JP2017170541A - 面取り装置及び面取り方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 19
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 8
- 239000004575 stone Substances 0.000 abstract description 4
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 57
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
は一対のZ軸ガイドレール82、82が所定の間隔をもって敷設される。この一対のZ軸
ガイドレール82、82にはZ軸リニアガイド84、84を介してZ軸テーブル86がス
ライド自在に支持される。
ボールネジ90が螺合される。Z軸ボールネジ90は、一対のZ軸ガイドレール82、82の間において、その両端部がZ軸ベース80に配設された軸受部材92、92に回動自在に支持されており、その下端部にZ軸モータ94の出力軸が連結される。
10 吸着テーブル
21 圧電素子
22 振動フランジ
23 スリップリング
24 砥石
25 排出孔
26 テーパ部
30 活性層
31 接着層
32 支持基板
50 面取り装置
50A ウェーハ送りユニット
50B 研削ユニット
106 スピンドル
108 砥石ホイール
Claims (10)
- 板状の被加工材の端面を研削する面取り装置において、
研削ユニットのスピンドルに嵌合して固定された振動フランジと、
前記振動フランジに内蔵されZ方向に超音波振動する圧電素子と、
外周の下面に砥石が設けられ、前記振動フランジに嵌合された砥石ホイールと、
を備え、
前記砥石に前記圧電素子による超音波振動を与えながらZ方向に切り込んで前記被加工材の端面にテラスを形成することを特徴とする面取り装置。 - 前記砥石は外周部に上側が大きく下側が小さくなったテーパ部が形成されたことを特徴とする請求項1に記載の面取り装置。
- 前記テーパ部は水平平面から90°以上150°以内のテーパとされたことを特徴とする請求項2に記載の面取り装置。
- 前記砥石は前記砥石ホイールの円周方向に複数に分割されて配置され、分割された個々の間に排出孔が設けられたことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の面取り装置。
- 前記砥石ホイールは前記振動フランジへテーパ嵌合されたことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の面取り装置。
- 前記圧電素子は前記スピンドルに設けられたスリップリングを介して駆動する電源が供給されることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の面取り装置。
- 前記圧電素子は円環形状とされ、前記振動フランジに内蔵されたことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の面取り装置。
- 板状の被加工材の端面にテラス形状を形成する面取り方法であって、外周部に上側が大きく下側が小さくなったテーパ部が形成された砥石にZ方向に超音波振動を与えながらZ方向に切り込んで前記被加工材の端面にテラスを形成することを特徴とする面取り方法。
- 支持基板の上層が活性層とされたウェーハの前記活性層側にテラス形状を形成する面取り方法であって、外周部に上側が大きく下側が小さくなったテーパ部が形成された砥石にZ方向に超音波振動を与えながらZ方向に切り込んで前記テラス形状を形成することを特徴とする面取り方法。
- 前記活性層を除去して前記支持基板を再利用することを特徴とする請求項9に記載の面取り方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017170541A true JP2017170541A (ja) | 2017-09-28 |
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