JPH10104402A - 反射帯電防止膜およびそれを用いた表示装置 - Google Patents
反射帯電防止膜およびそれを用いた表示装置Info
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- JPH10104402A JPH10104402A JP8258727A JP25872796A JPH10104402A JP H10104402 A JPH10104402 A JP H10104402A JP 8258727 A JP8258727 A JP 8258727A JP 25872796 A JP25872796 A JP 25872796A JP H10104402 A JPH10104402 A JP H10104402A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来のゾルゲル法よりも膜強度が高く、表面の
平坦性の優れた反射帯電防止膜の提供にある。 【解決手段】表示装置の表示パネルフェース面に形成さ
れる反射帯電防止膜であって、該反射帯電防止膜が導電
性の超微粒子粉末を含み透明な帯電防止層の上に、Ｓｉ
骨格に低級アルキル基が直結したシリコンアルコキシド
を含むシリカゾル溶液から形成され、前記帯電防止層よ
りも低屈折率の低屈折率層が積層されており、前記低屈
折率層中のアルキル基の濃度が７〜３０重量％である反
射帯電防止膜。
平坦性の優れた反射帯電防止膜の提供にある。 【解決手段】表示装置の表示パネルフェース面に形成さ
れる反射帯電防止膜であって、該反射帯電防止膜が導電
性の超微粒子粉末を含み透明な帯電防止層の上に、Ｓｉ
骨格に低級アルキル基が直結したシリコンアルコキシド
を含むシリカゾル溶液から形成され、前記帯電防止層よ
りも低屈折率の低屈折率層が積層されており、前記低屈
折率層中のアルキル基の濃度が７〜３０重量％である反
射帯電防止膜。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】陰極線管（ＣＲＴ），液晶表
示装置（ＬＣＤ）などの表示装置のフェースプレート表
面に形成される反射帯電防止膜およびそれを用いた表示
装置に関する。
示装置（ＬＣＤ）などの表示装置のフェースプレート表
面に形成される反射帯電防止膜およびそれを用いた表示
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＲＴ，ＬＣＤ等の表示装置の高性能化
に伴い、それらのフェースプレート面上には反射帯電防
止膜が形成されるようになってきた。
に伴い、それらのフェースプレート面上には反射帯電防
止膜が形成されるようになってきた。
【０００３】これらの反射帯電防止膜の形成方法として
は、スパッタ法、真空蒸着法などの手法もあるが、現在
コスト的な観点からゾルゲル法などの溶液を使用した塗
布法が主流である（特開平６−２３４５５２号公報）。
は、スパッタ法、真空蒸着法などの手法もあるが、現在
コスト的な観点からゾルゲル法などの溶液を使用した塗
布法が主流である（特開平６−２３４５５２号公報）。
【０００４】これは、導電性を有するＳｎＯ2やＩｎ2Ｏ
3等の超微粒子を分散した溶液を塗布して成膜後、その
上にシリカ膜を形成して積層膜とし、次いで、熱処理し
て膜を硬化する。この膜は、上層が高屈折率、下層が低
屈折率の積層膜となるため、光の干渉効果を利用して反
射光を減ずることができる。
3等の超微粒子を分散した溶液を塗布して成膜後、その
上にシリカ膜を形成して積層膜とし、次いで、熱処理し
て膜を硬化する。この膜は、上層が高屈折率、下層が低
屈折率の積層膜となるため、光の干渉効果を利用して反
射光を減ずることができる。
【０００５】また、下層の低屈折率層は導電性の超微粒
子を含ませているために、帯電防止の効果を有する。こ
のため、反射防止と帯電防止の二つの効果を有する。
子を含ませているために、帯電防止の効果を有する。こ
のため、反射防止と帯電防止の二つの効果を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ゾルゲル法で作製した
上記積層膜は、上層に形成されるシリカ膜と下層の導電
性膜により、反射防止機能と帯電防止機能が発現する。
上記積層膜は、上層に形成されるシリカ膜と下層の導電
性膜により、反射防止機能と帯電防止機能が発現する。
【０００７】この反射帯電防止機能が発現する機構とし
ては、上層にスピンコートされたシリカゾル溶液が下層
の超微粒子層中へしみ込み、膜の硬化過程で超微粒子同
士の接着により導電パスが形成されて帯電防止機能が発
現し、ＣＲＴガラスへの超微粒子層の密着を高め、下層
よりも低屈折率のシリカ層が、高屈折率の下層と相俟っ
て光の干渉効果が生じ、反射防止機能が発現する。
ては、上層にスピンコートされたシリカゾル溶液が下層
の超微粒子層中へしみ込み、膜の硬化過程で超微粒子同
士の接着により導電パスが形成されて帯電防止機能が発
現し、ＣＲＴガラスへの超微粒子層の密着を高め、下層
よりも低屈折率のシリカ層が、高屈折率の下層と相俟っ
て光の干渉効果が生じ、反射防止機能が発現する。
【０００８】しかし、これはシリカゾルの収縮硬化作用
を利用しているために、次のような問題がある。
を利用しているために、次のような問題がある。
【０００９】上層のシリカ膜の硬化収縮により膜中に残
留応力が発生し、膜の強度が低下することである。ま
た、硬化収縮時に、下層の超微粒子層の形状を反映して
上層のシリカ層の表面に微小な凹凸が形状されることで
ある。即ち、下層の超微粒子が、粒子径が数十から数百
Åの分布を有するため、形成される超微粒子層の平坦性
は不均一となる。この下層の不均一な形状が上層に形成
されるシリカ層に反映されて表面に微小な凹凸が生ずる
ために、反射防止膜としての性能が均一なものとならな
かった。また、膜強度も残留応力のために弱いものであ
った。
留応力が発生し、膜の強度が低下することである。ま
た、硬化収縮時に、下層の超微粒子層の形状を反映して
上層のシリカ層の表面に微小な凹凸が形状されることで
ある。即ち、下層の超微粒子が、粒子径が数十から数百
Åの分布を有するため、形成される超微粒子層の平坦性
は不均一となる。この下層の不均一な形状が上層に形成
されるシリカ層に反映されて表面に微小な凹凸が生ずる
ために、反射防止膜としての性能が均一なものとならな
かった。また、膜強度も残留応力のために弱いものであ
った。
【００１０】本発明の目的は、上記の課題を解決するた
めになされたもので、膜強度が高く、反射帯電防止性能
の優れた反射帯電防止膜を提供することにある。
めになされたもので、膜強度が高く、反射帯電防止性能
の優れた反射帯電防止膜を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、上記反射帯電防止膜
を設けた表示装置を提供することにある。
を設けた表示装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の要旨は下記のとおりである。
明の要旨は下記のとおりである。
【００１３】（１） 表示装置の表示パネルフェース面
に形成される反射帯電防止膜であって、該反射帯電防止
膜が導電性の超微粒子粉末を含み透明な帯電防止層の上
に、Ｓｉ骨格に低級アルキル基が直結した式〔１〕
に形成される反射帯電防止膜であって、該反射帯電防止
膜が導電性の超微粒子粉末を含み透明な帯電防止層の上
に、Ｓｉ骨格に低級アルキル基が直結した式〔１〕
【００１４】
【化３】 Ｒ3−Ｓｉ−ＣnＨ2n+1 …〔１〕 （式中、Ｒはアルコキシ基、ｎは１〜４の整数）で示さ
れるシリコンアルコキシドを含むシリカゾル溶液から形
成され、前記帯電防止層よりも低屈折率の低屈折率層が
積層されており、前記低屈折率層中のアルキル基の濃度
が７〜３０重量％であることを特徴とする反射帯電防止
膜。
れるシリコンアルコキシドを含むシリカゾル溶液から形
成され、前記帯電防止層よりも低屈折率の低屈折率層が
積層されており、前記低屈折率層中のアルキル基の濃度
が７〜３０重量％であることを特徴とする反射帯電防止
膜。
【００１５】（２） 出射光または反射光を変調するこ
とにより表示を行う表示装置において、前記表示装置の
表示パネルフェース面に、導電性の超微粒子粉末を含み
透明な帯電防止層の上に、Ｓｉ骨格に低級アルキル基が
直結した前記式〔１〕で示されるシリコンアルコキシド
を含むシリカゾル溶液から形成され、前記帯電防止層よ
りも低屈折率の低屈折率層が積層されており、前記低屈
折率層中のアルキル基の濃度が７〜３０重量％である反
射帯電防止膜を設けたことを特徴とする表示装置。
とにより表示を行う表示装置において、前記表示装置の
表示パネルフェース面に、導電性の超微粒子粉末を含み
透明な帯電防止層の上に、Ｓｉ骨格に低級アルキル基が
直結した前記式〔１〕で示されるシリコンアルコキシド
を含むシリカゾル溶液から形成され、前記帯電防止層よ
りも低屈折率の低屈折率層が積層されており、前記低屈
折率層中のアルキル基の濃度が７〜３０重量％である反
射帯電防止膜を設けたことを特徴とする表示装置。
【００１６】前記高屈折率層の導電性の超微粒子粉末
が、Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2またはＺｎＯである。
が、Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2またはＺｎＯである。
【００１７】前記反射帯電防止膜の低屈折率層中の膜の
残留応力が５ｄｙｎ／ｃｍ2以下のものである。
残留応力が５ｄｙｎ／ｃｍ2以下のものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】前記表示装置上に形成される低屈
折率層／高屈折率層が積層された反射帯電防止膜は、低
屈折率層中のアルキル基の濃度を７〜３０重量％とする
ことにより、上層の低屈折率層の残留応力が減少し、こ
れにより高強度の反射帯電防止膜を得ることができる。
これは、可撓性を有するアルキル基が膜中に存在するた
めである。
折率層／高屈折率層が積層された反射帯電防止膜は、低
屈折率層中のアルキル基の濃度を７〜３０重量％とする
ことにより、上層の低屈折率層の残留応力が減少し、こ
れにより高強度の反射帯電防止膜を得ることができる。
これは、可撓性を有するアルキル基が膜中に存在するた
めである。
【００１９】上記の低屈折率層の材料としての前記式
〔１〕で示されるシリコンアルコキシドは、シリカを主
骨格としメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基等
のアルキル基がＳｉに直結したものである。なお、Ｒで
示されるアルコキシ基としてはエトキシ基が好ましい。
〔１〕で示されるシリコンアルコキシドは、シリカを主
骨格としメチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基等
のアルキル基がＳｉに直結したものである。なお、Ｒで
示されるアルコキシ基としてはエトキシ基が好ましい。
【００２０】この低屈折率層材料は、そのゾル溶液中に
存在する無機ポリマの末端水酸基量が、上記のアルキル
基によって調整され、無機ポリマ間の水素結合が弱めら
れる。このため熱処理時に無機ポリマ同士が動き易くな
り熱流動性を示す。無機ポリマの末端水酸基の量が調整
されていないものは、無機ポリマ間の水素結合が強いた
めに熱流動性を示さない。
存在する無機ポリマの末端水酸基量が、上記のアルキル
基によって調整され、無機ポリマ間の水素結合が弱めら
れる。このため熱処理時に無機ポリマ同士が動き易くな
り熱流動性を示す。無機ポリマの末端水酸基の量が調整
されていないものは、無機ポリマ間の水素結合が強いた
めに熱流動性を示さない。
【００２１】この低屈折率層材料は１００〜２００℃の
熱処理により熱流動性を示すため、スピンコート時の表
面の凹凸が平坦化され、反射帯電防止膜としての表面粗
さが減少する。
熱処理により熱流動性を示すため、スピンコート時の表
面の凹凸が平坦化され、反射帯電防止膜としての表面粗
さが減少する。
【００２２】また、熱流動性により下層の超微粒子層中
にしみ込み易く、導電性を有するＳｎＯ2やＩｎ2Ｏ3等
の超微粒子同士の接着がより向上し導電性が向上する。
この導電性向上により帯電防止特性が良好なものとな
る。
にしみ込み易く、導電性を有するＳｎＯ2やＩｎ2Ｏ3等
の超微粒子同士の接着がより向上し導電性が向上する。
この導電性向上により帯電防止特性が良好なものとな
る。
【００２３】さらにまた、上層の低屈折率層の硬化収縮
の際に生じる膜の収縮応力が熱流動性により緩和される
ため、膜中の残留応力が減少して膜の強度が向上する。
しかし、膜中に存在するアルキル基の濃度が高過ぎる
と、膜自体の硬度が減少するので、その濃度は７〜３０
重量％が好ましい。
の際に生じる膜の収縮応力が熱流動性により緩和される
ため、膜中の残留応力が減少して膜の強度が向上する。
しかし、膜中に存在するアルキル基の濃度が高過ぎる
と、膜自体の硬度が減少するので、その濃度は７〜３０
重量％が好ましい。
【００２４】このようにして、高強度、かつ、高性能の
反射帯電防止膜を得ることができる。また、この反射帯
電防止膜をＣＲＴ，ＬＣＤ等の表示装置の表示パネルフ
ェース面に形成することにより、反射帯電防止特性の優
れた表示装置を提供することができる。
反射帯電防止膜を得ることができる。また、この反射帯
電防止膜をＣＲＴ，ＬＣＤ等の表示装置の表示パネルフ
ェース面に形成することにより、反射帯電防止特性の優
れた表示装置を提供することができる。
【００２５】
〔実施例 １〕テトラエトキシシラン、水、エタノー
ル、硝酸を、モル比で１：１２：４５：０.２５の割合
で混合し、４時間撹伴した。
ル、硝酸を、モル比で１：１２：４５：０.２５の割合
で混合し、４時間撹伴した。
【００２６】次いで、この反応溶液にトリメチルシリル
クロライドをテトラエトキシシランに対して等モル量添
加し、５０℃で２時間反応させて前記シリコンアルコキ
シドを含むシリカゾル溶液を調製した。このシリカゾル
溶液は、低屈折率層のシリカ膜の作製に使用する。
クロライドをテトラエトキシシランに対して等モル量添
加し、５０℃で２時間反応させて前記シリコンアルコキ
シドを含むシリカゾル溶液を調製した。このシリカゾル
溶液は、低屈折率層のシリカ膜の作製に使用する。
【００２７】ＩＴＯ（Ｉndim Ｔin Ｏxide）超微粒子
（平均粒径５０〜５００Å）をエタノール、イソプロパ
ノール、メチルエチルケトンの５：３：２（容積比）の
溶液に分散し、濃度１重量％の分散液を調製した。この
ＩＴＯ分散液をガラス基板上（１０ｃｍ角）に１６０ｒ
ｐｍでスピンコートし、６０℃，５分間乾燥した。
（平均粒径５０〜５００Å）をエタノール、イソプロパ
ノール、メチルエチルケトンの５：３：２（容積比）の
溶液に分散し、濃度１重量％の分散液を調製した。この
ＩＴＯ分散液をガラス基板上（１０ｃｍ角）に１６０ｒ
ｐｍでスピンコートし、６０℃，５分間乾燥した。
【００２８】このＩＴＯ超微粒子層上に、前記シリカゾ
ル溶液を１６０ｒｐｍでスピンコートした。この積層膜
を１６０℃で３０分間熱処理した。
ル溶液を１６０ｒｐｍでスピンコートした。この積層膜
を１６０℃で３０分間熱処理した。
【００２９】上記積層膜の表面反射率は０.８％（５７
０ｎｍ）、表面抵抗は７×１０4Ω／□であった。
０ｎｍ）、表面抵抗は７×１０4Ω／□であった。
【００３０】また、この積層膜の表面の硬さは、消しゴ
ム試験法で３００回以上であった。通常、用いられてい
るシリカゾル（アルキル基を含まない）を同様な方法で
作製した膜の消しゴム試験結果は、約２００回であっ
た。
ム試験法で３００回以上であった。通常、用いられてい
るシリカゾル（アルキル基を含まない）を同様な方法で
作製した膜の消しゴム試験結果は、約２００回であっ
た。
【００３１】なお、図１にガラス基板上に形成された反
射帯電防止膜の模式断面図を示す。本実施例品の表面４
は、従来品の表面５に比べてその平坦度は格段に優れて
いる。表面粗さＲａは、本実施例品ではＲａ＝１５０Å
であるのに対し、従来品ではＲａ＝２６０Åである。
射帯電防止膜の模式断面図を示す。本実施例品の表面４
は、従来品の表面５に比べてその平坦度は格段に優れて
いる。表面粗さＲａは、本実施例品ではＲａ＝１５０Å
であるのに対し、従来品ではＲａ＝２６０Åである。
【００３２】上記のガラス基板上に作製したものと同様
な手法により、シリコンウエハ（直径３インチ）上に成
膜して、シリコンウエハの変形反り量から膜の残留応力
を求めた。
な手法により、シリコンウエハ（直径３インチ）上に成
膜して、シリコンウエハの変形反り量から膜の残留応力
を求めた。
【００３３】本実施例による膜の残留応力は５ｄｙｎ／
ｃｍ2であり、従来のシリカゾルを用いた膜の４０ｄｙ
ｎ／ｃｍ2と比べ、格段にり小く、膜中の残留応力が小
さいことから膜の強度が向上していることが分かる。な
お、上層のシリカ膜の元素分析を行なった結果は、アル
キル基のＣＨ濃度が１１.０％であった。
ｃｍ2であり、従来のシリカゾルを用いた膜の４０ｄｙ
ｎ／ｃｍ2と比べ、格段にり小く、膜中の残留応力が小
さいことから膜の強度が向上していることが分かる。な
お、上層のシリカ膜の元素分析を行なった結果は、アル
キル基のＣＨ濃度が１１.０％であった。
【００３４】上記ＩＴＯの他にＳｎＯ2，ＺｎＯの超微
粒子を用いても、同様に帯電防止機能のある膜が得られ
た。
粒子を用いても、同様に帯電防止機能のある膜が得られ
た。
【００３５】〔実施例 ２〕前記式〔１〕で示されるシ
リコンアルコキシドのアルキル基の種類と、その濃度が
及ぼす膜強度並びに膜平坦度を調べた結果を表１に示
す。なお、使用したシリコンアルコキシドは、それぞれ
のアルキル基が置換されたシリコンエトキシドを実施例
１と同様にして作製し、実施例１と同様にして反射帯電
防止膜を形成し、測定した。
リコンアルコキシドのアルキル基の種類と、その濃度が
及ぼす膜強度並びに膜平坦度を調べた結果を表１に示
す。なお、使用したシリコンアルコキシドは、それぞれ
のアルキル基が置換されたシリコンエトキシドを実施例
１と同様にして作製し、実施例１と同様にして反射帯電
防止膜を形成し、測定した。
【００３６】上記の膜強度は消しゴム試験で３００回以
上を○、２００回未満を×で示した。また、表面平坦度
は、表面粗さＲａが＝１５０Å以上を○、１５０Å未満
〜１００Åを△、１００未満を×で示した。
上を○、２００回未満を×で示した。また、表面平坦度
は、表面粗さＲａが＝１５０Å以上を○、１５０Å未満
〜１００Åを△、１００未満を×で示した。
【００３７】表から分かるように、アルキル基のいずれ
も７〜３０重量％の範囲が膜強度の上から望ましく、膜
平坦度では７〜１０重量％の範囲が好ましい。
も７〜３０重量％の範囲が膜強度の上から望ましく、膜
平坦度では７〜１０重量％の範囲が好ましい。
【００３８】
【表１】
【００３９】〔実施例 ３〕実施例１で調製したシリカ
ゾル液およびＩＴＯ分散液を用いて、１７インチ陰極線
管（ＣＲＴ）のパネル面に、実施例１と同様な方法によ
り反射帯電防止膜を形成した。
ゾル液およびＩＴＯ分散液を用いて、１７インチ陰極線
管（ＣＲＴ）のパネル面に、実施例１と同様な方法によ
り反射帯電防止膜を形成した。
【００４０】図２は、電子銃６、パネルガラス７、帯電
防止膜８、シリカ膜９を有するＣＲＴの模式断面図であ
る。
防止膜８、シリカ膜９を有するＣＲＴの模式断面図であ
る。
【００４１】１７インチＣＲＴのパネルガラス７を１６
０ｒｐｍで回転しておき、この上にＩＴＯ分散液１００
ｍｌを滴下してスピンコートした。次いで、６０℃で５
分間乾燥した。
０ｒｐｍで回転しておき、この上にＩＴＯ分散液１００
ｍｌを滴下してスピンコートした。次いで、６０℃で５
分間乾燥した。
【００４２】このＩＴＯ超微粒子層の上に、先に調製し
たシリカゾル溶液を１００ｍｌを滴下し、１６０ｒｐｍ
でスピンコートし積層膜を形成し、これを１６０℃で３
０分間熱処理した。この膜の表面反射率は０.９％（５
７０ｎｍ）、表面抵抗は９×１０4Ω／□であった。ま
た、膜の強度，平坦性は実施例１で作製したものと同等
であった。
たシリカゾル溶液を１００ｍｌを滴下し、１６０ｒｐｍ
でスピンコートし積層膜を形成し、これを１６０℃で３
０分間熱処理した。この膜の表面反射率は０.９％（５
７０ｎｍ）、表面抵抗は９×１０4Ω／□であった。ま
た、膜の強度，平坦性は実施例１で作製したものと同等
であった。
【００４３】ＣＲＴパネル面上に形成した本発明の反射
帯電防止膜は、膜表面の反射率の変動もなく良好なもの
が得られた。
帯電防止膜は、膜表面の反射率の変動もなく良好なもの
が得られた。
【００４４】〔実施例 ４〕実施例１で調製したシリカ
ゾル液およびＩＴＯ分散液を用いて、液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ）のパネル面上に、実施例１と同様な方法により反
射帯電防止膜を形成した。
ゾル液およびＩＴＯ分散液を用いて、液晶表示装置（Ｌ
ＣＤ）のパネル面上に、実施例１と同様な方法により反
射帯電防止膜を形成した。
【００４５】図３は、反射防止膜１０、帯電防止膜１
１、偏光膜１２、カラス基板１３、カラーフィルタ１
４、有機保護膜１５、透明導電膜１６、層間絶縁膜１
７、配向膜１８、および、液晶１９を有するＬＣＤパネ
ルの模式断面図である。ＬＣＤパネルは液晶１９の配向
を電界で変化させ、反射光またはバックライトからの出
射光を変調させて表示を行うものである。
１、偏光膜１２、カラス基板１３、カラーフィルタ１
４、有機保護膜１５、透明導電膜１６、層間絶縁膜１
７、配向膜１８、および、液晶１９を有するＬＣＤパネ
ルの模式断面図である。ＬＣＤパネルは液晶１９の配向
を電界で変化させ、反射光またはバックライトからの出
射光を変調させて表示を行うものである。
【００４６】ＬＣＤパネルには有機物からなる偏光膜１
２が形成されているため、熱処理温度は９０℃で３０分
間とした。
２が形成されているため、熱処理温度は９０℃で３０分
間とした。
【００４７】この膜の表面反射率は１.１％（５７０ｎ
ｍ）、表面抵抗は４×１０5Ω／□であった。また、膜
の強度，平坦性は実施例１で作製したものと同等であっ
た。
ｍ）、表面抵抗は４×１０5Ω／□であった。また、膜
の強度，平坦性は実施例１で作製したものと同等であっ
た。
【００４８】ＬＣＤパネル面上に形成した本発明の反射
帯電防止膜は、膜表面の反射率の変動もなく良好なもの
が得られた。
帯電防止膜は、膜表面の反射率の変動もなく良好なもの
が得られた。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、高強度、かつ、膜平坦
性の優れた反射帯電防止膜を提供することができる。ま
た、この反射帯電防止膜をＣＲＴ，ＬＣＤの表示パネル
面に形成することにより、高性能な表示装置を提供する
ことができる。
性の優れた反射帯電防止膜を提供することができる。ま
た、この反射帯電防止膜をＣＲＴ，ＬＣＤの表示パネル
面に形成することにより、高性能な表示装置を提供する
ことができる。
【図１】ガラス基板上に形成された反射帯電防止膜の模
式断面図である。
式断面図である。
【図２】本発明の陰極線管の模式断面図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の模式断面図である。
【符号の説明】 １…ガラス基板、２…ＩＴＯ超微粒子、３…シリカ膜、
４…本実施例品の表面、５…従来品の表面、６…電子
銃、７…パネルガラス、８…帯電防止膜、９…シリカ
膜、１０…反射防止膜、１２…偏光膜、１４…カラーフ
ィルタ、１５…有機保護膜、１６…透明導電膜、１７…
層間絶縁膜、１８…配向膜、１９…液晶。
４…本実施例品の表面、５…従来品の表面、６…電子
銃、７…パネルガラス、８…帯電防止膜、９…シリカ
膜、１０…反射防止膜、１２…偏光膜、１４…カラーフ
ィルタ、１５…有機保護膜、１６…透明導電膜、１７…
層間絶縁膜、１８…配向膜、１９…液晶。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０９Ｆ 9/00 Ｈ０１Ｊ 29/88 Ｈ０１Ｊ 29/88 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ (72)発明者 高橋 研 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 内山 則和 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 西沢 昌紘 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 東條 利雄 千葉県茂原市早野3681番地 日立デバイス エンジニアリング株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 表示装置の表示パネルフェース面に形成
される反射帯電防止膜であって、該反射帯電防止膜が導
電性の超微粒子粉末を含み透明な帯電防止層の上に、Ｓ
ｉ骨格に低級アルキル基が直結した式〔１〕 【化１】 Ｒ3−Ｓｉ−ＣnＨ2n+1 …〔１〕 （式中、Ｒはアルコキシ基、ｎは１〜４の整数）で示さ
れるシリコンアルコキシドを含むシリカゾル溶液から形
成され、前記帯電防止層よりも低屈折率の低屈折率層が
積層されており、 前記低屈折率層中のアルキル基の濃度が７〜３０重量％
であることを特徴とする反射帯電防止膜。 - 【請求項２】 前記高屈折率層の導電性の超微粒子粉末
がＩｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2またはＺｎＯである請求項１に記
載の反射帯電防止膜。 - 【請求項３】 前記反射帯電防止膜の低屈折率層中の膜
の残留応力が５ｄｙｎ／ｃｍ2以下である請求項１に記
載の反射帯電防止膜。 - 【請求項４】 前記反射帯電防止膜の表面粗さがＲａ＝
２５０Ａ以下である請求項１に記載の反射帯電防止膜。 - 【請求項５】 出射光または反射光を変調することによ
り表示を行う表示装置において、 前記表示装置の表示パネルフェース面に、導電性の超微
粒子粉末を含み透明な帯電防止層の上に、Ｓｉ骨格に低
級アルキル基が直結した式〔１〕 【化２】 Ｒ3−Ｓｉ−ＣnＨ2n+1 …〔１〕 （式中、Ｒはアルコキシ基、ｎは１〜４の整数）で示さ
れるシリコンアルコキシドを含むシリカゾル溶液から形
成され、前記帯電防止層よりも低屈折率の低屈折率層が
積層されており、 前記低屈折率層中のアルキル基の濃度が７〜３０重量％
である反射帯電防止膜を設けたことを特徴とする表示装
置。 - 【請求項６】 前記高屈折率層の導電性の超微粒子粉末
が、Ｉｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2またはＺｎＯである請求項５に
記載の表示装置。 - 【請求項７】 前記反射帯電防止膜の低屈折率層中の膜
の残留応力が５ｄｙｎ／ｃｍ2以下である請求項５に記
載の表示装置。 - 【請求項８】 前記反射帯電防止膜の表面粗さがＲａ＝
２５０Ａ以下である請求項５に記載の表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8258727A JPH10104402A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 反射帯電防止膜およびそれを用いた表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8258727A JPH10104402A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 反射帯電防止膜およびそれを用いた表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10104402A true JPH10104402A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17324255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8258727A Pending JPH10104402A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 反射帯電防止膜およびそれを用いた表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10104402A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000011267A (ko) * | 1998-07-24 | 2000-02-25 | 김영남 | 전도성유기고분자의투명대전방지막이형성된화상표시면판및그제조방법과도포용액 |
| JP2005266782A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 反射防止フィルム、それを用いた偏光板、並びにそれらを用いた画像表示装置、反射防止フィルムの製造方法 |
| US7557885B2 (en) | 2003-02-07 | 2009-07-07 | Fujifilm Corporation | Display and display system for medical use |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP8258727A patent/JPH10104402A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000011267A (ko) * | 1998-07-24 | 2000-02-25 | 김영남 | 전도성유기고분자의투명대전방지막이형성된화상표시면판및그제조방법과도포용액 |
| US7557885B2 (en) | 2003-02-07 | 2009-07-07 | Fujifilm Corporation | Display and display system for medical use |
| JP2005266782A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-09-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 反射防止フィルム、それを用いた偏光板、並びにそれらを用いた画像表示装置、反射防止フィルムの製造方法 |
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