JPH04133149A - データ記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、データの書き換え回数が物理的に制限される
メモリに、高い信頼性でデータを書き込むことができる
ようにしたデータ記憶装置に関するものである。

（従来の技術） 近年、多品種少量生産に好適なシステムとしてフレキシ
ブル製造システムが提案されている。このシステムでは
ライン上を流れるワークに、例えばＩＤタグを付設する
とともに、このＩＤタグにワークの仕様等に関するデー
タが記憶され、各ステーションでデータがＩＤタグから
読み出されて仕様に応じた作業がなされる。そして、Ｉ
Ｄタグに組み込まれるデータ記憶装置は、ワークの仕様
に応じて股り返しデータの書き換えがなされる。

ここで、第１２図により、自動車生産ラインに適応され
たフレキシブル製造システムの一例につき概説する。第
１２図において、製造ライン上を移動するワーク１１〜
１４には、それぞれＩＤタグ２１〜２４が付設される。

そして、各ワーク１１〜１４が各ステーションの適宜な
位置まで移動したときにＩＤタグ２１〜２４にそれぞれ
対応するようにリードアンドライト手段としてのＩＤコ
ントローラ３１〜３４が配置される。

そして、第１のステーションでは、ＩＤコントローラ３
１にコンピュータ４０よりＩＤタグ２１〜２４に組み込
まれたデータ記憶装置に各ステーションにおける作業指
示のためのデータが書き込まれる。

なお、ＩＤタグ２１〜２４はバッテリーレスであり、Ｉ
Ｄコントローラ３１〜３４から送信されるマイクロ波９
１〜９４を受信しさらに整流して直流電圧を発生させ、
この直流電圧を駆動電源としてデータの書き込みおよび
読み出し等が行なわれる。そして、ＩＤコントローラ３
１〜３４と対応してない状態で直流電圧が消滅しても、
データ記憶装置に書き込まわたデータが失なわれないよ
うに、メモリとして電気的に書き換え可能でしかも不揮
発性のＥ２ＦＲＯＭが用いられている。

さらに、第２以後のステーションのＩＤコントローラ３
２〜３４には、上位コントローラとしてのプログラマブ
ルコントローラ５２〜５４が接続される。

このプログラマブルコントローラ５２〜５４には、各ス
テーションにおける作業ロボット８２〜６４が接続され
て、各ステーションでＩＤタグ２１〜２４から読み出さ
れたデータに応じた作業がなされる。

また、コンピュータ４０およびプログラマブルコントロ
ーラ５２〜５４には、さらに上位のコントローラとして
のホストコンピュータ７０が接続される。

なお、矢印８０は、ワークＩＩ〜１４の移動方向を示す
。

（発明が解決しようとする課題） ところで、上記ＩＤタグ２１〜２４のデータ記憶装置の
メモリとして用いられるＥ２ＰＲＯＭは、物理的にデー
タの書き換え回数に例えば１万回というような制約があ
る。そこで、従来にあっては、データの書き換え回数を
推測しまたは計測して、現実にデータの書き換えに誤り
を生じさせる以前にメモリを交換していた。これは、デ
ータが誤って記憶されたＩＤタグが付設されたワークが
製造ライン上に流されて誤った作業がなされ、その結果
製造ラインを停止させるという重大事件の発生を予防す
るためである。

しかしながら、メモリにデータを書き換えるときに生じ
る誤りは、極めて僅かな確率ではあるが比較的に少ない
書き換え回数でも可能性がある。

そこで、データの書き換えを確実に行なわせるためには
、仕様上で許容される書き換え回数よりもかなり前にメ
モリを交換しなければならず、不経済であった。

本発明は、上述のごとき従来のデータ記憶装置の事情に
鑑みてなされたもので、高い信頼性でデータの書き換え
ができ、また誤りを生じさせる書き換え回数まで不具合
を生じさせることなしにメモリを使用でき、さらには仕
様上の書き換え回数以上にメモリを使用できるようにし
たデータ記憶装置を提供することを目的とする。

（Ｂ題を解決するための手段） かかる目的を達成するために、本発明のデータ記憶装置
は、データを書き換え可能に記憶するメモリを有するデ
ータ記憶装置において、前記メモリ内にデータが所定ア
ドレスに通常的に書き込まれる通常エリアとは別に予備
エリアを設けるとともに、この予備エリアにデータが書
き込まれたことを示すフラグを書き込むフラグエリアを
設け、書き込み命令で、前記通常エリアにデータを書き
込む毎にこの一度書き込まれたデータを読み出して書き
込むべきデータとの一致をデータ照合手段で照合し、前
記データ照合手段で不一致が判別すると前記フラグエリ
アにフラグが書き込まれているか否かをフラグ検出手段
で検出し、このフラグ検出手段で前記フラグが検出され
なければ書き込むべきデータとこのデータのアドレスを
予備エリア書き込み手段で前記予備エリアに書き込むよ
うに構成されている。

そして、前記データ照合手段で一致が判別すると正常終
了信号送信手段で正常終了信号を送信し、前記データ照
合手段で不一致が判別すると書き込むべきデータとこの
データのアドレスを前記予備エリア書き込み手段で前記
予備エリアに書き込むとともに警告信号送信手段で警告
信号を送信するように構成しても良い。

さらに、前記フラグ検出手段で前記フラグが検出される
と、誤り信号送信手段で誤り信号を送信するように構成
することもできる。

また、本発明のデータ記憶装置は、データを書き換え可
能に記憶するメモリを有するデータ記憶装置において、
データが所定アドレスに通常的に書き込まれる通常エリ
アとは別に予備エリアを設けるとともに、この予備エリ
アにデータが書き込まれたことを示すフラグを書き込む
フラグエリアを設け、読み出し命令で、前記フラグエリ
アにフラグが書き込まれているか否かをフラグ検出手段
で検出し、このフラグ検出手段で前記フラグが検出され
ると前記予備エリアに書き込まれたアドレスと読み出す
べきデータのアドレスとの一致をアドレス照合手段で照
合し、一致すれば予備エリア読み出し手段で前記予備エ
リアからデータを読み出し、前記アドレス照合手段で不
一致または前記フラグ検出手段で前記フラグが検出され
なければ、通常エリア読み出し手段で前記通常エリアか
らデータを読み出し、この通常エリア読み出し手段およ
び前記予備エリア読み出し手段で読み出されたデータを
送信手段で送信するように構成しても良い。

そして、前記通常エリア読み出し手段で読み出されたデ
ータを前記送信手段で送信し、前記予備エリア読み出し
手段で読み出されたデータを警告信号とともにデータお
よび警告信号送信手段で送信するように構成することも
できる。

また、本発明のデータ記憶装置は、データを書き換え可
能に記憶するメモリを有するデータ記憶装置において、
データが所定アドレスに通常的に書き込まれる通常エリ
アとは別に第１と第２の予備エリアを設けるとともに、
こわらの第１と第２の予備エリアにデータが書き込まれ
たことを示すフラグをそれぞれに書き込む第１と第２の
フラグエリアを設け、書き込み命令で、前記通常エリア
にデータを書き込む毎にこの一度書き込まれたデータを
読み出して書き込むべきデータとの一致をデータ照合手
段で照合し、一致すれば正常終了信号送信手段で正常終
了信号を送信し、前記データ照合手段で不一致が判別す
ると前記第１のフラグエリアにフラグが書き込まれてい
るか否かを第１のフラグ検出手段で検出し、この第１の
フラグ検出手段で前記フラグが検出されなければ書き込
むべきデータとこのデータのアドレスを第１の予備エリ
ア書き込み手段で前記第１の予備エリアに書き込むとと
もに前記正常終了信号送信手段で正常終了信号を送信し
、前記第１のフラグ検出手段で、フラグが検出されると
前記第２のフラグエリアにフラグが書き込まれているか
否かを第２のフラグ検出手段で検出し、この第２のフラ
グ検出手段で前記フラグが検出されなければ書き込むべ
きデータとこのデータのアドレスを第２の予備エリア書
き込み手段で前記第２の予備エリアに書き込むとともに
警告信号送信手段で警告信号を送信するように構成して
も良い。

そして、前記第２のフラグ検出手段で前記フラグが検出
されると、誤り信号送信手段で誤り信号を送信するよう
に構成しても良い。

また、本発明のデータ記憶装置は、データを書き換え可
能に記憶するメモリを有するデータ記憶装置において、
データが所定アドレスに通常的に書き込まれる通常エリ
アとは別に、前記通常エリアにデータが正確に書き込め
ないときに順次にデータが書き込まれる第１と第２の予
備エリアを設け、これらの第１と第２の予備エリアにデ
ータが書き込まれたことを示すフラグをそれぞれに書き
込む第１と第２のフラグエリアを設け、読み出し命令で
、前記第２のフラグエリアにフラグが書き込まれている
か否かを第２のフラグ検出手段で検出し、この第２のフ
ラグ検出手段で前記フラグが検出されると前記第２の予
備エリアに書き込まわたアドレスと読み出すべきデータ
のアドレスとの一致を第２のアドレス照合手段で照合し
、一致すれば第２の予備エリア読み出し手段で前記第２
の予備エリアからデータを読み出し、前記第２のフラグ
検出手段でフラグが検出されなければ前記第１のフラグ
エリアにフラグが書き込まれているか否かを第１のフラ
グ検出手段で検出し、この第１のフラグ検出手段で前記
フラグが検出されまたは前記第２のアドレス照合手段で
不一致が判別すると前記第１の予備エリアに書き込まれ
たアドレスと読み出すべきデータのアドレスとの一致を
第１のアドレス照合手段で照合し、一致すれば第１の予
備エリア読み出し手段で前記第１の予備エリアからデー
タを読み出し、前記第１のフラグ検出手段で前記フラグ
が検出されずまたは前記第１のアドレス照合手段で不一
致が判別すると通常エリア読み出し手段で前記通常エリ
アからデータを読み出し、この通常エリア読み出し手段
および前記第１と第２の予備エリア読み出し手段で読み
出されたデータを送信手段で送信するように構成するこ
ともできる。

また、本発明のデータ記憶装置は、データを書き換え可
能に記憶するメモリを有するデータ記憶装置において、
データが所定アドレスに通常的に書き込まれる通常エリ
アとは別に、前記通常エリアにデータが正確に書き込め
ないときに順次にデータが書き込まれる第１と第２の予
備エリアを設け、これらの第１と第２の予備エリアにデ
ータが書き込まれたことを示すフラグをそれぞれに書き
込む第１と第２のフラグエリアを設け、読み出し命令で
、前記第１のフラグエリアにフラグが書き込まれている
か否かを第１のフラグ検出手段で検出し、この第１のフ
ラグ検出手段で前記フラグが検出されると前記第１の予
備エリアに書き込まれたアドレスと読み出すべきデータ
のアドレスとの一致を第１のアドレス照合手段で照合し
、一致すれば第１の予備エリア読み出し手段で前記第１
の予備エリアからデータを読み出し、前記第１のアドレ
ス照合手段で不一致が判別すると前記第２のフラグエリ
アにフラグが書き込まれているか否かを第２のフラグ検
出手段で検出し、この第２のフラグ検出手段で前記フラ
グが検出されると前記第２の予備エリアに書き込まれた
アドレスと読み出すべきデータのアドレスとの一致を第
２のアドレス照合手段で照合し、一致すれば第２の予備
エリア読み出し手段で前記第２の予備エリアからデータ
を読み出し、前記第１または第２のフラグ検出手段で前
記フラグが検出されずまたは前記第２のアドレス照合手
段で不一致が判別すると通常エリア読み出し手段で前記
通常エリアからデータを読み出し、この通常エリア読み
出し手段および前記第１と第２の予備エリア読み出し手
段で読み出されたデータを送信手段で送信するように構
成しても良い。

そして、本発明のデータ記憶装置は、バッテリーレスで
あり、電気的に書き換え可能でしかも不揮発性のメモリ
を用いて構成しても良い。

さらに、本発明のデータ記憶装置は、フレキシブル製造
システムのライン上を流れるワークのＩＤタグに組み込
まれることができる。

（作用） 上記のように、メモリ内にデータが所定アドレスに通常
的に書き込まれる通常エリアとは別に予備エリアを設け
、通常エリアに書き込まれたデータを読み出して書き込
むべきデータとデータ照合手段で照合させ、通常エリア
の所定アドレスのメモリが破損されてデータの書き換え
に誤りを生じさせると、そのデータが予備エリアに記憶
されるので、通常エリアの一部のメモリが破損しても予
備エリアの個数だけのデータの書き換えが可能である。

そして、すべての予備エリアにデータが書き込まれると
警告信号を送信すれば、メモリの一部が破損しているこ
とを示すことができ、データ記憶装置を適切な時点で交
換し得る。さらに、すべての予備エリアに既にデータが
書き込まれた状態で、通常エリアの他のアドレスのメモ
リが破損してデータが適正に書き換えられなければ、誤
り信号が送信されてデータに誤りが生じたことが示され
る。

また、読み込み命令で、まず予備エリアにデータが書き
込まれているか否かを検出し、予備エリアにデータが記
憶されていてそのデータのアドレスが読み出すデータの
アドレスと一致すると、予備エリアのデータが読み出さ
れるので、予備エリアのデータが通常エリアのデータに
優先して読み出され、通常エリアの誤ったデータが読み
出されることがない。そして、予備エリアから読み出さ
れたデータとともに警告信号を送信すれば、データ記憶
装置のメモリの一部が破損していることを示すことがで
きる。

また、第１と第２の予備エリアを設けるならば、通常エ
リアの２つのアドレスのメモリが破損する確率が極めて
小さいことから、仕様上の書き換え回数よりも大幅にメ
モリの使用回数を延長させ得る。しかも、第１と第２の
予備エリアにともにデータが記憶されたときに警告信号
を送信するならば、データ記憶装置を適切な時点で交換
し得る。そして、第１と第２の予備エリアのいずれにも
既にデータが書き込まれていてさらに通常エリアのメモ
リに破損を生じると、誤り信号が送信されてデータが正
しく書き込み得ないことが示される。

また、第１または第２の予備エリアに記憶さたデータの
アドレスが読み出すデータのアドレスと一致すると、第
１または第２の予備エリアのデータが通常エリアのデー
タより優先して読み出され、通常エリアに不正確に書き
込まれたデータが読み出されることがない。

また、通常エリアのメモリに破損を生じた際に第１の予
備エリアにまずデータが書き込まれることから、読み出
し命令で、まず第１の予備エリアにデータが書き込まれ
ているか否かを検出し、第１の予備エリアにデータが書
き込まれていなけわば第２の予備エリアを検出すること
なしに通常エリアからデータを読み出すので、通常エリ
アのメモリが正常である間のデータの読み出しを迅速に
なし得る。

そして、上記構成によって、書き換え回数が比較的少な
く、電気的に書き換え可能でしかも不揮発性のメモリを
、仕様上で制約される書き換え回数またはそれより大幅
な書き換え回数で、何んら不都合を生じさせずに使用し
得る。

さらに、上記構成のデータ記憶装置をＩＤタグに組み込
むならば、データの書き換えの誤りによりフレキシブル
製造システムのラインを停止させるような重大な故障等
が防止し得る。

（実施例） 以下、本発明の実施例を第１図ないし第４図を参照して
説明する。第１図は、本発明のデータ記憶装置の一実施
例のデータ書き込みのフローチャートであり、第２図は
、そのデータ読み出しのフローチャートであり、第３図
は、第１図の本発明のデータ記憶装置の一実施例のメモ
リ内のエリア区分を示す図であり、第４図は、Ｅ２ＰＲ
ＯＭの書き換え回数と故障率のグラフである。

本発明のデータ記憶装置のメモリとして書き換え可能で
しかも不揮発性のＥ２ＰＲＯＭが用いられる。そして、
メモリ１００内は、第３図のごとく、所定アドレスにデ
ータが通常的に書き込まれるユーザエリアとしての通常
エリア１１０と、これとは別に第１と第２の予備エリア
１２０、］３０が設けられ、さらに第１と第２のフラグ
エリア１４０．１５０が設けられる。そして、第１と第
２の予備エリア１２０．１３０は、それぞれアドレスエ
リアとデータエリアに区分される。

かかるメモリ１００を有するデータ記憶装置におけるデ
ータの書き込みにつき、第１図により説明する。例えば
、第１のステーションで、ＩＤタグ２１がＩＤコントロ
ーラ３１に対応し、ＩＤコントローラ３１からデータの
書き込みが行なわれる。まず、ＩＤコントローラ３１か
ら書き込みコマンドを受信すると（ステップ■）、通常
エリア１１０の指定アドレスにデータを書き込む（ステ
ップ■）。

次に、通常エリア１１０の指定アドレスから書き込まれ
たデータを読み出しくステップ■）、このデータと書き
込むべきデータとをデータ照合手段で一致するか否かを
照合する（ステップ■）。ここで、一致すれば正常終了
信号送信手段で正常終了信号を送信して（ステップ■）
、書き込みコマンドの実行が終了する。しかしながら、
ステップ■でデータが一致しないならば、通常エリア１
１０の当該アドレスのメモリは破損している。そこで、
第１のフラグエリア１４０にフラグが書き込まれている
か否かを第１のフラグ検出手段で検出する（ステップ■
）。ここで、フラグが検出されなければ、当該データお
よび当該アドレスを第１の予備エリア１２０に書き込む
とともに第１のフラグエリア１４０にフラグを書き込み
（ステップ■）、ステップ■に戻る。また、ステップ■
でフラグが検出されたならば、第２のフラグエリア１５
０にフラグが書き込まれているか否かを第２のフラグ検
出手段で検出する（ステップ■）。ここで、フラグが検
出されなければ、当該データおよび当該アドレスを第２
の予備エリア１３０に書き込むとともに第２のフラグエ
リア１５０にフラグを書き込み（ステップ■）、さらに
警告信号送信手段から警告信号を送信して（ステップ＠
ｌ）、書き込みコマンドの実行が終了する。さらに、ス
テップ■で、フラグが検出されたならば、誤り信号送信
手段から誤り信号を送信して（ステップ■）、書き込み
コマンドの実行が粁了する。

次に、このようにしてメモリ１００にデータが書き込ま
れるデータ記憶装置におけるデータの読み出しを、第２
図により説明する。例えば、第２のステーションで、Ｉ
Ｄタグ２２がＩＤコントローラ３２に対応し、ＩＤコン
トローラ３２によりデータの読み出しが行なわれる。ま
ず、ＩＤコントローラ３２から読み出しコマンドを受信
すると（ステップ■）、第２のフラグエリア１５０にフ
ラグが書き込まれているか否かを第２のフラグ検出手段
で検出する（ステップ■）。ここで、フラグが検出され
なければ、第１のフラグエリア１４０にフラグが書き込
まれているか否かを第１のフラグ検出手段で検出する（
ステップ■）。ここでもフラグが検出されなければ、通
常エリア１１０の当該アドレスからデータを読み出しく
ステップ■）、そのデータをデータ送信手段でＩＤコン
トローラ３２に送信して（ステップ■）、読み出しコマ
ンドの実行が終了する。そして、ステップ■で、第２の
フラグエリア１５０にフラグが検出されると、第２の予
備エリア１３０に記憶されているアドレスと読み出すべ
き当該データのアドレスを第２のアドレス照合手段で一
致するか否かを照合する（ステップ■）。

ここで、第２の予備エリア１３０に記憶されたアドレス
と当該データのアドレスか一致すれば、読み出すべきデ
ータが第２の予備エリア１３０に書き込まれており、第
２の予備エリア１３０のデータを読み出しくステップ■
）、つぎにステップ■に移る。ステップ■で、アドレス
が不一致であれば第２の予備エリア１３０には読み出す
べきデータと異なるデータが書き込まれている。このス
テップ■でアドレスが不一致、またはステップ■で第１
のフラグエリア１４０にフラグが検出されると、第１の
予備エリア１２０に記憶されているアドレスと読み出す
べき当該データのアドレスを第１のアドレス照合手段で
一致するか否かを照合する（ステップ■）。ここで、第
１のアドレス照合手段でアドレスが一致すれば、第１の
予備エリア１２０のデータを読み出して（ステップ■）
、つぎにステップ■に移る。また、ステップ■で、アド
レスが不一致であれば、第１の予備エリア１２０には読
み出すべきデータと異なるデータが書き込まれており、
ステップ■に移る。

かかる構成において、書き込みコマンドにより通常エリ
ア１１０に書き込まれたデータに誤りが生じると、まず
第１の予備エリア１２０に書き込み、この第１の予備エ
リア１２０に既にデータが記憶されていれば第２の予備
エリア１３０にデータを記憶させる。そこで、本発明の
データ記憶装置は、通常エリア１１０の２箇所のアドレ
スのメモリが破損した状態となっても、データを正確に
記憶することができる。

ところで、メモリ１００として用いるＥ２ＦＲＯＭの書
き換え回数に対する故障率は、第４図に示すごとく、１
％の故障率の増加は例えば１０倍の書き換え回数の増加
により生じる。したがって、通常エリア１１０の１箇所
のアドレスのメモリが破損する書き換え回数に対して、
２箇所のアドレスのメモリが破損する書き換え回数は飛
躍的に増加する。したがって、本発明のデータ記憶装置
にあっては、メモリ１００の仕様上の書き換え回数より
も大幅に大きな書き換え回数まで使用することができる
。しかも、２箇所のアドレスのメモリが破損したことを
示す警告信号の送信により、交換すべき時点を確実に把
握することができる。この結果、フレキシブル製造シス
テムのラインを停止させるような重大な故障を確実に防
止することができる。

また、読み出しコマンドに応じて、第１と第２のフラグ
エリア１４０．１５０にフラグがあるか否かを検出し、
もしフラグがあれば第１または第２の予備エリア１２０
．１３０に記憶されたアドレスと読み出すべきデータの
アドレスを照合して、一致すれば第１または第２の予備
エリア１２０．１３０のデータを読み出すので、通常エ
リア１１０からのデータの読み出しに優先して第１と第
２の予備エリア１２０．１３０のデータが読み出され、
通常エリア１１０に書き込まれた誤ったデータが読み出
されるようなことがない。

第５図は、第２図に示したものとは異なるデータ読み出
しを示すフローチャートである。まず、読み出しコマン
ドをＩＤコントローラ３２から受信すると（ステップ■
）、第１のフラグエリア１４０にフラグが書き込まれて
いるか否かを第１のフラグ検出手段で検出する（ステッ
プ■）。ここで、フラグが検出されなけ九ば、通常エリ
ア］ｌ［ｌの当該アドレスからデータを読み出しくステ
ップ■）、そのデータをデータ送信手段でＩＤコントロ
ーラ３２に送信して（ステップ■）、読み出しコマンド
の実行が終了する。ステップ■でフラグが検出されれば
、第１の予備エリア１２０に記憶されているアドレスと
読み出すべき当該データのアドレスを第１のアドレス照
合手段で一致するか否かを照合する（ステップ■）。こ
こで、第１の予備エリア１２０に記憶されているアドレ
スと読み出すべき当該データのアドレスが一致すれば、
読み出すべきデータが第１の予備エリア１２０に書き込
まれており、第１の予備エリア１２０からデータを読み
出しくステップ■）、つぎにステップ■に移る。ステッ
プ■で、アドレスが一致しなければ、第１の予備エリア
１２０には読み出すべきデータと異なるデータが記憶さ
れている。そこで次に、第２のフラグエリア１５０にフ
ラグが書き込まれているか否かを第２のフラグ検出手段
で検出する（ステップ■）。ここで、フラグが検出され
れば、第２の予備エリア１３０に記憶されているアドレ
スと読み出すべき当該データのアドレスを第２のアドレ
ス照合手段で一致するか否かを照合する（ステップ■）
。そして、アドレスが一致すれば、第２の予備エリア１
３０からデータを読み出しくステップ■）、つぎにステ
ップ■に移る。なお、ステップ■でフラグが検出されず
、またはステップ■でアドレスが一致しなければ、第２
の予備エリア１３０には読み出すべきデータが記憶され
ておらず・ステップ■に移る。

かかる読み出しコマンドの実行においては、第１のフラ
グエリア１４０にフラグが検出されなければ、第２のフ
ラグエリア１５０のフラグを検出することなしに通常エ
リア１１０からデータの読み出しを行なう。ところで、
第１図に示す書き込みコマンドで、通常エリア１１０の
一部のアドレスのメモリが破損されるとまず第１の予備
エリア１２０にデータを書き込むとともに第１のフラグ
エリア１４０にフラグを書き込むことから、第１のフラ
グエリア１４０にフラグが検出されなければ、第２の予
備エリア１３０にデータが書き込まれていることはない
。そこで、第１のフラグエリア１４０にフラグが検出さ
れなければ、直ちに通常エリア１１０からデータを読み
出すことで、メモリ１００が正常である場合のデータの
読み出しが、第２図に示すフローチャートによる動作よ
り迅速となる。

第６図は、第２図および第５図に示したものとはさらに
異なるデータ読み出しを示すフローチャートである。読
み出しコマンドを受信すると（ステップ■）、第１のフ
ラグエリア１４０のフラグの有無を検出しくステップ■
）、フラグが検出されなければ第２のフラグエリア１５
０のフラグの有無を検出しくステップ■）、フラグが検
出されなければ通常エリア１１０からデータを読み出し
くステップ■）、さらにデータを送信して（ステップ■
）、読み出しコマンドの実行を終了する。ステップ■で
、フラグが検出されれば、第１の予備エリア１２０に記
憶されているアドレスと読み出すべきデータのアドレス
を照合しくステップ■）、一致すれば第１の予備エリア
１２０からデータを読み出して（ステップ■）、つぎに
ステップ■に移る。また、ステップ■で、アドレスが一
致しなければ、ステップ■に移る。そして、ステップ■
で、フラグが検出されると、第２の予備エリア１３０に
記憶されているアドレスと読み出すべきデータのアドレ
スを照合しくステップ■）、一致すれば第２の予備エリ
ア１３０からデータを読み出しくステップ■）、つぎに
ステップ■に移る。そしてまた、ステップ■で、アドレ
スが一致しなければ、ステップ■に移る。なお、ステッ
プ■と■の順序が逆であっても良い。

第７図ないし第９図は、本発明のデータ記憶装置の他の
実施例を示し、第７図は、本発明のデータ記憶装置の他
の実施例のデータ書き込みのフローチャートであり、第
８図は、そのデータ読み出しのフローチャートであり、
第９図は、第７図の本発明のデータ記憶装置の他の実施
例のメモリ内のエリア区分を示す図である。

まず、メモリ２００内は、第９図のごとく、所定アドレ
スにデータが通常的に書き込まれるユーザエリアとして
の通常エリア２１０とは別に予備エリア２１０が設けら
れ、さらにフラグエリア２２０が設けられる。そして、
予備エリア２１０は、アドレスエリアとデータエリアに
区分けされる。このように、１個の予備エリア２１０シ
か設けられていない点で、第３図に示すメモリ１００の
エリア区分と相違する。

かかるメモリ２００を有するデータ記憶装置におけるデ
ータ書き込みを、第７図により説明する。

まず、書き込みコマンドが受信されるステップ■から正
しくデータが書き込まれた状態での正常終了信号を送信
するステップ■までは、第１図と同様である。そして、
ステップ■のデータ照合手段による照合でデータが不一
致であれば、フラグエリア２３０にフラグが書き込まれ
ているか否かをフラグ検出手段で検出する（ステップ■
）。フラグが検出されなければ、当該データおよび当該
アドレスを予備エリア２２０に書き込むとともにフラグ
エリア２３０にフラグを書き込み（ステップ■）、さら
に警告信号送信手段から警告信号を送信して（ステップ
■）、書き込みコマンドの実行が終了する。ステップ■
で、フラグが検出されると、誤り信号送信手段から誤り
信号を送信して（ステップ■）、書き込みコマンドの実
行が終了する。

このようにしてメモリ２００にデータが書き込まれるデ
ータ記憶装置におけるデータの読み出しを、第８図によ
り説明する。まず、データの読み出しコマンドを受信す
ると（ステップ■）、フラグエリア２３０にフラグが書
き込まれているか否かをフラグ検出手段で検出する（ス
テップ■）。ここで、フラグが検出されなければ、通常
エリア２１０の当該アドレスからデータを読み出しくス
テップ■）、そのデータをデータ送信手段で送信して（
ステップ■）、読み出しコマンドの実行が終了する。そ
して、ステップ■で、フラグエリア２３０にフラグが検
出されると、予備エリア２２０に記憶されているアドレ
スと読み出すべき当該データのアドレスをアドレス照合
手段で一致するか否かを照合する（ステップ■）。ここ
で、アドレスが一致すれば、予備エリア２２０からデー
タを読み出しくステップ■）、つぎにステップ■に移り
、ステップ■で、アドレスが一致しなければ、ステップ
■に移る。

かかる構成にあっては、通常エリア２１０の１箇所のア
ドレスのメモリが破損しても、予備エリア２２０にデー
タが正確に書き込まれて、何んら不都合を生じさせるこ
とがなく信頼性が向上する。そこで、予備エリア２２０
にデータが書き込まれた時点で警告信号を送信して適宜
に交換すれば、メモリ２００を実際に書き換えできなく
なるまで使用でき、極めて経済的である。そして、この
第７図ないし第９図に示す実施例では、第１図ないし第
３図に示す実施例のごとく、メモリの実質的な書き換え
回数を増加させることはできないが、構造が＊＊なもの
になるとともに、予備エリアが少ない分だけメモリ２０
０を効率良く利用できる。

第１０図および第１１図は、第７図および第８図とは異
なるデータ書き込みおよびデータ読み出しをそわぞれに
示すフローチャートである。

まず、データの書き込みにつき第１０図により説明する
。第１０図において、第７図に示すフローチャートと相
違するところは、ステップ■と■を経ずに書き込みコマ
ンドの実行が終了することにある。次に、データの読み
出しにつき第１１図により説明する。第１１図において
、第８図に示すフローチャートと相違するところは、予
備エリア２２０からデータを読み出すステップ■に続い
て、このデータとともに警告信号をデータおよび警告信
号送信手段から送信して（ステップ■）、読み出しコマ
ンドの実行が終了することにある。

かかる構成にあっては、データの書き換えの際に、通常
エリア２１０の１部のアドレスのメモリが破損していて
予備エリア２２０にデータが書き込まれても、メモリ２
００が破損していることを認識できないが、このデータ
が読み出された際には予備エリア２２０から読み出され
たデータとともに警告信号が送信されるので、メモリ２
００の破損を認識できる。このように、書き換えまたは
読み出しのいずれかのときに、メモリ２００が破損して
いることを何んらかの方法で示せば良い。

なお、メモリ１００．２００は、上記実施例のごと〈Ｅ
２ＰＲＯＭに限られず、書き換え回数が有限である他の
メモリを用いて本発明のデータ記憶装置を構成しても良
い。そして、上記実施例ではバッテリーレスのために不
揮発性のメモリを用いているが、装置に電源を備えてい
るならば揮発性メモリを用いて本発明のデータ記憶装置
を構成することもできる。また、上記実施例では、予備
エリアにデータが書き込まれているか否かをフラグエリ
アに書き込まれるフラグの有無で判別しているが、フラ
グエリアを設けずに、直接に予備エリアに書き込まれた
アドレスと読み出すべきデータのアドレスとを照合して
も良い。

さらに、上記実施例では、予備エリアを１個または２個
設けるものについて説明したが、これに限られることな
く、３個以上設けても良いことは勿論である。

（発明の効果） 本発明のデータ記憶装置は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に記載されるような効果を奏する。

請求項１記載のデータ記憶装置にあっては、通常エリア
の一部のアドレスのメモリが破損して、データが正しく
書き込まれなければ、当該データは予備エリアに書き込
まれるので、通常エリアのメモリの破損によって直ちに
データ記憶装置が使用できなくなることがない。

そして、請求項２記載のデータ記憶装置にあっては、予
備エリアにデータが書き込まれると、警告信号が送信さ
れるので、この警告信号によって通常エリアのメモリが
破損したことを認識でき一部のアドレスのメモリが現実
に破損した時点で交換することができ、経済的である。

さらに、請求項３記載のデータ記憶装置にあっては、フ
ラグの検出で、予備エリアに既にデータか書き込まれて
いて、さらに通常エリアのメモリに破損を生じて別のデ
ータを予備エリアに書き込もうとすると、誤り信号が送
信されるので、データが正しく書き込めないことを直ち
に認知でき、正しく書き込まれないデータに起因する不
具合を予防し得る。

また、請求項４記載のデータ記憶装置にあフては、読み
出し命令により、予備エリアにデータが記憶されている
とそのアドレスと読み出すべきデータのアドレスを照合
し、一致すれば予備エリアのデータを読み出し、アドレ
スが一致しなければ通常エリアから当該アドレスのデー
タを読み出すので、予備エリアのデータが通常エリアの
データに優先して読み出されて、通常エリアの誤ったデ
ータが読み出されるようなことがなく、それだけ読み出
されたデータの信頼性が高い。

そして、請求項５記載のデータ記憶装置にあっては、予
備エリアから読み出されたデータとともに警告信号が送
信されるので、データの読み出しの際に、通常エリアの
一部のアドレスのメモリに破損が生じていることを認識
できる。

また、請求項６記載のデータ記憶装置にあっては、第１
と第２の予備エリアを設けたので、通常エリアの２つの
アドレスのメモリが破損してもデータを正確に書き込む
ことができる。そして、２つのアドレスのメモリに破損
が生じるまでの書き換え回数は、メモリの仕様上の書き
換え回数を大幅に上回り、それだけデータ記憶装置の書
き換え回数を増大させることができて、極めて経済的で
ある。また、２つの予備エリアにデータが書き込まれた
ときに送信される警告信号により、通常エリアの２つの
アドレスのメモリが現実に破損した時点で、データ記憶
装置を交換することができる。

そして、請求項７記載のデータ記憶装置にあっては、第
１と第２の予備エリアのいずれにも既にデータが書き込
まれていて、さらに通常エリアのメモリに破損を生じて
別のデータを予備エリアに書き込もうとすると、誤り信
号が送信されるので、データが正しく書き込めないこと
を直ちに認識でき、正しく書き込まれていないデータに
起因する不具合を予防し得る。

また、請求項８記載のデータ記憶装置にあっては、第１
と第２の予備エリアに書き込まれているデータが通常エ
リアのデータより優先して読み出されるので、通常エリ
アに不正確に書き込まれたデータを読み出すことがなく
、それだけ読み出されたデータの信頼性は高い。

また、請求項９記載のデータ記憶装置にあっては、通常
エリアのメモリに破損を生じたときに第１の予備エリア
にまずデータが書き込まれることから、読み出し命令で
、まず第１の予備エリアにデータが書き込まれているか
否か検出し、書き込まれていなければ第２の予備エリア
を検出することなしに通常エリアからデータを読み出す
ので、通常エリアのメモリが正常である間のデータの読
み出しがステップの少ない分だけ迅速にできる。

そして、請求項１０記載のデータ記憶装置にあっては、
書き換え可能でしかも不揮発性のメモリ自体は、仕様上
の書き換え回数が比較的に少ないが、これをメモリが実
際に破損する回数まで、または仕様上の書き換え回数を
大幅に上回る回数まで使用でき、経済的に優れている。

さらに、請求項１１記載のデータ記憶装置にあっては、
本発明のデータ記憶装置をフレキシブル製造システムの
ＩＤタグに組み込むので、データがＩＤタグに正確に書
き込まれるとともに、ＩＤタグから読み出されたデータ
は正確で信頼性があり、不正確なデータによりフレキシ
ブル製造システムに重大な不都合を生じさせる虞れがな
く、実用上極めて有益である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のデータ記憶装置の一実施例のデータ
書き込みのフローチャートであり、第２図は、そのデー
タ読み出しのフローチャートであり、第３図は、第１図
の本発明のデータ記憶装置の一実施例のメモリ内のエリ
ア区分を示す図であり、第４図は、Ｅ２ＦＲＯＭの書き
換え回数と故障率のグラフであり、第５図は、第２図と
は異なるデータ読み出しのフローチャートであり、第６
図は、第２図および第５図とはさらに異なるデータ読み
出しのフローチャートであり、第７図は、本発明のデー
タ記憶装置の他の実施例のデータ書き込みのフローチャ
ートであり、第８図は、そのデータ読み出しのフローチ
ャートであり、第９図は、第７図の本発明のデータ記憶
装置の他の実施例のメモリ内のエリア区分を示す図であ
り、第１０図は、第７図とは異なるデータ書き込みのフ
ローチャートであり、第１１図は、そのデータ読み出し
のフローチャートであり、第１２図は、本発明のデータ
記憶装置が適用される一例のフレキシブル製造システム
の概要図である。 ２１．２２．２３．２４：ＩＤタグ、 １００．２００：メモリ、 １１０．２１０：通常エリア、 １２０：第１の予備エリア、 １３０：第２の予備エリア、 １４０：第１のフラグエリア、 Ｉ５０：第２のフラグエリア、 ２２０：予備エリア、 ２３０：フラグエリア。 特許出願人　株式会社横尾製作所 山武ハネウェル株式会社 代理人　弁理士　森　山　哲　夫 （対ｔスフ−＋ｙ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、データを書き換え可能に記憶するメモリを有するデ
   ータ記憶装置において、前記メモリ内にデータが所定ア
   ドレスに通常的に書き込まれる通常エリアとは別に予備
   エリアを設けるとともに、この予備エリアにデータが書
   き込まれたことを示すフラグを書き込むフラグエリアを
   設け、書き込み命令で、前記通常エリアにデータを書き
   込む毎にこの一度書き込まれたデータを読み出して書き
   込むべきデータとの一致をデータ照合手段で照合し、前
   記データ照合手段で不一致が判別すると前記フラグエリ
   アにフラグが書き込まれているか否かをフラグ検出手段
   で検出し、このフラグ検出手段で前記フラグが検出され
   なければ書き込むべきデータとこのデータのアドレスを
   予備エリア書き込み手段で前記予備エリアに書き込むよ
   うに構成したことを特徴とするデータ記憶装置。 ２、請求項１記載のデータ記憶装置において、前記デー
   タ照合手段で一致が判別すると正常終了信号送信手段で
   正常終了信号を送信し、前記データ照合手段で不一致が
   判別すると書き込むべきデータとこのデータのアドレス
   を前記予備エリア書き込み手段で前記予備エリアに書き
   込むとともに警告信号送信手段で警告信号を送信するよ
   うに構成したことを特徴とするデータ記憶装置。 ３、請求項１または２記載のデータ記憶装置において、
   前記フラグ検出手段で前記フラグが検出されると、誤り
   信号送信手段で誤り信号を送信するように構成したこと
   を特徴とするデータ記憶装置。 ４、データを書き換え可能に記憶するメモリを有するデ
   ータ記憶装置において、データが所定アドレスに通常的
   に書き込まれる通常エリアとは別に予備エリアを設ける
   とともに、この予備エリアにデータが書き込まれたこと
   を示すフラグを書き込むフラグエリアを設け、読み出し
   命令で、前記フラグエリアにフラグが書き込まれている
   か否かをフラグ検出手段で検出し、このフラグ検出手段
   で前記フラグが検出されると前記予備エリアに書き込ま
   れたアドレスと読み出すべきデータのアドレスとの一致
   をアドレス照合手段で照合し、一致すれば予備エリア読
   み出し手段で前記予備エリアからデータを読み出し、前
   記アドレス照合手段で不一致または前記フラグ検出手段
   で前記フラグが検出されなければ、通常エリア読み出し
   手段で前記通常エリアからデータを読み出し、この通常
   エリア読み出し手段および前記予備エリア読み出し手段
   で読み出されたデータを送信手段で送信するように構成
   したことを特徴とするデータ記憶装置。 ５、請求項４記載のデータ記憶装置において、前記通常
   エリア読み出し手段で読み出されたデータを前記送信手
   段で送信し、前記予備エリア読み出し手段で読み出され
   たデータを警告信号とともにデータおよび警告信号送信
   手段で送信するように構成したことを特徴とするデータ
   記憶装置。 ６、データを書き換え可能に記憶するメモリを有するデ
   ータ記憶装置において、データが所定アドレスに通常的
   に書き込まれる通常エリアとは別に第１と第２の予備エ
   リアを設けるとともに、これらの第１と第２の予備エリ
   アにデータが書き込まれたことを示すフラグをそれぞれ
   に書き込む第１と第２のフラグエリアを設け、書き込み
   命令で、前記通常エリアにデータを書き込む毎にこの一
   度書き込まれたデータを読み出して書き込むべきデータ
   との一致をデータ照合手段で照合し、一致すれば正常終
   了信号送信手段で正常終了信号を送信し、前記データ照
   合手段で不一致が判別すると前記第１のフラグエリアに
   フラグが書き込まれているか否かを第１のフラグ検出手
   段で検出し、この第１のフラグ検出手段で前記フラグが
   検出されなければ書き込むべきデータとこのデータのア
   ドレスを第１の予備エリア書き込み手段で前記第１の予
   備エリアに書き込むとともに前記正常終了信号送信手段
   で正常終了信号を送信し、前記第１のフラグ検出手段で
   フラグが検出されると前記第２のフラグエリアにフラグ
   が書き込まれているか否かを第２のフラグ検出手段で検
   出し、この第２のフラグ検出手段で前記フラグが検出さ
   れなければ書き込むべきデータとこのデータのアドレス
   を第２の予備エリア書き込み手段で前記第２の予備エリ
   アに書き込むとともに警告信号送信手段で警告信号を送
   信するよう構成したことを特徴とするデータ記憶装置。 ７、請求項６記載のデータ記憶装置において、前記第２
   のフラグ検出手段で前記フラグが検出されると、誤り信
   号送信手段で誤り信号を送信するように構成したことを
   特徴とするデータ記憶装置。 ８、データを書き換え可能に記憶するメモリを有するデ
   ータ記憶装置において、データが所定アドレスに通常的
   に書き込まれる通常エリアとは別に、前記通常エリアに
   データが正確に書き込めないときに順次にデータが書き
   込まれる第１と第２の予備エリアを設け、これらの第１
   と第２の予備エリアにデータが書き込まれたことを示す
   フラグをそれぞれに書き込む第１と第２のフラグエリア
   を設け、読み出し命令で、前記第２のフラグエリアにフ
   ラグが書き込まれているか否かを第２のフラグ検出手段
   で検出し、この第２のフラグ検出手段で前記フラグが検
   出されると前記第２の予備エリアに書き込まれたアドレ
   スと読み出すべきデータのアドレスとの一致を第２のア
   ドレス照合手段で照合し、一致すれば第２の予備エリア
   読み出し手段で前記第２の予備エリアからデータを読み
   出し、前記第２のフラグ検出手段でフラグが検出されな
   ければ前記第１のフラグエリアにフラグが書き込まれて
   いるか否かを第１のフラグ検出手段で検出し、この第１
   のフラグ検出手段で前記フラグが検出されまたは前記第
   ２のアドレス照合手段で不一致が判別すると前記第１の
   予備エリアに書き込まれたアドレスと読み出すべきデー
   タのアドレスとの一致を第１のアドレス照合手段で照合
   し、一致すれば第１の予備エリア読み出し手段で前記第
   １の予備エリアからデータを読み出し、前記第１のフラ
   グ検出手段で前記フラグが検出されずまたは前記第１の
   アドレス照合手段で不一致が判別すると通常エリア読み
   出し手段で前記通常エリアからデータを読み出し、この
   通常エリア読み出し手段および前記第１と第２の予備エ
   リア読み出し手段で読み出されたデータを送信手段で送
   信するよう構成したことを特徴とするデータ記憶装置。 ９、データを書き換え可能に記憶するメモリを有するデ
   ータ記憶装置において、データが所定アドレスに通常的
   に書き込まれる通常エリアとは別に、前記通常エリアに
   データが正確に書き込めないときに順次にデータが書き
   込まれる第１と第２の予備エリアを設け、これらの第１
   と第２の予備エリアにデータが書き込まれたことを示す
   フラグをそれぞれに書き込む第１と第２のフラグエリア
   を設け、読み出し命令で、前記第１のフラグエリアにフ
   ラグが書き込まれているか否かを第１のフラグ検出手段
   で検出し、この第１のフラグ検出手段で前記フラグが検
   出されると前記第１の予備エリアに書き込まれたアドレ
   スと読み出すべきデータのアドレスとの一致を第１のア
   ドレス照合手段で照合し、一致すれば第１の予備エリア
   読み出し手段で前記第１の予備エリアからデータを読み
   出し、前記第１のアドレス照合手段で不一致が判別する
   と前記第２のフラグエリアにフラグが書き込まれている
   か否かを第２のフラグ検出手段で検出し、この第２のフ
   ラグ検出手段で前記フラグが検出されると前記第２の予
   備エリアに書き込まれたアドレスと読み出すべきデータ
   のアドレスとの一致を第２のアドレス照合手段で照合し
   、一致すれば第２の予備エリア読み出し手段で前記第２
   の予備エリアからデータを読み出し、前記第１または第
   ２のフラグ検出手段で前記フラグが検出されずまたは前
   記第２のアドレス照合手段で不一致が判別すると通常エ
   リア読み出し手段で前記通常エリアからデータを読み出
   し、この通常エリア読み出し手段および前記第１と第２
   の予備エリア読み出し手段で読み出されたデータを送信
   手段で送信するように構成したことを特徴とするデータ
   記憶装置。 １０、請求項１ないし９記載のいずれかのデータ記憶装
   置において、当該装置はバッテリーレスであり、電気的
   に書き換え可能でしかも不揮発性のメモリを用いて構成
   したことを特徴とするデータ記憶装置。 １１、フレキシブル製造システムのライン上を流れるワ
   ークのＩＤタグに組み込まれたことを特徴とする請求項
   １０記載のデータ記憶装置。