JPH04133149A - Data storage device - Google Patents
Data storage deviceInfo
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- JPH04133149A JPH04133149A JP2256311A JP25631190A JPH04133149A JP H04133149 A JPH04133149 A JP H04133149A JP 2256311 A JP2256311 A JP 2256311A JP 25631190 A JP25631190 A JP 25631190A JP H04133149 A JPH04133149 A JP H04133149A
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Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Memory System (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、データの書き換え回数が物理的に制限される
メモリに、高い信頼性でデータを書き込むことができる
ようにしたデータ記憶装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a data storage device that is capable of writing data with high reliability into a memory where the number of data rewrites is physically limited. It is.
（従来の技術）
近年、多品種少量生産に好適なシステムとしてフレキシ
ブル製造システムが提案されている。このシステムでは
ライン上を流れるワークに、例えばＩＤタグを付設する
とともに、このＩＤタグにワークの仕様等に関するデー
タが記憶され、各ステーションでデータがＩＤタグから
読み出されて仕様に応じた作業がなされる。そして、Ｉ
Ｄタグに組み込まれるデータ記憶装置は、ワークの仕様
に応じて股り返しデータの書き換えがなされる。(Prior Art) In recent years, flexible manufacturing systems have been proposed as systems suitable for high-mix, low-volume production. In this system, an ID tag, for example, is attached to the workpiece flowing on the line, and data related to the workpiece specifications etc. is stored in this ID tag, and the data is read from the ID tag at each station to perform work according to the specifications. It will be done. And I
In the data storage device built into the D tag, the reversal data is rewritten according to the specifications of the workpiece.
ここで、第１２図により、自動車生産ラインに適応され
たフレキシブル製造システムの一例につき概説する。第
１２図において、製造ライン上を移動するワーク１１〜
１４には、それぞれＩＤタグ２１〜２４が付設される。Here, an example of a flexible manufacturing system adapted to an automobile production line will be outlined with reference to FIG. In FIG. 12, workpieces 11 to 11 moving on the production line
14 are attached with ID tags 21 to 24, respectively.
そして、各ワーク１１〜１４が各ステーションの適宜な
位置まで移動したときにＩＤタグ２１〜２４にそれぞれ
対応するようにリードアンドライト手段としてのＩＤコ
ントローラ３１〜３４が配置される。ID controllers 31 to 34 as read and write means are arranged so as to correspond to the ID tags 21 to 24, respectively, when each of the works 11 to 14 moves to an appropriate position in each station.
そして、第１のステーションでは、ＩＤコントローラ３
１にコンピュータ４０よりＩＤタグ２１〜２４に組み込
まれたデータ記憶装置に各ステーションにおける作業指
示のためのデータが書き込まれる。Then, at the first station, the ID controller 3
1, data for work instructions at each station is written by the computer 40 into the data storage devices built into the ID tags 21-24.
なお、ＩＤタグ２１〜２４はバッテリーレスであり、Ｉ
Ｄコントローラ３１〜３４から送信されるマイクロ波９
１〜９４を受信しさらに整流して直流電圧を発生させ、
この直流電圧を駆動電源としてデータの書き込みおよび
読み出し等が行なわれる。そして、ＩＤコントローラ３
１〜３４と対応してない状態で直流電圧が消滅しても、
データ記憶装置に書き込まわたデータが失なわれないよ
うに、メモリとして電気的に書き換え可能でしかも不揮
発性のＥ２ＦＲＯＭが用いられている。Note that the ID tags 21 to 24 are battery-less and
Microwaves 9 transmitted from D controllers 31 to 34
1 to 94 is received and further rectified to generate a DC voltage,
Data writing, reading, etc. are performed using this DC voltage as a driving power source. And ID controller 3
Even if the DC voltage disappears in a state that does not correspond to 1 to 34,
E2FROM, which is electrically rewritable and nonvolatile, is used as a memory so that data written in the data storage device is not lost.
さらに、第２以後のステーションのＩＤコントローラ３
２〜３４には、上位コントローラとしてのプログラマブ
ルコントローラ５２〜５４が接続される。Furthermore, the ID controller 3 of the second and subsequent stations
Programmable controllers 52 to 54 as upper controllers are connected to 2 to 34.
このプログラマブルコントローラ５２〜５４には、各ス
テーションにおける作業ロボット８２〜６４が接続され
て、各ステーションでＩＤタグ２１〜２４から読み出さ
れたデータに応じた作業がなされる。Work robots 82 to 64 at each station are connected to the programmable controllers 52 to 54, and each station performs work according to data read from the ID tags 21 to 24.
また、コンピュータ４０およびプログラマブルコントロ
ーラ５２〜５４には、さらに上位のコントローラとして
のホストコンピュータ７０が接続される。Further, a host computer 70 as a higher level controller is connected to the computer 40 and the programmable controllers 52 to 54.
なお、矢印８０は、ワークＩＩ〜１４の移動方向を示す
。Note that the arrow 80 indicates the moving direction of the works II to 14.
（発明が解決しようとする課題）
ところで、上記ＩＤタグ２１〜２４のデータ記憶装置の
メモリとして用いられるＥ２ＰＲＯＭは、物理的にデー
タの書き換え回数に例えば１万回というような制約があ
る。そこで、従来にあっては、データの書き換え回数を
推測しまたは計測して、現実にデータの書き換えに誤り
を生じさせる以前にメモリを交換していた。これは、デ
ータが誤って記憶されたＩＤタグが付設されたワークが
製造ライン上に流されて誤った作業がなされ、その結果
製造ラインを停止させるという重大事件の発生を予防す
るためである。(Problems to be Solved by the Invention) By the way, the E2PROM used as the memory of the data storage device of the ID tags 21 to 24 has a physical restriction on the number of times that data can be rewritten, for example, 10,000 times. Therefore, in the past, the number of data rewrites was estimated or measured, and the memory was replaced before an error actually occurred in the data rewrite. This is to prevent the occurrence of a serious incident in which a workpiece to which an ID tag with incorrectly stored data is attached is thrown onto the production line and an erroneous operation is performed, resulting in the production line being stopped.
しかしながら、メモリにデータを書き換えるときに生じ
る誤りは、極めて僅かな確率ではあるが比較的に少ない
書き換え回数でも可能性がある。However, although the probability of an error occurring when rewriting data in the memory is extremely small, it is possible even if the number of rewrites is relatively small.
そこで、データの書き換えを確実に行なわせるためには
、仕様上で許容される書き換え回数よりもかなり前にメ
モリを交換しなければならず、不経済であった。Therefore, in order to rewrite data reliably, it is necessary to replace the memory long before the number of rewrites allowed by the specifications, which is uneconomical.
本発明は、上述のごとき従来のデータ記憶装置の事情に
鑑みてなされたもので、高い信頼性でデータの書き換え
ができ、また誤りを生じさせる書き換え回数まで不具合
を生じさせることなしにメモリを使用でき、さらには仕
様上の書き換え回数以上にメモリを使用できるようにし
たデータ記憶装置を提供することを目的とする。The present invention was made in view of the above-mentioned circumstances of conventional data storage devices, and allows data to be rewritten with high reliability, and memory can be used without causing any defects even up to the number of rewrites that would cause an error. It is an object of the present invention to provide a data storage device in which the memory can be rewritten more often than the specified number of rewrites.
（Ｂ題を解決するための手段）
かかる目的を達成するために、本発明のデータ記憶装置
は、データを書き換え可能に記憶するメモリを有するデ
ータ記憶装置において、前記メモリ内にデータが所定ア
ドレスに通常的に書き込まれる通常エリアとは別に予備
エリアを設けるとともに、この予備エリアにデータが書
き込まれたことを示すフラグを書き込むフラグエリアを
設け、書き込み命令で、前記通常エリアにデータを書き
込む毎にこの一度書き込まれたデータを読み出して書き
込むべきデータとの一致をデータ照合手段で照合し、前
記データ照合手段で不一致が判別すると前記フラグエリ
アにフラグが書き込まれているか否かをフラグ検出手段
で検出し、このフラグ検出手段で前記フラグが検出され
なければ書き込むべきデータとこのデータのアドレスを
予備エリア書き込み手段で前記予備エリアに書き込むよ
うに構成されている。(Means for Solving Problem B) In order to achieve this object, the data storage device of the present invention has a memory for storing data in a rewritable manner, in which data is stored at a predetermined address in the memory. A spare area is provided separately from the normal area where data is normally written, and a flag area is provided to write a flag indicating that data has been written to this spare area. Once written data is read out and matched with the data to be written by a data matching means, and when the data matching means determines that there is a mismatch, a flag detecting means detects whether or not a flag has been written in the flag area. If the flag is not detected by the flag detection means, the data to be written and the address of this data are written in the spare area by the spare area writing means.
そして、前記データ照合手段で一致が判別すると正常終
了信号送信手段で正常終了信号を送信し、前記データ照
合手段で不一致が判別すると書き込むべきデータとこの
データのアドレスを前記予備エリア書き込み手段で前記
予備エリアに書き込むとともに警告信号送信手段で警告
信号を送信するように構成しても良い。When the data matching means determines a match, the normal end signal transmitting means transmits a normal end signal, and when the data matching means determines a mismatch, the data to be written and the address of this data are sent to the reserved area writing means. It may be configured such that the warning signal is written in the area and the warning signal is transmitted by the warning signal transmitting means.
さらに、前記フラグ検出手段で前記フラグが検出される
と、誤り信号送信手段で誤り信号を送信するように構成
することもできる。Furthermore, when the flag is detected by the flag detecting means, the error signal transmitting means may transmit an error signal.
また、本発明のデータ記憶装置は、データを書き換え可
能に記憶するメモリを有するデータ記憶装置において、
データが所定アドレスに通常的に書き込まれる通常エリ
アとは別に予備エリアを設けるとともに、この予備エリ
アにデータが書き込まれたことを示すフラグを書き込む
フラグエリアを設け、読み出し命令で、前記フラグエリ
アにフラグが書き込まれているか否かをフラグ検出手段
で検出し、このフラグ検出手段で前記フラグが検出され
ると前記予備エリアに書き込まれたアドレスと読み出す
べきデータのアドレスとの一致をアドレス照合手段で照
合し、一致すれば予備エリア読み出し手段で前記予備エ
リアからデータを読み出し、前記アドレス照合手段で不
一致または前記フラグ検出手段で前記フラグが検出され
なければ、通常エリア読み出し手段で前記通常エリアか
らデータを読み出し、この通常エリア読み出し手段およ
び前記予備エリア読み出し手段で読み出されたデータを
送信手段で送信するように構成しても良い。Further, the data storage device of the present invention is a data storage device having a memory that stores data in a rewritable manner.
A spare area is provided separately from the normal area where data is normally written to a predetermined address, and a flag area is provided to write a flag indicating that data has been written to this spare area. A flag detecting means detects whether or not the flag has been written, and when the flag is detected by the flag detecting means, an address matching means checks whether the address written in the spare area matches the address of the data to be read. If they match, the spare area reading means reads data from the spare area, and if the address matching means does not match or the flag detection means does not detect the flag, the normal area reading means reads data from the normal area. The data read by the normal area reading means and the spare area reading means may be transmitted by the transmitting means.
そして、前記通常エリア読み出し手段で読み出されたデ
ータを前記送信手段で送信し、前記予備エリア読み出し
手段で読み出されたデータを警告信号とともにデータお
よび警告信号送信手段で送信するように構成することも
できる。The data read by the normal area reading means is transmitted by the transmitting means, and the data read by the spare area reading means is transmitted together with a warning signal by the data and warning signal transmitting means. You can also do it.
また、本発明のデータ記憶装置は、データを書き換え可
能に記憶するメモリを有するデータ記憶装置において、
データが所定アドレスに通常的に書き込まれる通常エリ
アとは別に第１と第２の予備エリアを設けるとともに、
こわらの第１と第２の予備エリアにデータが書き込まれ
たことを示すフラグをそれぞれに書き込む第１と第２の
フラグエリアを設け、書き込み命令で、前記通常エリア
にデータを書き込む毎にこの一度書き込まれたデータを
読み出して書き込むべきデータとの一致をデータ照合手
段で照合し、一致すれば正常終了信号送信手段で正常終
了信号を送信し、前記データ照合手段で不一致が判別す
ると前記第１のフラグエリアにフラグが書き込まれてい
るか否かを第１のフラグ検出手段で検出し、この第１の
フラグ検出手段で前記フラグが検出されなければ書き込
むべきデータとこのデータのアドレスを第１の予備エリ
ア書き込み手段で前記第１の予備エリアに書き込むとと
もに前記正常終了信号送信手段で正常終了信号を送信し
、前記第１のフラグ検出手段で、フラグが検出されると
前記第２のフラグエリアにフラグが書き込まれているか
否かを第２のフラグ検出手段で検出し、この第２のフラ
グ検出手段で前記フラグが検出されなければ書き込むべ
きデータとこのデータのアドレスを第２の予備エリア書
き込み手段で前記第２の予備エリアに書き込むとともに
警告信号送信手段で警告信号を送信するように構成して
も良い。Further, the data storage device of the present invention is a data storage device having a memory that stores data in a rewritable manner.
In addition to providing first and second spare areas separately from the normal area where data is normally written to a predetermined address,
First and second flag areas are provided to write flags indicating that data has been written to the first and second spare areas of the Kowara, respectively, and each time data is written to the normal area with a write command, this The data that has been written once is read out and checked to see if it matches the data to be written. If they match, the normal end signal transmitting means sends a normal end signal. When the data checking means determines that there is a mismatch, the first A first flag detection means detects whether or not a flag is written in the flag area, and if the first flag detection means does not detect the flag, the data to be written and the address of this data are detected in the first The spare area writing means writes in the first spare area, and the normal end signal transmitting means sends a normal end signal, and when the first flag detecting means detects a flag, the first flag detecting means writes in the second flag area. A second flag detecting means detects whether or not a flag has been written, and if the flag is not detected by the second flag detecting means, the data to be written and the address of this data are sent to a second spare area writing means. It may be configured such that the warning signal is written in the second reserve area and the warning signal is transmitted by the warning signal transmitting means.
そして、前記第２のフラグ検出手段で前記フラグが検出
されると、誤り信号送信手段で誤り信号を送信するよう
に構成しても良い。Then, when the second flag detecting means detects the flag, the error signal transmitting means may transmit an error signal.
また、本発明のデータ記憶装置は、データを書き換え可
能に記憶するメモリを有するデータ記憶装置において、
データが所定アドレスに通常的に書き込まれる通常エリ
アとは別に、前記通常エリアにデータが正確に書き込め
ないときに順次にデータが書き込まれる第１と第２の予
備エリアを設け、これらの第１と第２の予備エリアにデ
ータが書き込まれたことを示すフラグをそれぞれに書き
込む第１と第２のフラグエリアを設け、読み出し命令で
、前記第２のフラグエリアにフラグが書き込まれている
か否かを第２のフラグ検出手段で検出し、この第２のフ
ラグ検出手段で前記フラグが検出されると前記第２の予
備エリアに書き込まわたアドレスと読み出すべきデータ
のアドレスとの一致を第２のアドレス照合手段で照合し
、一致すれば第２の予備エリア読み出し手段で前記第２
の予備エリアからデータを読み出し、前記第２のフラグ
検出手段でフラグが検出されなければ前記第１のフラグ
エリアにフラグが書き込まれているか否かを第１のフラ
グ検出手段で検出し、この第１のフラグ検出手段で前記
フラグが検出されまたは前記第２のアドレス照合手段で
不一致が判別すると前記第１の予備エリアに書き込まれ
たアドレスと読み出すべきデータのアドレスとの一致を
第１のアドレス照合手段で照合し、一致すれば第１の予
備エリア読み出し手段で前記第１の予備エリアからデー
タを読み出し、前記第１のフラグ検出手段で前記フラグ
が検出されずまたは前記第１のアドレス照合手段で不一
致が判別すると通常エリア読み出し手段で前記通常エリ
アからデータを読み出し、この通常エリア読み出し手段
および前記第１と第２の予備エリア読み出し手段で読み
出されたデータを送信手段で送信するように構成するこ
ともできる。Further, the data storage device of the present invention is a data storage device having a memory that stores data in a rewritable manner.
In addition to a normal area in which data is normally written to a predetermined address, first and second spare areas are provided in which data is sequentially written when data cannot be accurately written in the normal area. A first and second flag area are provided in which a flag indicating that data has been written to the second reserved area is provided, and a read instruction determines whether or not a flag has been written to the second flag area. A second flag detecting means detects the flag, and when the second flag detecting means detects the flag, a second address check is performed to check whether the address written in the second spare area matches the address of the data to be read. If they match, the second spare area reading means reads the second
If the second flag detection means does not detect a flag, the first flag detection means detects whether or not a flag has been written in the first flag area. When the first flag detection means detects the flag or the second address verification means determines that there is a mismatch, a first address verification is performed to determine whether the address written in the first spare area matches the address of the data to be read. If they match, the first spare area reading means reads the data from the first spare area, and the first flag detecting means does not detect the flag or the first address matching means reads the data from the first spare area. When a mismatch is determined, the normal area reading means reads data from the normal area, and the transmitting means transmits the data read by the normal area reading means and the first and second spare area reading means. You can also do that.
また、本発明のデータ記憶装置は、データを書き換え可
能に記憶するメモリを有するデータ記憶装置において、
データが所定アドレスに通常的に書き込まれる通常エリ
アとは別に、前記通常エリアにデータが正確に書き込め
ないときに順次にデータが書き込まれる第１と第２の予
備エリアを設け、これらの第１と第２の予備エリアにデ
ータが書き込まれたことを示すフラグをそれぞれに書き
込む第１と第２のフラグエリアを設け、読み出し命令で
、前記第１のフラグエリアにフラグが書き込まれている
か否かを第１のフラグ検出手段で検出し、この第１のフ
ラグ検出手段で前記フラグが検出されると前記第１の予
備エリアに書き込まれたアドレスと読み出すべきデータ
のアドレスとの一致を第１のアドレス照合手段で照合し
、一致すれば第１の予備エリア読み出し手段で前記第１
の予備エリアからデータを読み出し、前記第１のアドレ
ス照合手段で不一致が判別すると前記第２のフラグエリ
アにフラグが書き込まれているか否かを第２のフラグ検
出手段で検出し、この第２のフラグ検出手段で前記フラ
グが検出されると前記第２の予備エリアに書き込まれた
アドレスと読み出すべきデータのアドレスとの一致を第
２のアドレス照合手段で照合し、一致すれば第２の予備
エリア読み出し手段で前記第２の予備エリアからデータ
を読み出し、前記第１または第２のフラグ検出手段で前
記フラグが検出されずまたは前記第２のアドレス照合手
段で不一致が判別すると通常エリア読み出し手段で前記
通常エリアからデータを読み出し、この通常エリア読み
出し手段および前記第１と第２の予備エリア読み出し手
段で読み出されたデータを送信手段で送信するように構
成しても良い。Further, the data storage device of the present invention is a data storage device having a memory that stores data in a rewritable manner.
In addition to a normal area in which data is normally written to a predetermined address, first and second spare areas are provided in which data is sequentially written when data cannot be accurately written in the normal area. A first and second flag area are provided in which a flag indicating that data has been written to the second spare area is provided, and a read instruction determines whether or not a flag has been written to the first flag area. A first flag detecting means detects the flag, and when the first flag detecting means detects the flag, a first address is detected to detect a match between the address written in the first spare area and the address of the data to be read. The verification means performs the verification, and if they match, the first spare area reading means reads the first
The data is read from the spare area of When the flag is detected by the flag detection means, the second address verification means checks whether the address written in the second spare area matches the address of the data to be read, and if they match, the address written in the second spare area is checked. A reading means reads data from the second spare area, and if the first or second flag detecting means does not detect the flag or the second address matching means determines that there is a mismatch, the normal area reading means reads the data from the second reserve area. It may be configured such that data is read from the normal area and the data read by the normal area reading means and the first and second spare area reading means is transmitted by the transmitting means.
そして、本発明のデータ記憶装置は、バッテリーレスで
あり、電気的に書き換え可能でしかも不揮発性のメモリ
を用いて構成しても良い。The data storage device of the present invention is batteryless, and may be configured using electrically rewritable and nonvolatile memory.
さらに、本発明のデータ記憶装置は、フレキシブル製造
システムのライン上を流れるワークのＩＤタグに組み込
まれることができる。Furthermore, the data storage device of the present invention can be incorporated into ID tags of workpieces flowing on the line of a flexible manufacturing system.
（作用）
上記のように、メモリ内にデータが所定アドレスに通常
的に書き込まれる通常エリアとは別に予備エリアを設け
、通常エリアに書き込まれたデータを読み出して書き込
むべきデータとデータ照合手段で照合させ、通常エリア
の所定アドレスのメモリが破損されてデータの書き換え
に誤りを生じさせると、そのデータが予備エリアに記憶
されるので、通常エリアの一部のメモリが破損しても予
備エリアの個数だけのデータの書き換えが可能である。(Function) As mentioned above, a spare area is provided in the memory in addition to the normal area where data is normally written to a predetermined address, and the data written in the normal area is read and compared with the data to be written using a data matching means. If the memory at a specified address in the normal area is damaged and an error occurs when rewriting data, that data will be stored in the spare area, so even if some memory in the normal area is damaged, the number of spare areas will not change. Only the data can be rewritten.
そして、すべての予備エリアにデータが書き込まれると
警告信号を送信すれば、メモリの一部が破損しているこ
とを示すことができ、データ記憶装置を適切な時点で交
換し得る。さらに、すべての予備エリアに既にデータが
書き込まれた状態で、通常エリアの他のアドレスのメモ
リが破損してデータが適正に書き換えられなければ、誤
り信号が送信されてデータに誤りが生じたことが示され
る。Sending a warning signal when all reserved areas are filled with data can indicate that a portion of the memory is corrupted and the data storage device can be replaced at an appropriate time. Furthermore, if data has already been written to all spare areas and the memory at other addresses in the normal area is damaged and the data cannot be rewritten properly, an error signal will be sent and an error will occur in the data. is shown.
また、読み込み命令で、まず予備エリアにデータが書き
込まれているか否かを検出し、予備エリアにデータが記
憶されていてそのデータのアドレスが読み出すデータの
アドレスと一致すると、予備エリアのデータが読み出さ
れるので、予備エリアのデータが通常エリアのデータに
優先して読み出され、通常エリアの誤ったデータが読み
出されることがない。そして、予備エリアから読み出さ
れたデータとともに警告信号を送信すれば、データ記憶
装置のメモリの一部が破損していることを示すことがで
きる。Also, in a read command, it is first detected whether data has been written to the spare area, and if data is stored in the spare area and the address of the data matches the address of the data to be read, the data in the spare area is read. Therefore, the data in the spare area is read out with priority over the data in the normal area, and erroneous data in the normal area is not read out. A warning signal can then be sent along with the data read from the spare area, indicating that a portion of the memory of the data storage device is corrupted.
また、第１と第２の予備エリアを設けるならば、通常エ
リアの２つのアドレスのメモリが破損する確率が極めて
小さいことから、仕様上の書き換え回数よりも大幅にメ
モリの使用回数を延長させ得る。しかも、第１と第２の
予備エリアにともにデータが記憶されたときに警告信号
を送信するならば、データ記憶装置を適切な時点で交換
し得る。そして、第１と第２の予備エリアのいずれにも
既にデータが書き込まれていてさらに通常エリアのメモ
リに破損を生じると、誤り信号が送信されてデータが正
しく書き込み得ないことが示される。In addition, if the first and second spare areas are provided, the probability that the memory at the two addresses in the normal area will be damaged is extremely small, so the number of times the memory can be used can be significantly extended beyond the specified number of rewrites. . Moreover, if a warning signal is sent when data is stored in both the first and second spare areas, the data storage device can be replaced at an appropriate time. If data has already been written in both the first and second spare areas and the memory in the normal area is damaged, an error signal is transmitted indicating that data cannot be written correctly.
また、第１または第２の予備エリアに記憶さたデータの
アドレスが読み出すデータのアドレスと一致すると、第
１または第２の予備エリアのデータが通常エリアのデー
タより優先して読み出され、通常エリアに不正確に書き
込まれたデータが読み出されることがない。Furthermore, when the address of the data stored in the first or second spare area matches the address of the data to be read, the data in the first or second spare area is read out with priority over the data in the normal area, and Data incorrectly written in the area will not be read out.
また、通常エリアのメモリに破損を生じた際に第１の予
備エリアにまずデータが書き込まれることから、読み出
し命令で、まず第１の予備エリアにデータが書き込まれ
ているか否かを検出し、第１の予備エリアにデータが書
き込まれていなけわば第２の予備エリアを検出すること
なしに通常エリアからデータを読み出すので、通常エリ
アのメモリが正常である間のデータの読み出しを迅速に
なし得る。In addition, since data is first written to the first spare area when the memory in the normal area is damaged, a read command first detects whether data has been written to the first spare area, If data is not written in the first spare area, data is read from the normal area without detecting the second spare area, so data can be read quickly while the memory in the normal area is normal. obtain.
そして、上記構成によって、書き換え回数が比較的少な
く、電気的に書き換え可能でしかも不揮発性のメモリを
、仕様上で制約される書き換え回数またはそれより大幅
な書き換え回数で、何んら不都合を生じさせずに使用し
得る。With the above configuration, the electrically rewritable and non-volatile memory, which has a relatively small number of rewrites, will not cause any inconvenience if the number of rewrites is limited by the specifications or significantly more. It can be used without
さらに、上記構成のデータ記憶装置をＩＤタグに組み込
むならば、データの書き換えの誤りによりフレキシブル
製造システムのラインを停止させるような重大な故障等
が防止し得る。Furthermore, if the data storage device having the above configuration is incorporated into an ID tag, it is possible to prevent serious failures such as stopping the line of a flexible manufacturing system due to data rewriting errors.
（実施例）
以下、本発明の実施例を第１図ないし第４図を参照して
説明する。第１図は、本発明のデータ記憶装置の一実施
例のデータ書き込みのフローチャートであり、第２図は
、そのデータ読み出しのフローチャートであり、第３図
は、第１図の本発明のデータ記憶装置の一実施例のメモ
リ内のエリア区分を示す図であり、第４図は、Ｅ２ＰＲ
ＯＭの書き換え回数と故障率のグラフである。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4. FIG. 1 is a flowchart of data writing in one embodiment of the data storage device of the present invention, FIG. 2 is a flowchart of data reading thereof, and FIG. FIG. 4 is a diagram showing area divisions in the memory of one embodiment of the device, and FIG.
It is a graph of the number of rewrites of OM and the failure rate.
本発明のデータ記憶装置のメモリとして書き換え可能で
しかも不揮発性のＥ２ＰＲＯＭが用いられる。そして、
メモリ１００内は、第３図のごとく、所定アドレスにデ
ータが通常的に書き込まれるユーザエリアとしての通常
エリア１１０と、これとは別に第１と第２の予備エリア
１２０、］３０が設けられ、さらに第１と第２のフラグ
エリア１４０．１５０が設けられる。そして、第１と第
２の予備エリア１２０．１３０は、それぞれアドレスエ
リアとデータエリアに区分される。A rewritable and nonvolatile E2PROM is used as the memory of the data storage device of the present invention. and,
Inside the memory 100, as shown in FIG. 3, there is provided a normal area 110 as a user area in which data is normally written to a predetermined address, and separate from this a first and second spare area 120, ]30. Furthermore, first and second flag areas 140, 150 are provided. The first and second reserved areas 120 and 130 are divided into an address area and a data area, respectively.
かかるメモリ１００を有するデータ記憶装置におけるデ
ータの書き込みにつき、第１図により説明する。例えば
、第１のステーションで、ＩＤタグ２１がＩＤコントロ
ーラ３１に対応し、ＩＤコントローラ３１からデータの
書き込みが行なわれる。まず、ＩＤコントローラ３１か
ら書き込みコマンドを受信すると（ステップ■）、通常
エリア１１０の指定アドレスにデータを書き込む（ステ
ップ■）。Writing data in a data storage device having such a memory 100 will be explained with reference to FIG. For example, at the first station, the ID tag 21 corresponds to the ID controller 31, and data is written from the ID controller 31. First, when a write command is received from the ID controller 31 (step ■), data is written to the specified address in the normal area 110 (step ■).
次に、通常エリア１１０の指定アドレスから書き込まれ
たデータを読み出しくステップ■）、このデータと書き
込むべきデータとをデータ照合手段で一致するか否かを
照合する（ステップ■）。ここで、一致すれば正常終了
信号送信手段で正常終了信号を送信して（ステップ■）
、書き込みコマンドの実行が終了する。しかしながら、
ステップ■でデータが一致しないならば、通常エリア１
１０の当該アドレスのメモリは破損している。そこで、
第１のフラグエリア１４０にフラグが書き込まれている
か否かを第１のフラグ検出手段で検出する（ステップ■
）。ここで、フラグが検出されなければ、当該データお
よび当該アドレスを第１の予備エリア１２０に書き込む
とともに第１のフラグエリア１４０にフラグを書き込み
（ステップ■）、ステップ■に戻る。また、ステップ■
でフラグが検出されたならば、第２のフラグエリア１５
０にフラグが書き込まれているか否かを第２のフラグ検
出手段で検出する（ステップ■）。ここで、フラグが検
出されなければ、当該データおよび当該アドレスを第２
の予備エリア１３０に書き込むとともに第２のフラグエ
リア１５０にフラグを書き込み（ステップ■）、さらに
警告信号送信手段から警告信号を送信して（ステップ＠
ｌ）、書き込みコマンドの実行が終了する。さらに、ス
テップ■で、フラグが検出されたならば、誤り信号送信
手段から誤り信号を送信して（ステップ■）、書き込み
コマンドの実行が粁了する。Next, the written data is read from the designated address in the normal area 110 (step (2)), and the data matching means checks whether or not the data matches the data to be written (step (2)). Here, if they match, send a normal end signal using the normal end signal sending means (step ■).
, the execution of the write command ends. however,
If the data do not match in step ■, normal area 1
The memory at this address of 10 is corrupted. Therefore,
The first flag detection means detects whether or not a flag is written in the first flag area 140 (step
). Here, if the flag is not detected, the data and the address are written in the first spare area 120 and the flag is written in the first flag area 140 (step 2), and the process returns to step 2. Also, step ■
If a flag is detected in the second flag area 15
The second flag detecting means detects whether or not a flag is written in 0 (step 2). Here, if the flag is not detected, the data and address are transferred to the second
At the same time, a flag is written in the second flag area 150 (step ■), and a warning signal is sent from the warning signal transmitting means (step @
l), execution of the write command ends. Furthermore, if the flag is detected in step (2), an error signal is transmitted from the error signal transmitting means (step (2)), and the execution of the write command is completed.
次に、このようにしてメモリ１００にデータが書き込ま
れるデータ記憶装置におけるデータの読み出しを、第２
図により説明する。例えば、第２のステーションで、Ｉ
Ｄタグ２２がＩＤコントローラ３２に対応し、ＩＤコン
トローラ３２によりデータの読み出しが行なわれる。ま
ず、ＩＤコントローラ３２から読み出しコマンドを受信
すると（ステップ■）、第２のフラグエリア１５０にフ
ラグが書き込まれているか否かを第２のフラグ検出手段
で検出する（ステップ■）。ここで、フラグが検出され
なければ、第１のフラグエリア１４０にフラグが書き込
まれているか否かを第１のフラグ検出手段で検出する（
ステップ■）。ここでもフラグが検出されなければ、通
常エリア１１０の当該アドレスからデータを読み出しく
ステップ■）、そのデータをデータ送信手段でＩＤコン
トローラ３２に送信して（ステップ■）、読み出しコマ
ンドの実行が終了する。そして、ステップ■で、第２の
フラグエリア１５０にフラグが検出されると、第２の予
備エリア１３０に記憶されているアドレスと読み出すべ
き当該データのアドレスを第２のアドレス照合手段で一
致するか否かを照合する（ステップ■）。Next, data reading in the data storage device in which data is written to the memory 100 in this manner is performed in a second manner.
This will be explained using figures. For example, at the second station, I
The D tag 22 corresponds to the ID controller 32, and data is read by the ID controller 32. First, when a read command is received from the ID controller 32 (step ■), the second flag detection means detects whether or not a flag is written in the second flag area 150 (step ■). Here, if no flag is detected, the first flag detection means detects whether or not a flag is written in the first flag area 140 (
Step ■). If the flag is not detected here as well, the data is read from the corresponding address in the normal area 110 (step ■), and the data is transmitted to the ID controller 32 by the data transmission means (step ■), and the execution of the read command is completed. . Then, in step (2), when a flag is detected in the second flag area 150, the second address matching means checks whether the address stored in the second spare area 130 and the address of the data to be read match. Verify whether or not it is true (step ■).
ここで、第２の予備エリア１３０に記憶されたアドレス
と当該データのアドレスか一致すれば、読み出すべきデ
ータが第２の予備エリア１３０に書き込まれており、第
２の予備エリア１３０のデータを読み出しくステップ■
）、つぎにステップ■に移る。ステップ■で、アドレス
が不一致であれば第２の予備エリア１３０には読み出す
べきデータと異なるデータが書き込まれている。このス
テップ■でアドレスが不一致、またはステップ■で第１
のフラグエリア１４０にフラグが検出されると、第１の
予備エリア１２０に記憶されているアドレスと読み出す
べき当該データのアドレスを第１のアドレス照合手段で
一致するか否かを照合する（ステップ■）。ここで、第
１のアドレス照合手段でアドレスが一致すれば、第１の
予備エリア１２０のデータを読み出して（ステップ■）
、つぎにステップ■に移る。また、ステップ■で、アド
レスが不一致であれば、第１の予備エリア１２０には読
み出すべきデータと異なるデータが書き込まれており、
ステップ■に移る。Here, if the address stored in the second spare area 130 matches the address of the data, the data to be read has been written in the second spare area 130, and the data in the second spare area 130 is read out. Step ■
), then move on to step ■. In step (2), if the addresses do not match, data different from the data to be read is written in the second spare area 130. If the addresses do not match in this step ■, or the first
When a flag is detected in the flag area 140, the address stored in the first spare area 120 and the address of the data to be read are checked by the first address checking means to see if they match (step ①). ). Here, if the addresses match in the first address matching means, the data in the first spare area 120 is read out (step ■).
, then move to step ■. Further, if the addresses do not match in step (2), data different from the data to be read is written in the first spare area 120,
Move to step ■.
かかる構成において、書き込みコマンドにより通常エリ
ア１１０に書き込まれたデータに誤りが生じると、まず
第１の予備エリア１２０に書き込み、この第１の予備エ
リア１２０に既にデータが記憶されていれば第２の予備
エリア１３０にデータを記憶させる。そこで、本発明の
データ記憶装置は、通常エリア１１０の２箇所のアドレ
スのメモリが破損した状態となっても、データを正確に
記憶することができる。In such a configuration, if an error occurs in the data written to the normal area 110 by a write command, the data is first written to the first spare area 120, and if data is already stored in the first spare area 120, the data is written to the second spare area 120. Data is stored in the reserve area 130. Therefore, the data storage device of the present invention can accurately store data even if the memories at two addresses in the normal area 110 are damaged.
ところで、メモリ１００として用いるＥ２ＦＲＯＭの書
き換え回数に対する故障率は、第４図に示すごとく、１
％の故障率の増加は例えば１０倍の書き換え回数の増加
により生じる。したがって、通常エリア１１０の１箇所
のアドレスのメモリが破損する書き換え回数に対して、
２箇所のアドレスのメモリが破損する書き換え回数は飛
躍的に増加する。したがって、本発明のデータ記憶装置
にあっては、メモリ１００の仕様上の書き換え回数より
も大幅に大きな書き換え回数まで使用することができる
。しかも、２箇所のアドレスのメモリが破損したことを
示す警告信号の送信により、交換すべき時点を確実に把
握することができる。この結果、フレキシブル製造シス
テムのラインを停止させるような重大な故障を確実に防
止することができる。By the way, the failure rate for the number of rewrites of the E2FROM used as the memory 100 is 1 as shown in FIG.
% increase in failure rate is caused by, for example, a 10 times increase in the number of rewrites. Therefore, for the number of rewrites that damage the memory at one address in the normal area 110,
The number of rewrites that damage the memory at two addresses increases dramatically. Therefore, the data storage device of the present invention can be used up to a significantly greater number of rewrites than the number of rewrites specified in the memory 100 specifications. Moreover, by sending a warning signal indicating that the memories at two addresses are damaged, it is possible to reliably know when to replace them. As a result, serious failures that would cause the line of the flexible manufacturing system to stop can be reliably prevented.
また、読み出しコマンドに応じて、第１と第２のフラグ
エリア１４０．１５０にフラグがあるか否かを検出し、
もしフラグがあれば第１または第２の予備エリア１２０
．１３０に記憶されたアドレスと読み出すべきデータの
アドレスを照合して、一致すれば第１または第２の予備
エリア１２０．１３０のデータを読み出すので、通常エ
リア１１０からのデータの読み出しに優先して第１と第
２の予備エリア１２０．１３０のデータが読み出され、
通常エリア１１０に書き込まれた誤ったデータが読み出
されるようなことがない。In addition, in response to the read command, it is detected whether or not there is a flag in the first and second flag areas 140 and 150,
If there is a flag, the first or second reserve area 120
．． The address stored in 130 and the address of the data to be read are compared, and if they match, the data in the first or second spare area 120 is read out. The data in the first and second reserved areas 120 and 130 are read out,
Erroneous data written to the normal area 110 will not be read out.
第５図は、第２図に示したものとは異なるデータ読み出
しを示すフローチャートである。まず、読み出しコマン
ドをＩＤコントローラ３２から受信すると（ステップ■
）、第１のフラグエリア１４０にフラグが書き込まれて
いるか否かを第１のフラグ検出手段で検出する（ステッ
プ■）。ここで、フラグが検出されなけ九ば、通常エリ
ア］ｌ［ｌの当該アドレスからデータを読み出しくステ
ップ■）、そのデータをデータ送信手段でＩＤコントロ
ーラ３２に送信して（ステップ■）、読み出しコマンド
の実行が終了する。ステップ■でフラグが検出されれば
、第１の予備エリア１２０に記憶されているアドレスと
読み出すべき当該データのアドレスを第１のアドレス照
合手段で一致するか否かを照合する（ステップ■）。こ
こで、第１の予備エリア１２０に記憶されているアドレ
スと読み出すべき当該データのアドレスが一致すれば、
読み出すべきデータが第１の予備エリア１２０に書き込
まれており、第１の予備エリア１２０からデータを読み
出しくステップ■）、つぎにステップ■に移る。ステッ
プ■で、アドレスが一致しなければ、第１の予備エリア
１２０には読み出すべきデータと異なるデータが記憶さ
れている。そこで次に、第２のフラグエリア１５０にフ
ラグが書き込まれているか否かを第２のフラグ検出手段
で検出する（ステップ■）。ここで、フラグが検出され
れば、第２の予備エリア１３０に記憶されているアドレ
スと読み出すべき当該データのアドレスを第２のアドレ
ス照合手段で一致するか否かを照合する（ステップ■）
。そして、アドレスが一致すれば、第２の予備エリア１
３０からデータを読み出しくステップ■）、つぎにステ
ップ■に移る。なお、ステップ■でフラグが検出されず
、またはステップ■でアドレスが一致しなければ、第２
の予備エリア１３０には読み出すべきデータが記憶され
ておらず・ステップ■に移る。FIG. 5 is a flowchart illustrating data reading different from that shown in FIG. First, when a read command is received from the ID controller 32 (step
), the first flag detection means detects whether or not a flag is written in the first flag area 140 (step (2)). Here, if the flag is not detected, the data is read from the address in the normal area] l [l (step ■), the data is transmitted to the ID controller 32 by the data transmission means (step ■), and a read command is sent. execution ends. If the flag is detected in step (2), the address stored in the first spare area 120 and the address of the data to be read are checked to see if they match by the first address checking means (step (2)). Here, if the address stored in the first spare area 120 and the address of the data to be read match,
The data to be read has been written in the first spare area 120, and the process moves to step (2) to read the data from the first spare area 120, and then to step (2). If the addresses do not match in step (2), the first spare area 120 stores data different from the data to be read. Therefore, next, the second flag detecting means detects whether or not a flag is written in the second flag area 150 (step (2)). Here, if the flag is detected, the address stored in the second spare area 130 and the address of the data to be read are checked to see if they match by the second address checking means (step ■).
. If the addresses match, the second spare area 1
Step (2) reads data from 30, and then moves to step (2). Note that if the flag is not detected in step ■ or the addresses do not match in step ■, the second
Since no data to be read is stored in the spare area 130, the process moves to step (2).
かかる読み出しコマンドの実行においては、第１のフラ
グエリア１４０にフラグが検出されなければ、第２のフ
ラグエリア１５０のフラグを検出することなしに通常エ
リア１１０からデータの読み出しを行なう。ところで、
第１図に示す書き込みコマンドで、通常エリア１１０の
一部のアドレスのメモリが破損されるとまず第１の予備
エリア１２０にデータを書き込むとともに第１のフラグ
エリア１４０にフラグを書き込むことから、第１のフラ
グエリア１４０にフラグが検出されなければ、第２の予
備エリア１３０にデータが書き込まれていることはない
。そこで、第１のフラグエリア１４０にフラグが検出さ
れなければ、直ちに通常エリア１１０からデータを読み
出すことで、メモリ１００が正常である場合のデータの
読み出しが、第２図に示すフローチャートによる動作よ
り迅速となる。In executing such a read command, if no flag is detected in the first flag area 140, data is read from the normal area 110 without detecting the flag in the second flag area 150. by the way,
With the write command shown in FIG. 1, if the memory at a part of the address in the normal area 110 is damaged, data is first written to the first spare area 120 and a flag is written to the first flag area 140. If no flag is detected in the first flag area 140, no data is written in the second spare area 130. Therefore, if no flag is detected in the first flag area 140, by immediately reading data from the normal area 110, data can be read more quickly than the operation according to the flowchart shown in FIG. 2 when the memory 100 is normal. becomes.
第６図は、第２図および第５図に示したものとはさらに
異なるデータ読み出しを示すフローチャートである。読
み出しコマンドを受信すると（ステップ■）、第１のフ
ラグエリア１４０のフラグの有無を検出しくステップ■
）、フラグが検出されなければ第２のフラグエリア１５
０のフラグの有無を検出しくステップ■）、フラグが検
出されなければ通常エリア１１０からデータを読み出し
くステップ■）、さらにデータを送信して（ステップ■
）、読み出しコマンドの実行を終了する。ステップ■で
、フラグが検出されれば、第１の予備エリア１２０に記
憶されているアドレスと読み出すべきデータのアドレス
を照合しくステップ■）、一致すれば第１の予備エリア
１２０からデータを読み出して（ステップ■）、つぎに
ステップ■に移る。また、ステップ■で、アドレスが一
致しなければ、ステップ■に移る。そして、ステップ■
で、フラグが検出されると、第２の予備エリア１３０に
記憶されているアドレスと読み出すべきデータのアドレ
スを照合しくステップ■）、一致すれば第２の予備エリ
ア１３０からデータを読み出しくステップ■）、つぎに
ステップ■に移る。そしてまた、ステップ■で、アドレ
スが一致しなければ、ステップ■に移る。なお、ステッ
プ■と■の順序が逆であっても良い。FIG. 6 is a flowchart illustrating data reading that is further different from that shown in FIGS. 2 and 5. When the read command is received (step ■), the presence or absence of the flag in the first flag area 140 is detected in step ■.
), and if no flag is detected, the second flag area 15
Detect the presence or absence of a flag of 0 (Step ■), and if no flag is detected, read data from the normal area 110 (Step ■), and then transmit the data (Step ■
), terminates execution of the read command. In step (2), if the flag is detected, the address stored in the first spare area 120 is checked against the address of the data to be read (step (2)), and if they match, the data is read out from the first spare area 120. (Step ■), then move on to Step ■. Furthermore, if the addresses do not match in step (2), the process moves to step (2). And step■
When the flag is detected, the address stored in the second spare area 130 is checked against the address of the data to be read (step (2)), and if they match, the data is read from the second spare area 130 (step (2)). ), then move on to step ■. Then again, if the addresses do not match in step (2), the process moves to step (2). Note that the order of steps (■) and (2) may be reversed.
第７図ないし第９図は、本発明のデータ記憶装置の他の
実施例を示し、第７図は、本発明のデータ記憶装置の他
の実施例のデータ書き込みのフローチャートであり、第
８図は、そのデータ読み出しのフローチャートであり、
第９図は、第７図の本発明のデータ記憶装置の他の実施
例のメモリ内のエリア区分を示す図である。7 to 9 show other embodiments of the data storage device of the present invention, FIG. 7 is a flowchart of data writing in another embodiment of the data storage device of the present invention, and FIG. is the flowchart for reading the data,
FIG. 9 is a diagram showing area divisions within the memory of another embodiment of the data storage device of the present invention shown in FIG.
まず、メモリ２００内は、第９図のごとく、所定アドレ
スにデータが通常的に書き込まれるユーザエリアとして
の通常エリア２１０とは別に予備エリア２１０が設けら
れ、さらにフラグエリア２２０が設けられる。そして、
予備エリア２１０は、アドレスエリアとデータエリアに
区分けされる。このように、１個の予備エリア２１０シ
か設けられていない点で、第３図に示すメモリ１００の
エリア区分と相違する。First, in the memory 200, as shown in FIG. 9, a spare area 210 is provided separately from a normal area 210 as a user area in which data is normally written to a predetermined address, and a flag area 220 is also provided. and,
Reserve area 210 is divided into an address area and a data area. This is different from the area division of the memory 100 shown in FIG. 3 in that only one spare area 210 is provided.
かかるメモリ２００を有するデータ記憶装置におけるデ
ータ書き込みを、第７図により説明する。Data writing in a data storage device having such a memory 200 will be explained with reference to FIG.
まず、書き込みコマンドが受信されるステップ■から正
しくデータが書き込まれた状態での正常終了信号を送信
するステップ■までは、第１図と同様である。そして、
ステップ■のデータ照合手段による照合でデータが不一
致であれば、フラグエリア２３０にフラグが書き込まれ
ているか否かをフラグ検出手段で検出する（ステップ■
）。フラグが検出されなければ、当該データおよび当該
アドレスを予備エリア２２０に書き込むとともにフラグ
エリア２３０にフラグを書き込み（ステップ■）、さら
に警告信号送信手段から警告信号を送信して（ステップ
■）、書き込みコマンドの実行が終了する。ステップ■
で、フラグが検出されると、誤り信号送信手段から誤り
信号を送信して（ステップ■）、書き込みコマンドの実
行が終了する。First, the steps from step (2) in which a write command is received to step (2) in which a normal end signal is sent in a state in which data has been correctly written are the same as in FIG. and,
If the data do not match in the comparison by the data comparison means in step (2), the flag detection means detects whether or not a flag is written in the flag area 230 (step (2)
). If the flag is not detected, the relevant data and the relevant address are written to the spare area 220, a flag is written to the flag area 230 (step ■), and a warning signal is sent from the warning signal transmitting means (step ■), and a write command is issued. execution ends. Step ■
When the flag is detected, an error signal is transmitted from the error signal transmitting means (step ■), and the execution of the write command is completed.
このようにしてメモリ２００にデータが書き込まれるデ
ータ記憶装置におけるデータの読み出しを、第８図によ
り説明する。まず、データの読み出しコマンドを受信す
ると（ステップ■）、フラグエリア２３０にフラグが書
き込まれているか否かをフラグ検出手段で検出する（ス
テップ■）。ここで、フラグが検出されなければ、通常
エリア２１０の当該アドレスからデータを読み出しくス
テップ■）、そのデータをデータ送信手段で送信して（
ステップ■）、読み出しコマンドの実行が終了する。そ
して、ステップ■で、フラグエリア２３０にフラグが検
出されると、予備エリア２２０に記憶されているアドレ
スと読み出すべき当該データのアドレスをアドレス照合
手段で一致するか否かを照合する（ステップ■）。ここ
で、アドレスが一致すれば、予備エリア２２０からデー
タを読み出しくステップ■）、つぎにステップ■に移り
、ステップ■で、アドレスが一致しなければ、ステップ
■に移る。Reading of data in the data storage device in which data is written to the memory 200 in this manner will be explained with reference to FIG. First, when a data read command is received (step 2), the flag detection means detects whether a flag is written in the flag area 230 (step 2). Here, if the flag is not detected, the data is read from the corresponding address in the normal area 210 (step (2)), and the data is transmitted by the data transmission means (
Step ■), the execution of the read command is completed. When a flag is detected in the flag area 230 in step (2), the address matching means checks whether the address stored in the spare area 220 and the address of the data to be read match (step (2)). . Here, if the addresses match, the process moves to step (2) in which data is read from the spare area 220, and then to step (2), and if the addresses do not match, the process moves to step (2).
かかる構成にあっては、通常エリア２１０の１箇所のア
ドレスのメモリが破損しても、予備エリア２２０にデー
タが正確に書き込まれて、何んら不都合を生じさせるこ
とがなく信頼性が向上する。そこで、予備エリア２２０
にデータが書き込まれた時点で警告信号を送信して適宜
に交換すれば、メモリ２００を実際に書き換えできなく
なるまで使用でき、極めて経済的である。そして、この
第７図ないし第９図に示す実施例では、第１図ないし第
３図に示す実施例のごとく、メモリの実質的な書き換え
回数を増加させることはできないが、構造が＊＊なもの
になるとともに、予備エリアが少ない分だけメモリ２０
０を効率良く利用できる。With such a configuration, even if the memory at one address in the normal area 210 is damaged, data will be accurately written to the spare area 220, and reliability will be improved without causing any inconvenience. . Therefore, the reserve area 220
If a warning signal is sent to the memory 200 when data is written to the memory 200 and the memory 200 is replaced as appropriate, the memory 200 can be used until it can no longer be actually rewritten, which is extremely economical. In the embodiments shown in FIGS. 7 to 9, unlike the embodiments shown in FIGS. 1 to 3, it is not possible to increase the actual number of rewrites of the memory, but the structure is As the storage capacity increases, the memory capacity increases by 20% due to the small amount of spare area.
0 can be used efficiently.
第１０図および第１１図は、第７図および第８図とは異
なるデータ書き込みおよびデータ読み出しをそわぞれに
示すフローチャートである。FIGS. 10 and 11 are flowcharts showing data writing and data reading, respectively, which are different from those in FIGS. 7 and 8.
まず、データの書き込みにつき第１０図により説明する
。第１０図において、第７図に示すフローチャートと相
違するところは、ステップ■と■を経ずに書き込みコマ
ンドの実行が終了することにある。次に、データの読み
出しにつき第１１図により説明する。第１１図において
、第８図に示すフローチャートと相違するところは、予
備エリア２２０からデータを読み出すステップ■に続い
て、このデータとともに警告信号をデータおよび警告信
号送信手段から送信して（ステップ■）、読み出しコマ
ンドの実行が終了することにある。First, data writing will be explained with reference to FIG. The difference in FIG. 10 from the flowchart shown in FIG. 7 is that the execution of the write command is completed without going through steps (2) and (2). Next, data reading will be explained with reference to FIG. The difference in FIG. 11 from the flowchart shown in FIG. 8 is that following the step (2) of reading data from the reserve area 220, a warning signal is transmitted together with this data from the data and warning signal transmitting means (step (2)). , the execution of the read command ends.
かかる構成にあっては、データの書き換えの際に、通常
エリア２１０の１部のアドレスのメモリが破損していて
予備エリア２２０にデータが書き込まれても、メモリ２
００が破損していることを認識できないが、このデータ
が読み出された際には予備エリア２２０から読み出され
たデータとともに警告信号が送信されるので、メモリ２
００の破損を認識できる。このように、書き換えまたは
読み出しのいずれかのときに、メモリ２００が破損して
いることを何んらかの方法で示せば良い。In such a configuration, even if the memory at a part of the address in the normal area 210 is damaged and data is written to the spare area 220 during data rewriting, the memory 2
00 is damaged, but when this data is read, a warning signal is sent along with the data read from the spare area 220, so the memory 2
00 damage can be recognized. In this way, it is sufficient to use some method to indicate that the memory 200 is damaged during either rewriting or reading.
なお、メモリ１００．２００は、上記実施例のごと〈Ｅ
２ＰＲＯＭに限られず、書き換え回数が有限である他の
メモリを用いて本発明のデータ記憶装置を構成しても良
い。そして、上記実施例ではバッテリーレスのために不
揮発性のメモリを用いているが、装置に電源を備えてい
るならば揮発性メモリを用いて本発明のデータ記憶装置
を構成することもできる。また、上記実施例では、予備
エリアにデータが書き込まれているか否かをフラグエリ
アに書き込まれるフラグの有無で判別しているが、フラ
グエリアを設けずに、直接に予備エリアに書き込まれた
アドレスと読み出すべきデータのアドレスとを照合して
も良い。Note that the memories 100 and 200 are the same as in the above embodiment.
The data storage device of the present invention is not limited to 2PROM, but may be constructed using other memories that can be rewritten a limited number of times. In the above embodiment, a non-volatile memory is used for battery-less operation, but the data storage device of the present invention can also be constructed using a volatile memory if the device is equipped with a power source. In addition, in the above embodiment, whether or not data is written in the spare area is determined by the presence or absence of a flag written in the flag area, but the address written directly to the spare area without providing a flag area The address of the data to be read may be compared with the address of the data to be read.
さらに、上記実施例では、予備エリアを１個または２個
設けるものについて説明したが、これに限られることな
く、３個以上設けても良いことは勿論である。Further, in the above embodiment, one or two spare areas are provided, but the invention is not limited to this, and it goes without saying that three or more spare areas may be provided.
（発明の効果）
本発明のデータ記憶装置は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に記載されるような効果を奏する。(Effects of the Invention) Since the data storage device of the present invention is configured as described above, it produces the effects described below.
請求項１記載のデータ記憶装置にあっては、通常エリア
の一部のアドレスのメモリが破損して、データが正しく
書き込まれなければ、当該データは予備エリアに書き込
まれるので、通常エリアのメモリの破損によって直ちに
データ記憶装置が使用できなくなることがない。In the data storage device according to claim 1, if the memory at a part of the address in the normal area is damaged and data is not written correctly, the data is written to the spare area. Corruption does not immediately render the data storage device unusable.
そして、請求項２記載のデータ記憶装置にあっては、予
備エリアにデータが書き込まれると、警告信号が送信さ
れるので、この警告信号によって通常エリアのメモリが
破損したことを認識でき一部のアドレスのメモリが現実
に破損した時点で交換することができ、経済的である。In the data storage device according to claim 2, when data is written in the spare area, a warning signal is transmitted, so that it can be recognized that the memory in the normal area has been damaged by this warning signal. Address memory can be replaced at the point of actual damage, making it economical.
さらに、請求項３記載のデータ記憶装置にあっては、フ
ラグの検出で、予備エリアに既にデータか書き込まれて
いて、さらに通常エリアのメモリに破損を生じて別のデ
ータを予備エリアに書き込もうとすると、誤り信号が送
信されるので、データが正しく書き込めないことを直ち
に認知でき、正しく書き込まれないデータに起因する不
具合を予防し得る。Furthermore, in the data storage device according to claim 3, when the flag is detected, it is determined that data has already been written in the spare area, and furthermore, if the memory in the normal area is damaged and another data is written in the spare area. Then, since an error signal is transmitted, it can be immediately recognized that data cannot be written correctly, and problems caused by incorrectly written data can be prevented.
また、請求項４記載のデータ記憶装置にあフては、読み
出し命令により、予備エリアにデータが記憶されている
とそのアドレスと読み出すべきデータのアドレスを照合
し、一致すれば予備エリアのデータを読み出し、アドレ
スが一致しなければ通常エリアから当該アドレスのデー
タを読み出すので、予備エリアのデータが通常エリアの
データに優先して読み出されて、通常エリアの誤ったデ
ータが読み出されるようなことがなく、それだけ読み出
されたデータの信頼性が高い。Further, in the data storage device according to claim 4, if data is stored in the spare area by the read command, the address of the data is compared with the address of the data to be read, and if they match, the data in the spare area is read. When reading, if the addresses do not match, the data at that address is read from the normal area, so there is no possibility that the data in the spare area will be read out in preference to the data in the normal area, and incorrect data in the normal area will be read out. Therefore, the reliability of the read data is high.
そして、請求項５記載のデータ記憶装置にあっては、予
備エリアから読み出されたデータとともに警告信号が送
信されるので、データの読み出しの際に、通常エリアの
一部のアドレスのメモリに破損が生じていることを認識
できる。In the data storage device according to claim 5, the warning signal is transmitted together with the data read from the spare area, so that when reading data, the memory at some addresses in the normal area is damaged. It is possible to recognize that something is occurring.
また、請求項６記載のデータ記憶装置にあっては、第１
と第２の予備エリアを設けたので、通常エリアの２つの
アドレスのメモリが破損してもデータを正確に書き込む
ことができる。そして、２つのアドレスのメモリに破損
が生じるまでの書き換え回数は、メモリの仕様上の書き
換え回数を大幅に上回り、それだけデータ記憶装置の書
き換え回数を増大させることができて、極めて経済的で
ある。また、２つの予備エリアにデータが書き込まれた
ときに送信される警告信号により、通常エリアの２つの
アドレスのメモリが現実に破損した時点で、データ記憶
装置を交換することができる。Further, in the data storage device according to claim 6, the first
Since a second spare area is provided, data can be written accurately even if the memory at two addresses in the normal area is damaged. The number of rewrites required until the memory at two addresses is damaged is significantly greater than the number of rewrites specified in the memory specifications, and the number of times the data storage device can be rewritten can be increased accordingly, making it extremely economical. Further, the warning signal sent when data is written to the two spare areas allows the data storage device to be replaced when the memories at the two addresses in the normal area are actually damaged.
そして、請求項７記載のデータ記憶装置にあっては、第
１と第２の予備エリアのいずれにも既にデータが書き込
まれていて、さらに通常エリアのメモリに破損を生じて
別のデータを予備エリアに書き込もうとすると、誤り信
号が送信されるので、データが正しく書き込めないこと
を直ちに認識でき、正しく書き込まれていないデータに
起因する不具合を予防し得る。In the data storage device according to claim 7, data has already been written in both the first and second spare areas, and furthermore, if the memory in the normal area is damaged, another data is written as a spare area. When an attempt is made to write into the area, an error signal is transmitted, so it can be immediately recognized that data cannot be written correctly, and problems caused by incorrectly written data can be prevented.
また、請求項８記載のデータ記憶装置にあっては、第１
と第２の予備エリアに書き込まれているデータが通常エ
リアのデータより優先して読み出されるので、通常エリ
アに不正確に書き込まれたデータを読み出すことがなく
、それだけ読み出されたデータの信頼性は高い。Further, in the data storage device according to claim 8, the first
Since the data written in the second spare area is read out with priority over the data in the normal area, data incorrectly written in the normal area will not be read out, and the reliability of the read data will be increased accordingly. is expensive.
また、請求項９記載のデータ記憶装置にあっては、通常
エリアのメモリに破損を生じたときに第１の予備エリア
にまずデータが書き込まれることから、読み出し命令で
、まず第１の予備エリアにデータが書き込まれているか
否か検出し、書き込まれていなければ第２の予備エリア
を検出することなしに通常エリアからデータを読み出す
ので、通常エリアのメモリが正常である間のデータの読
み出しがステップの少ない分だけ迅速にできる。Further, in the data storage device according to claim 9, when the memory in the normal area is damaged, data is first written to the first spare area. It detects whether data has been written to the area, and if it has not been written, data is read from the normal area without detecting the second spare area, so data can be read while the memory in the normal area is normal. The fewer steps it takes, the faster it can be done.
そして、請求項１０記載のデータ記憶装置にあっては、
書き換え可能でしかも不揮発性のメモリ自体は、仕様上
の書き換え回数が比較的に少ないが、これをメモリが実
際に破損する回数まで、または仕様上の書き換え回数を
大幅に上回る回数まで使用でき、経済的に優れている。In the data storage device according to claim 10,
Memory itself, which is rewritable and non-volatile, has a relatively low specified number of rewrites, but it can be used up to the number of times that the memory actually becomes corrupted or significantly exceeds the specified number of rewrites, making it economical. excellent in terms of
さらに、請求項１１記載のデータ記憶装置にあっては、
本発明のデータ記憶装置をフレキシブル製造システムの
ＩＤタグに組み込むので、データがＩＤタグに正確に書
き込まれるとともに、ＩＤタグから読み出されたデータ
は正確で信頼性があり、不正確なデータによりフレキシ
ブル製造システムに重大な不都合を生じさせる虞れがな
く、実用上極めて有益である。Furthermore, in the data storage device according to claim 11,
Since the data storage device of the present invention is incorporated into an ID tag of a flexible manufacturing system, data is accurately written to the ID tag, and data read from the ID tag is accurate and reliable, and the flexible manufacturing system There is no risk of causing serious inconvenience to the manufacturing system, and it is extremely useful in practice.
第１図は、本発明のデータ記憶装置の一実施例のデータ
書き込みのフローチャートであり、第２図は、そのデー
タ読み出しのフローチャートであり、第３図は、第１図
の本発明のデータ記憶装置の一実施例のメモリ内のエリ
ア区分を示す図であり、第４図は、Ｅ２ＦＲＯＭの書き
換え回数と故障率のグラフであり、第５図は、第２図と
は異なるデータ読み出しのフローチャートであり、第６
図は、第２図および第５図とはさらに異なるデータ読み
出しのフローチャートであり、第７図は、本発明のデー
タ記憶装置の他の実施例のデータ書き込みのフローチャ
ートであり、第８図は、そのデータ読み出しのフローチ
ャートであり、第９図は、第７図の本発明のデータ記憶
装置の他の実施例のメモリ内のエリア区分を示す図であ
り、第１０図は、第７図とは異なるデータ書き込みのフ
ローチャートであり、第１１図は、そのデータ読み出し
のフローチャートであり、第１２図は、本発明のデータ
記憶装置が適用される一例のフレキシブル製造システム
の概要図である。
２１．２２．２３．２４：ＩＤタグ、
１００．２００：メモリ、
１１０．２１０：通常エリア、
１２０：第１の予備エリア、
１３０：第２の予備エリア、
１４０：第１のフラグエリア、
Ｉ５０：第２のフラグエリア、
２２０：予備エリア、
２３０：フラグエリア。
特許出願人 株式会社横尾製作所
山武ハネウェル株式会社
代理人 弁理士 森 山 哲 夫
（対ｔスフ−＋ｙ）FIG. 1 is a flowchart of data writing in one embodiment of the data storage device of the present invention, FIG. 2 is a flowchart of data reading thereof, and FIG. FIG. 4 is a graph showing the number of rewrites and failure rate of E2FROM, and FIG. 5 is a data read flowchart different from FIG. 2. Yes, 6th
This figure is a flowchart for reading data that is different from those in FIGS. 2 and 5, FIG. 7 is a flowchart for writing data in another embodiment of the data storage device of the present invention, and FIG. 9 is a flowchart of the data readout, and FIG. 9 is a diagram showing area divisions in the memory of another embodiment of the data storage device of the present invention shown in FIG. 7. FIG. FIG. 11 is a flowchart of different data writing, FIG. 11 is a flowchart of data reading, and FIG. 12 is a schematic diagram of an example of a flexible manufacturing system to which the data storage device of the present invention is applied. 21.22.23.24: ID tag, 100.200: Memory, 110.210: Normal area, 120: First reserve area, 130: Second reserve area, 140: First flag area, I50: Second flag area, 220: Reserve area, 230: Flag area. Patent applicant: Yokoo Seisakusho Co., Ltd. Yamatake Honeywell Co., Ltd. Agent: Patent attorney: Tetsuo Moriyama (vs. TSUFU-+Y)
Claims (1)
ータ記憶装置において、前記メモリ内にデータが所定ア
ドレスに通常的に書き込まれる通常エリアとは別に予備
エリアを設けるとともに、この予備エリアにデータが書
き込まれたことを示すフラグを書き込むフラグエリアを
設け、書き込み命令で、前記通常エリアにデータを書き
込む毎にこの一度書き込まれたデータを読み出して書き
込むべきデータとの一致をデータ照合手段で照合し、前
記データ照合手段で不一致が判別すると前記フラグエリ
アにフラグが書き込まれているか否かをフラグ検出手段
で検出し、このフラグ検出手段で前記フラグが検出され
なければ書き込むべきデータとこのデータのアドレスを
予備エリア書き込み手段で前記予備エリアに書き込むよ
うに構成したことを特徴とするデータ記憶装置。 ２、請求項１記載のデータ記憶装置において、前記デー
タ照合手段で一致が判別すると正常終了信号送信手段で
正常終了信号を送信し、前記データ照合手段で不一致が
判別すると書き込むべきデータとこのデータのアドレス
を前記予備エリア書き込み手段で前記予備エリアに書き
込むとともに警告信号送信手段で警告信号を送信するよ
うに構成したことを特徴とするデータ記憶装置。 ３、請求項１または２記載のデータ記憶装置において、
前記フラグ検出手段で前記フラグが検出されると、誤り
信号送信手段で誤り信号を送信するように構成したこと
を特徴とするデータ記憶装置。 ４、データを書き換え可能に記憶するメモリを有するデ
ータ記憶装置において、データが所定アドレスに通常的
に書き込まれる通常エリアとは別に予備エリアを設ける
とともに、この予備エリアにデータが書き込まれたこと
を示すフラグを書き込むフラグエリアを設け、読み出し
命令で、前記フラグエリアにフラグが書き込まれている
か否かをフラグ検出手段で検出し、このフラグ検出手段
で前記フラグが検出されると前記予備エリアに書き込ま
れたアドレスと読み出すべきデータのアドレスとの一致
をアドレス照合手段で照合し、一致すれば予備エリア読
み出し手段で前記予備エリアからデータを読み出し、前
記アドレス照合手段で不一致または前記フラグ検出手段
で前記フラグが検出されなければ、通常エリア読み出し
手段で前記通常エリアからデータを読み出し、この通常
エリア読み出し手段および前記予備エリア読み出し手段
で読み出されたデータを送信手段で送信するように構成
したことを特徴とするデータ記憶装置。 ５、請求項４記載のデータ記憶装置において、前記通常
エリア読み出し手段で読み出されたデータを前記送信手
段で送信し、前記予備エリア読み出し手段で読み出され
たデータを警告信号とともにデータおよび警告信号送信
手段で送信するように構成したことを特徴とするデータ
記憶装置。 ６、データを書き換え可能に記憶するメモリを有するデ
ータ記憶装置において、データが所定アドレスに通常的
に書き込まれる通常エリアとは別に第１と第２の予備エ
リアを設けるとともに、これらの第１と第２の予備エリ
アにデータが書き込まれたことを示すフラグをそれぞれ
に書き込む第１と第２のフラグエリアを設け、書き込み
命令で、前記通常エリアにデータを書き込む毎にこの一
度書き込まれたデータを読み出して書き込むべきデータ
との一致をデータ照合手段で照合し、一致すれば正常終
了信号送信手段で正常終了信号を送信し、前記データ照
合手段で不一致が判別すると前記第１のフラグエリアに
フラグが書き込まれているか否かを第１のフラグ検出手
段で検出し、この第１のフラグ検出手段で前記フラグが
検出されなければ書き込むべきデータとこのデータのア
ドレスを第１の予備エリア書き込み手段で前記第１の予
備エリアに書き込むとともに前記正常終了信号送信手段
で正常終了信号を送信し、前記第１のフラグ検出手段で
フラグが検出されると前記第２のフラグエリアにフラグ
が書き込まれているか否かを第２のフラグ検出手段で検
出し、この第２のフラグ検出手段で前記フラグが検出さ
れなければ書き込むべきデータとこのデータのアドレス
を第２の予備エリア書き込み手段で前記第２の予備エリ
アに書き込むとともに警告信号送信手段で警告信号を送
信するよう構成したことを特徴とするデータ記憶装置。 ７、請求項６記載のデータ記憶装置において、前記第２
のフラグ検出手段で前記フラグが検出されると、誤り信
号送信手段で誤り信号を送信するように構成したことを
特徴とするデータ記憶装置。 ８、データを書き換え可能に記憶するメモリを有するデ
ータ記憶装置において、データが所定アドレスに通常的
に書き込まれる通常エリアとは別に、前記通常エリアに
データが正確に書き込めないときに順次にデータが書き
込まれる第１と第２の予備エリアを設け、これらの第１
と第２の予備エリアにデータが書き込まれたことを示す
フラグをそれぞれに書き込む第１と第２のフラグエリア
を設け、読み出し命令で、前記第２のフラグエリアにフ
ラグが書き込まれているか否かを第２のフラグ検出手段
で検出し、この第２のフラグ検出手段で前記フラグが検
出されると前記第２の予備エリアに書き込まれたアドレ
スと読み出すべきデータのアドレスとの一致を第２のア
ドレス照合手段で照合し、一致すれば第２の予備エリア
読み出し手段で前記第２の予備エリアからデータを読み
出し、前記第２のフラグ検出手段でフラグが検出されな
ければ前記第１のフラグエリアにフラグが書き込まれて
いるか否かを第１のフラグ検出手段で検出し、この第１
のフラグ検出手段で前記フラグが検出されまたは前記第
２のアドレス照合手段で不一致が判別すると前記第１の
予備エリアに書き込まれたアドレスと読み出すべきデー
タのアドレスとの一致を第１のアドレス照合手段で照合
し、一致すれば第１の予備エリア読み出し手段で前記第
１の予備エリアからデータを読み出し、前記第１のフラ
グ検出手段で前記フラグが検出されずまたは前記第１の
アドレス照合手段で不一致が判別すると通常エリア読み
出し手段で前記通常エリアからデータを読み出し、この
通常エリア読み出し手段および前記第１と第２の予備エ
リア読み出し手段で読み出されたデータを送信手段で送
信するよう構成したことを特徴とするデータ記憶装置。 ９、データを書き換え可能に記憶するメモリを有するデ
ータ記憶装置において、データが所定アドレスに通常的
に書き込まれる通常エリアとは別に、前記通常エリアに
データが正確に書き込めないときに順次にデータが書き
込まれる第１と第２の予備エリアを設け、これらの第１
と第２の予備エリアにデータが書き込まれたことを示す
フラグをそれぞれに書き込む第１と第２のフラグエリア
を設け、読み出し命令で、前記第１のフラグエリアにフ
ラグが書き込まれているか否かを第１のフラグ検出手段
で検出し、この第１のフラグ検出手段で前記フラグが検
出されると前記第１の予備エリアに書き込まれたアドレ
スと読み出すべきデータのアドレスとの一致を第１のア
ドレス照合手段で照合し、一致すれば第１の予備エリア
読み出し手段で前記第１の予備エリアからデータを読み
出し、前記第１のアドレス照合手段で不一致が判別する
と前記第２のフラグエリアにフラグが書き込まれている
か否かを第２のフラグ検出手段で検出し、この第２のフ
ラグ検出手段で前記フラグが検出されると前記第２の予
備エリアに書き込まれたアドレスと読み出すべきデータ
のアドレスとの一致を第２のアドレス照合手段で照合し
、一致すれば第２の予備エリア読み出し手段で前記第２
の予備エリアからデータを読み出し、前記第１または第
２のフラグ検出手段で前記フラグが検出されずまたは前
記第２のアドレス照合手段で不一致が判別すると通常エ
リア読み出し手段で前記通常エリアからデータを読み出
し、この通常エリア読み出し手段および前記第１と第２
の予備エリア読み出し手段で読み出されたデータを送信
手段で送信するように構成したことを特徴とするデータ
記憶装置。 １０、請求項１ないし９記載のいずれかのデータ記憶装
置において、当該装置はバッテリーレスであり、電気的
に書き換え可能でしかも不揮発性のメモリを用いて構成
したことを特徴とするデータ記憶装置。 １１、フレキシブル製造システムのライン上を流れるワ
ークのＩＤタグに組み込まれたことを特徴とする請求項
１０記載のデータ記憶装置。[Scope of Claims] 1. In a data storage device having a memory that stores data in a rewritable manner, a spare area is provided in the memory apart from a normal area where data is normally written to a predetermined address, and this spare area is A flag area is provided to write a flag indicating that data has been written to the area, and each time data is written to the normal area in response to a write command, the data matching means reads the once written data and checks whether it matches the data to be written. When the data matching means determines that there is a discrepancy, the flag detecting means detects whether or not a flag has been written in the flag area.If the flag is not detected by the flag detecting means, the data to be written and this A data storage device characterized in that a data address is written in the spare area by a spare area writing means. 2. In the data storage device according to claim 1, when the data matching means determines a match, the normal end signal transmitting means transmits a normal end signal, and when the data matching means determines a mismatch, the data to be written and this data are A data storage device characterized in that the spare area writing means writes an address into the spare area and the warning signal transmitting means transmits a warning signal. 3. The data storage device according to claim 1 or 2,
A data storage device characterized in that the error signal transmitting means transmits an error signal when the flag is detected by the flag detecting means. 4. In a data storage device having a memory that stores data in a rewritable manner, a spare area is provided separately from the normal area where data is normally written to a predetermined address, and an indication that data has been written to this spare area is provided. A flag area in which a flag is written is provided, and a flag detection means detects whether or not a flag is written in the flag area in response to a read command, and when the flag is detected by the flag detection means, the flag is written in the reserve area. The address matching means checks whether the address that has been read matches the address of the data to be read, and if they match, the spare area reading means reads the data from the spare area. If not detected, the normal area reading means reads data from the normal area, and the transmitting means transmits the data read by the normal area reading means and the spare area reading means. Data storage device. 5. The data storage device according to claim 4, wherein the data read by the normal area reading means is transmitted by the transmitting means, and the data read by the spare area reading means is transmitted together with the data and the warning signal. A data storage device configured to transmit data using a transmitting means. 6. In a data storage device having a memory that stores data in a rewritable manner, first and second spare areas are provided separately from a normal area where data is normally written to a predetermined address, and these first and second spare areas are First and second flag areas are provided in which a flag indicating that data has been written in the second spare area are respectively written, and each time data is written to the normal area with a write command, this once written data is read. The data matching means checks whether the data matches the data to be written, and if they match, the normal end signal sending means sends a normal end signal, and when the data matching means determines that there is a mismatch, a flag is written in the first flag area. If the flag is not detected by the first flag detection means, the data to be written and the address of this data are detected by the first spare area writing means. At the same time, the normal end signal transmitting means transmits a normal end signal, and when the first flag detecting means detects a flag, it is determined whether or not the flag is written in the second flag area. is detected by a second flag detection means, and if the flag is not detected by the second flag detection means, the data to be written and the address of this data are written into the second reserve area by a second reserve area writing means. A data storage device characterized in that the data storage device is configured to transmit a warning signal by a warning signal transmitting means at the same time as writing. 7. The data storage device according to claim 6, wherein the second
A data storage device characterized in that, when the flag is detected by the flag detecting means, the error signal transmitting means transmits an error signal. 8. In a data storage device having a memory that stores data in a rewritable manner, in addition to a normal area where data is normally written to a predetermined address, data is sequentially written when data cannot be accurately written to the normal area. A first and a second reserve area are provided, and these first and second reserve areas are
First and second flag areas are provided in which a flag indicating that data has been written to the second reserved area are respectively written, and whether or not a flag has been written to the second flag area in response to a read command is provided. is detected by a second flag detecting means, and when the second flag detecting means detects the flag, a second flag detecting means detects a match between the address written in the second spare area and the address of the data to be read. The address verification means collates the data, and if they match, the second reserved area reading means reads the data from the second reserved area, and if the second flag detection means does not detect the flag, the data is read from the first flag area. A first flag detecting means detects whether or not a flag has been written.
When the flag detection means detects the flag or the second address verification means determines that there is a mismatch, the first address verification means detects a match between the address written in the first spare area and the address of the data to be read. If they match, the first spare area reading means reads the data from the first spare area, and if the first flag detecting means does not detect the flag or the first address matching means does not match, the first spare area reading means reads the data from the first spare area. When the normal area reading means determines that the data is read from the normal area, the data read by the normal area reading means and the first and second spare area reading means is transmitted by the transmitting means. Characteristic data storage device. 9. In a data storage device having a memory that stores data in a rewritable manner, in addition to a normal area in which data is normally written to a predetermined address, data is sequentially written when data cannot be accurately written in the normal area. A first and a second reserve area are provided, and these first and second reserve areas are
First and second flag areas are provided in which a flag indicating that data has been written to the second reserved area are respectively written, and whether or not a flag has been written to the first flag area in response to a read command is provided. is detected by a first flag detection means, and when the first flag detection means detects the flag, a first flag detection means detects a match between the address written in the first spare area and the address of the data to be read. The address matching means compares the data, and if they match, the first spare area reading means reads the data from the first spare area, and if the first address matching means determines that there is a mismatch, a flag is set in the second flag area. A second flag detection means detects whether or not the flag has been written, and when the second flag detection means detects the flag, the address written in the second spare area and the address of the data to be read are determined. The second address matching means checks whether the addresses match, and if they match, the second spare area reading means reads the second address.
When the first or second flag detecting means does not detect the flag or the second address matching means determines that there is a mismatch, the normal area reading means reads the data from the normal area. , this normal area reading means and the first and second
1. A data storage device characterized in that the data read by the spare area reading means is configured to be transmitted by the transmitting means. 10. A data storage device according to any one of claims 1 to 9, characterized in that the device is batteryless and constructed using an electrically rewritable and non-volatile memory. 11. The data storage device according to claim 10, wherein the data storage device is incorporated into an ID tag of a workpiece flowing on a line of a flexible manufacturing system.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256311A JPH04133149A (en) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | Data storage device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256311A JPH04133149A (en) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | Data storage device |
Publications (1)
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| JPH04133149A true JPH04133149A (en) | 1992-05-07 |
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|---|---|---|---|
| JP2256311A Pending JPH04133149A (en) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | Data storage device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04133149A (en) |
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