JPH0314054A - 電子ディスク装置 - Google Patents
電子ディスク装置Info
- Publication number
- JPH0314054A JPH0314054A JP1148274A JP14827489A JPH0314054A JP H0314054 A JPH0314054 A JP H0314054A JP 1148274 A JP1148274 A JP 1148274A JP 14827489 A JP14827489 A JP 14827489A JP H0314054 A JPH0314054 A JP H0314054A
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- JP
- Japan
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- memory
- error
- section
- data storage
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- Pending
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- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 67
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子ディスク装置に関し、特に電子ディスク
装置内のデータ記憶部の保守性の向上に関する。
装置内のデータ記憶部の保守性の向上に関する。
［従来の技術］
従来、この種の電子ディスク装置は、データ記憶部にメ
モリエラーの故障が起きても、主制御部が上位装置の指
令を受けてメモリエラーの故障が起きているメモリをリ
ードしない限り、メモリエラーの故障を検出することが
できない為、前記指令に対してメモリエラーのあった旨
を上位装置に対して報告していた。
モリエラーの故障が起きても、主制御部が上位装置の指
令を受けてメモリエラーの故障が起きているメモリをリ
ードしない限り、メモリエラーの故障を検出することが
できない為、前記指令に対してメモリエラーのあった旨
を上位装置に対して報告していた。
［発明が解決しようとする課題］
上述した従来の電子ディスク装置に於いては。
データ記憶部にメモリエラーの故障が起きても。
主制御部が上位装置の指令を受けて、メモリエラーの故
障が起きているメモリをリードしない限り。
障が起きているメモリをリードしない限り。
メモリエラーの故障を検出することができない為。
メモリエラーの故障に対する保守が遅れることになり、
訂正不可能のメモリエラーが発生するような場合には、
該メモリアドレスをリードあるいはライトするような上
位装置の命令は異常終了してしまうという欠点がある。
訂正不可能のメモリエラーが発生するような場合には、
該メモリアドレスをリードあるいはライトするような上
位装置の命令は異常終了してしまうという欠点がある。
［課題を解決するための手段］
本発明による電子ディスク装置は、データを記憶するメ
モリ部と該メモリ部を制御するためのメモリ制御部とを
有するデータ記憶部と、上位装置からの指令に基づいて
、前記データ記憶部の制御を行う主制御部とを備えた電
子ディスク装置に於いて、前記データ記憶部は、前記メ
モリ制御部の制御下で、前記メモリ部を一定周期毎にリ
ードし、前記メモリ部のエラーチェックを行う手段と、
該エラーチェックの結果、訂正可能なエラーならば、該
メモリ部の内容を訂正し、再書込みを行う手段と、前記
エラーチェックの結果、訂正不可能なエラーならば、前
記主制御部に訂正不可能なエラーが発生した旨を報告す
る手段と有することを特徴とする。
モリ部と該メモリ部を制御するためのメモリ制御部とを
有するデータ記憶部と、上位装置からの指令に基づいて
、前記データ記憶部の制御を行う主制御部とを備えた電
子ディスク装置に於いて、前記データ記憶部は、前記メ
モリ制御部の制御下で、前記メモリ部を一定周期毎にリ
ードし、前記メモリ部のエラーチェックを行う手段と、
該エラーチェックの結果、訂正可能なエラーならば、該
メモリ部の内容を訂正し、再書込みを行う手段と、前記
エラーチェックの結果、訂正不可能なエラーならば、前
記主制御部に訂正不可能なエラーが発生した旨を報告す
る手段と有することを特徴とする。
［作用］
主制御部が上位装置の指令を受けて、データ記憶部に対
し、アクセス中の場合にも、メモリ制御部が、エラーチ
ェック手段に対して、データ記憶部のメモリ部のエラー
チェックを断続的に行わせる。
し、アクセス中の場合にも、メモリ制御部が、エラーチ
ェック手段に対して、データ記憶部のメモリ部のエラー
チェックを断続的に行わせる。
［実施例］
以下、本発明について、図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例による電子ディスク装置を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
本実施例の電子ディスク装置は、主制御部ａと、データ
記憶部すとを有する。主制御部ａは、上位装置（図示せ
ず）からの指令を受けて、データ記憶部すの制御を行う
。
記憶部すとを有する。主制御部ａは、上位装置（図示せ
ず）からの指令を受けて、データ記憶部すの制御を行う
。
第２図は、第１図中のデータ記憶部すを示すブロック図
である。
である。
データ記憶部すは、アダプタ部Ｃと、メモリチエツク回
路部ｄと、メモリ制御部ｅと、メモリ部ｆとを有する。
路部ｄと、メモリ制御部ｅと、メモリ部ｆとを有する。
メモリ部ｆは、複数個の揮発性の記憶素子であるＩＣメ
モリから構成される。メモリ制御部ｅは、メモリ部ｆの
制御を行う。メモリチエツク回路部ｄは、メモリ制御部
ｅの制御下で、メモリ部ｆを一定周期毎にリードし、メ
モリ部ｆのエラーチェックを行う。
モリから構成される。メモリ制御部ｅは、メモリ部ｆの
制御を行う。メモリチエツク回路部ｄは、メモリ制御部
ｅの制御下で、メモリ部ｆを一定周期毎にリードし、メ
モリ部ｆのエラーチェックを行う。
次に１本実施例の動作について説明する。
主制御部ａは、上位装置から指令を受けて、制御信号線
１１を通じて、メモリ部ｆに対してリードまたはライト
動作を行う。メモリ制御部ｅは。
１１を通じて、メモリ部ｆに対してリードまたはライト
動作を行う。メモリ制御部ｅは。
メモリ部ｆの空時間をチエツクし、メモリ部ｆのリード
動作を行い、メモリチエツク回路部ｄによってメモリエ
ラーの有無をチエツクし、訂正可能メモリエラーならば
、メモリ制御部ｅによって訂正し、再書込みを行う。訂
正不可能エラーに対しては、メモリ制御部ｅは主制御部
ａに対してその旨を報告する。
動作を行い、メモリチエツク回路部ｄによってメモリエ
ラーの有無をチエツクし、訂正可能メモリエラーならば
、メモリ制御部ｅによって訂正し、再書込みを行う。訂
正不可能エラーに対しては、メモリ制御部ｅは主制御部
ａに対してその旨を報告する。
［発明の効果］
以上説明したように１本発明は、主制御部が。
上位装置の指令によってデータ記憶部をリードあるいは
ライト動作を行っている場合においても。
ライト動作を行っている場合においても。
メモリ制御部が一定時間周期に、メモリ部をり一ドし、
訂正可能エラーならば、メモリ部の訂正動作を行い、訂
正不可能エラーならば、主制御部に対してその旨を通知
することにより、上位装置が指令を出さないメモリ部に
ついても、エラーチェックされることになり、保守の向
上を図ることができるという効果がある。
訂正可能エラーならば、メモリ部の訂正動作を行い、訂
正不可能エラーならば、主制御部に対してその旨を通知
することにより、上位装置が指令を出さないメモリ部に
ついても、エラーチェックされることになり、保守の向
上を図ることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例による電子ディスク装置を示
すシステムブロック図、第２図は第１図中のデータ記憶
部を示すブロック図である。 ａ・・・主制御部、ｂ・・・データ記憶部、Ｃ・・・ア
ダプタ部、ｄ・・・メモリチエツク回路部、ｅ・・・メ
モリ制御部、ｆ・・・メモリ部、１１・・・主制御部−
データ記憶部間制御信号線、２１・・・メモリ制御部−
メモリ部間制御信号線。
すシステムブロック図、第２図は第１図中のデータ記憶
部を示すブロック図である。 ａ・・・主制御部、ｂ・・・データ記憶部、Ｃ・・・ア
ダプタ部、ｄ・・・メモリチエツク回路部、ｅ・・・メ
モリ制御部、ｆ・・・メモリ部、１１・・・主制御部−
データ記憶部間制御信号線、２１・・・メモリ制御部−
メモリ部間制御信号線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、データを記憶するメモリ部と該メモリ部を制御する
ためのメモリ制御部とを有するデータ記憶部と、上位装
置からの指令に基づいて、前記データ記憶部の制御を行
う主制御部とを備えた電子ディスク装置に於いて、 前記データ記憶部は、前記メモリ制御部の制御下で、前
記メモリ部を一定周期毎にリードし、前記メモリ部のエ
ラーチェックを行う手段と、該エラーチェックの結果、
訂正可能なエラーならば、該メモリ部の内容を訂正し、
再書込みを行う手段と、前記エラーチェックの結果、訂
正不可能なエラーならば、前記主制御部に訂正不可能な
エラーが発生した旨を報告する手段と有することを特徴
とする電子ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1148274A JPH0314054A (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 電子ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1148274A JPH0314054A (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 電子ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0314054A true JPH0314054A (ja) | 1991-01-22 |
Family
ID=15449104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1148274A Pending JPH0314054A (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 電子ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0314054A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605386B1 (en) * | 1998-12-02 | 2003-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-aqueous electrolyte secondary battery comprising composite particles |
| US6653019B1 (en) | 1998-06-03 | 2003-11-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-aqueous electrolyte secondary cell |
| US6821675B1 (en) | 1998-06-03 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-Aqueous electrolyte secondary battery comprising composite particles |
| US6824920B1 (en) | 1997-06-03 | 2004-11-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-aqueous electrolyte secondary battery comprising composite particles |
| US20100146233A1 (en) * | 2008-12-10 | 2010-06-10 | Nathan Chrisman | Non-Volatile Memory Device Capable of Initiating Transactions |
-
1989
- 1989-06-13 JP JP1148274A patent/JPH0314054A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6824920B1 (en) | 1997-06-03 | 2004-11-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-aqueous electrolyte secondary battery comprising composite particles |
| US6653019B1 (en) | 1998-06-03 | 2003-11-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-aqueous electrolyte secondary cell |
| US6821675B1 (en) | 1998-06-03 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-Aqueous electrolyte secondary battery comprising composite particles |
| US6605386B1 (en) * | 1998-12-02 | 2003-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Non-aqueous electrolyte secondary battery comprising composite particles |
| US20100146233A1 (en) * | 2008-12-10 | 2010-06-10 | Nathan Chrisman | Non-Volatile Memory Device Capable of Initiating Transactions |
| US9092387B2 (en) | 2008-12-10 | 2015-07-28 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory device capable of initiating transactions |
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