JPH0414844A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 16
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は安価で生産性の良い半導体装置に関するもので
ある。
ある。
[従来の技術]
近年、安価で生産性の良い半導体装置が多く利用される
ようになってきた。特に、半導体チップを印刷配線板上
にダイレクトに半田付は実装された半導体装置が利用さ
れている。
ようになってきた。特に、半導体チップを印刷配線板上
にダイレクトに半田付は実装された半導体装置が利用さ
れている。
以下に従来の半導体装置について説明する。
第5図(A)は従来の半導体装置の斜視図であり、(B
)はそのB−B−断面図である。1は金属板、2は絶縁
層、3は導電箔であり、4は金属板1上に絶縁層2を塗
布し、その上に形成された導電箔3とで構成された金属
ベース印刷配線板、6は放熱用金属片、5は放熱用金属
片6を導電箔3に固着するための半田、8は半導体チッ
プ、7は半導体チップ8を放熱用金属片6に固着するた
めの半田、9は半導体チップ8と導電箔3を接続するワ
イヤーである。
)はそのB−B−断面図である。1は金属板、2は絶縁
層、3は導電箔であり、4は金属板1上に絶縁層2を塗
布し、その上に形成された導電箔3とで構成された金属
ベース印刷配線板、6は放熱用金属片、5は放熱用金属
片6を導電箔3に固着するための半田、8は半導体チッ
プ、7は半導体チップ8を放熱用金属片6に固着するた
めの半田、9は半導体チップ8と導電箔3を接続するワ
イヤーである。
以上のように構成された半導体装置について、以下その
放熱作用を説明する。
放熱作用を説明する。
まずワイヤー9と半導体チップ8のサブストレートを通
じて半導体チップ8に電力が供給され半導体チップ8が
発熱する。その熱は伝導により半田7、放熱用金属片6
、半田5、導電箔3、絶縁層2、金属板1を経て放熱さ
れる。
じて半導体チップ8に電力が供給され半導体チップ8が
発熱する。その熱は伝導により半田7、放熱用金属片6
、半田5、導電箔3、絶縁層2、金属板1を経て放熱さ
れる。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら上記の従来の構成では絶縁層2が通常エポ
キシ樹脂等のような有機材料等の熱伝導性の悪い材料で
構成されているため、十分な放熱を行なうためには放熱
用金属片6が大きいものを必要とし、ワイヤー9が例え
ば直径100μm以下(以下、100μmφ以下と略す
。)のように細い場合にワイヤー9の形状保持力(剛性
)が小さいのでワイヤー9が垂れ下がったりする事があ
り、ワイヤー9と放熱用金属片6が接触し、ショートす
るので実装できないという欠点を有していた。そのため
に通常は、100μmφより太いワイヤーでワイヤーボ
ンディングしており、半導体チップとワイヤーの接続部
の半導体チップのパッドが大きくなり、その結果チップ
サイズが大きなものになり高価になっていた。また、太
いワイヤーはワイヤーボンディングの際にワイヤーフォ
ーミングを必要としそのため生産性が非常に悪く生産コ
ストが高いものであった。
キシ樹脂等のような有機材料等の熱伝導性の悪い材料で
構成されているため、十分な放熱を行なうためには放熱
用金属片6が大きいものを必要とし、ワイヤー9が例え
ば直径100μm以下(以下、100μmφ以下と略す
。)のように細い場合にワイヤー9の形状保持力(剛性
)が小さいのでワイヤー9が垂れ下がったりする事があ
り、ワイヤー9と放熱用金属片6が接触し、ショートす
るので実装できないという欠点を有していた。そのため
に通常は、100μmφより太いワイヤーでワイヤーボ
ンディングしており、半導体チップとワイヤーの接続部
の半導体チップのパッドが大きくなり、その結果チップ
サイズが大きなものになり高価になっていた。また、太
いワイヤーはワイヤーボンディングの際にワイヤーフォ
ーミングを必要としそのため生産性が非常に悪く生産コ
ストが高いものであった。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、細線ワイ
ヤーを用いてもワイヤーと放熱用金属片がショートする
ことがない構造の高密度実装可能な半導体装置を提供す
ることを目的とする。
ヤーを用いてもワイヤーと放熱用金属片がショートする
ことがない構造の高密度実装可能な半導体装置を提供す
ることを目的とする。
口課題を解決するための手段]
この目的を達成するために本発明の半導体装置は、半田
付は可能な金属片を部分的に露出させて印刷配線板が貼
合わされてなる放熱用金属片の該金属片露出部に半導体
チップが半田付けされ、前記半導体チップと前記印刷配
線板がワイヤーボンディングにより接続されてなる半導
体装置の構成を有する。
付は可能な金属片を部分的に露出させて印刷配線板が貼
合わされてなる放熱用金属片の該金属片露出部に半導体
チップが半田付けされ、前記半導体チップと前記印刷配
線板がワイヤーボンディングにより接続されてなる半導
体装置の構成を有する。
また本発明は、上記印刷配線板が可撓性印刷配線板であ
る上記に記載の半導体装置を提供するものである。
る上記に記載の半導体装置を提供するものである。
更に本発明は前記放熱用金属片が第2の印刷配線板上に
設けられている放熱用金属片である上述の半導体装置を
提供するものである。
設けられている放熱用金属片である上述の半導体装置を
提供するものである。
また、本発明はワイヤーボンディングのワイヤーが10
0μmφ以下の細線ワイヤーである上記いずれかに記載
の半導体装置を提供するものである。
0μmφ以下の細線ワイヤーである上記いずれかに記載
の半導体装置を提供するものである。
[作用]
この構成によって細線ワイヤーを使用してもショートが
生ずるおそれがない。従って半導体チップとワイヤーの
接続部のパッドを小さくでき、半導体チップの小型化に
よりコストを大幅に引き下げることができる。また、ワ
イヤーボンディング時のフォーミング廃止による生産性
向上により、より安価な半導体装置を提供できる。
生ずるおそれがない。従って半導体チップとワイヤーの
接続部のパッドを小さくでき、半導体チップの小型化に
よりコストを大幅に引き下げることができる。また、ワ
イヤーボンディング時のフォーミング廃止による生産性
向上により、より安価な半導体装置を提供できる。
[実施例コ
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。
する。
第1図(A)は本発明の第一の実施例における半導体装
置の斜視図であり、第1図(B)はそのA−A、−断面
図である。11は部分的に孔14を設けた可撓性印刷配
線板(この孔14により放熱用金属片6が部分的に露出
することになる。この金属片露出部は17として示され
ている。)、10は可撓性印刷配線板11と放熱用金属
片6とを貼合わせる接着剤、12は可撓性印刷配線板の
導電箔、8は半導体チップ、7は半導体チップ8を半田
付は可能な金属片6に固着するための半田であり、半導
体チップ8は可撓性印刷配線板11の孔14により部分
的に露出した金属片露出部17において半田7により直
接金属片6に固定される。
置の斜視図であり、第1図(B)はそのA−A、−断面
図である。11は部分的に孔14を設けた可撓性印刷配
線板(この孔14により放熱用金属片6が部分的に露出
することになる。この金属片露出部は17として示され
ている。)、10は可撓性印刷配線板11と放熱用金属
片6とを貼合わせる接着剤、12は可撓性印刷配線板の
導電箔、8は半導体チップ、7は半導体チップ8を半田
付は可能な金属片6に固着するための半田であり、半導
体チップ8は可撓性印刷配線板11の孔14により部分
的に露出した金属片露出部17において半田7により直
接金属片6に固定される。
13は半導体チップ8と可撓性印刷配線板11の導電箔
12を接続する細線ワイヤー 15は可撓性印刷配線板
11の導電箔12と第2の印刷配線板である金属ベース
印刷配線板4の導電箔3を接続する半田である。
12を接続する細線ワイヤー 15は可撓性印刷配線板
11の導電箔12と第2の印刷配線板である金属ベース
印刷配線板4の導電箔3を接続する半田である。
細線ワイヤーとしては通常100μmφ以下の太さのも
のが用いられ、特に40〜10μmφのものが主に用い
られているが、目的、用途に応じてより細いものを用い
てもよい。細線ワイヤーを構成する素材は特に限定はな
いが、通常、アルミニウム、金、銅などが用いられる。
のが用いられ、特に40〜10μmφのものが主に用い
られているが、目的、用途に応じてより細いものを用い
てもよい。細線ワイヤーを構成する素材は特に限定はな
いが、通常、アルミニウム、金、銅などが用いられる。
以上のように構成された半導体装置について、以下その
放熱作用を説明する。
放熱作用を説明する。
まず、可撓性印刷配線板11と細線ワイヤー13と半導
体チップ8のサブストレートを通じて半導体チップ8に
電力が供給され半導体チップ8が発熱する。その熱は伝
導により半田7、放熱用金属片6、半田5、導電箔3、
絶縁層2、金属板1を経て放熱される。
体チップ8のサブストレートを通じて半導体チップ8に
電力が供給され半導体チップ8が発熱する。その熱は伝
導により半田7、放熱用金属片6、半田5、導電箔3、
絶縁層2、金属板1を経て放熱される。
以上のように本実施例によれば、可撓性印刷配線板11
を仲介させることにより、金属片6とワイヤーがショー
トするおそれがなくなり、従って細線ワイヤーでも実装
が可能となる。
を仲介させることにより、金属片6とワイヤーがショー
トするおそれがなくなり、従って細線ワイヤーでも実装
が可能となる。
第2図は本発明の第二の実施例における半導体装置の斜
視図である。16は可撓性印刷配線板11の切込みであ
り、半導体チップ8は可撓性印刷配線板切込み16によ
り部分的に露出した金属片露出部17において半田7に
より放熱用金属片6に直接固定される。以上のように構
成された半導体装置の放熱作用については第一の実施例
と同様であるので説明を省略する。
視図である。16は可撓性印刷配線板11の切込みであ
り、半導体チップ8は可撓性印刷配線板切込み16によ
り部分的に露出した金属片露出部17において半田7に
より放熱用金属片6に直接固定される。以上のように構
成された半導体装置の放熱作用については第一の実施例
と同様であるので説明を省略する。
第3図は本発明の第三の実施例における半導体装置の斜
視図である。17は放熱用金属片6の露出部であり、半
導体チップ8は半田7により直接放熱用金属片6に固定
される。以上のように構成された半導体装置の放熱作用
については第一の実施例と同様である。
視図である。17は放熱用金属片6の露出部であり、半
導体チップ8は半田7により直接放熱用金属片6に固定
される。以上のように構成された半導体装置の放熱作用
については第一の実施例と同様である。
第4図は本発明の第四の実施例における半導体装置の斜
視図である。この実施例では先の実施例において用いた
可撓性印刷配線板11゜の代りに、通常の印刷配線板1
8が用いられている。この印刷配線板18の導電箔12
と第2の印刷配線板である金属ベース印刷配線板4の導
電箔3は細線ワイヤー19などのリード線で接続されて
いる。本実施例においては、目的、用途に応じ細線ワイ
ヤー19の代りに通常の太さのワイヤーを用いてもよい
。以上のように構成された半導体装置の放熱作用につい
ては第一の実施例とほぼ同様である。
視図である。この実施例では先の実施例において用いた
可撓性印刷配線板11゜の代りに、通常の印刷配線板1
8が用いられている。この印刷配線板18の導電箔12
と第2の印刷配線板である金属ベース印刷配線板4の導
電箔3は細線ワイヤー19などのリード線で接続されて
いる。本実施例においては、目的、用途に応じ細線ワイ
ヤー19の代りに通常の太さのワイヤーを用いてもよい
。以上のように構成された半導体装置の放熱作用につい
ては第一の実施例とほぼ同様である。
以上、4つの実施例は第2の印刷配線板として、金属ベ
ース印刷配線板4を用いた例を示したが、この部分がセ
ラミックベースやガラス−エポキシ樹脂などのプラスチ
ックベースなど、その他の通常使用されている一般的な
印刷配線板に置きかえて使用してもよいことは勿論であ
る。
ース印刷配線板4を用いた例を示したが、この部分がセ
ラミックベースやガラス−エポキシ樹脂などのプラスチ
ックベースなど、その他の通常使用されている一般的な
印刷配線板に置きかえて使用してもよいことは勿論であ
る。
[発明の効果]
以上のように本発明は、半田付は可能な放熱用金属片を
部分的に露出させて印刷配線板が貼合わされてなる放熱
用金属片の該金属片露出部に半導体チップが半田付けさ
れ、前記半導体チップと前記印刷配線板がワイヤーボン
ディングにより接続されてなる半導体装置を構成するこ
とにより、ワイヤーと金属片がショートするおそれがな
くなり、細いワイヤーでも実装可能になる。そのために
半導体チップとワイヤーの接続部の半導体のパッドを小
さくすることができ半導体チップサイズの小型化が図れ
、安価な半導体装置が提供し得る。またワイヤーのフォ
ーミングが不必要となるため生産性を著しく向上でき、
安価な半導体装置が提供し得る。
部分的に露出させて印刷配線板が貼合わされてなる放熱
用金属片の該金属片露出部に半導体チップが半田付けさ
れ、前記半導体チップと前記印刷配線板がワイヤーボン
ディングにより接続されてなる半導体装置を構成するこ
とにより、ワイヤーと金属片がショートするおそれがな
くなり、細いワイヤーでも実装可能になる。そのために
半導体チップとワイヤーの接続部の半導体のパッドを小
さくすることができ半導体チップサイズの小型化が図れ
、安価な半導体装置が提供し得る。またワイヤーのフォ
ーミングが不必要となるため生産性を著しく向上でき、
安価な半導体装置が提供し得る。
第1図(A)は本発明の第一の実施例の半導体装置の斜
視図、第1図(B)はそのA−A−断面図、第2図は本
発明の第二の実施例の斜視図、第3図は本発明の第三の
実施例の斜視図、第4図は本発明の第四の実施例の斜視
図、第5図(A)は従来の半導体装置の斜視図、(B)
はそのB−B断面図である。 1・・・金属板、2・・・絶縁層、3・・・導電箔、4
・・・金属ベース印刷配線板、5・・・半田、6・・・
放熱用金属片、7・・・半田、8・・・半導体チップ、
9・・・ワイヤー10・・・接着剤、11・・・可撓性
印刷配線板、12・・・印刷配線板の導電箔、13・・
・細線ワイヤー 14・・・印刷配線板の孔、15・・
・半田、16・・・印刷配線板の切込み、17・・・金
属片露出部、18・・・印刷配線板、19・・・細線ワ
イヤー
視図、第1図(B)はそのA−A−断面図、第2図は本
発明の第二の実施例の斜視図、第3図は本発明の第三の
実施例の斜視図、第4図は本発明の第四の実施例の斜視
図、第5図(A)は従来の半導体装置の斜視図、(B)
はそのB−B断面図である。 1・・・金属板、2・・・絶縁層、3・・・導電箔、4
・・・金属ベース印刷配線板、5・・・半田、6・・・
放熱用金属片、7・・・半田、8・・・半導体チップ、
9・・・ワイヤー10・・・接着剤、11・・・可撓性
印刷配線板、12・・・印刷配線板の導電箔、13・・
・細線ワイヤー 14・・・印刷配線板の孔、15・・
・半田、16・・・印刷配線板の切込み、17・・・金
属片露出部、18・・・印刷配線板、19・・・細線ワ
イヤー
Claims (4)
- (1)半田付け可能な放熱用金属片を部分的に露出させ
て印刷配線板が貼合わされてなる放熱用金属片の該金属
片露出部に半導体チップが半田付けされ、前記半導体チ
ップと前記印刷配線板がワイヤーボンディングにより接
続されてなる半導体装置。 - (2)印刷配線板が可撓性印刷配線板である請求項1記
載の半導体装置。 - (3)該放熱用金属片が第2の印刷配線板上に設けられ
ている放熱用金属片である請求項1記載の半導体装置。 - (4)ワイヤーボンディングのワイヤーが直径100μ
m以下の太さの細線ワイヤーである請求項1〜3のいず
れかに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2119348A JPH0414844A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2119348A JPH0414844A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0414844A true JPH0414844A (ja) | 1992-01-20 |
Family
ID=14759269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2119348A Pending JPH0414844A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0414844A (ja) |
-
1990
- 1990-05-08 JP JP2119348A patent/JPH0414844A/ja active Pending
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