JPH04184839A - 帯電防止膜及びその製造方法 - Google Patents

帯電防止膜及びその製造方法

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JPH04184839A
JPH04184839A JP31287090A JP31287090A JPH04184839A JP H04184839 A JPH04184839 A JP H04184839A JP 31287090 A JP31287090 A JP 31287090A JP 31287090 A JP31287090 A JP 31287090A JP H04184839 A JPH04184839 A JP H04184839A
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JP
Japan
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tin oxide
film
temp
base
antistatic film
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Pending
Application number
JP31287090A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Morimoto
剛 森本
Kazuya Hiratsuka
和也 平塚
Keisuke Abe
啓介 阿部
Keiko Kubota
恵子 久保田
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AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Publication date
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  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】 本発明はブラウン管パネル等の基体表面に塗布される帯
電防止膜に関するものである。 [従来の技術] ブラウン管は高電圧で作動させるため起動時、或は終了
時に該表面に静電気が誘起される。この静電気により該
表面にほこりが付着しコントラスト低下を引き起こした
り、或は直接触れた際軽い電気ショックによる不快感を
生ずることが多い。 従来、上述の事柄を防止するためにブラウン管パネル表
面に帯電防止膜を付与する試みがかなり成されてきた0
例えば特開昭63−76247号記載の通り、ブラウン
管パネル表面を350℃程度に加熱しCVD法により酸
化スズ及び酸化インジウム等の導電性酸化物層を設ける
方法が採用されていた。しかしながらこの方法では装置
コストがかかることに加え、ブラウン管を高温加熱する
ためブラウン管内の蛍光体の脱落を生じたり、寸法精度
が低下する等の問題があった。また、導電層に用いる材
料としては酸化スズが最も一般的であるが、この場合低
温処理では高性能膜が得られにくい欠点があった。また
特開昭62−230617号には酸化スズ粒子を酸水溶
液またはアルカリ水溶液中で加熱処理してゾルを製造す
る四記載があるが、塗膜が滑らかで透明性の良いもので
あるためには、導電性酸化スズ粉末の粒径は0.1μm
以下の必要があり、細かく分散性が良いほどその透明性
は向上される。一方粒径が0.01μm以下になり分散
性が向上すると、逆に塗膜の表面抵抗は大、きくなるた
め導電性酸化スズの量を増やし、バインダーの量を相対
的に減らさな(ではならないため、膜の硬度としては不
十分であった。 r発明の解決しようとする課題] 本発明は従来技術が有していた前述の欠点を解消しよう
とするものであり、高特性帯電防止膜を新規に提供する
ものである。 [課題を解決するための手段] 本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであり
、Sb、 F、 Pの少なくとも1種をドープした酸化
スズ粒子を分散させた液を水熱処理した液を含む塗液を
基体上に塗布した後、加熱したことを特徴とする帯電防
止膜を提供するものである。 本発明で用いられるSb、 F、 Pの少なくとも1種
をドープした酸化スズ粒子は公知の種々の方法によって
得られたものがいずれも好ましく採用可能である。これ
らの粒子の分散法は特に限定されるものではなく、水に
、Sb、 F、 Pのうち少なくとも1種をドープした
酸化スズ粒子を添加し、酸或いはアルカリを添加しpH
を調整し、コロイドミル、ボールミル、サンドミル、ホ
モミキサー等市販の粉砕器で分散させて得ることができ
る。 この場合、分散液中のSn0g粒子の平均粒径は0.1
μm以下となっていることが好ましい。 この導電性酸化スズゾル液をオートクレーブ等の密閉容
器に入れて加熱するが、その処理温度は200℃以上、
好ましくは300℃以上で加熱する。この時の圧力は2
00℃で20atm以上、300℃で80atra以上
とするのが好ましく、又、1時間以上処理するのが好ま
しい。加熱処理する前のゾルは均一化できる程の流動性
が必要であるため、固形分は5%程度になる。この固形
分量では溶媒量が多すぎるので冷却後、分散液を取り出
し、エバポレーター等を用いて濃縮して酸化スズ分散液
を得る。 これを基体上に塗布し、加熱して帯電防止膜を形成する
。このときの焼成温度は140℃以上程度の低温でも十
分である。 ここで得られた導電性酸化スズ分散液はガラス基体等の
高温耐性の基体に塗って乾燥した後焼成し、透明導電膜
を作製することができるが膜の付着強度及び硬度が弱い
。従ってそれらを向上させるためにパイしグーとしてS
i (OR) x・R4−X(X=3.4. R・アル
キル基)等のケイ素化合物を添加混合することができる
。膜強度及び硬度は導電性アンチモンドープ酸化スズゾ
ルに対するバインダーの量比に依存し、バインダーが多
いほど膜は強(硬くなる。 上記で合成したゾル液の基体上への塗布法としては従来
用いられてきた方法、即ちスピンコード、デイツプコー
ト、スプレーコート法等が好適に使用できる。また、ス
プレーコートして表面に凹凸を形成し防眩効果も併せて
付与してもよく、その場合防眩帯電防止膜となった本発
明品の上にシリカ被膜等のハードコートを設けてもよい
、さらには、本発明の帯電防止膜の上にスプレーコート
して、表面に凹凸を有するシリカ被膜のノングレアコー
トを設けてもよい。 また、同様に本発明品の帯電防止膜の上に、MgFx、
 Sing等の酸化スズより成る膜より低屈折率の材料
を含む液を適宜の光学膜厚となるようにコートして、多
層干渉効果による低反射の帯電防止膜とすることもでき
る。 本発明の帯電防止膜を形成する基体とじては、ブラウン
管パネル、複写機用ガラス板、計算器用パネル、クリー
ンルーム用ガラス、CRT或はLCD等の表示装置の前
面板等の各種ガラス、プラスチック基板を用いることが
できる。 [作用] 本発明の帯電防止膜における導電性酸化スズゾルは20
0℃以上、好ましくは300℃以上の水熱処理により導
電性を向上し得る。導電性向上の機構は必ずしも明確で
はないが、高温高圧下で処理することにより酸化スズの
表面水酸基の量及び状態が変化しているためと考えられ
る。 本発明の高導電性の酸化スズゾルを用いると水熱処理を
ほどこしていないゾルに比べ、同程度の導電性をもつ膜
を作製する際、バインダーの量比な増やすことができる
。従って膜の付着強度及び硬度を向上することができる
。 [実施例〕 以下に実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。 実施例1 sbを16a+o1%ドープした酸化スズ粉末30gを
KOHであらかじめpH12に調製した水溶液70g中
に添加してサンドミルで4時間撹拌し、希釈後イオン交
換してゾルを調製した。このゾルを水で固形分5%に希
釈しオートクレーブに入れ350℃、170atmに2
時間保持した後冷却し、アンチモンドープ酸化スズゾル
を取り出した。これをエバポレータによって固形分20
%まで濃縮した。これにエチルシリケートを加水分解し
た液を酸化物換算でSnO□:SiO□=3:2となる
ように加え、固形分濃度2.5%となるようエタノール
で希釈し、透明支持体ガラス表面に塗り、160℃に3
0分間加熱し、厚さ0.1μ層の塗膜を作製した。この
塗膜の表面抵抗は2 X 10”(Ω/口)であった。 実施例2 実施例1のアンチモンドープ酸化スズゾル液を用いSn
ug : SiO*= 1 : 1となるようにエチル
シリケートを加水分解した溶液を加える以外は実施例1
と同様に行った。この塗膜の表面抵抗はlXl0@(Ω
/口)であった。 比較例1 実施例1でイオン交換したアンチモンドープ酸化スズゾ
ルをすぐエバポレータで濃縮して固形分20%のゾルと
した。これを用いた以外は実施例1に同様に行った。こ
の塗膜の表面抵抗は1xlo”(Ω/口)であった。 比較例2 比較例1のアンチモンドープ酸化スズゾルを用いた以外
は実施例2同様に行った。この塗膜の表面抵抗は7 x
 10”(Ω/口)であった。 [発明の効果] 本発明によれば、基体を高温に加熱することなく、強固
でかつ導電性の高い帯電防止膜を基体上に付与し得る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、導電性酸化スズの粒子を分散させた水溶液を高温高
    圧処理した溶液を含む塗布液を基体上に塗布した後、加
    熱することによって帯電防止膜を製造することを特徴と
    する帯電防止膜の製造方法。 2、基体上への塗布液中にケイ素化合物を含むことを特
    徴とする請求項1記載の帯電防止膜の製造方法。 3、請求項1又は2記載の製造方法によって得られた帯
    電防止膜。 4、請求項1又は2記載の製造方法によってガラス基体
    上に帯電防止膜を形成したガラス物品。 5、請求項1又は2記載の製造方法によってブラウン管
    表面に帯電防止膜を形成したブラウン管。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0585819A1 (en) * 1992-08-31 1994-03-09 Sumitomo Cement Co. Ltd. Anti-static/antireflection coating for a cathode ray tube
JP2010235352A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Mitsubishi Materials Corp 表面改質透明導電性酸化アンチモン錫粉末およびその製造方法
WO2012161191A1 (ja) * 2011-05-24 2012-11-29 日産化学工業株式会社 表面変性された熱線遮蔽性微粒子の製造方法及びその方法により得られる熱線遮蔽性微粒子分散液

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