。
属9の上に搭載されているので、パワーデバイス6によ
り発ケする熱は熱転11率の高いアルミニュウム2へ放
熱され、さらに空気中に放熱されるのでパワーデバイス
6と金属基板1との接合部には熱は溜まらないので温度
1胃が起こらず、過熱による素子破壊が防げる。
発熱部の少ない半導体素子5は外部環境の温度差による
熱膨張の少ない鉄系合金10の上に搭載されているので
、発熱量の多い半導体素子(パワーデバイス)6からの
熱がベース金属9を介して伝わりにり<、鉄系合金10
の熱膨張が少なく鉄系合金10のストレスが少なくでき
るので、熱膨張による鉄系合金10と半導体素子5との
素子はがれを防げる。
熱膨張の少ない鉄系合金10の上に搭載されているので
、発熱量の多い半導体素子(パワーデバイス)6からの
熱がベース金属9を介して伝わりにり<、鉄系合金10
の熱膨張が少なく鉄系合金10のストレスが少なくでき
るので、熱膨張による鉄系合金10と半導体素子5との
素子はがれを防げる。
以上より、金属基板1の構造の信頼性を向上できる。
第2図に、ベース金属の構成例を示す。ベース金属の形
状を搭載される電子部品の配置、部位、回路構成に応じ
て任意に設定することができる。
状を搭載される電子部品の配置、部位、回路構成に応じ
て任意に設定することができる。
発熱量の少ない半導体素子5が搭載されるベース金属9
には鉄系合金10を選定し、発熱量の多いパワーデバイ
ス6が搭載されるベース金属9にはアルミニュウム2を
選定する。
には鉄系合金10を選定し、発熱量の多いパワーデバイ
ス6が搭載されるベース金属9にはアルミニュウム2を
選定する。
第3図に、他の実施例を示す。
まず、構成を説明する。
金属基板1のベース金属9は銅12と鉄系合金10で構
成されている。ベース金属9には絶縁層3を介して配線
層4が積層されている。2つのベース金属9は前記絶縁
1i3および前記配線層4の積層される方向(図面上下
方向)に対して垂直方向(図面左右方向)でエポキシ系
樹脂の接着剤11によって接着されている。ベース金属
9が銅12の上には絶縁層3を介して配線層4が積層さ
れ、該配線層4の上には発熱量の多いLS114が積層
されている。ベース金属9が鉄系合金10上には絶縁層
3を介して配線N4が積層され、該配線層4上には、発
熱量の少ないチップ部品13が搭載されている。LSI
IIは端子によって配線@4と電気的に結線され、結線
部ははんだ8によって結ばれている。デツプ部品13は
はんだ8によって配[114と電気的に接続されている
。
成されている。ベース金属9には絶縁層3を介して配線
層4が積層されている。2つのベース金属9は前記絶縁
1i3および前記配線層4の積層される方向(図面上下
方向)に対して垂直方向(図面左右方向)でエポキシ系
樹脂の接着剤11によって接着されている。ベース金属
9が銅12の上には絶縁層3を介して配線層4が積層さ
れ、該配線層4の上には発熱量の多いLS114が積層
されている。ベース金属9が鉄系合金10上には絶縁層
3を介して配線N4が積層され、該配線層4上には、発
熱量の少ないチップ部品13が搭載されている。LSI
IIは端子によって配線@4と電気的に結線され、結線
部ははんだ8によって結ばれている。デツプ部品13は
はんだ8によって配[114と電気的に接続されている
。
以下、釣用を説明する。
発熱体であるLS I 14は銅12から成るベース金
属9に搭載されているので、LS r 14より発生す
る熱は熱伝導率の高い銅12に放熱され、さらに空気中
に放熱される。従って、銅12とLS114との接合部
には熱は溜まらないので温度上昇が起こらず、過熱によ
る素子破壊が防げる。
属9に搭載されているので、LS r 14より発生す
る熱は熱伝導率の高い銅12に放熱され、さらに空気中
に放熱される。従って、銅12とLS114との接合部
には熱は溜まらないので温度上昇が起こらず、過熱によ
る素子破壊が防げる。
発熱量の少ないチップ部品13は外部環境の温度差によ
る熱膨張の少ない鉄系合金10の上に搭載されているの
で、鉄系合金10の熱膨張が少なく鉄系合金10のスト
レスが低減できるので熱膨張による鉄系合金10とチッ
プ部品13との素子はがれを防ぐことができる。
る熱膨張の少ない鉄系合金10の上に搭載されているの
で、鉄系合金10の熱膨張が少なく鉄系合金10のスト
レスが低減できるので熱膨張による鉄系合金10とチッ
プ部品13との素子はがれを防ぐことができる。
以上より、金属基板1の構造の信頼性を向上できる。
以上説明してきたように、本発明によればその構成をベ
ース金属の上に絶縁層を介して配線層を積層し、該配線
層上に電子部品を搭載する金属基板の構造において、前
記ベース金属は発熱量の多い電子部品が搭載される熱伝
導率の高い材料からなる第1のベース金属と、該第1の
ベース金属に搭載されている電子部品より発熱量の少な
い電子部品が搭載される熱膨張係数の小さい材料からな
る第2のベース金属を少なくとも有し、第1および第2
のベース金属は前記絶縁層および前記配線層の積層され
る方向に対して垂直方向でお互いに接着される構成とし
たため、発熱量の多い電子部品より発生した熱は熱伝導
率の高いベース金属を介して空気中へ放熱されるため、
金属基板と発熱量の多い電子部品との接合部には熱が溜
まらないので温度上背が起こらず、過熱による素子破壊
が防げる。発熱量の少ない電子部品は外部環境の温度差
による熱膨張の少ないベース金属上に搭載されているの
でベース金属の熱膨張が少なくストレスを少なくできる
ので、熱膨張によるベース金属と発熱量の少ない電子部
品との素子はがれを防げる。以上より、金j!基板と電
子部品の構造の信頼性を向上させることができる。
ース金属の上に絶縁層を介して配線層を積層し、該配線
層上に電子部品を搭載する金属基板の構造において、前
記ベース金属は発熱量の多い電子部品が搭載される熱伝
導率の高い材料からなる第1のベース金属と、該第1の
ベース金属に搭載されている電子部品より発熱量の少な
い電子部品が搭載される熱膨張係数の小さい材料からな
る第2のベース金属を少なくとも有し、第1および第2
のベース金属は前記絶縁層および前記配線層の積層され
る方向に対して垂直方向でお互いに接着される構成とし
たため、発熱量の多い電子部品より発生した熱は熱伝導
率の高いベース金属を介して空気中へ放熱されるため、
金属基板と発熱量の多い電子部品との接合部には熱が溜
まらないので温度上背が起こらず、過熱による素子破壊
が防げる。発熱量の少ない電子部品は外部環境の温度差
による熱膨張の少ないベース金属上に搭載されているの
でベース金属の熱膨張が少なくストレスを少なくできる
ので、熱膨張によるベース金属と発熱量の少ない電子部
品との素子はがれを防げる。以上より、金j!基板と電
子部品の構造の信頼性を向上させることができる。
第1図は、本発明の一実施例を示づ図、第2図は、ベー
ス金属の構成を示す図、第3図は、本発明の他の実施例
を示す図、第4図は、従来の金属基板の実装構造を示し
た図。 1・・・金属基板 2・・・アルミニュウム3・
・・絶縁層 4・・・配線層5・・・発熱量の
少ない半導体素子 6・・・発熱量の多い半導体素子 (パワーデバイス) 7・・・ワイヤー 8・・・はんだ9・・・ベー
ス金1iE 10・・・鉄系合金11・・・エポキ
シ系樹脂の接着剤 12・・・銅 13・・・チップ部品14・
・・LSI 15・・・端子特許出願人
日産自動車株式会社1−1−/Lザ 4
ス金属の構成を示す図、第3図は、本発明の他の実施例
を示す図、第4図は、従来の金属基板の実装構造を示し
た図。 1・・・金属基板 2・・・アルミニュウム3・
・・絶縁層 4・・・配線層5・・・発熱量の
少ない半導体素子 6・・・発熱量の多い半導体素子 (パワーデバイス) 7・・・ワイヤー 8・・・はんだ9・・・ベー
ス金1iE 10・・・鉄系合金11・・・エポキ
シ系樹脂の接着剤 12・・・銅 13・・・チップ部品14・
・・LSI 15・・・端子特許出願人
日産自動車株式会社1−1−/Lザ 4
Claims (1)
- ベース金属の上に絶縁層を介して配線層を積層し、該配
線層上に電子部品を搭載する金属基板の構造において、
前記ベース金属は発熱量の多い電子部品が搭載される熱
伝導率の高い材料からなる第1のベース金属と、該第1
のベース金属に搭載されている電子部品より発熱量の少
ない電子部品が搭載される熱膨張係数の小さい材料から
なる第2のベース金属とを少なくとも有し、第1および
第2のベース金属は前記絶縁層および前記配線層の積層
される方向に対して垂直方向でお互いに接着されること
を特徴とする金属基板の構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32649090A JPH04196345A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 金属基板の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32649090A JPH04196345A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 金属基板の構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04196345A true JPH04196345A (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=18188408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32649090A Pending JPH04196345A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 金属基板の構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04196345A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0633609A3 (en) * | 1993-07-05 | 1995-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | Composite circuit board and manufacturing method therefor. |
JPH11307720A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Toyota Autom Loom Works Ltd | 半導体装置 |
JP2008047843A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法、配線基板およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP32649090A patent/JPH04196345A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0633609A3 (en) * | 1993-07-05 | 1995-09-13 | Mitsubishi Electric Corp | Composite circuit board and manufacturing method therefor. |
US5521437A (en) * | 1993-07-05 | 1996-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor power module having an improved composite board and method of fabricating the same |
JPH11307720A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Toyota Autom Loom Works Ltd | 半導体装置 |
JP2008047843A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置およびその製造方法、配線基板およびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2548350B2 (ja) | テープ自動結合に使用される熱放散相互接続テープ | |
JP4385324B2 (ja) | 半導体モジュールおよびその製造方法 | |
JPH04196345A (ja) | 金属基板の構造 | |
JP3994381B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP3972519B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JPH1117081A (ja) | 電力用半導体モジュール | |
JPH0922970A (ja) | 電子部品 | |
JP2919651B2 (ja) | 混成集積回路 | |
JPH09213847A (ja) | 半導体集積回路装置及びこの製造方法並びにそれを用いた電子装置 | |
JP2539192B2 (ja) | 表示装置 | |
JP2521624Y2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS6010633A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05275822A (ja) | 電子回路の実装装置 | |
JP2583507B2 (ja) | 半導体実装回路装置 | |
JP3049466B2 (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
JPH0831986A (ja) | 放熱板付半導体装置 | |
US6979900B2 (en) | Integrated circuit package with integral leadframe convector and method therefor | |
JP2804765B2 (ja) | 電子部品塔載用基板 | |
JP3170004B2 (ja) | セラミック回路基板 | |
JP2619155B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
JPH06291217A (ja) | 熱放散型リードフレーム | |
JP3177934B2 (ja) | マルチチップ半導体装置 | |
JP2532400Y2 (ja) | ハイブリットic | |
JPH04257248A (ja) | 混成集積回路装置 | |
JP2002208660A (ja) | 電子素子チップ用載置基板及び電子素子チップモジュール |