JPH04173262A - サーマルヘッド - Google Patents

サーマルヘッド

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JPH04173262A
JPH04173262A JP30038790A JP30038790A JPH04173262A JP H04173262 A JPH04173262 A JP H04173262A JP 30038790 A JP30038790 A JP 30038790A JP 30038790 A JP30038790 A JP 30038790A JP H04173262 A JPH04173262 A JP H04173262A
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JP
Japan
Prior art keywords
layer
top surface
electrode layer
solder
thermal head
Prior art date
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Pending
Application number
JP30038790A
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English (en)
Inventor
Hiromitsu Ishii
石井 弘満
Takeshi Fujiwara
藤原 武司
Ikuo Takahashi
孝橋 生郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、ファクシミリ、プリンター装置等にお(」る
画像入出力部のザーマルヘットモジュールに関する。
〈従来技術〉 第5図(a) (b)は従来技術のサーマルヘッドの構
造を示す図である。
まず、第5図(a)においてサーマルヘッドの基板製造
方法を述べる。
サーマルヘッドは、基材となる耐熱樹脂基板2の片面に
金属層Iを、他面に熟成散層兼共通電極層3と半田バン
プ接続電極層4を形成した両面銅張積層樹脂基板である
該基板構造は、基板2の−L面に、第−層として、まず
熟成散層兼共通電極層3および半田バンプ接続電極層4
を形成する。この製造方法として、前処理工程後フオ)
・リソ工程を経て金属層(Cu)のエツチングを行ない
、熟成散層兼共通電極層3および半田バンプ接続電極層
4を配線形成する。また、半田付は性を向りさせるため
、画電極層3゜4に無電界によるニッケル系合金(Ni
−P)メツギ、金(ΔU)メツキを施し、さらに、これ
を裏面の金属層1にも形成引る。
第二層に、半田ダム層兼蓄熱層5を形成する。
この半田ダム層兼蓄熱層5はポリイミド系樹脂を成分と
し、前記基板全面にスピンナ法でコーティングし、フォ
トリソ工程、エツヂング工程を経てパターンニンク形成
する。膜厚は、例えば3μmで、半1月ダム径φが10
0μmのサイズで円孔を形成仕上げしておく。
第三層目として、発熱抵抗体層6を、第四層目にり−1
・電極層7(Δl−S i)を、スパッタリング装置に
より順次成膜し、レジスト塗布」−程、フ才)・リソ工
程、エツヂンク工程を経て、発熱抵抗体層6、リード電
極層7(△l−S i)を配線形成−4′ろ3、このと
き、リード電極層7(」半田バンプ接続電極層4と電気
的導通が図られる。
上述した基板作製工程におけるザーマルヘツトの半]1
1バンプ接続部構造は、半田ダノ、層兼蓄熱層5と金属
層1.3.4 (Cu/Ni l)/ΔU)の段差構造
で成りqっており、この段差部の厚みは、前]ホしたよ
うに3It mとなっている。
このようなザーマルヘッドの基板構造で、駆動素子10
と基板のフェイスタウンポンディングを行なう場合、ま
ず、半田ダム層兼蓄熱層5を含む半1■1バンプ接続電
極部Δイ・1近の全面にフラックス活性剤Fを塗布する
。このフラックス塗布厚は50〜80I1mとし、転写
法により塗布する。そし−ζ、゛1′、田ハンプ9が形
成された駆動素子IOをポンディング装置により前記基
板−1−に搭載し仮固定する。
このとき、半田バンプ9は、第5図(a)の如く、ポン
ディング装置の搭載精度のばらつきがあるために、半田
バンプ接続電極部Aの内部あるいは半田ダト層兼蓄熱層
5の上面に位置゛4゛れして仮固定される。この状態で
仮固定された駆動素子10と基板を、リフロー工程を通
し半田バンプ9を溶融して両者の電気的接続を行なって
いた。
なお、図中IIは、保護膜としてスパッタ法にて成膜さ
れた耐摩耗層を示(2ている。
〈 発明が解決しようとする課題 〉 しかしながら、第5図(b)に示すように、フラックス
塗布工程において蓄熱槽兼半田ダム層5か371mの厚
みで段差のある凹構造となっているがために、フラック
スFの塗布時に半田ハンプ接続電極部Aの内部に気泡が
発生して均一に塗布されない場合が生じ、半田ハンプ9
が)14田バンプ接続電極部Aの内部の位置で仮固定さ
れていても、局部的にフラックス活性化が低−トし、リ
フロー工程後に一部の半1月バンプ9が溶融されず、半
田バンプ形状に支障を起たすことがある。
また、フラックスFが均一・に塗布されている場合にお
いては、ボンティング装置の搭載精度ばらつきがあるた
め、半田バンプ9が半]1コダム層5の1−面に位置1
′れして仮固定される。
このとき、リフロー工程で半田が溶融される際、従来の
溶融面積で(」前記段差構造のため半田が−)1′FB
バンプ接続電極部△に溶(J込むことができないことが
ある。もしくは、半[B9の一部が溶C)込んだ場合で
も、半田9の表面張力による自己補正ができない。すな
わち、セルフアライメント効果の低1ζが生じろといっ
た問題点がある。
さらに、前述した基板作製且程において、半田ダム層5
を形成する際のエッチングエ稈の条件のばらつきから、
該電極部Δに半8]ダム層兼蓄熱層5のポリイミド樹脂
の残さが生じやすく、半田付(1件の低下を促してし2
まう。
以−1,のとおり、従来の製造工程による段差構造かた
めに゛1N11バンプ接続後のバンプ形状が理想的な樽
(バレル)形状にならなく不定形となることがある。そ
うすると、半11しくンプ9の接続強度が低下し、駆動
素子10と基板との電気的接続に不具合が生じゃずいと
いう難点があった。
本発明は、」1記課題に鑑ゐ、セルフアライメント効果
を向」こさせ、リフロー時の平目」形状を理想的な樽形
状にして、駆動素子との電気的接続を確実に行ない得る
ザーマルヘッドの提供を1」的とする。
く 課題を解決するだめの手段 〉 本発明による課題解決手段は、第1図(a) (b)な
いし第4図の如く、耐熱樹脂基板2の−上面に蓄熱層5
を積層し、該蓄熱層5の上面に、発熱抵抗体層6および
電極層7が形成され、前記電極層7の−1−面は露出さ
れ、該電極層7の−1−而に、駆動素子IOの半田ハン
プ9と接続するための接続市極部Aが突出形成されたも
のである。
〈作用〉 上記課題解決手段において、耐熱樹脂基板2の上面に蓄
熱層5を積層し、該蓄熱層5の1−面に、電極JYD 
7、発熱抵抗体層6を形成する。
このとき、電極層7を露出しているので、電極層7の上
面に蓄S1層による段差を設(jなくても?l′[月を
リフローすることかでき、製造上のポリイミド樹脂の残
さかなくなり、半田イマ]け性の向−1−が図られる。
また、電極層7の上面に接続電極部Δを突出形成してい
るので、フユ、イスダウンボンティング■「程において
は、ポンティング装置の搭載粘度のばらつきによって電
極層7の上面に位置ずれして仮固定されていても、リフ
ロー工程で、半1」1がその表面張力により溶融して平
目]バンブ接続電極部Δに引き込まれ、セルフアライメ
ント効果が向−1ニし、駆動素子とザーマル/\ツドの
良好な電気的接続が得られろ。
〈実施例〉 以下、本発明の一実施例を第1〜3図に基ついて説明す
る、。
第1図(aXb)は本発明による第一実施例のサーマル
ヘッドを示ず断面図てあり、同図(a)fJ駆動素子実
装後、同図(b)は駆動素子実装作業中の状態を夫々示
している。また、第2図は同じくサーマルヘッドの外観
斜視図、第3図は同じく保護膜形成前のサーマルヘッド
の一部拡大斜視図である。
なお、従来と同様の機能を有する部材については、同一
符号をイリしている。
第1〜3図の如く、本実施例のサーマルヘッドは、1)
J祠となる耐熱樹脂基板2と、該樹脂基板2の下面の金
属層1と、熟成散層兼共通電極層3を形成する銅(Cu
)製の金属層とから成る両面銅張積層樹脂基板を備え、
該基板」二にポリイミド樹脂を成分とした蓄熱層5を積
層し、該蓄熱層5の上面に、発熱抵抗体層6、共通電極
層3a、およびリート電極層7が順次積層されている。
リード電極層7および発熱抵抗体層6は、第2゜3図の
如く、アレイ状に多数個並設され、さらにその上面に耐
摩耗層11が成膜されている。そして、第1図(aXl
))の如く、前記リード電極層7の上面の一部は露出さ
れ、該電極層7の上面に、駆動素子10(IC)の半I
F’]バンプ9と接続するたy)の接続電極部Δが突出
した形で形成されている3、第1図(a) (b)に示
すように、サーマルヘッドは、第−層として、下面に銅
(C+、+)製の金属層1を固着(刀こ耐熱樹脂基板2
のに而に熟成散層兼共通電極層3が形成される。その製
造方法上して、;)η処理工程後、フオI・リソ工程を
経て金属層(Cu)Iのエツチングを行ない、熟成散層
兼共通電極層3のゐを形成する。この層−1−には、j
f、 IT(例!J性向−1゜のため、無電界ニッケル
系合金(Ni−P)メツキ。
金(ΔU)メツキ工程を行ない、熟成散層兼共通電極層
3(Cu/N1−P/ΔU)が形成される。
第二層は、前記第−層りにポリイミド樹脂層5が蓄熱層
として形成される。該蓄熱層5は、発熱抵抗体層6で発
生した熱の散逸を阻止して温度を上昇させるためのもの
で、まず、スピンナ法で基板全面にコーテイング後ベー
タキングし、その後、フォトリソ」−程、エツヂング工
程を経て形成される。この層においては、共通電極部の
導通を行なう領域のみのパターンニングでよい。
第三層には前記蓄熱層5の上面に発熱抵抗体層6がアレ
イ状に積層され、さらに第四層にはアルミニウム系合金
(AI−8i)やチタン(ゴ1)製の半田ダム層兼リー
ト電極層7が絶縁部7aを除く発熱抵抗体層6と蓄熱層
5の全面に順次積層される。
また、前記共通電極層3の上面には共通り一部3aを形
成しておく。
そして、該半EL]ダム層兼り−ト電極層7の半[11
バンプ接続電極部Δは、半1:T(9の表面張力を利用
してその形状を制限するため、小径の円板状に突出形成
されている。ここで、該半田バンプ接続電極部Aの外径
はφ95〜100μm1突起厚は2゜5μmとされてい
る。
該手口」バンプ接続電極部Aの金属材料としては、銅(
Cu)またはニッケル(N i)が使用され、半(Jコ
ダム層兼リード電極層7と共に、スパッタリング法によ
り順次薄膜成膜しレジスト塗布、フォトリソ工程、エツ
ヂング工程を経て配線形成さイ1.る。また、該半[1
]バンプ接続電極部Aの表面に(J、半]11(=Iけ
性を向」ニさせるため無電界メツキによる金(ΔU)メ
ツキ層が施されている。
ここで、本実施例のザーマルヘッドは、第5図(aXb
)に示す従来のザーマルヘッドと異なり、リード電極層
7の上面が蓄熱層に覆われずに露出している。これは、
リード電極層7の上面にポリイミド樹脂の残さが生じる
のを防止するためである。
なお、図中IIは、発熱抵抗体層6を保護する保護膜と
してスパッタ法にて成膜された耐摩耗層を示している。
このような基板と、駆動素子IOとのフェイスダウンポ
ンディング接続を行なう場合、第1図(b)の如く、該
基板の半田バンプ接続電極部Aの側近のみにフラックス
Fを塗布し、ホンディング装置で駆動素子10を半1月
バンプ接続電極部△の径内あるい(」、半田ダム層兼リ
ード電極層7の接続部A (”J近の位置で仮固定し、
リフロー工程を通し半「IEハンプ接続電極部△と半l
′+]ハンプ9とのフェイスダウン接続を行なう。
ところで、この際、ボンディング装置の搭載精度のばら
つき(例えば、搭載精度60μm)から、同図(1))
のように平目]バンプ9が接続電極層から位置ずれして
仮固定されることがある。
しかし、このとき、半田バンプ接続電極部へを電極層7
の上面に突出して形成しており、第5図(a) (b)
に示す従来のザーマルヘッドのようにリード電極層7が
蓄熱層に覆われずに露出しているため、従来のようなポ
リイミド樹脂の残さかなく、リフロー工程において従来
の半田バンプの溶融面積による表面張力で半田バンプ接
続電極部Aに吸収されやすくなる。すなわち、セルフア
ライメント効果が向上し、第1図(a)で示すように理
想的な樽状の半II+バンプ接続形状が形成される。
したがって、駆動素子10と電極層7との電気的接続を
確実に行なうことができ、接続の高信頼性が得られる。
〔第二実施例〕
第4図は本発明による第二実施例のザーマルヘッドを示
す断面図である。
第4図に示す実施例も、ポリイミド樹脂を成分とした蓄
熱層5を形成し、該蓄熱層5の上面に発熱抵抗体層6を
全面に残存形成したまま半田ダノ・−、−12− 層兼リート電極層7が形成されている。その他の構成は
第一実施例と同様である。
第4図の実施例において、ボンディング装置の搭載精度
のばらつきから、半田バンプ9が半ロ1ダム層兼リード
電極層7の上面に位置ずれして仮固定された場合て乙、
半111バンプ接続電極部Δか第一実施例と同様に突出
形成され、リード電極層7が従来の如く、蓄熱層に覆わ
れずに露出しているため、従来のポリイミド樹脂の残ざ
がなくなり、リフロー工程において従来の半1]]バン
プの溶融面積による表面張力で半II+バンプ接続電極
部Δに吸収されやすくなる。すなわち、セルフアライメ
ント効果が向」ニし、理想的な樽状の半[ηバンプ形状
が形成される。
したがって、駆動素子IOと電極層7との電気的接続か
容易にてき高(3頼性が得られる。
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく
、本発明の範囲内で−1−記実施例に多くの修正15よ
び変更を加え得ることは勿論である。
〈発明の効果〉 以−ヒの説明から明らかな通り、本発明によると、電極
層の上面を露出させ、電極層の接続電極部を突出した構
造としているので、製造工程における半田ダム層形成プ
ロセスが不要になりポリイミド樹脂の残さかなくなり半
田付は性の向」二が図れる。
また、フェイスダウン接続工程においてはボンディング
装置の搭載精度のばらつきから、半田バンプが電極層ト
の位置で仮固定された場合でも、リフロー工程において
従来の半田バンプの溶融面積による表面張力で接続電極
部に吸収されやすくなる。すなわち、セルフアライメン
ト効果が向上し、理想的な樽状の半田バンプ接続形状が
形成される。したがって、駆動素子とザーマルヘッドと
の電気的接続を容易に行ない得、高信頼性が得られると
いった優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) (b)は本発明による第一実施例のザー
マルヘッドを示す断面図であり、同図(a)は駆動素子
実装後、同図(b)は駆動素子実装作業中の状態を夫々
示している。また、第2図は同じくザーマルヘツトの外
観斜視図、第3図は同じく保護膜形成+iijのザーマ
ルヘッドの一部拡人斜視図である。 第4図(」本発明による第二実施例のザーマルヘットを
示す断面図である。 第5図(a) 、 (b)は従来技術によるザーマルヘ
ツトの断面図であり、同図(a)は駆動素子実装イ′]
業中、同図(1))は駆動素子の実装後の状態を示して
いる3゜ 1 金属層、2:耐熱樹脂基板、3 共通電極層、5、
蓄熱層、6・発熱抵抗体層、7.リード電極層、9:半
田バンブ、10.駆動素子、11.耐摩耗層、A接続電
極部。 出 願 人  ンヤーブ株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 耐熱樹脂基板の上面に蓄熱層を積層し、該蓄熱層の上面
    に、発熱抵抗体層および電極層が形成され、該電極層の
    上面は露出され、該電極層の上面に、駆動素子の半田バ
    ンプと接続するための接続電極部が突出形成されたこと
    を特徴とするサーマルヘッド。
JP30038790A 1990-11-05 1990-11-05 サーマルヘッド Pending JPH04173262A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30038790A JPH04173262A (ja) 1990-11-05 1990-11-05 サーマルヘッド

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0913261A2 (en) * 1997-10-28 1999-05-06 Hewlett-Packard Company Scalable wide-array inkjet printhead and method for fabricating same
US6935023B2 (en) 2000-03-08 2005-08-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming electrical connection for fluid ejection device
JP2009238365A (ja) * 1996-09-27 2009-10-15 Digital Optics Corp 集積化された光学的ヘッド装置および関連する方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009238365A (ja) * 1996-09-27 2009-10-15 Digital Optics Corp 集積化された光学的ヘッド装置および関連する方法
EP0913261A2 (en) * 1997-10-28 1999-05-06 Hewlett-Packard Company Scalable wide-array inkjet printhead and method for fabricating same
EP0913261A3 (en) * 1997-10-28 2000-03-22 Hewlett-Packard Company Scalable wide-array inkjet printhead and method for fabricating same
US6123410A (en) * 1997-10-28 2000-09-26 Hewlett-Packard Company Scalable wide-array inkjet printhead and method for fabricating same
US6508536B1 (en) 1997-10-28 2003-01-21 Hewlett-Packard Company Method of mounting fluid ejection device
US6935023B2 (en) 2000-03-08 2005-08-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming electrical connection for fluid ejection device

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