JPH0413142A - 露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は露光装置に関し、特に光露光方式を用いた半導
体製造工程においてレチクルやフォトマスク等の原版上
に付着した回路パターン以外の異物、例えば不透過性の
塵埃などを検出する際に好適な表面状態検査装置を備え
た露光装置に関する。

［従来の技術］ 一般にＩＣ製造工程においては、レチクルまたはフォト
マスク等の基板上に形成されている露光用の回路パター
ンを半導体焼付は装置（ステッパーまたはマスクアライ
ナ−）により、レジストが塗布されたウニ八面上に転写
して製造している。

この際、基板面上にゴミ等の異物が存在すると転写する
際、異物も同時に転写されてしまいＩＣ製造の歩留りを
低下させる原因となってくる。

特にレチクルを使用し、ステップアンドリピート方法に
より繰り返してウニ八面上に回路パターンを焼付ける場
合、レチクル面上の１個の異物がウェハ全面に焼付けら
れてしまいＩＣ製造の歩留りを大きく低下させる原因と
なってくる。

そのため、ＩＣ製造過程においては基板上の異物の存在
を検出するのが不可欠となっており、従来より種々の検
査方法が提案されている。例えば第２図は異物が等方的
に光を散乱する性質を利用する方法の一例である。同図
においては、走査用ミラー１１とレンズ１２を介してレ
ーザ１０からの光束をミラー１３の出入れによって、上
方または下方に向け、２つのミラー１４．４５により各
々基板１５の表面と裏面に入射させ、走査用ミラー１１
を回転もしくは振動させて基板１５上を走査している。

そして基板１５からの直接の反射光および透過光の光路
から離れた位置に複数の受光部１６，１７．１８を設け
、これら複数の受光部１６．１７．１８からの出力信号
を用いて基板１５上の異物の存在を検出している。

すなわち回路パターンからの回折光は方向性が強いため
、各受光部からの出力値は異なるが異物に光束が入射す
ると入射光束は等方的に散乱されるため、複数の受光部
からの出力値が各々等しくなってくる。したがって、こ
のときの出力値を比較することにより、異物の存在を検
出している。

また第３図は異物が入射光束の偏光特性を乱す性質を利
用する方法の一例である。同図において偏光子１９、走
査用ミラー１１そしてレンズ１２を介してレーザ１０か
らの光束を所定の偏光状態の光束としミラー１３の出入
れによって上方または下方に向け、２つのミラー１４．
４５により各々基板１５の表面と裏面に入射させて走査
用ミラー１１により基板１５上を走査している。そして
基板１５からの直接の反射光および透過光の光路から離
れた位置に各々検光子２０．２２を前方に配置した２つ
の受光部２１．２３を設けている。

そして回路パターンからの回折光と異物からの散乱光と
の偏光比率の違いから生ずる受光量の差を２つの受光部
２１．２３より検出し、これにより基板１５上の回路パ
ターンと異物とを弁別している。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、これらの従来例は共通して次のような欠
点をもっている。

■　レーザをレチクルに対して斜めに入射させ異物の散
乱光を受光する方式を採っているため、散乱効率の低い
ゴミ、例えばレチクル洗浄時に残留する水あか、平坦な
ゴミ、そして光透過性のゴミは検出しにくいという点。

■　検査光として、波長６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザ
を主に用いている。そのためにゴミによっては、この波
長について光透過性であフても焼き波長は紫外光である
ために、光の吸収などが起きてしまう、その結果、異物
検査時にはゴミの付着してないレチクルと判定したもの
の、−旦焼いてみるとウェハ上に共通欠陥を発生してし
まうという点。

本発明の目的は、このような従来技術の問題点に鑑み、
露光装置において、レチクル等の原版上に付着した露光
に影響する塵埃を、ウェハ上に直接付着した塵埃と区別
して検出する。そして、欠陥のある像の焼付けを防止し
て、歩留り向上を図ることにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため後述実施例の露光装置は、原版
を照明し、原版のパターンを投影光学系を介して基板上
の複数ショット位置に露光転写する露光転写手段と、該
露光転写手段によって基板上に形成された原版パターン
のフォトクロミック像なるネガ像を検査して原版上の異
物の有無を検出する検査手段とを具備する。

前記露光転写手段は照明用の光源として例えばエキシマ
レーザを備える。

前記検査手段は例えば、原版のパターンのデータを記憶
したメモリを備え、このデータと前記基板上に形成され
た原版パターンのフォトクロミック像とを比較するもの
である。

前記検査手段は空間フィルタを有するのが好ましい。

前記検査手段は、複数の同一パターンを有する原版を用
いる場合は、これによって同一基板上に形成された少な
くとも２ショット分のフォトクロミック像の１ショット
内および異なるショット間における同一パターン部分の
画像データを同時に検出する２系統の像検出手段、およ
び、これによって検出された同一パターン部分の画像デ
ータを比較する比較手段を備たものであるのが好ましい
。

あるいはそのような原版を用いない場合でも、前記検査
手段は、同一パターンを有する少なくとも３枚の原版を
用いて同一基板上に形成された各フォトクロミック像の
少なくとも２以上の同一パターン部分の画像データを同
時に検出する少なくとも２系統の像検出手段、および、
これによつて検出された同一パターン部分の画像データ
を比較する比較手段を備えたものであるのが好ましい。

さらに前記検査手段は、レーザ光を前記フォトクロミッ
ク像に対し斜め入射させで走査し、その際にフォトクロ
ミック像の発する散乱光を受光してフォトクロミック像
の画像データを検出する手段を備え、さらには位相差検
知手段を有するものであるのが好ましい。

［作用］ この構成において、実際の製品ウェハの焼付けに先立ち
、原版上の塵埃有無の検査のために、フォトクロミック
像なるネガ像が形成されるレジストを塗布した基板を用
い、これに対し露光転写手段によって原版のパターンが
焼鮒付けられる。そして焼き付けられた原版パターンの
フォトクロミック像が検査手段によって検査され、原版
上に焼付に影響するレベルの異物が存在するか否かが検
出される。そして、ネガ像の特性によって、原版上の光
透過部に付着した塵埃だけが検出される。

［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の第１の実施例に係る露光装置を示す。

図中、１は超高圧水銀ランプ、エキシマレーザ等の焼付
用の光源、２は光源１の発する光束を所定の開き角で均
一に照射する照明系、３は照明系２によつて全面が照明
されるレチクルである。４は焼付はレンズ、７はレチク
ルチェンジャであり、レチクル３はレチクルチェンジャ
７から焼付レンズ４の物体面（露光ステージ６）に送り
込まれる。５はウェハであり、この上にレチクル３の回
路パターンが焼付はレンズ４にょフて縮小転写される。

ウェハ５はフォトクロミック像を形成させるレイアー（
フォトクロミック材料）が塗布されている。フォトクロ
ミック材料とは、光照射によって吸収スペクトルが可逆
的に変化する（フォトクロミズム）材料体であって、ス
ピロピラン系などのものに代表される材質であるＡはフ
ォトクロミック像の検査ユニットである。この実施例で
はレチクルパターンをウェハ５上に最低ニジヨツト転写
した後、ウェハ５はステージ６により移動され、像検査
用ユニットＡに送り込まれて検査される。

像検査用ユニットＡはウェハ５上のフォトクロミック像
を観察しつる波長でかつ像を消去しない波長帯域の光束
（レーザでもハロゲンランプ（色フィルタ付）でもかま
わない）を発する検査用光源２０を備え、この光束はコ
ンデンサレンズ２１、ビームスプリッタ２２、そして検
査用対物レンズ２３を介してウェハ５上の像形成領域（
レチクルパターンの転写領域）を照明する。その反射光
は検査用対物レンズ２３およびビームスプリッタ２２を
介してリレーレンズ２４に入射し、リレーレンズ２４の
作用によって受光＃ｓ２５上に集光する。ウェハ５面と
受光器２５の受光面とは光学的に共役になフている。受
光ｍ２５は二次元ＣＣＤアレーもしくは映像管のような
位置センサである。レチクルの回路パターンは異物も含
めて−Ｈつエバ上に転写された後、この検査ユニットの
受光面上に写し出される。受光器２５の圧力は電気処理
系２６によって処理され、異物の検出が行なわれる。

第４図は電気処理系２６の構成を示すブロック図である
。位置センサ２５の出力は、検査条件の設定手段、例え
ばウェハ５の位置決め検査のスタートと終了を指令する
コントローラ４６の支配下で、制御回路／ドライバ４０
のタイミング管理を受けて取り込まれ、そしてアンプ４
１で増幅された後、Ａ／Ｄ変換器４２によってディジタ
ル化されざらに二値化回路４３によって二値化処理され
て比較回路４４に出力される。一方、コントローラ４６
は、予めメモリ４７にメモリされたレチクルパターンの
設計データも読み出させて比較回路４４へ出力させる。

比較回路４４はメモリ４７と二値化回路４３の出力を比
較し、一致しなかった場合、異物有りと判定してその位
置と犬１さ等をメモリ４５に記憶させる。

なお、フォトクロミック像のようなネガ像なるものは光
の照射部に光吸収体が形成され、レチクルパターンの明
暗状態が反転する特性を持っている。それ故に、ウェハ
上の１チツプだけの検査からでも、レチクル上に付着し
ていた異物と、露光後にウェハ上に付着した異物とを、
次のようにして判別することができる。

第５図（Ａ）はパターニングされたレチクルの水平断面
図である。Ｐ、ｌはこれに付着した異物である。同図（
Ｄ）はこのレチクルについてのメモリ４７からの設計デ
ータ出力ＳＡを示す。一方間図ＣＢ）はフォトクロミッ
ク像を形成させるレジストを塗布したウェハの露光前の
状態を示す。もしこの状態でウェハ検査するとこの種の
レジストによるコートは透明でウニ八基板の反射率が高
いために二値化回路４８の出力は全てハイになる。

ところが、これの上にレチクルパターンを転写すると、
同図（Ｃ）に示すように、露光された部分５が化学反応
によって検査光に対して吸収を示すようになる。レチク
ル上に付着した異物ＰＲに対応する部分ＰＲ’は透明の
まま残る。これに対し、露光後にウェハ上に付着した異
物ｐｗは検査用光束がウニ八基板にあたるのを防げるの
でこの部分の二値化回路４８の出力はロウになる。した
がって、同図（Ｃ）の状態のクエへを検査した場合の二
値化回路４８の出力ＳＣは同図（Ｅ）で示される。そこ
で、この反転出力をとり、これとメモリ４７の出力ＳＡ
との論理和をつくり、最終的ル上に付着した異物である
ことを検査で判定することができる。

なお、図Ｃにおいて、ウェハ上に付着したゴミＰ、は、
ウェハの非露光部分にのっているが、これが、直に露光
部分にのっている時には、出力ＳＣは云々ネガ像の特性
からロウとなる。よってＰｗの影響を受けない。

第１図に戻り、Ｂはウェハ５を位置決めするためのアラ
イメントユニットである。ウェハはこれによってアライ
メントされた後、ステージ６により所定量移動されて露
光位置に位置決めされる。

ただし、ウェハをレチクルに対して最終的に位置法めす
る方法には大別して２通りある。その１つは、上述のよ
うに露光位置に位置決めした後、さらに焼付はレンズ４
を通してアライメントするＴＴＬ方式である。すなわち
、ユニットＢをウェハのプリアライメント用として用い
る方式である。

もう１つはアライメントユニットＢにより露光位置外で
ウェハの位置出しを完了し、ステージ６で高精度に露光
位置に送り込んでそのまま露光するオフアクシス方式で
ある。この方式に対してはユニットＢはウェハの最終ア
ライメント用としての役目をなす。いずれにしろ、その
基本構成は光源１０、対物レンズ１４、そして受光器１
５と電気処理系１６とからなる。そして、光源１０によ
りコンデンサレンズ１１、ハーフミラ−１３および対物
レンズ１４を介してウェハ上の所定マークを照明し、そ
の反射光に含まれるマーク像を対物レンズ１４により電
気処理系１６の受光器１５上に結像させて光電変換し、
これを電気処理系１６で処理することによつてウェハ位
置を検出し、その結果に基づいてウェハを移動させてア
ライメントを行なう。したがって、ステッパ全体の装置
構成から考えて、このアライメントユニットＢにフォト
クロミック像検査用ユニットＡの機能を持たせても良い
。以上の構成をとる事によつて以下の効果を得る事がで
きる。

■　実際にレチクル等の基板を露光位置にセットしてウ
ェハ上に焼付けて検査を行なうようにしたため、 ■　従来のレーザスキャン方式で懸念されるような異物
の形状による見逃しがなく、 ■　従来のレーザスキャン方式で懸念されるような露光
光と検査光との波長差による見逃しもない。また、 ■　露光位置で検査するのと同等なので、従来のように
レチクルチェンジャ部分で検査したあと、露光位置まで
、レチクルを搬送する間の装置内発慶の影響を受けない
、さらに、■　焼付レンズを通しているので、実際の焼
付レンズの性能まで含めた上で、製品ウェハに影響を与
える異物だけを検知できる。

■　焼付けたウェハを装置外に持ち出して現像する必要
がないので、全検査時間を大幅に削減できる。また、エ
ツチング処理等によるパターンエツジのでき不できによ
って誤検知するおそれもない。

■　レチクルを直に検査するのに比べて、ウェハの検査
領域が１１５程度（焼付レンズの縮小率によってきまる
）で済むので、検査ユニットのコンパクト化を図ること
がで鮒る。

１！Ｓ６図は本発明の第２の実施例を示す。第１実施例
と異なる点は検査ユニットＡのビームスプリッタ２２と
リレーレンズ２４との間に空間フィルタ３１を用いた点
である。以下に空間フィルタ３１を挿入した場合の利点
について述べる。

一般にウェハ上の回路パターンは縦と横方向の像が多い
がこれにレーザビームを当てると、第７図（Ａ）および
（Ｂ）に示すように、パターンと直交方向に回折光が分
布する。したがって、′ｓ８図（Ａ）に示すような、こ
れらの回折光を遮断する領域８１を設けた空間フィルタ
を検査用対物レンズ２３の射出瞳の位置に設けると、再
結像面（受光面）上には縦、横方向の線は結像しない。

これに対し異物の形状は円形状に近いので、異物からの
散乱光は空間フィルタを通り抜は再結像する。

以上の作用により、ウェハ上の主たる回路パターンを消
し去った状態で異物のみを電気的に検出することができ
る。この場合、第４図のメモリ４７の設計データとの比
較も不要となるので、電気系２６の構成が格段に簡略化
される。

第８図（Ｂ）は回路パターン上の縦、横線に加えて斜め
４５°方向の線も光学的に消去するために検査光の不透
過領域８２を設けた空間フィルタを示す。

ただしこの場合、露光後にウェハ上に付着した異物もレ
チクル上から転写された異物のフォトクロミック像と同
様に検出してしまうという欠点が生じる。しかしこれは
レチクルパターンをウェハ上に２回（２チツプ）ＩＩり
返して露光転写して上記の検査をその各チップについて
行ない、そして２つのチップの同じ位置に異物が検出さ
れるか否かを調べることによって区別される。レチクル
上に付着した異物なら、露光するすべてのチップの同一
位置に異物が検出されるが、ウェハ上の隣り合うチップ
の同一位置に同じ大きさの異物が付着する確率は殆ど０
であるからである。

第８図（Ｃ）は同じく受光対物レンズ２３の射出瞳位置
におく空間フィルタ３１の′Ｍ３の例を示す。この空間
フィルタは位相差顕微鏡系に用いられる位相板である。

その周辺部Ｐ＋は単なる平行平面板であるのに対し、中
央部ＰＯには周辺部との位相差がπ／２となるように光
学薄膜が蒸着されている。このような位相板を用いるこ
とによってフォトクロミック像の露光部と未露光部の間
での位相差を受光面上では強度差として高いコントラス
トで検知できる。

このような位相差検出法の効果をより良く出すために投
光部においては光源２０としてレーザを用いる。そして
、空間フィルタ３１の場合と同じく対物レンズ２３の射
出瞳位置（但しビームスプリッタ２２より光源側）３２
に第８図（Ｄ）に示すような絞りを設ける。この絞りは
中心部Ｐ２が開口になっていて、この大ぎさと前述の空
間フィルタ３１の中心部Ｐ０の大きさとは第６図に示す
配置においては等しくする。これは次の理由による。

一般的には、絞り３２と空間フィルタ３１とは光学的に
結像関係にあるので、絞り３２上の１点から発した光束
はビームスプリッタ２２および対物レンズ２３を介して
ウニへ面で反射し、反射光は逆に対物レンズ２３および
ビームスプリッタ２２を戻って空間フィルタ３１の中心
部の対応する１点に結像する。位相差法ではこれを０次
光と呼ぶが、この０次光に厳密に位相差を与えることが
、高コントラストをつるためには必要だからである。

第９図は本発明の第３実施例に係るフォトクロミック像
検査用ユニットを示す。第１実施例と異る点はフォトク
ロミック像検査ユニットＡの光源２０〜受光器２５から
なる検査用光学系を２セット並列に設けた点にある。そ
して、その２本の対物レンズ２３の光軸間隔はウェハ上
にレチクルパターンを複数回転写する際のチップ間のピ
ッチ量Ｐに等しくしである。そして、電気処理系３０の
構成は第４図と異り第１０図に示すように、設計データ
を読み出す必要がなく、単に２つの受光器２５の圧力を
コントローラ６０の制御により、制御回路ドライバ４０
〜二値化回路４３を介して、比較回路７０において比較
するだけとなっている。

このような方式は、ルチクル上に複数チップ（以下の説
明では３チツプとする）配置にしである場合（３チップ
／ルチクル）に非常に有効である。その利点を以下に示
す。

第１１図はレチクルパターンをウェハ５上に１２回（チ
ップ０１〜Ｃ１２の１２チツプ分）繰り返し転写した領
域を示す。ただし、各チップの中には３ｗＭ所の同一パ
ターン領＠ａ〜Ｃが存在する。

この場合まず、２本の検査対物レンズ２３のうちの１つ
をＣ１チップの領域ａに設定し、残りの１つをＣ２チッ
プの領域すに設定する。そしてこの２つの領域の対応す
る位置同志を順次比較する。もし、２つの出力が異る場
合、その位置ＰＲをメモリ４５に記憶する。

次にウェハを移動していずれかの対物レンズ２３でＣ２
チップの領域Ｃ内のＰＲ点を検査する。またはＣ１チッ
プのＣ領域内のＰＲ点でもいい。これら３領域内のＰＲ
点の出力を３つ比べると、１点だけ出力が異なる領域ａ
内のＰＲ点がわかる。最後に０２チツプの領域ａ内のＰ
ＦＩ点を検査して、Ｃ１チップのそれ（異常点）と同一
出力たったなら全チップにおいて領域ａ内のＰＲ点はレ
チクル上の異物が繰り返し転写されていることになる。

逆にもし、Ｃ２チップの領域ａ内ＰＲ点の出力がＣ１チ
ップのそれ（異常点）と異る場合、Ｃ１チップの領域ａ
内ＰＲ点だけが異常と考えられる。この場合はこのウェ
ハ上の位置だけに異物が付着したものと判断される。

以上のようなチップ比較を行なうことにより電気処理系
における処理が格段に簡略化され、しかも設計データを
読み出す時間摂失がないので処理の高速化が図られる。

第１２図は前記の検査方式を１チップ／ルチクルにも適
用した場合を説明する図である。この場合、同一パター
ンのレチクルが３枚必要となる。そして各レチクルの像
ＲＡＮＲｃを１枚のフォトクロミック像形成用ウェハ上
にずらして焼き付ける。

第１１図の３領域ａ　’−ｃがこの場合の像ＲＡ〜ＲＣ
の９Ｂ域に対応し、こわらのうち２領域ずつを前と同じ
要領で２本の対物レンズで各々比較検査する。

第１３図は本発明の＄４の実施例に係るフォトクロミッ
ク像検査ユニットを示す。第１の実施例の場合とは、検
査方式が異なる。すなわちウェハ５にレーザビームを斜
入射して一方向（図面と直交方向）にビームスキャンし
、その異物散乱光を検圧する。そして、ビームスキャン
と同期して、これと概直交方向Ｓ、、Ｓ、にウェハ５を
移動させて全検査領域を漏れなく検査する。

すなわち、レーザ８０から発したビームはビームエキス
パンダ８１によって光束を広げられ、ポリゴンミラー８
２に入射する。ポリゴンミラー８２は図面と直交する面
内で回転するが、これによって走査レンズ８３を介して
ウェハ５上に集束したビームが照射され図面と直交方向
に走査される。受光光学系はウェハ５上に形成されるビ
ーム走査線を見込み、しかもその先軸は、ウニへ面上で
の直接反射光を拾わない方向に設定される６例えば、第
１３図では後方散乱光を拾うようにしている。ウェハ５
上の異物が発した散乱光は殆ど全方位に拡がるが、その
うち受光対物レンズ８４に捕獲された光束は同レンズを
通過後、平行光束となる。そのうち、受光対物レンズ８
４の射出瞳位置に設けられた開口絞り８５によって、捕
獲する光束径が決められる。開口絞り８５を通過した散
乱光は再結像レンズ８６０作用で再集束し、ウェハ上の
ビーム走査線と光学的に共役な位置がここに作られる。

この位置にはスリット状の視野絞り８７が設けられてお
り、これによって、ウェハ上の走査線以外から発した余
計なフレアー光束が遮断される。散乱光束は視野絞り８
７を通過すると発散し、集光レンズ８８によって平行に
されてフォトマル８９によって受光される。

このようにして、斜入射したレーザビームの後方散乱光
を検出することにより、回路パターンと異物とのＳ／Ｎ
比を向上することができる。なぜなら回路パターンの回
折光はウェハ５上面での直接反射光Ｒに付随して発生し
、この直接反射光から角度的に離れる程すなわち図中の
θが大きくなる程低減するが、′ｓ１３図に示す光学系
の配置をとればこのθが大きくとれるので、回路パター
ンに対する異物の弁別精度を向上させることができるか
らである。

第１４図は、更に、パターンと異物とのＳ／Ｎ比を向上
させる方法を示す説明図である。

ビームの入射系と受光系とは第１３図に示したもので良
い。要は、ウェハの縦、横パターン方向（図中Ｖ　１Ｖ
　２　、　Ｈｒ　Ｈ２）　Ｌ　対し／、ｓｉ用先光学系
光軸のウェハ上投影線が図中のβ＝１５°程の角度をな
すようにすればよい。

ウェハ上の回路パターンの回折光は第７図を用いて説明
したようにパターンと直交方向に分布する。そして回路
パターンの方向として最も多い方向は縦と横方向であり
、継いで、±４５゛方向であり、桃に±３０°、±６０
”　もある。したがって、ウェハを光学系に対して１５
”ねじってビームを入射し、この入射面内で受光すると
回路パターンの回折光を回避することができる。異物散
乱光は全方位に散乱するので、この方向に来る散乱光を
受光することにより、異物の検出率を格段に向上させる
ことができる。

本発明は、縮朝型投影露光装置（ステッパー）ノコ＼ に限らず、等倍型露光装置、投影系を介さない近接型露
光装置にも通用される。また、フォトクロミック像に限
らず、現像用レジストの現像前の像、即ち潜像でネガ像
を形成する場合も含む。この時、レジストはネガタイプ
のレジストを用いる。

［発明の効果コ 基板上に形成された原版パターンのネガ像を非現像状態
で検査して原版上の異物を検出するため、現像等の後工
程により基板上に異物が付加されることがなく、また異
物検査前に基板上に異物が付加された場合にも明暗の違
いにより原版上の異物と識別できる。

【図面の簡単な説明】

５ｉＳ１図は、本発明の第１実施例に係る露光装置を示
す模式図、 第２図および第３図は、従来例に係る異物検出方法を示
す模式図、 第４図は、第１図の装置の電気処理系を示すブロック図
、 第５図（Ａ）〜（Ｆ）は、レチクルとそのフォトクロミ
ック像パターン各々の信号化を示す説明図、 第６図は、本発明の第２の実施例に係る露光装置を示す
模式図、 第７図は、回路パターンとその回折光を示す模式図、 第８図は、第６図の装置の空間フィルタおよび絞りの例
を示す模式図、 第９図は、本発明の第３の実施例に係るフォトクロミッ
ク像検査用ユニットを示す模式図、第１０図は、第９図
の装置の電気処理系を示すブロック図、 第１１図は、＄９図を用いた検査手順を示す３チップ／
ルチクルの場合の説明図、 第１２図は、′ＮＪ９図を用いた検査手順を示す１チッ
プ／ルチクルの場合の説明図、 第１３図は、本発明の第４の実施例に係るフォトクロミ
ック像検査用ユニットを示す模式図、そして 第１４図は、本発明の第４の実施例の改良型を示すため
の説明図である。 ：光源、 ：照明係、 レチクル、 ：焼付レンズ、 ：ウエハ、 ：ステージ、 ニレチクルチェンジャ、 ；フォトクロミック像検査用ユニット、：ブリアライメ
ントユニット、 １：空間フィルタ。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. （１）原版のパターンを前記パターンのネガ像を形成す
   る基板上に露光転写する露光転写手段と、該露光転写手
   段によって基板上に形成された原版パターンのネガ像を
   現像工程を介せずに検査して原版上の異物を検出する検
   査手段とを具備することを特徴とする露光装置。
2. （２）前記基板はフォトクロミック膜を備え、前記パタ
   ーンのネガ像としてのフォトクロミック像を形成する請
   求項１記載の露光装置。
3. （３）前記基板はネガレジスト膜を備え、前記パターン
   のネガ像としての潜像を形成する請求項１記載の露光装
   置。
4. （４）前記露光転写手段は照明用の光源としてエキシマ
   レーザを備えることを特徴とする請求項１記載の露光装
   置。
5. （５）前記検査手段は、原版のパターンのデータを記憶
   したメモリを備え、このデータと前記基板上に形成され
   た原版パターンのフォトクロミック像とを比較するもの
   であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
6. （６）前記検査手段は空間フィルタを有することを特徴
   とする請求項１記載の露光装置。
7. （７）前記検査手段は、複数の同一パターンを有する原
   版を用いて同一基板上に形成された少なくとも２ショッ
   ト分のフォトクロミック像の１ショット内および異なる
   ショット間における同一パターン部分の画像データを同
   時に検出する２系統の像検出手段、および、これによっ
   て検出された同一パターン部分の画像データを比較する
   比較手段を備える、請求項１記載の露光装置。
8. （８）前記検査手段は、同一パターンを有する少なくと
   も３枚の原版を用いて同一基板上に形成された各フォト
   クロミック像の少なくとも２以上の同一パターン部分の
   画像データを同時に検出する少なくとも２系統の像検出
   手段、および、これによって検出された同一パターン部
   分の画像データを比較する比較手段を備える、請求項１
   記載の露光装置。
9. （９）前記検査手段は、レーザ光を前記フォトクロミッ
   ク像に対し斜め入射させて走査し、その際にフォトクロ
   ミック像の発する散乱光を受光してフォトクロミック像
   の画像データを検出する手段を備えることを特徴とする
   請求項１記載の露光装置。
10. （１０）前記検査手段は、位相差検知手段を有すること
    を特徴とする請求項１記載の露光装置。