JPS6378070A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6378070A JPS6378070A JP22281486A JP22281486A JPS6378070A JP S6378070 A JPS6378070 A JP S6378070A JP 22281486 A JP22281486 A JP 22281486A JP 22281486 A JP22281486 A JP 22281486A JP S6378070 A JPS6378070 A JP S6378070A
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置、特にリング共振器に関するも
のである。
のである。
以下、砒化ガリウム基板丘に形成されｔ：リング共振器
を例にとり説明する。
を例にとり説明する。
第２図（ａ）は従来のリング共振器のパターン形状を示
す平面図であり、ＧａＡｓからなる半導体基板１上にリ
ング部２を挾んで、入力線路３および出力ｉｓ４とが構
成されており、入力線路３および出力線路４にはそれぞ
れボンブイノブ用の入力バッド５および出カバ・ソド６
が付属している。
す平面図であり、ＧａＡｓからなる半導体基板１上にリ
ング部２を挾んで、入力線路３および出力ｉｓ４とが構
成されており、入力線路３および出力線路４にはそれぞ
れボンブイノブ用の入力バッド５および出カバ・ソド６
が付属している。
次に、このような従来の入力バッド５および出力パッド
６を有するリング共振器の動作について説明する。
６を有するリング共振器の動作について説明する。
まず、入力線路３に電波を入射したとすると、リング部
２の一周を整数で割った値の波長の時、リング部２にお
いて共振が起こって電波は出力線路４に導かれ、それ以
外の？＆！長の時、電波は入力線路３の端面で反射され
ろ。その時の共振器の周波数応答特性を第３図に示す。
２の一周を整数で割った値の波長の時、リング部２にお
いて共振が起こって電波は出力線路４に導かれ、それ以
外の？＆！長の時、電波は入力線路３の端面で反射され
ろ。その時の共振器の周波数応答特性を第３図に示す。
第３図において、曲、綿の先鋭度を示すＱ値（Ｑ” ｆ
ｏ ／ Ｊ ｆ ）は、次式で示されろ。
ｏ ／ Ｊ ｆ ）は、次式で示されろ。
Ｑ−πλｌＩ／αλ。ま
ただし、λ、＝＾。／ ｆ１］１］−−−−（１，１こ
こで、α：伝送損、λ。：真空中の波長、εｒ：比誘電
率、ε。：真空中のＭ電率である。
こで、α：伝送損、λ。：真空中の波長、εｒ：比誘電
率、ε。：真空中のＭ電率である。
したがって、第（１）式から分かるように、伝送損αが
少ないほど高いＱ値が得られ、その結果として、比誘電
率ｅｒ’ｅ精度良く計算することができる。ここで、比
誘電率ε１は、マイクロストリップライン等を含む半導
体装置の設計の際に極めて重要な値である。そこで、マ
イクロ波測定系と共振回路の間に生じる伝送損αを少な
くすることが望まれる。
少ないほど高いＱ値が得られ、その結果として、比誘電
率ｅｒ’ｅ精度良く計算することができる。ここで、比
誘電率ε１は、マイクロストリップライン等を含む半導
体装置の設計の際に極めて重要な値である。そこで、マ
イクロ波測定系と共振回路の間に生じる伝送損αを少な
くすることが望まれる。
しかしながら、従来のリング共振器の特性を測定する場
合には、リング共振回路を形成した半導体チップを測定
用治具に固定し、別の絶縁性基板上に形成した伝送線路
を介して測定系に接続するなどの方法をとっていた。
合には、リング共振回路を形成した半導体チップを測定
用治具に固定し、別の絶縁性基板上に形成した伝送線路
を介して測定系に接続するなどの方法をとっていた。
また、このような従来の構造のリング共振器には、第２
図（ｂ）の断面図に示すような電界が生じ、リング部２
と裏面電極８との間の電界の他に、リング部２の直径方
向に余分な電界が生じ、所望の周波数以外に不必要な共
振が起こるので、この電界を無視できろ程度にリング部
２の径を大きくとるように設計していた。
図（ｂ）の断面図に示すような電界が生じ、リング部２
と裏面電極８との間の電界の他に、リング部２の直径方
向に余分な電界が生じ、所望の周波数以外に不必要な共
振が起こるので、この電界を無視できろ程度にリング部
２の径を大きくとるように設計していた。
上記のような従来のリング共振器は、リング共振器とマ
イクロ波測定系との間に余分な伝送系があり、伝送損の
原因となっていた。また、リング部２の直径方向に電界
が生じ、不必要な周波数の共振が起こるのを防ぐために
リング部２の径を十分太き（とらなければならず、チッ
プサイズが大きく生産性が低いなどの問題点があった。
イクロ波測定系との間に余分な伝送系があり、伝送損の
原因となっていた。また、リング部２の直径方向に電界
が生じ、不必要な周波数の共振が起こるのを防ぐために
リング部２の径を十分太き（とらなければならず、チッ
プサイズが大きく生産性が低いなどの問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、リング共振器の特性を正確に測定できるとともに
、チップサイズが小さく、生産性の高い半導体装置を得
ることを目的とする。
ので、リング共振器の特性を正確に測定できるとともに
、チップサイズが小さく、生産性の高い半導体装置を得
ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、入力線路および出力線路
とをリング部内に形成するとともに、入゛力線路および
出力線路のそれぞれの終端に設けられる入力パッドおよ
び出力パッドを、入力線路および出力線路のそれぞれの
終端の両側に裏面電極に達する接地用の貫通孔を形成す
ることによりマイクロ波測定系のコプレナ線路に対応す
る構成としたものである。
とをリング部内に形成するとともに、入゛力線路および
出力線路のそれぞれの終端に設けられる入力パッドおよ
び出力パッドを、入力線路および出力線路のそれぞれの
終端の両側に裏面電極に達する接地用の貫通孔を形成す
ることによりマイクロ波測定系のコプレナ線路に対応す
る構成としたものである。
この発明においては、裏面電極に達する接地用の貫通孔
によりマイクロ波測定系のコプレナ線路とインピーダン
ス整合がとれ、マイクロ疲測定系の使用が可能になる。
によりマイクロ波測定系のコプレナ線路とインピーダン
ス整合がとれ、マイクロ疲測定系の使用が可能になる。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の半導体装置の一実施
例を示す平面図および第１図（ａ）のＡ−Ａ’綿におけ
る断面図である。これらの図において、第２図（ａ）、
（ｂ）と同一符号は同一部分を示し、７は前記裏面電極
８に達する貫通孔である。
例を示す平面図および第１図（ａ）のＡ−Ａ’綿におけ
る断面図である。これらの図において、第２図（ａ）、
（ｂ）と同一符号は同一部分を示し、７は前記裏面電極
８に達する貫通孔である。
一般に、半導体素子の数ＧＨｚ以上におけるマイクロ波
測定系を刈ンウエバ状態で測定する場合には、コプレナ
線路よりなるプローブニードルを所定の入力パッドおよ
び出力パッドに接触させて行う、いわゆるＲＦプロービ
ング法が用いられている。乙のＲＦプロービング法で、
この発明の半導体装置をマイクロ波特性を測定する場合
、入力パッド５と出力パッド６はそれぞれ直接マイクロ
波測定系中のプローブニードルに接続することが可能で
あるため、伝送損の原因となる余分な伝送系が介在しな
い。
測定系を刈ンウエバ状態で測定する場合には、コプレナ
線路よりなるプローブニードルを所定の入力パッドおよ
び出力パッドに接触させて行う、いわゆるＲＦプロービ
ング法が用いられている。乙のＲＦプロービング法で、
この発明の半導体装置をマイクロ波特性を測定する場合
、入力パッド５と出力パッド６はそれぞれ直接マイクロ
波測定系中のプローブニードルに接続することが可能で
あるため、伝送損の原因となる余分な伝送系が介在しな
い。
また、リング部２の直径方向に生じた電界は、裏面電極
８と同電位である貫通孔７に吸収されるので、不必要な
周波数の共振が起こるのを防ぐことができる。このため
、リング部２の径を大きくとる必要がなくなるうえ、リ
ング部２の内部に入力Ｓ路３．出力線路４．入カパツド
５および出力パッド６を設けているので、チップサイズ
を縮小することができる。
８と同電位である貫通孔７に吸収されるので、不必要な
周波数の共振が起こるのを防ぐことができる。このため
、リング部２の径を大きくとる必要がなくなるうえ、リ
ング部２の内部に入力Ｓ路３．出力線路４．入カパツド
５および出力パッド６を設けているので、チップサイズ
を縮小することができる。
なお、上記実施例では、半導体基板をＧａＡｓで構成し
た場合について説明したが、Ｓｉあるいは他の１［−Ｖ
族、ＩＩ−ＩＩＩ／族を用いて構成してもよい。
た場合について説明したが、Ｓｉあるいは他の１［−Ｖ
族、ＩＩ−ＩＩＩ／族を用いて構成してもよい。
この発明は、以上説明したとおり、リング部内に入力線
路、出力線路、入力パッドおよび出力パッドを形成する
とともに、マイクロ波測定系のコプレナ線路に対応する
構成としたので、マイクロ波測定系中のプローブニード
ルをｉｌｉ！接入力パッドおよび出力パッドに接続する
ことができ、マイクロ波特性の正確な値がオンウェハで
得られるほか１チツプサイズを縮小でき、その結果とし
て生産性の向上を図れるという効果がある。
路、出力線路、入力パッドおよび出力パッドを形成する
とともに、マイクロ波測定系のコプレナ線路に対応する
構成としたので、マイクロ波測定系中のプローブニード
ルをｉｌｉ！接入力パッドおよび出力パッドに接続する
ことができ、マイクロ波特性の正確な値がオンウェハで
得られるほか１チツプサイズを縮小でき、その結果とし
て生産性の向上を図れるという効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の半導体装置の一実施
例を示す平面図および断面図、第２図は従来のリング共
振器を示す図、第３図はリング共振器の周波数応答特性
を示す図である。 図において、１は半導体基板、２はリング部、３は入力
線路、４は出力線路、５は入カバ・ソド、６は出カバ、
ソド、７は貫通孔、８は裏面Ｔ＆極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 ム ？：３ 果＠電イ喰 第２図 第３図
例を示す平面図および断面図、第２図は従来のリング共
振器を示す図、第３図はリング共振器の周波数応答特性
を示す図である。 図において、１は半導体基板、２はリング部、３は入力
線路、４は出力線路、５は入カバ・ソド、６は出カバ、
ソド、７は貫通孔、８は裏面Ｔ＆極である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 ム ？：３ 果＠電イ喰 第２図 第３図
Claims (1)
- その裏面に接地用の裏面電極が形成された基板上に形
成されるリング共振器において、入力線路および出力線
路とをリング部内に形成するとともに、前記入力線路お
よび前記出力線路のそれぞれの終端に設けられる入力パ
ッドおよび出力パッドを、前記入力線路および前記出力
線路のそれぞれの終端の両側に前記裏面電極に達する接
地用の貫通孔を形成することによりマイクロ波測定系の
コプレナ線路に対応する構成としたことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22281486A JPS6378070A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22281486A JPS6378070A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378070A true JPS6378070A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16788324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22281486A Pending JPS6378070A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6378070A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658810A (en) * | 1994-04-04 | 1997-08-19 | Motorola | Method of making a sensor for determining a ratio of materials in a mixture |
| JP2006208070A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Kyocera Corp | 導電率測定方法 |
| JP2006214833A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Kyocera Corp | 共振器の励振方法及び電磁気的物性値の測定方法 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP22281486A patent/JPS6378070A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658810A (en) * | 1994-04-04 | 1997-08-19 | Motorola | Method of making a sensor for determining a ratio of materials in a mixture |
| JP2006208070A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Kyocera Corp | 導電率測定方法 |
| JP4628116B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2011-02-09 | 京セラ株式会社 | 導電率測定方法 |
| JP2006214833A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Kyocera Corp | 共振器の励振方法及び電磁気的物性値の測定方法 |
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