JPH04137639A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents

混成集積回路の製造方法

Info

Publication number
JPH04137639A
JPH04137639A JP2259266A JP25926690A JPH04137639A JP H04137639 A JPH04137639 A JP H04137639A JP 2259266 A JP2259266 A JP 2259266A JP 25926690 A JP25926690 A JP 25926690A JP H04137639 A JPH04137639 A JP H04137639A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
board
photoresist
chips
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2259266A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoji Onozuka
小野塚 友二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2259266A priority Critical patent/JPH04137639A/ja
Publication of JPH04137639A publication Critical patent/JPH04137639A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、混成集積回路の製造方法に関し、特にICチ
ップを搭載した混成集積回路の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来の混成集積回路(以下HICという)の製造方法は
、第2図に示すように基板1上にチップ部品2及びIC
チップ3を接着搭載した後、ICチップ3と基板1のボ
ンディングステッチ5とをボンディングワイヤ4により
接続し、その後、チップ部品2.ICチップ3とワイヤ
4とをフェノール樹脂7.9で覆って硬化させていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
この従来のHIC製造方法では、フェノール樹脂の硬化
後はフェノール樹脂のみの除去が困難であるため、)[
IC製品不良時のICチップ交換ができず、ICチップ
が複数個搭載された場合の製造歩留りが低下し、コスト
アップを余儀なくされていた。また、製品不良時の開封
が困難であるため、不良原因の解析に支障があった。
本発明の目的はICチップ交換及び製造歩留りの向上環
を可能とした混成集積回路の製造方法を提供することに
ある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するなめ、本発明に係る混成集積回路の
製造方法においては、フォトレジスト塗布工程と、外部
樹脂塗布工程とを有する混成集積回路の製造方法であっ
て、 フォトレジスト塗布工程は、少なくとも基板上に搭載さ
れたICチップ、及びICチップと接続されたワイヤの
基板側の接続点とをフォトレジストで被覆する工程であ
り、 外部樹脂塗布工程は、フォトレジストで被覆されたIC
チップを含む基板の上面を外部樹脂にて被覆する工程で
ある。
〔作用〕
ICチップ、及びICチップと接続されたワイヤの基板
側の接続点とをフォトレジストで覆う。
製造途中又は製品出荷後においてフォトレジストを除去
し、ICチップの交換、或いはICチップの不良解析が
行われる。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を説明するための断面図であ
る。
図において、混成集積回路(以下、HICという)用の
基板1上に、コンデンサ等のチップ部品2を搭載した後
、銀ペーストを用いてICチップ3を基板1上に接着す
る。続いて、直径30μmの金線ボンディングワイヤ4
により、ICチップ3と、基板1に設けられたボンディ
ングステッチ5とを接続する。
次に、少なくともICチップ3、及びICチップ3と接
続されたボンディングワイヤ4の基板1側の接続点とな
るボンディングステッチ5を覆うように900 C,P
、程度の粘度を有するフォトレジスト6をデイスペンサ
等で塗布し、約85℃のオーブン内でフォトレジスト6
を焼きしめる。
以降は、従来の製造方法と同様に、ICチップ3 ボン
ディングワイヤ4.ボンディングステッチ5を覆うよう
にフォノール樹脂のジャンクションコーティング・レジ
ン(JCR)7を塗布する。
その後、外部端子8を基板1に半田接続し、外装フォノ
ール9で基板1の上面を覆う。
本実施例では、ボンディングワイヤ4の一部がフォトレ
ジスト6から露出しているか、ボンディングワイヤ4を
完全に覆うようにフォトレジスト6を塗布した後、オー
ブン内で焼きしめを行えば、空気を清浄化したクリーン
ルームの外へHlCを搬出することも可能となる。
したがって、ICチップの交換、或いは不良解析の必要
がある場合には、フォトレジスト6を除去してICチッ
プ3を露出させることが可能となる。
〔発明の効果〕
以1説明したように本発明は、フォトレジストでICチ
ップ及びボンディングステ・ンチを覆っているため、ク
リーンルーム外での製造途中におけるHICの試験が可
能となり、動作不良のICチップについては、有機溶剤
を用いてフォトレジストを除去し、ICチップを交換す
ることが可能となり、HICの製造歩留りの向上を図る
ことができる。特に、高価なICチップを複数個用いた
HICの場合には、コストの、E昇を押えることができ
る効果を有する。
又、製品出荷後の不良解析においても、ICチップ周辺
の外装フェノール及びJCRを一部切削除去した後、有
機溶剤でフォトレジストを剥離すれば、ICチップ上面
に付着物がなくなり解析を容易に行うことができる効果
を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を説明するための断面図、
第2図は、従来例を説明するための断面図である。 1・・・基板       2・・・チップ部品3・・
・ICチップ 4・・・ボンディングワイヤ 5・・・ボンディングステッチ 6・・・フォトレジスト  ア・・・JCR8・・・外
部端子     9・・・外装フェニール特許出願人 
  日本電気株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)フォトレジスト塗布工程と、外部樹脂塗布工程と
    を有する混成集積回路の製造方法であって、フォトレジ
    スト塗布工程は、少なくとも基板上に搭載されたICチ
    ップ、及びICチップと接続されたワイヤの基板側の接
    続点とをフォトレジストで被覆する工程であり、 外部樹脂塗布工程は、フォトレジストで被覆されたIC
    チップを含む基板の上面を外部樹脂にて被覆する工程で
    あることを特徴とする混成集積回路の製造方法。
JP2259266A 1990-09-28 1990-09-28 混成集積回路の製造方法 Pending JPH04137639A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2259266A JPH04137639A (ja) 1990-09-28 1990-09-28 混成集積回路の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2259266A JPH04137639A (ja) 1990-09-28 1990-09-28 混成集積回路の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04137639A true JPH04137639A (ja) 1992-05-12

Family

ID=17331716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2259266A Pending JPH04137639A (ja) 1990-09-28 1990-09-28 混成集積回路の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04137639A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970002140B1 (ko) 반도체 소자, 패키지 방법, 및 리드테이프
KR20030007040A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR19990069507A (ko) 반도체 패키지용 기판 및 반도체 패키지, 그리고 그 제조방법
US20040127011A1 (en) [method of assembling passive component]
JPH01303730A (ja) 半導体素子の実装構造とその製造方法
JPH04137639A (ja) 混成集積回路の製造方法
US6551855B1 (en) Substrate strip and manufacturing method thereof
JPH03157959A (ja) 実装構造及び製造方法
US20070057169A1 (en) Package structure for an optical sensor
JP2875591B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS6244851B2 (ja)
JPH10303227A (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
JPH04252041A (ja) 混成集積回路の製造方法
JP3200754B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3077372B2 (ja) 集積回路装置用バンプ電極の製造方法
JPS62248228A (ja) 混成集積回路の製造方法
JPH1167838A (ja) バンプ付電子部品の製造方法
JPS62108554A (ja) 混成集積回路装置及びその製造方法
KR100191493B1 (ko) 인쇄배선판과 그 제조방법
JP2005039170A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH03174731A (ja) 集積回路装置用バンプ電極およびその製造方法
JPH08306744A (ja) 電子部品
JPS60103693A (ja) 混成集積回路の製造方法
JPS59144146A (ja) 混成集積回路装置の製造方法
JPS6245055A (ja) 混成集積回路