JPH04188749A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
って切断する半導体装置の製造方法に関する。
法を説明する要部の斜視図である。第3図において、1
は1個あるいはそれ以上の半導体素子が形成された円板
状半導体ワエハ1aをその素子形成面1bを1ねて積層
してなる半導体ウニ八積層体である。8は半導体ウェハ
積層体1を素子形成面1bと平行する下端面1cで保持
する板状基台であり、半導体ウェハ積層体lの直径より
も長い幅を持ち互いtこ1父する1対の面を側面8a。
半導体ウェハ8jFfjI体1の切断手段であり。
つ、切断体2aは等間隔に配置され切断手段2の図示し
ない支持手段により所定の張力で張られている。才だ板
状基台8は、その−万の例えば側面8mが切断手段2の
支持手段擾こより引張られた切断体2aに対して平行す
るよう図示しない固定台に固定される。前述したS成に
よって半導体ウェハ積層体1の切断加工は次のように笑
施される。すなわち、切断手段2は切断体23の引張方
向と同方向でかつ円板状半導体ウニ/% 1 Mの素子
形成面1bと平行に往復運動2bを行ない、切断加工中
、半導体ウニノル積層体1は板状基台8と固定台と一体
でほぼ一定速度で上向きに移動し、やがて切断体22に
上端面で接触する。半導体ウェハ積層体1と切断体2a
との間には油と砥粒の混合流体である図示しない研削材
が供給される。
ウエノ・積層体1は切断体2aの張られた間隔による切
断幅で切断される。このようにして。
の側面8bが切断体2aの引張方向と平行するよう90
[回転し、固定台φこ再度固定する。これに伴い板状基
台8に保持された半導体ウエノ・積層体1も9CB!回
転されることとなる。そのうえで。
体ウェハ積層体lから直方形に切断された半導体素子が
多数製造されることとなる。
工においては、切断開始時に切断手段の切断体は研削材
を介して広い面積を持つ半導体ウェハ積層体の上端面で
接触することとなる。その際。
が微視的には粗面をなして2つかつ広い面積を持つこと
のために、切断体の往復運動の行程に2ける円板状半導
体ウェハ表面との接触点はランダムに移動を続ける。こ
れにより切断体に往復運動と直角方向の刃口振力が加わ
ることとなり、210’振力が刃口わっても振動しない
ようにするため切断体の剛性を大きくする・ことが必要
であり、切断体としてピアノ線を用いる場合太い直径の
ピアノ線を使用していた。このために切断郭工時に広い
切断しろを要することとなり、円板状半導体ウェハ1枚
歯りから得られる半導体素子の数量が減少してし談い問
題となっていた。
のであり、その目的は切断刃ロエ時の切断しろが狭(て
渦む製造方法を提供することにある。
この積層体を、前記素子形成面と平行する平面で往復運
動する切断手段によって切断する半導体装置の製造方法
において、 前記積層体の積層高さよりも高い高さを持つ薄板状ガイ
ド板を備え、前記積層体をこの薄板状ガイド板ととも番
こ切断するようにしたこと、2)半導体インゴットを、
この半導体インゴットの軸の直角面で往復運動する切断
手段によって切断する半導体装置の製造方法に2いて。
ガイド板を備え、前記半導体インコツトをこの薄板状ガ
イド板とともに切断するようにしたこと。
板状ガイド板の厚さが1鶴ないし311mであること、 4)前記1項ないし3項記載の手段において、薄板状ガ
イド板の材質がシリコンであること。
イド板の材質がガラスであること。
イド板の材質がセラミックスであること。
イド板の材質が黒鉛であること、により達成される。
の開始時に切断手段の切断体は板状基台の側面に装着さ
れた薄板状ガイド板の狭い上端部にまず研削材を介して
接触することとなる。薄板状ガイド板の上端面がたとえ
微視的に粗面であっても、切断手段との接触面が狭く限
定されているため憂こ、切断手段の往復運動の行程にお
ける薄板状ガイド板との接触点は限定されるので、切断
体に加わるm振力は大幅に低減され、その結果薄板状ガ
イド板切断時における切断体に生ずる振動も菫た大幅に
低減される。また、半導体ウェハ積層体の上端面に切断
体が接触を開始する前に、切断体は薄板状ガイド板の切
断を続けて2つ、その結果薄板状ガイド板には切断体の
切断しろによる狭い溝幅の櫛歯状溝が形成される。この
状態で、切断体は広い面積を持つ半導体ウェハ積層体の
上端部に接触を開始することになるが、この時すでに切
断体は%狭い溝幅の櫛歯状溝によりガイドされているの
で、たとえ切断体の往復運動と直角方向に加振力を受け
ても、切断体の振動は大幅1こ抑制される。
。l!1図は本発明の一実施例による半導体ウェハ積層
体の切断方法を説明する要部のf;+視図である。第3
図の従来例と同一部分には同じ符号を付し、その説明を
省略する。第1図fこおいて3は板状基台であり、従来
例の板状基台8と異なるのは、薄板状ガイド板装層のた
めの図示しない例えばねじ孔を側面3a、3bに必要に
応じ儒えていることのみである。板状基83は、談ず−
1の仰」面例えは側面3aが切断手段2の支持手段によ
って引張らnた切断体2aに対して平行するよう固定台
に固定される。4は、板状基83の互い−こ1又する側
面3aならびに3bに装着され、半導体ウェハ積層体1
の積層高さよりも高い高さを持ち、半導体ウェハ積場体
1の直径よりも長い幅を持つ対をなす薄板状ガイド板で
ある。
ェハ積層体lの切断加工は次のように笑施される。すな
わち、切断手段2は切断体2aの引張方向と同方向に往
復運動2bを行ない、切断刃ロエ甲半導体ウェハ積層体
l、薄板状ガイド板4゜板状基台3′J6よび固定台は
一体でほぼ一定の速さで上向きに移動し、やがて半導体
ウニ八積層体lよりも高い高さを持つ薄板状ガイド板4
の上端部4aが切断体2aと接触する。切断体2aと半
導体ウニ八積層体1ならびに薄板状ガイド板との関lこ
は従来技術同様に研削材が供給される。切断体2aの往
復運動で付勢された研削材で薄板状ガイド板4はその上
端部4aから切断体2aの張られた間隔lこよる切断幅
で切断が開始される。薄板状ガイド板4の切断体2aに
よる切断が進むと。
切断幅で、切断体2aであるピアノ線の直径に従う狭い
溝幅の櫛歯状溝が形成される。この状態で切断体2aは
半導体ウェハ積層体1の上端面に研削材を介して接触し
、半導体ウェハ積層体1の切断を開始する。半導体ウェ
ハ積層体1の切断開始に際し1円板状半導体ウェハ1a
が微視的に粗面をなしておりかつ広い面積を持つことの
ために、切断体2aは従来技術と同様に往復運動2bと
直角方向に加振力を受けるが、前述した薄板状ガイド板
4に形成された櫛歯状溝によってガイドされているため
に、切断体2aに発生する振動は大幅に抑制されること
になる。これにより。
細い直径のピアノ線を選定することができる。この結果
切断加工時の切断しろが狭くなしえて1円板状半導体ウ
ェハla1枚当りから得られる半導体素子の数量を増加
することができる。なお、これ以後の切断加工の内容は
従来技術の場合と同様である。
質と同一であることが、半導体ウエノ・積層体1ならび
に薄板状ガイド板4を同時に切断加工を行なう点から好
菫しく、その点から半導体ウニ八積層体1の多くがシリ
コン製半導体であることから、シリコンであることが好
ましい。しかし。
被研削性がシリコンとほぼ同じである材料であるなら適
用可能である。この点から実用的番こは、ガラスが選定
されることが多い。また、この他にセラミックスあるい
は黒鉛も適用可能である。
どを総合的に検討して定められるべきものであり、まず
最低厚さについては1機械強度の点から1雷嘗以上に定
めるのがよく、また最高厚さについては、過度に厚くな
ると切断体2aとの接触面を限定して加振力を抑制する
という効果が減少し、切断体2mが薄板状ガイド板4の
上端面4aの切断を開始する際振動を生ずることで、薄
板状ガイド板4に形成される櫛歯状溝の間隔が等間隔で
はなくなる怖れが生じることと、価格が高価となること
から、3@s以下に定めることが好ましい。
する位置は、切断体2aがm振力を受けてもより効果的
に振動の発生を抑制することが容易となしえる点から、
極力半導体ウエノ・積層体1に接近して設けることが好
ましい。
断方法を説明する要部の#親図である。
、その説明を省略する。7は例えば円上状をなした半導
体インゴットである。5は半導体インゴット7をその側
面で保持する板状基台であり。
インゴット7の長さよりも長い長さを持ち。
交し、しかも長さに応する端面5ajこ薄板状ガイド板
装着のための図示しない例えばねじ孔を必要に応じ備え
ている。6は板状基台5の長さに応する端面5aに装着
する対をなす薄板状ガイド板であり、半導体インゴット
7の直径よりも長い高さを持ち、半導体インゴット7の
長さよりも長い幅を持つものである。
ンゴット7の切断加工は、半導体インゴット7を軸方向
に切断して複数の円板状半導体片を得るためになされる
ものであり、その切断加工の内容は、前述した第1図に
よる実施側番こ対する説明と同様に行なわれるものであ
る。
てきたが、切断体2aは断面矩形状で薄い厚さを持つ長
い平板(以下、ブレードと記述する)であっても前記加
工法と同様tこ実施できるものである。
あり、切断体と半導体ウェハ積層体1もしくは半導体イ
ンゴット72よび薄板状ガイド板の間に供給されるもの
であるとしてきたが、切断体に接着されたダイヤモンド
粒など砥粒であっても前記加工方法と同様に実施できる
ものである。
もしくは半導体インゴットを切断加工するのに際し、半
導体ウェハ積層体もしくは半導体インゴットを保持する
板状基台の側面に半導体ウニ八積場体の積層高さもしく
は半導体インゴットの径よりも高い高さを持つ薄板状ガ
イドを装着し。
イド板着こ狭い溝幅の櫛歯状溝を形成し、この溝で切断
体をガイドするようにした。これによって半導体ウェハ
積層体もしくは半導体インゴットの切断加工に際し、切
断体が加振力を受けてもその剛性を大きく、すなわちピ
アノ線の直径を太くあるいはブレードの板厚を厚くする
ことなく。
た半導体ウェハ積層体の切断加工を行なう場合を例にと
ると、従来技術による方法でありては切断体として直径
−D、16雷1のピアノ線を必要としていたのに対して
、本発明tこよる方法を適用し、厚さ3Illiのシリ
コン′R薄板状ガイド板を装着することで、直径9.1
111のピアノ線の採用で切断しろを少なく、シかも寸
法n夏良好−こ所定の切断加工を実施することができた
。以上説明した通り本発明の刀ロエ方法の採用により1
円板状半導体ウェハ1枚当りからの半導体素子や、半導
体インボッl−1不坐りからの円板状半導体片の製造数
量を増大できるととも−こ、これによって半導体素子の
価格を低減できるという効果を奏する。
切断方法を説明する要部の斜視図、第2図は本発明の一
冥施例による半導体インゴットの切断方法を説明する要
部の斜視図、第3図は従来技術による半導体ウェハ積層
体の切断方法を説明する斜視図である。 1・・・半導体ウェハ積層体、2・・・切断手段、2a
・・・切断体、3・・・板状基台、4・・・薄板状ガイ
ド板。 2P)1 閃
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)半導体素子が形成された半導体ウェハを積層した積
層体を、前記素子形成面と平行する平面で往復運動する
切断手段によって切断する半導体装置の製造方法におい
て、 前記積層体の積層高さよりも高い高さを持つ薄板状ガイ
ド板を備え、前記積層体をこの薄板状ガイド板とともに
切断するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 2)半導体インゴットを、この半導体インゴットの軸と
直角面で往復運動する切断手段によって切断する半導体
装置の製造方法において、 前記半導体インゴットの径よりも長い高さを持つ薄板状
ガイド板を備え、前記半導体インゴットをこの薄板状ガ
イド板とともに切断するようにしたことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 3)請求項1ないし2記載のものにおいて、薄板状ガイ
ド板の厚さが1mmないし3mmであることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 4)請求項1ないし3記載のものにおいて、薄板状ガイ
ド板の材質がシリコンであることを特徴とする半導体装
置の製造方法。 5)請求項1ないし3記載のものにおいて、薄板状ガイ
ド板の材質がガラスであることを特徴とする半導体装置
の製造方法。 6)請求項1ないし3記載のものにおいて、薄板状ガイ
ド板の材質がセラミツクスであることを特徴とする半導
体装置の製造方法。 7)請求項1ないし3記載のものにおいて、薄板状ガイ
ド板の材質が黒鉛であることを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
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JP31830490A JP2707831B2 (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2707831B2 JP2707831B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=18097708
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31830490A Expired - Fee Related JP2707831B2 (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2707831B2 (ja) |
Citations (7)
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1990
- 1990-11-22 JP JP31830490A patent/JP2707831B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2707831B2 (ja) | 1998-02-04 |
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