JPH04155261A - 超高周波プローブ針 - Google Patents
超高周波プローブ針Info
- Publication number
- JPH04155261A JPH04155261A JP28125190A JP28125190A JPH04155261A JP H04155261 A JPH04155261 A JP H04155261A JP 28125190 A JP28125190 A JP 28125190A JP 28125190 A JP28125190 A JP 28125190A JP H04155261 A JPH04155261 A JP H04155261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- dielectric waveguide
- probe needle
- waveguide
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
二の兇明は、高周波半導体素子の特性を測定するブロー
ビング装置に係り、特にウエハブローヒングを行うため
の超高周波プローブ針に関するものである。
ビング装置に係り、特にウエハブローヒングを行うため
の超高周波プローブ針に関するものである。
第6図は、従来の超高周波プローブ針の一例を示すブロ
ック図であり、また第7図falは第6図の超高周波プ
ローブ針の具体例を示す斜視図であり、第7図(blは
同図+a+の底面図である。
ック図であり、また第7図falは第6図の超高周波プ
ローブ針の具体例を示す斜視図であり、第7図(blは
同図+a+の底面図である。
第6図において、100は超高周波プローブ針で、図示
しない高周波測定器より接続される同軸レセプタクル1
1と、同軸/コプレナ変換部13と、コプレナ線路12
とからなる。また101は被測定デバイスである。
しない高周波測定器より接続される同軸レセプタクル1
1と、同軸/コプレナ変換部13と、コプレナ線路12
とからなる。また101は被測定デバイスである。
第7図において、11は例えば2.4mmコネクタを用
いた同軸レセプタクル、12は金属薄膜(コプレナ線路
)、13は上記同軸レセプタクル11の芯線14とコプ
レナ線路の信号線15か接続され、かつ上記同軸レセプ
タクル11の外部導体17とコプレナ線路12のグラン
ド線16か接続されるように構成した同軸/コプレナ変
換部である。
いた同軸レセプタクル、12は金属薄膜(コプレナ線路
)、13は上記同軸レセプタクル11の芯線14とコプ
レナ線路の信号線15か接続され、かつ上記同軸レセプ
タクル11の外部導体17とコプレナ線路12のグラン
ド線16か接続されるように構成した同軸/コプレナ変
換部である。
また、上記コプレナ線路12は、例えばアルミナセラミ
ックなどからなるブレード4上に、金メツキなとの方法
て形成した金属薄膜からなる信号線15と、信号線15
と所定の間隔て信号線15を挟むように金メツキなとの
方法で形成した金属薄膜からなるグランド線16とから
構成されている。
ックなどからなるブレード4上に、金メツキなとの方法
て形成した金属薄膜からなる信号線15と、信号線15
と所定の間隔て信号線15を挟むように金メツキなとの
方法で形成した金属薄膜からなるグランド線16とから
構成されている。
また、上記コプレナ線路12の先端部は突起状の金属バ
ンプ3を有している。
ンプ3を有している。
次に動作について説明する。
図示しない高周波測定器よりの超高周波信号は同軸ケー
ブルを通して第7図に示す超高周波プローブ針100の
同軸レセプタクル11に伝送され、さらに同軸/コプレ
ナ変換部13により同軸伝搬モードからコプレナ伝搬モ
ードに変換されてコプレナ線路12に伝送される。次に
コプレナ線路12上を伝搬した超高周波信号はコプレナ
線路12の先端部に設けた金属バンプ3を通して被測定
デバイス101の入力端子に印加される。
ブルを通して第7図に示す超高周波プローブ針100の
同軸レセプタクル11に伝送され、さらに同軸/コプレ
ナ変換部13により同軸伝搬モードからコプレナ伝搬モ
ードに変換されてコプレナ線路12に伝送される。次に
コプレナ線路12上を伝搬した超高周波信号はコプレナ
線路12の先端部に設けた金属バンプ3を通して被測定
デバイス101の入力端子に印加される。
しかしながら、上記のような構成からなる超高周波プロ
ーブ針では、超高周波信号は同軸ケーブルを通し、上記
同軸レセプタクル11を介して同軸/コプレナ変換部1
3に伝送されるか、同軸ケーブル上でのミリ波帯以上の
帯域の損失か極めて大きく、さらに上記同軸レセプタク
ル11及び同軸/コプレナ変換部13ての損失もあり、
使用可能周波数は60GHz以下である。このため、高
周波半導体素子の特性をこの周波数帯以上の帯域におい
てオンウェハ測定することか不可能てあっ −た。
ーブ針では、超高周波信号は同軸ケーブルを通し、上記
同軸レセプタクル11を介して同軸/コプレナ変換部1
3に伝送されるか、同軸ケーブル上でのミリ波帯以上の
帯域の損失か極めて大きく、さらに上記同軸レセプタク
ル11及び同軸/コプレナ変換部13ての損失もあり、
使用可能周波数は60GHz以下である。このため、高
周波半導体素子の特性をこの周波数帯以上の帯域におい
てオンウェハ測定することか不可能てあっ −た。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、半導体素子のミリ波帯以上の超高周波にお
ける電気的特性をウェハ状態で高精度に測定することの
できる超高周波プローブ針を提供することを目的とする
。
れたもので、半導体素子のミリ波帯以上の超高周波にお
ける電気的特性をウェハ状態で高精度に測定することの
できる超高周波プローブ針を提供することを目的とする
。
〔課題を解決するための手段〕 −
この発明に係る超高周波プローブ針は、支持部材上に設
けられた誘電体導波路と、上記支持部材上に設けられ、
先端にそれぞれ金属バンプを有し、後端側がそれぞれ上
記誘電体導波路と接続された一対の線路からなるスロッ
ト線路とを備え、上記誘電体導波路とスロット線路との
接続部を信号伝搬モートの変換部としたものである。
けられた誘電体導波路と、上記支持部材上に設けられ、
先端にそれぞれ金属バンプを有し、後端側がそれぞれ上
記誘電体導波路と接続された一対の線路からなるスロッ
ト線路とを備え、上記誘電体導波路とスロット線路との
接続部を信号伝搬モートの変換部としたものである。
この発明においては、超高周波プローブ針において、ミ
リ波帯以上の帯域において損失の大きい同軸ケーブル及
び同軸/コプレナ変換部を使用せず、誘電体導波路と、
スロット線路と、両者間の信号伝搬モードの変換部とを
備えた構成としたので、60GHz以上のミリ波帯にお
いて、高周波半導体素子の電気的特性をウェハ状態で高
精度に測定することかできる。
リ波帯以上の帯域において損失の大きい同軸ケーブル及
び同軸/コプレナ変換部を使用せず、誘電体導波路と、
スロット線路と、両者間の信号伝搬モードの変換部とを
備えた構成としたので、60GHz以上のミリ波帯にお
いて、高周波半導体素子の電気的特性をウェハ状態で高
精度に測定することかできる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第1図は、この発明の一実施例による超高周波プローブ
針を示すブロック図である。図において、200は超高
周波プローブ針で、図示しない高周波測定器より接続さ
れる誘電体導波路lと、誘電体導波路/スロット線路変
換部6とスロット線路2とからなる。また、101は被
測定デバイスである。
針を示すブロック図である。図において、200は超高
周波プローブ針で、図示しない高周波測定器より接続さ
れる誘電体導波路lと、誘電体導波路/スロット線路変
換部6とスロット線路2とからなる。また、101は被
測定デバイスである。
第2図(atは、この発明の第1の実施例によるプロー
ブ針を底面より見た斜視図であり、同図(b)は上面よ
り見た斜視図である。第3図fa)は、第2図の上面よ
りの平面図であり、第3図(blは、二のA−A’線断
面図である。第2図、第3図において、4はこのプロー
ブ針の支持部材をなす、例えばアルミナセラミックなど
からなるブレードである。
ブ針を底面より見た斜視図であり、同図(b)は上面よ
り見た斜視図である。第3図fa)は、第2図の上面よ
りの平面図であり、第3図(blは、二のA−A’線断
面図である。第2図、第3図において、4はこのプロー
ブ針の支持部材をなす、例えばアルミナセラミックなど
からなるブレードである。
上記ブレード4の表面上には先端側にテーパ形状部を有
する誘電体導波路1を埋め込むように配設し、後端側が
それぞれ上記誘電体導波路lのテーパ形状部の一辺に接
するように、例えば金属薄膜よりなる一対のスロット線
路2を配設し、該スロット線路2の先端部にメツキなど
の方法により金属バンプ3を配設している。
する誘電体導波路1を埋め込むように配設し、後端側が
それぞれ上記誘電体導波路lのテーパ形状部の一辺に接
するように、例えば金属薄膜よりなる一対のスロット線
路2を配設し、該スロット線路2の先端部にメツキなど
の方法により金属バンプ3を配設している。
次に本実施例の動作について説明する。
図示しない高周波測定器よりの超高周波信号は、例えば
テフロンなどのテーパ形状部を有する誘電体導波路1を
通じて、第2図(a)、 (b)及び第3図(a)。
テフロンなどのテーパ形状部を有する誘電体導波路1を
通じて、第2図(a)、 (b)及び第3図(a)。
(b)に示す本発明の一実施例なる超高周波プローブ針
に伝送され、上記誘電体導波路1とスロット線路2との
接触部分である誘電体導波路/スロット線路変換部6に
より、導波路伝搬モードからスロット伝搬モードに変換
されてスロット線路2に伝送される。
に伝送され、上記誘電体導波路1とスロット線路2との
接触部分である誘電体導波路/スロット線路変換部6に
より、導波路伝搬モードからスロット伝搬モードに変換
されてスロット線路2に伝送される。
次にスロット線路2上を伝搬した超高周波信号は、スロ
ット線路2の先端部に設けた金属バンプ3を通じて、被
測定デバイスの入出力端子に印加サレ、被測定デバイス
10=fi!の超高周波特性を評価することができる。
ット線路2の先端部に設けた金属バンプ3を通じて、被
測定デバイスの入出力端子に印加サレ、被測定デバイス
10=fi!の超高周波特性を評価することができる。
このように本実施例では同軸ケーブルを用いずに誘電体
導波路とスロット線路を用いた構成としたので、60G
&以上のミリ波帯において、低損失で信号の伝送を行う
ことかでき、高周波半導体素子の電気的特性を、ウェハ
状態で高精度に測定することか可能となる。
導波路とスロット線路を用いた構成としたので、60G
&以上のミリ波帯において、低損失で信号の伝送を行う
ことかでき、高周波半導体素子の電気的特性を、ウェハ
状態で高精度に測定することか可能となる。
また、第4図(a)はこの発明の第2の実施例を上面よ
り見た平面図であり、第4図(b)は、そのB−B゛線
断面図である。図において、誘電体導波路/スロット線
路変換部6は、先端側にテーパ形状部を有する誘電体導
波路1の該テーパ形状部と、上記誘電体導波路1のテー
パ形状部の両側部に嵌合するように金属薄膜で形成した
一対のスロット線路2との接続部分により構成されてい
る。
り見た平面図であり、第4図(b)は、そのB−B゛線
断面図である。図において、誘電体導波路/スロット線
路変換部6は、先端側にテーパ形状部を有する誘電体導
波路1の該テーパ形状部と、上記誘電体導波路1のテー
パ形状部の両側部に嵌合するように金属薄膜で形成した
一対のスロット線路2との接続部分により構成されてい
る。
本実施例の動作は上記第1の実施例と同様である。
さらに、第5図(a)は、この発明の第3の実施例を上
面より見た平面図であり、同図(b)は、同図(a)の
c−c’線断面図である。図において、誘電体導波路/
スロット線路変換部6は、テーパ形状部を有する誘電体
導波路1の該テーパ形状部と、上記誘電体導波路1のテ
ーパ形状部の周囲を囲むように形成した金属薄膜5と、
上記金属薄膜5に電気的に接続して形成したスロット線
路2の該接続部分とから構成されている。
面より見た平面図であり、同図(b)は、同図(a)の
c−c’線断面図である。図において、誘電体導波路/
スロット線路変換部6は、テーパ形状部を有する誘電体
導波路1の該テーパ形状部と、上記誘電体導波路1のテ
ーパ形状部の周囲を囲むように形成した金属薄膜5と、
上記金属薄膜5に電気的に接続して形成したスロット線
路2の該接続部分とから構成されている。
本実施例の動作は上記第1.第2の実施例と同様である
。
。
なお、上記実施例においては、ブレードとしてアルミナ
セラミックを用いる場合について述べたか、焼結ガラス
などを用いてもよい。また、上記実施例においては、誘
電体導波路として方形をなしている場合について述へた
か、円形誘電体導波路で構成した場合も同様の動作をす
る。
セラミックを用いる場合について述べたか、焼結ガラス
などを用いてもよい。また、上記実施例においては、誘
電体導波路として方形をなしている場合について述へた
か、円形誘電体導波路で構成した場合も同様の動作をす
る。
以上のように、この発明の超高周波プローブ針によれば
、支持部材上に設けられた、ミリ波帯以上の帯域におい
て極めて損失の少ない誘電体導波路と、上記支持部材上
に設けられ、先端にそれぞれ金属バンプを有し、後端側
かそれぞれ上記誘電体導波路と接続された一対の線路か
らなるスロット線路とを備え、上記誘電体導波路とスロ
ット線路との接続部を信号伝搬モードの変換部としたの
で、60GHz以上のミリ波帯において、低損失で信号
の伝送を行うことかでき、高周波半導体素子の電気的特
性を、ウェハ状態て高精度に測定することか可能となる
効果かある。
、支持部材上に設けられた、ミリ波帯以上の帯域におい
て極めて損失の少ない誘電体導波路と、上記支持部材上
に設けられ、先端にそれぞれ金属バンプを有し、後端側
かそれぞれ上記誘電体導波路と接続された一対の線路か
らなるスロット線路とを備え、上記誘電体導波路とスロ
ット線路との接続部を信号伝搬モードの変換部としたの
で、60GHz以上のミリ波帯において、低損失で信号
の伝送を行うことかでき、高周波半導体素子の電気的特
性を、ウェハ状態て高精度に測定することか可能となる
効果かある。
第1図は、この発明の一実施例による超高周波プローブ
針を示すブロック図、第2図(a)、 (b)はこの発
明の第1の実施例を示すそれぞれ底面、及び上面よりの
斜視図、第3図1a)は上記第1の実施例を上面より見
た平面図、第3図(blはそのA−A’線要部断面図、
第4図(a)はこの発明の第2の実施例によるプローブ
針を示す平面図、第4図(blはそのB−B’線要部断
面図、第5図fa)は二の発明の第3の実施例によるプ
ローブ針を示す平面図、第5図(blはそのc−c’線
要部断面図、第6図は従来例による超高周波プローブ針
を示すブロック図第7図(a)、 (b)は従来例によ
る超高周波プローブ針を示す斜視図及び要部を示す底面
図である。 図において、lは誘電体導波路、2は金属薄膜(スロッ
ト線路)、3は金属バンプ、4はブレード、5は金属薄
膜、6は誘電体導波路/スロット線路変換部、11は同
軸レセプタクル、12は金属薄膜(コプレナ線路)、1
3は同軸/コプレナ変換部、14は芯線、15は信号線
、16はグランド線、17は外部導体である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
針を示すブロック図、第2図(a)、 (b)はこの発
明の第1の実施例を示すそれぞれ底面、及び上面よりの
斜視図、第3図1a)は上記第1の実施例を上面より見
た平面図、第3図(blはそのA−A’線要部断面図、
第4図(a)はこの発明の第2の実施例によるプローブ
針を示す平面図、第4図(blはそのB−B’線要部断
面図、第5図fa)は二の発明の第3の実施例によるプ
ローブ針を示す平面図、第5図(blはそのc−c’線
要部断面図、第6図は従来例による超高周波プローブ針
を示すブロック図第7図(a)、 (b)は従来例によ
る超高周波プローブ針を示す斜視図及び要部を示す底面
図である。 図において、lは誘電体導波路、2は金属薄膜(スロッ
ト線路)、3は金属バンプ、4はブレード、5は金属薄
膜、6は誘電体導波路/スロット線路変換部、11は同
軸レセプタクル、12は金属薄膜(コプレナ線路)、1
3は同軸/コプレナ変換部、14は芯線、15は信号線
、16はグランド線、17は外部導体である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- (1)支持部材上に設けられた誘電体導波路と、上記支
持部材上に設けられ、先端にそれぞれ金属バンプを有し
、後端側かそれぞれ上記誘電体導波路と接続された一対
の線路からなるスロット線路と、 上記誘電体導波路とスロット線路との接続部からなり信
号伝搬モードを変換する線路変換部とを備えたことを特
徴とする超高周波プローブ針。 - (2)請求項1記載の超高周波プローブ針において、 上記誘電体導波路は先端側にテーパ形状部を有し、 上記スロット線路はその後端部か上記誘電体導波路のテ
ーパ形状部の両側部に嵌合するよう設けられた金属薄膜
からなり、 上記テーパ形状部とスロット線路との結合部は上記線路
変換部となっていることを特徴とする超高周波プローブ
針。 - (3)請求項1記載の超高周波プローブ針において、 上記誘電体導波路の先端部を囲むように金属薄膜を形成
し、これとスロット線路を電気的に接続して上記線路変
換部を構成したことを特徴とする超高周波プローブ針。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28125190A JPH04155261A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 超高周波プローブ針 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28125190A JPH04155261A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 超高周波プローブ針 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04155261A true JPH04155261A (ja) | 1992-05-28 |
Family
ID=17636469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28125190A Pending JPH04155261A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | 超高周波プローブ針 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04155261A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0699915A2 (en) * | 1994-08-30 | 1996-03-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Measuring jig used for evaluation of a device with a nonradiative dielectric waveguide |
CN106133531A (zh) * | 2014-04-01 | 2016-11-16 | 罗森伯格高频技术有限及两合公司 | 接触组件、特别是hf测量头 |
-
1990
- 1990-10-18 JP JP28125190A patent/JPH04155261A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0699915A2 (en) * | 1994-08-30 | 1996-03-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Measuring jig used for evaluation of a device with a nonradiative dielectric waveguide |
EP0699915A3 (en) * | 1994-08-30 | 1997-12-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Measuring jig used for evaluation of a device with a nonradiative dielectric waveguide |
CN1065629C (zh) * | 1994-08-30 | 2001-05-09 | 株式会社村田制作所 | 非辐射性电介质波导部件的测试夹具 |
CN106133531A (zh) * | 2014-04-01 | 2016-11-16 | 罗森伯格高频技术有限及两合公司 | 接触组件、特别是hf测量头 |
JP2017516084A (ja) * | 2014-04-01 | 2017-06-15 | ローゼンベルガー ホーフフレクベンツテクニーク ゲーエムベーハー ウント ツェーオー カーゲー | 接触アセンブリ、特にhf測定チップ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6852153B2 (ja) | コンタクトレスインターフェースを形成する少なくとも1つのトランジションを含むパッケージ構造 | |
US7876114B2 (en) | Differential waveguide probe | |
US4697143A (en) | Wafer probe | |
US4980636A (en) | Universal nondestructive MM-wave integrated circuit test fixture | |
US7173433B2 (en) | Circuit property measurement method | |
US4851794A (en) | Microstrip to coplanar waveguide transitional device | |
US4795989A (en) | MMW microstrip coupler having movable test probe | |
JPH04155261A (ja) | 超高周波プローブ針 | |
JPS62290144A (ja) | 半導体ウエ−ハ用プロ−ブ装置 | |
US20030107363A1 (en) | Low loss links between wafer probes and load pull tuner | |
JP3356736B2 (ja) | 高周波プローブ | |
JPS623385B2 (ja) | ||
JPH05273234A (ja) | Mmic装置及びrfプローブヘッド | |
JPH04206845A (ja) | 高周波プローブ針 | |
JP3659461B2 (ja) | 高周波測定用基板 | |
JPH07191058A (ja) | 広帯域マイクロ波本来位置テスト装置 | |
JP2002290115A (ja) | ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造 | |
JPS6378070A (ja) | 半導体装置 | |
JPH07311220A (ja) | 半導体パッケージの電気的特性測定用高周波プローブ | |
JPH0262064A (ja) | セラミックパッケージ | |
JPH03196540A (ja) | マイクロ波ウエハプローブ | |
JPS62115783A (ja) | 半導体装置 | |
JPS62224948A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04336441A (ja) | マイクロ波帯プローブヘッド | |
JPS646562Y2 (ja) |