JP2002290115A - ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造 - Google Patents
ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造Info
- Publication number
- JP2002290115A JP2002290115A JP2001089334A JP2001089334A JP2002290115A JP 2002290115 A JP2002290115 A JP 2002290115A JP 2001089334 A JP2001089334 A JP 2001089334A JP 2001089334 A JP2001089334 A JP 2001089334A JP 2002290115 A JP2002290115 A JP 2002290115A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- electrode
- input
- output end
- probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【課題】マイクロストリップ線路をコプレーナ線路に変
換する、線路変換部を備えるミリ波伝送線路において、
当該部位での伝送ロスを低減可能とするミリ波伝送線路
の入出力端部接続構造を提供する。 【解決手段】コプレーナ線路構造体は信号線路と信号線
路の両側に2本の接地線路とを備え、3本の線路の先端
には押圧して電気的に接続できる先端電極を各々備え、
ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、マイクロス
トリップ線路の信号線路10と同一導体幅で延長して備
えられる信号接触電極と必要最小限の接地線路用接触電
極を形成する第1と第2のプローブ専用電極8と、第
1、第2のプローブ専用電極へ電気的接続され、且つ信
号線路10とは等価容量が小さくなるように所定に離れ
て配設され、且つマイクロストリップ線路の下面側のア
ース面と電気的に接続する第1、第2のバイアホールを
備えるミリ波伝送線路の入出力端部接続構造。
換する、線路変換部を備えるミリ波伝送線路において、
当該部位での伝送ロスを低減可能とするミリ波伝送線路
の入出力端部接続構造を提供する。 【解決手段】コプレーナ線路構造体は信号線路と信号線
路の両側に2本の接地線路とを備え、3本の線路の先端
には押圧して電気的に接続できる先端電極を各々備え、
ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、マイクロス
トリップ線路の信号線路10と同一導体幅で延長して備
えられる信号接触電極と必要最小限の接地線路用接触電
極を形成する第1と第2のプローブ専用電極8と、第
1、第2のプローブ専用電極へ電気的接続され、且つ信
号線路10とは等価容量が小さくなるように所定に離れ
て配設され、且つマイクロストリップ線路の下面側のア
ース面と電気的に接続する第1、第2のバイアホールを
備えるミリ波伝送線路の入出力端部接続構造。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、MMIC(Micr
owave Monolithic IC)等のマイクロストリップ線路の
端部に備えられる、信号入出力用のコプレーナ線路に変
換するミリ波伝送線路の入出力端部接続構造に関する。
特に、100GHz以上のミリ波信号を授受するマイク
ロストリップ線路の端部に備えるミリ波伝送線路の入出
力端部接続構造に関する。
owave Monolithic IC)等のマイクロストリップ線路の
端部に備えられる、信号入出力用のコプレーナ線路に変
換するミリ波伝送線路の入出力端部接続構造に関する。
特に、100GHz以上のミリ波信号を授受するマイク
ロストリップ線路の端部に備えるミリ波伝送線路の入出
力端部接続構造に関する。
【0002】
【従来の技術】オンウェハやオンチップMMIC回路等
の半導体基板上に形成された被試験対象DUTのミリ波
帯域の伝送特性を測定評価する為には、図1(b)に示
すように、2個のコプレーナ型RFプローブ11、21
と、例えばネットワークアナライザ(図示なし)とを接
続して行われる。コプレーナ型RFプローブ11、21
は、図1(a)に示すように、DUTと接続するプロー
ブヘッド2がコプレーナ線路構造となっている。また、
線路構造としては、線路間ピッチが例えば100μm
で、導体幅25μmの接地線路(Ground Line)4と、
信号線路(Single Line)3と、接地線路4の配列順の
コプレーナ線路となっていて、小さなプローブ構造体で
ある。プローブヘッド2の先端部は、上記接地線路4と
信号線路3の端部によって、半導体基板100側の対向
接触する電極へ押圧接続できる構造を備えている。この
とき、対向接触する電極面積は、電気的な接触特性を確
保するため25μm×25μm程度の有効な接触面が少
なくとも必要とされる。
の半導体基板上に形成された被試験対象DUTのミリ波
帯域の伝送特性を測定評価する為には、図1(b)に示
すように、2個のコプレーナ型RFプローブ11、21
と、例えばネットワークアナライザ(図示なし)とを接
続して行われる。コプレーナ型RFプローブ11、21
は、図1(a)に示すように、DUTと接続するプロー
ブヘッド2がコプレーナ線路構造となっている。また、
線路構造としては、線路間ピッチが例えば100μm
で、導体幅25μmの接地線路(Ground Line)4と、
信号線路(Single Line)3と、接地線路4の配列順の
コプレーナ線路となっていて、小さなプローブ構造体で
ある。プローブヘッド2の先端部は、上記接地線路4と
信号線路3の端部によって、半導体基板100側の対向
接触する電極へ押圧接続できる構造を備えている。この
とき、対向接触する電極面積は、電気的な接触特性を確
保するため25μm×25μm程度の有効な接触面が少
なくとも必要とされる。
【0003】一方、DUT側の半導体基板100は、マ
イクロストリップ線路構造で形成されている。但し、本
願に係るDUTの入力線路端側や出力線路端側は、プロ
ーブヘッド2に対応してコプレーナ線路構造の接続端子
構造を備える必要性がある。即ち、DUTの入力/出力
線路端側での押圧接続部位において、コプレーナ線路か
らマイクロストリップ線路への線路変換/逆線路変換が
行われる。
イクロストリップ線路構造で形成されている。但し、本
願に係るDUTの入力線路端側や出力線路端側は、プロ
ーブヘッド2に対応してコプレーナ線路構造の接続端子
構造を備える必要性がある。即ち、DUTの入力/出力
線路端側での押圧接続部位において、コプレーナ線路か
らマイクロストリップ線路への線路変換/逆線路変換が
行われる。
【0004】次に、DUTの伝送特性を測定するには、
先ず、2個のコプレーナ型RFプローブ11、21を、
入力/出力線路端側へ各々所定に電気的に接触接続状態
にしておく。その後に、ネットワークアナライザによっ
て、コプレーナ型RFプローブ11を介して入力線路端
側へ試験信号を印加し、DUTの出力線路端側からの応
答信号をコプレーナ型RFプローブ21を介して受け
て、所望の伝送特性を測定実施する。ここで、伝送特性
の測定対象である被試験対象DUTとしては、マイクロ
ストリップ線路の他に、機能回路や分配/結合回路や能
動回路等を有する場合があるが、本願に係る特性改善が
判りやすいように、これら回路要素が介在しない単一の
マイクロストリップ線路構造の場合と仮定して、以後説
明する。
先ず、2個のコプレーナ型RFプローブ11、21を、
入力/出力線路端側へ各々所定に電気的に接触接続状態
にしておく。その後に、ネットワークアナライザによっ
て、コプレーナ型RFプローブ11を介して入力線路端
側へ試験信号を印加し、DUTの出力線路端側からの応
答信号をコプレーナ型RFプローブ21を介して受け
て、所望の伝送特性を測定実施する。ここで、伝送特性
の測定対象である被試験対象DUTとしては、マイクロ
ストリップ線路の他に、機能回路や分配/結合回路や能
動回路等を有する場合があるが、本願に係る特性改善が
判りやすいように、これら回路要素が介在しない単一の
マイクロストリップ線路構造の場合と仮定して、以後説
明する。
【0005】次に、DUTの入力/出力線路端側の構造
について、図1(c)を参照して説明する。ここで、プ
ローブヘッド2側の先端部は、半導体基板100上で図
1A、Bに示す部位へ押圧接続する。そして、図1C、
D、Eの部位で、プローブヘッド2側の先端電極と各々
電気的に接触する構造である。この為、当該接続点での
線路形成構造が適切でないと伝送ロスや反射等の好まし
くない特性を生じる。
について、図1(c)を参照して説明する。ここで、プ
ローブヘッド2側の先端部は、半導体基板100上で図
1A、Bに示す部位へ押圧接続する。そして、図1C、
D、Eの部位で、プローブヘッド2側の先端電極と各々
電気的に接触する構造である。この為、当該接続点での
線路形成構造が適切でないと伝送ロスや反射等の好まし
くない特性を生じる。
【0006】半導体基板100側には信号線路10と、
4個の電極パッド6と、4個のバイアホール7とを備え
る。信号線路10は、所定の特性インピーダンス、例え
ば50Ωとなるように一定の線路幅Wを形成する必要が
ある。従って、線路幅Wは使用する半導体基板100の
厚みと誘電率とによって、ほぼ決まってしまう。尚、半
導体基板100の厚みとしては例えば100μm程度が
適用される。
4個の電極パッド6と、4個のバイアホール7とを備え
る。信号線路10は、所定の特性インピーダンス、例え
ば50Ωとなるように一定の線路幅Wを形成する必要が
ある。従って、線路幅Wは使用する半導体基板100の
厚みと誘電率とによって、ほぼ決まってしまう。尚、半
導体基板100の厚みとしては例えば100μm程度が
適用される。
【0007】電極パッド6は、マイクロストリップ線路
からコプレーナ線路に変換する為の、2つの接地電極で
あって、上記プローブヘッド2に対応して、信号線路1
0の両側へ100μmピッチに配設されている。電極パ
ッド6にはバイアホール7を有していて、半導体基板1
00の直下に備えるグランド面に接続されて接地されて
いる。このとき、プローブ専用電極8の横幅Lは、プロ
ーブヘッド2の先端部に対応して、50μm径のバイア
ホール7を避け、且つ少なくとも25μmが必要とされ
るので、例えば100μm程度の横幅が必要となる。こ
れに伴って、電極パッド6と信号線路10との間に形成
される線間容量が多くなってしまう難点がある。
からコプレーナ線路に変換する為の、2つの接地電極で
あって、上記プローブヘッド2に対応して、信号線路1
0の両側へ100μmピッチに配設されている。電極パ
ッド6にはバイアホール7を有していて、半導体基板1
00の直下に備えるグランド面に接続されて接地されて
いる。このとき、プローブ専用電極8の横幅Lは、プロ
ーブヘッド2の先端部に対応して、50μm径のバイア
ホール7を避け、且つ少なくとも25μmが必要とされ
るので、例えば100μm程度の横幅が必要となる。こ
れに伴って、電極パッド6と信号線路10との間に形成
される線間容量が多くなってしまう難点がある。
【0008】上記構造によれば、電極パッド6と信号線
路10との間隔Sは、所望の間隔にできない。即ち、使
用するプローブヘッド2のピッチ制限のため、間隔Sを
広くすることができない。例えば、線路幅Wが72μm
と仮定すると、間隔Sは39μmとなってしまう。この
結果、図2Aの理想伝送特性に対して、実際の伝送特性
は図2Bの伝送特性に示すように、110GHz地点の
高周波では入力/出力線路端の部位での伝送ロスが大き
く生じている。この伝送ロスは周波数が高くなるにつれ
て顕著に現れる。このことは、所望の周波数区間での目
的とする線路/回路の伝送特性を高精度に測定すること
が求められる場合においては、測定誤差となってしまい
好ましくない。また、伝送ロスだけでなく、反射特性で
あるリターンロスS11も生じる難点がある。例えば、
110GHzでは−15.0dBのリターンロスを生じ
る。
路10との間隔Sは、所望の間隔にできない。即ち、使
用するプローブヘッド2のピッチ制限のため、間隔Sを
広くすることができない。例えば、線路幅Wが72μm
と仮定すると、間隔Sは39μmとなってしまう。この
結果、図2Aの理想伝送特性に対して、実際の伝送特性
は図2Bの伝送特性に示すように、110GHz地点の
高周波では入力/出力線路端の部位での伝送ロスが大き
く生じている。この伝送ロスは周波数が高くなるにつれ
て顕著に現れる。このことは、所望の周波数区間での目
的とする線路/回路の伝送特性を高精度に測定すること
が求められる場合においては、測定誤差となってしまい
好ましくない。また、伝送ロスだけでなく、反射特性で
あるリターンロスS11も生じる難点がある。例えば、
110GHzでは−15.0dBのリターンロスを生じ
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述説明したように従
来技術においては、コプレーナ型RFプローブを、マイ
クロストリップ線路構造の入力/出力線路端側に各々電
気的に接続して、測定対象のマイクロストリップ線路や
マイクロストリップ線路を含む回路の伝送特性を測定実
施する場合、コプレーナ型RFプローブのプローブヘッ
ド2と接続する入力/出力線路端の実装構造に伴って、
特に、高い周波数領域において伝送特性の測定誤差を生
じる難点がある。また、リターンロスS11も生じる難
点がある。従って、伝送特性を高精度に測定することが
求められる場合においては、入力/出力線路端による測
定誤差要因は極力取り除くことが求められている。そこ
で、本発明が解決しようとする課題は、マイクロストリ
ップ線路をコプレーナ線路に変換する、線路変換部を備
えるミリ波伝送線路において、当該部位での伝送ロス/
リターンロスを低減可能とするミリ波伝送線路の入出力
端部接続構造を提供することである。
来技術においては、コプレーナ型RFプローブを、マイ
クロストリップ線路構造の入力/出力線路端側に各々電
気的に接続して、測定対象のマイクロストリップ線路や
マイクロストリップ線路を含む回路の伝送特性を測定実
施する場合、コプレーナ型RFプローブのプローブヘッ
ド2と接続する入力/出力線路端の実装構造に伴って、
特に、高い周波数領域において伝送特性の測定誤差を生
じる難点がある。また、リターンロスS11も生じる難
点がある。従って、伝送特性を高精度に測定することが
求められる場合においては、入力/出力線路端による測
定誤差要因は極力取り除くことが求められている。そこ
で、本発明が解決しようとする課題は、マイクロストリ
ップ線路をコプレーナ線路に変換する、線路変換部を備
えるミリ波伝送線路において、当該部位での伝送ロス/
リターンロスを低減可能とするミリ波伝送線路の入出力
端部接続構造を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】第1の解決手段を示す。
上記課題を解決するために、コプレーナ線路構造体の端
部に備える先端電極へ電気的に接続する、マイクロスト
リップ線路の端部に備えるミリ波伝送線路の入出力端部
接続構造において、上記コプレーナ線路構造体(例えば
コプレーナ型RFプローブ)は中心に配設されている信
号線路3と前記信号線路の両側に所定間隔で配設される
2本の接地線路4とを備え、前記3本の線路の先端には
押圧して電気的に接続できる先端電極を各々備え、上記
ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上記1本の
信号線路3の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、マイクロストリップ線路の信号線路10と同一導体
幅で延長して備えられる信号接触電極を具備し、上記ミ
リ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上記2本の接
地線路4の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、必要最小限の接地用接触電極を形成して備える第1
と第2のプローブ専用電極8を具備し、上記第1のプロ
ーブ専用電極8へ電気的接続され、且つ上記信号線路1
0とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配設さ
れ、且つ上記マイクロストリップ線路の下面側のアース
面と電気的に接続する第1のバイアホール7を備える第
1の電極パッド6を具備し、上記第2のプローブ専用電
極8へ電気的接続され、且つ上記信号線路10とは等価
容量が小さくなるように所定に離れて配設され、且つ上
記マイクロストリップ線路の下面側のアース面と電気的
に接続する第2のバイアホール7を備える第2の電極パ
ッド6を具備し、以上を具備することを特徴とするミリ
波伝送線路の入出力端部接続構造である。上記発明によ
れば、マイクロストリップ線路をコプレーナ線路に変換
する、線路変換部を備えるミリ波伝送線路において、当
該部位での伝送ロス/リターンロスを低減可能とするミ
リ波伝送線路の入出力端部接続構造が実現できる。
上記課題を解決するために、コプレーナ線路構造体の端
部に備える先端電極へ電気的に接続する、マイクロスト
リップ線路の端部に備えるミリ波伝送線路の入出力端部
接続構造において、上記コプレーナ線路構造体(例えば
コプレーナ型RFプローブ)は中心に配設されている信
号線路3と前記信号線路の両側に所定間隔で配設される
2本の接地線路4とを備え、前記3本の線路の先端には
押圧して電気的に接続できる先端電極を各々備え、上記
ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上記1本の
信号線路3の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、マイクロストリップ線路の信号線路10と同一導体
幅で延長して備えられる信号接触電極を具備し、上記ミ
リ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上記2本の接
地線路4の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、必要最小限の接地用接触電極を形成して備える第1
と第2のプローブ専用電極8を具備し、上記第1のプロ
ーブ専用電極8へ電気的接続され、且つ上記信号線路1
0とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配設さ
れ、且つ上記マイクロストリップ線路の下面側のアース
面と電気的に接続する第1のバイアホール7を備える第
1の電極パッド6を具備し、上記第2のプローブ専用電
極8へ電気的接続され、且つ上記信号線路10とは等価
容量が小さくなるように所定に離れて配設され、且つ上
記マイクロストリップ線路の下面側のアース面と電気的
に接続する第2のバイアホール7を備える第2の電極パ
ッド6を具備し、以上を具備することを特徴とするミリ
波伝送線路の入出力端部接続構造である。上記発明によ
れば、マイクロストリップ線路をコプレーナ線路に変換
する、線路変換部を備えるミリ波伝送線路において、当
該部位での伝送ロス/リターンロスを低減可能とするミ
リ波伝送線路の入出力端部接続構造が実現できる。
【0011】次に、第2の解決手段を示す。上述コプレ
ーナ線路構造体の一態様としては、高周波の伝送特性の
評価に適用するコプレーナ型RFプローブ11のプロー
ブヘッド2である、ことを特徴とする上述ミリ波伝送線
路の入出力端部接続構造がある。これにより、コプレー
ナ線路とマイクロストリップ線路との接続部位におい
て、高い周波数領域での接続変換ロス/リターンロスが
大幅に改善される結果、測定誤差が低減されて、高精度
にミリ波伝送線路の伝送特性を測定評価可能となる利点
が得られる。
ーナ線路構造体の一態様としては、高周波の伝送特性の
評価に適用するコプレーナ型RFプローブ11のプロー
ブヘッド2である、ことを特徴とする上述ミリ波伝送線
路の入出力端部接続構造がある。これにより、コプレー
ナ線路とマイクロストリップ線路との接続部位におい
て、高い周波数領域での接続変換ロス/リターンロスが
大幅に改善される結果、測定誤差が低減されて、高精度
にミリ波伝送線路の伝送特性を測定評価可能となる利点
が得られる。
【0012】次に、第3の解決手段を示す。ここで第3
図と第4図は、本発明に係る解決手段を示している。上
記課題を解決するために、コプレーナ型RFプローブ1
1のプローブヘッド2へ電気的に接続する、マイクロス
トリップ線路の端部に備えるミリ波伝送線路の入出力端
部接続構造において、上記プローブヘッド2はコプレー
ナ線路構造体となる3本の線路、即ち、中心に配設され
ている信号線路3と前記信号線路の両側に所定間隔で配
設される2本の接地線路4とを備え、前記3本の線路の
先端には押圧して電気的に接続できる先端電極を各々備
え、上記ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上
記1本の信号線路3の先端電極に対して、対向接触する
配設部位に、マイクロストリップ線路の信号線路10と
同一導体幅で延長して備えられる信号接触電極を具備
し、上記ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上
記2本の接地線路4の先端電極に対して、対向接触する
配設部位に、必要最小限の接地用接触電極を形成して備
える第1と第2のプローブ専用電極8を具備し、上記第
1のプローブ専用電極8へ電気的接続され、且つ上記信
号線路10とは等価容量が小さくなるように所定に離れ
て配設され、且つ上記マイクロストリップ線路の下面側
のアース面と電気的に接続する第1のバイアホール7を
備える第1の電極パッド6を具備し、上記第2のプロー
ブ専用電極8へ電気的接続され、且つ上記信号線路10
とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配設さ
れ、且つ上記マイクロストリップ線路の下面側のアース
面と電気的に接続する第2のバイアホール7を備える第
2の電極パッド6を具備し、以上を具備してミリ波での
接続変換ロス/リターンロスを解消可能とすることを特
徴とするミリ波伝送線路の入出力端部接続構造がある。
図と第4図は、本発明に係る解決手段を示している。上
記課題を解決するために、コプレーナ型RFプローブ1
1のプローブヘッド2へ電気的に接続する、マイクロス
トリップ線路の端部に備えるミリ波伝送線路の入出力端
部接続構造において、上記プローブヘッド2はコプレー
ナ線路構造体となる3本の線路、即ち、中心に配設され
ている信号線路3と前記信号線路の両側に所定間隔で配
設される2本の接地線路4とを備え、前記3本の線路の
先端には押圧して電気的に接続できる先端電極を各々備
え、上記ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上
記1本の信号線路3の先端電極に対して、対向接触する
配設部位に、マイクロストリップ線路の信号線路10と
同一導体幅で延長して備えられる信号接触電極を具備
し、上記ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上
記2本の接地線路4の先端電極に対して、対向接触する
配設部位に、必要最小限の接地用接触電極を形成して備
える第1と第2のプローブ専用電極8を具備し、上記第
1のプローブ専用電極8へ電気的接続され、且つ上記信
号線路10とは等価容量が小さくなるように所定に離れ
て配設され、且つ上記マイクロストリップ線路の下面側
のアース面と電気的に接続する第1のバイアホール7を
備える第1の電極パッド6を具備し、上記第2のプロー
ブ専用電極8へ電気的接続され、且つ上記信号線路10
とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配設さ
れ、且つ上記マイクロストリップ線路の下面側のアース
面と電気的に接続する第2のバイアホール7を備える第
2の電極パッド6を具備し、以上を具備してミリ波での
接続変換ロス/リターンロスを解消可能とすることを特
徴とするミリ波伝送線路の入出力端部接続構造がある。
【0013】次に、第4の解決手段を示す。上述マイク
ロストリップ線路の一態様としては、オンウェハ若しく
はオンチップMMIC回路である、ことを特徴とする上
述ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造がある。これに
より、オンウェハ若しくはオンチップMMIC回路へ、
コプレーナ型RFプローブ11等を接続して、高精度に
ミリ波伝送線路の伝送特性を測定評価可能となる利点が
得られる。
ロストリップ線路の一態様としては、オンウェハ若しく
はオンチップMMIC回路である、ことを特徴とする上
述ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造がある。これに
より、オンウェハ若しくはオンチップMMIC回路へ、
コプレーナ型RFプローブ11等を接続して、高精度に
ミリ波伝送線路の伝送特性を測定評価可能となる利点が
得られる。
【0014】
【0015】本発明について、図3と図4とを参照して
以下に説明する。尚、従来構成に対応する要素は同一符
号を付し、また重複する部位の説明は省略する。
以下に説明する。尚、従来構成に対応する要素は同一符
号を付し、また重複する部位の説明は省略する。
【0016】本願に係る要部構成は、図3に示すよう
に、プローブ専用電極8を追加して備える。これに伴い
電極パッド6と信号線路10との間隔Sは所望間隔に広
くしたミリ波伝送線路の入出力端部接続構造とすること
ができる。他の要素は従来と同一要素であるからして説
明を要しない。
に、プローブ専用電極8を追加して備える。これに伴い
電極パッド6と信号線路10との間隔Sは所望間隔に広
くしたミリ波伝送線路の入出力端部接続構造とすること
ができる。他の要素は従来と同一要素であるからして説
明を要しない。
【0017】プローブ専用電極8は、一辺が電極パッド
6に接続されていて、プローブヘッド2の接地線路4に
対向接触する位置に配設して備える。このとき、プロー
ブ専用電極8の横幅Lは、プローブヘッド2の先端部に
対応して、少なくとも25μmが必要とされるので、例
えば30μmの横幅Lに形成可能となる。これに伴っ
て、電極パッド6と信号線路10との間に形成される線
間容量は、従来比で1/3程度に低減できる利点が得ら
れる。尚、信号線路10との間隔Sは従来と同一であ
る。
6に接続されていて、プローブヘッド2の接地線路4に
対向接触する位置に配設して備える。このとき、プロー
ブ専用電極8の横幅Lは、プローブヘッド2の先端部に
対応して、少なくとも25μmが必要とされるので、例
えば30μmの横幅Lに形成可能となる。これに伴っ
て、電極パッド6と信号線路10との間に形成される線
間容量は、従来比で1/3程度に低減できる利点が得ら
れる。尚、信号線路10との間隔Sは従来と同一であ
る。
【0018】電極パッド6は、プローブヘッド2側の先
端部の接地線路4が押圧接続するときにバイアホール7
に掛からない位置に配設する。
端部の接地線路4が押圧接続するときにバイアホール7
に掛からない位置に配設する。
【0019】上記構造によれば、プローブ専用電極8の
横幅Lと信号線路10との線間容量の低減効果の結果、
図4Dの理想伝送特性に対して、実際の伝送特性は図4
Eの伝送特性に示すように、110GHzの高周波でも
入力/出力線路端の部位での伝送ロスが0.1dB以下
に改善されている。従って、測定誤差が殆ど無くなる結
果、伝送特性を高精度に測定することが可能となる利点
が得られる。また、伝送ロスだけでなく、反射特性であ
るリターンロスS11は、例えば、従来では、110G
Hzにおいて15.0dBのリターンロスであったもの
が、本発明では25.7dBに改善できる利点が得られ
る。
横幅Lと信号線路10との線間容量の低減効果の結果、
図4Dの理想伝送特性に対して、実際の伝送特性は図4
Eの伝送特性に示すように、110GHzの高周波でも
入力/出力線路端の部位での伝送ロスが0.1dB以下
に改善されている。従って、測定誤差が殆ど無くなる結
果、伝送特性を高精度に測定することが可能となる利点
が得られる。また、伝送ロスだけでなく、反射特性であ
るリターンロスS11は、例えば、従来では、110G
Hzにおいて15.0dBのリターンロスであったもの
が、本発明では25.7dBに改善できる利点が得られ
る。
【0020】尚、本発明の技術的思想は、上述実施の形
態の具体構成例、接続形態例に限定されるものではな
い。更に、本発明の技術的思想に基づき、上述実施の形
態を適宜変形して広汎に応用してもよい。上述実施例で
は、DUTとして所定長の単一のマイクロストリップ線
路構造の伝送線路のみで特性評価した具体例であった
が、本発明はこれに限らず、機能回路や分配/結合回路
や能動回路等を備える場合においても、高い周波数領域
で高精度に測定することが求められる場合においては、
優れたミリ波伝送線路の入出力端部接続構造が実現でき
る。
態の具体構成例、接続形態例に限定されるものではな
い。更に、本発明の技術的思想に基づき、上述実施の形
態を適宜変形して広汎に応用してもよい。上述実施例で
は、DUTとして所定長の単一のマイクロストリップ線
路構造の伝送線路のみで特性評価した具体例であった
が、本発明はこれに限らず、機能回路や分配/結合回路
や能動回路等を備える場合においても、高い周波数領域
で高精度に測定することが求められる場合においては、
優れたミリ波伝送線路の入出力端部接続構造が実現でき
る。
【0021】また、上述実施例では、DUTであるマイ
クロストリップ線路の端部へ接続するコプレーナ線路構
造体の例としては、コプレーナ型RFプローブ11とし
た具体例で説明していたが、本発明はこれに限らず、他
のコプレーナ線路構造体との接続に対しても適用しても
良い。
クロストリップ線路の端部へ接続するコプレーナ線路構
造体の例としては、コプレーナ型RFプローブ11とし
た具体例で説明していたが、本発明はこれに限らず、他
のコプレーナ線路構造体との接続に対しても適用しても
良い。
【0022】
【発明の効果】本発明は、上述の説明内容からして、下
記に記載される効果を奏する。上述説明したように本発
明によれば、ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造にお
いて、コプレーナ型RFプローブのプローブヘッド2の
先端部と押圧接続できる、必要最小限の横幅Lに形成し
たプローブ専用電極を備え、この電極をバイアホールを
備える電極パッドへ接続する構造を備えることにより、
入出力端部構造における伝送ロス/リターンロスの影響
が実用的に解消できる利点が得られる。従って、特に高
い周波数領域での、伝送線路や被試験対象の真の伝送特
性を高精度に測定することが可能となる利点が得られ
る。
記に記載される効果を奏する。上述説明したように本発
明によれば、ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造にお
いて、コプレーナ型RFプローブのプローブヘッド2の
先端部と押圧接続できる、必要最小限の横幅Lに形成し
たプローブ専用電極を備え、この電極をバイアホールを
備える電極パッドへ接続する構造を備えることにより、
入出力端部構造における伝送ロス/リターンロスの影響
が実用的に解消できる利点が得られる。従って、特に高
い周波数領域での、伝送線路や被試験対象の真の伝送特
性を高精度に測定することが可能となる利点が得られ
る。
【図1】(a)プローブヘッドのコプレーナ線路構造図
と、(b)半導体基板上に形成されたミリ波伝送線路へ
プローブヘッドを接触接続して伝送特性を測定する概念
側面図と、(c)従来の被試験対象のマイクロストリッ
プ線路を備える入力/出力端部構造例。
と、(b)半導体基板上に形成されたミリ波伝送線路へ
プローブヘッドを接触接続して伝送特性を測定する概念
側面図と、(c)従来の被試験対象のマイクロストリッ
プ線路を備える入力/出力端部構造例。
【図2】従来の、ミリ波伝送線路の入力/出力端部構造
例による伝送特性を示す特性図。
例による伝送特性を示す特性図。
【図3】本発明の、ミリ波伝送線路の入力/出力端部構
造例。
造例。
【図4】本発明の、入力/出力端部構造例による伝送特
性を示す特性図。
性を示す特性図。
2 プローブヘッド 3 信号線路(Single Line) 4 接地線路(Ground Line) 6 電極パッド 7 バイアホール 8 プローブ専用電極 10 信号線路 11,21 コプレーナ型RFプローブ 100 半導体基板
Claims (4)
- 【請求項1】 コプレーナ線路構造体へ電気的に接続す
る、マイクロストリップ線路の端部に備えるミリ波伝送
線路の入出力端部接続構造において、 該コプレーナ線路構造体は中心に配設されている信号線
路と該信号線路の両側に所定間隔で配設される2本の接
地線路とを備え、該3本の線路の先端には押圧して電気
的に接続できる先端電極を各々備え、 該ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、該1本の
信号線路の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、マイクロストリップ線路の信号線路と同一導体幅で
延長して備えられる信号接触電極と、 該ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、該2本の
接地線路の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、必要最小限の接地用接触電極を形成して備える第1
と第2のプローブ専用電極と、 該第1のプローブ専用電極へ電気的接続され、且つ該信
号線路とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配
設され、且つ該マイクロストリップ線路の下面側のアー
ス面と電気的に接続する第1のバイアホールを備える第
1の電極パッドと、 該第2のプローブ専用電極へ電気的接続され、且つ該信
号線路とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配
設され、且つ該マイクロストリップ線路の下面側のアー
ス面と電気的に接続する第2のバイアホールを備える第
2の電極パッドと、 を具備することを特徴とするミリ波伝送線路の入出力端
部接続構造。 - 【請求項2】 コプレーナ線路構造体は、高周波の伝送
特性の評価に適用するコプレーナ型RFプローブのプロ
ーブヘッドである、ことを特徴とする請求項1記載のミ
リ波伝送線路の入出力端部接続構造。 - 【請求項3】 コプレーナ型RFプローブのプローブヘ
ッドへ電気的に接続する、マイクロストリップ線路の端
部に備えるミリ波伝送線路の入出力端部接続構造におい
て、 該プローブヘッドはコプレーナ線路構造体となる3本の
線路、即ち、中心に配設されている信号線路と該信号線
路の両側に所定間隔で配設される2本の接地線路とを備
え、該3本の線路の先端には押圧して電気的に接続でき
る先端電極を各々備え、 該ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、該1本の
信号線路の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、マイクロストリップ線路の信号線路と同一導体幅で
延長して備えられる信号接触電極と、 該ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、該2本の
接地線路の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、必要最小限の接地用接触電極を形成して備える第1
と第2のプローブ専用電極と、 該第1のプローブ専用電極へ電気的接続され、且つ該信
号線路とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配
設され、且つ該マイクロストリップ線路の下面側のアー
ス面と電気的に接続する第1のバイアホールを備える第
1の電極パッドと、 該第2のプローブ専用電極へ電気的接続され、且つ該信
号線路とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配
設され、且つ該マイクロストリップ線路の下面側のアー
ス面と電気的に接続する第2のバイアホールを備える第
2の電極パッドと、 を具備することを特徴とするミリ波伝送線路の入出力端
部接続構造。 - 【請求項4】 該マイクロストリップ線路は、オンウェ
ハ若しくはオンチップMMIC回路である、ことを特徴
とする請求項1記載のミリ波伝送線路の入出力端部接続
構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001089334A JP2002290115A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001089334A JP2002290115A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002290115A true JP2002290115A (ja) | 2002-10-04 |
Family
ID=18944275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001089334A Withdrawn JP2002290115A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002290115A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100846452B1 (ko) | 2006-12-05 | 2008-07-16 | 한국전자통신연구원 | 밀리미터파 대역 제어회로용 고격리도 스위치 소자 |
US7671697B2 (en) | 2006-12-05 | 2010-03-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | High-isolation switching device for millimeter-wave band control circuit |
KR100976627B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2010-08-18 | 한국전자통신연구원 | 밀리미터파 대역 제어회로용 스위치 회로 |
US9335344B2 (en) | 2010-11-29 | 2016-05-10 | Yokowo Co., Ltd. | Signal transmission medium conversion mechanism including a probe tip and a flexible transmission line |
CN113433348A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-09-24 | 中北大学 | 一种用于微波测试的探针 |
-
2001
- 2001-03-27 JP JP2001089334A patent/JP2002290115A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100846452B1 (ko) | 2006-12-05 | 2008-07-16 | 한국전자통신연구원 | 밀리미터파 대역 제어회로용 고격리도 스위치 소자 |
US7671697B2 (en) | 2006-12-05 | 2010-03-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | High-isolation switching device for millimeter-wave band control circuit |
KR100976627B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2010-08-18 | 한국전자통신연구원 | 밀리미터파 대역 제어회로용 스위치 회로 |
US7889023B2 (en) | 2007-12-10 | 2011-02-15 | Electronics and Telecomminucation Research Institute | Switching circuit for millimeter waveband control circuit |
US9335344B2 (en) | 2010-11-29 | 2016-05-10 | Yokowo Co., Ltd. | Signal transmission medium conversion mechanism including a probe tip and a flexible transmission line |
CN113433348A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-09-24 | 中北大学 | 一种用于微波测试的探针 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4851794A (en) | Microstrip to coplanar waveguide transitional device | |
CA2385337C (en) | Measuring probe for measuring high frequencies and method of producing said probe | |
US4795989A (en) | MMW microstrip coupler having movable test probe | |
JP2002290115A (ja) | ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造 | |
JP3356736B2 (ja) | 高周波プローブ | |
JPH04206845A (ja) | 高周波プローブ針 | |
JP2002334935A (ja) | 高周波回路チップとこのチップを有する高周波回路装置並びにその製造方法 | |
US4799032A (en) | Directional coupler | |
JPS63152141A (ja) | プロ−ブカ−ド | |
JP3659461B2 (ja) | 高周波測定用基板 | |
JPH0635189Y2 (ja) | 高周波プローブ | |
JP3852589B2 (ja) | マイクロ波集積回路、誘電体基板 | |
JP2668423B2 (ja) | 高周波回路の測定装置 | |
JP2568495B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2003249534A (ja) | 高周波回路、高周波回路装置 | |
JPH11183564A (ja) | テスト・フィクスチャ及びこれを用いる半導体試験装置 | |
JPS63316901A (ja) | 同軸コネクタ | |
US11300587B1 (en) | High-frequency measurement line structure | |
JPH07104361B2 (ja) | 高周波プローブ | |
JPH0262064A (ja) | セラミックパッケージ | |
JPH0742140Y2 (ja) | プローブのアース構造 | |
JPH04304646A (ja) | ゴムコンダクター及び半導体デバイスの試験方法 | |
JP3070675B2 (ja) | 高周波プローブ | |
JP2002324826A (ja) | 高周波用プロービングパッド | |
JPS63271947A (ja) | 高周波用プロ−ブ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080603 |