JPH0247541A - 表面状態測定装置 - Google Patents
表面状態測定装置Info
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- JPH0247541A JPH0247541A JP63198280A JP19828088A JPH0247541A JP H0247541 A JPH0247541 A JP H0247541A JP 63198280 A JP63198280 A JP 63198280A JP 19828088 A JP19828088 A JP 19828088A JP H0247541 A JPH0247541 A JP H0247541A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は表面状態測定装置に関し、特に半導体製造装置
で使用される回路パターンが形成されているレチクルや
フォトマスク等の基板上に回路パターン以外の異物、例
えば不透過性のゴミ等を検出する際に好適な表面状態測
定装置に関するものである。
で使用される回路パターンが形成されているレチクルや
フォトマスク等の基板上に回路パターン以外の異物、例
えば不透過性のゴミ等を検出する際に好適な表面状態測
定装置に関するものである。
(従来の技術)
一般にIC製造工程においてはレチクル又はフォトマス
ク等の基板上に形成されている露光用の回路パターンを
半導体焼付は装置(ステッパー又はマスクアライナ−)
によりレジストが塗布されたウニ八面上に転写して製造
している。
ク等の基板上に形成されている露光用の回路パターンを
半導体焼付は装置(ステッパー又はマスクアライナ−)
によりレジストが塗布されたウニ八面上に転写して製造
している。
この際、基板面上にゴミ等の異物が存在すると転写する
際、異物も同時に転写されてしまいIC製造の歩留りを
低下させる原因となってくる。
際、異物も同時に転写されてしまいIC製造の歩留りを
低下させる原因となってくる。
特にレチクルを使用し、ステップアンドリピート方法に
より繰り返してウニ八面上に回路パターンを焼付ける場
合、レチクル面上の1個の異物がウェハ全面に焼付けら
れてしまいIC製造の歩留りを大きく低下させる原因と
なってくる。
より繰り返してウニ八面上に回路パターンを焼付ける場
合、レチクル面上の1個の異物がウェハ全面に焼付けら
れてしまいIC製造の歩留りを大きく低下させる原因と
なってくる。
その為、IC製造過程においては基板上の異物の存在を
検出するのが不可欠となっており、従来より種々の検査
方法が提案されている。例えば第7図は異物が等方的に
光を散乱する性質を利用する方法の一例である。同図に
おいては、走査用ミラー11とレンズ12を介してレー
・ザ10からの光束をハーフミラ−13により2つに分
け、2つのミラー14.45により各々基板15の表面
と裏面に入射させ、走査用ミラー11を回転若しくは振
動させて基板15上を走査している。そして基板15か
らの直接の反射光及び透過光の光路から離れた位置に複
数の受光部16,17.18を設け、これら複数の受光
部16,17.18からの出力信号を用いて基板15上
の異物の存在を検出している。
検出するのが不可欠となっており、従来より種々の検査
方法が提案されている。例えば第7図は異物が等方的に
光を散乱する性質を利用する方法の一例である。同図に
おいては、走査用ミラー11とレンズ12を介してレー
・ザ10からの光束をハーフミラ−13により2つに分
け、2つのミラー14.45により各々基板15の表面
と裏面に入射させ、走査用ミラー11を回転若しくは振
動させて基板15上を走査している。そして基板15か
らの直接の反射光及び透過光の光路から離れた位置に複
数の受光部16,17.18を設け、これら複数の受光
部16,17.18からの出力信号を用いて基板15上
の異物の存在を検出している。
即ち回路パターンからの回折光は方向性が強い為、各受
光部からの出力値は異なるが異物に光束が入射すると入
射光束は等方的に散乱される為、複数の受光部からの出
力値が各々等しくなってくる。従ってこのときの出力値
を比較することにより異物の存在を検出している。
光部からの出力値は異なるが異物に光束が入射すると入
射光束は等方的に散乱される為、複数の受光部からの出
力値が各々等しくなってくる。従ってこのときの出力値
を比較することにより異物の存在を検出している。
又、第8図は異物が入射光束の偏光特性を乱す性質を利
用する方法の一例である。同図において偏光子19、走
査用ミラー11、そしてレンズ12を介してレーザ10
からの光束を所定の偏光状態の光束としハーフミラ−1
3により2つに分け、2つのミラー14.45により各
々基板15の表面と裏面に入射させて走査用ミラー11
により基板15上を走査している。そして基板15から
の直接の反射光及び透過光の光路から離れた位置に各々
検光子20.21を前方に配置した2つの受光部21.
23を設けている。そして回路パターンからの回折光と
異物からの散乱光との偏光比率の違いから生ずる受光量
の差を2つの受光部21.23より検出し、これにより
基板15上の回路パターンと異物とを弁別している。
用する方法の一例である。同図において偏光子19、走
査用ミラー11、そしてレンズ12を介してレーザ10
からの光束を所定の偏光状態の光束としハーフミラ−1
3により2つに分け、2つのミラー14.45により各
々基板15の表面と裏面に入射させて走査用ミラー11
により基板15上を走査している。そして基板15から
の直接の反射光及び透過光の光路から離れた位置に各々
検光子20.21を前方に配置した2つの受光部21.
23を設けている。そして回路パターンからの回折光と
異物からの散乱光との偏光比率の違いから生ずる受光量
の差を2つの受光部21.23より検出し、これにより
基板15上の回路パターンと異物とを弁別している。
しかしながら第7図、第8図に示す検出方法はいずれも
受光部には入射光束の直接の反射光及び透過光は入射し
ないが基板を走査中、走査線上のいくつかの点における
回路パターンからの各次数の回折光の一部が入射してし
まう。この為、回路パターンからの回折光と異物からの
散乱光の双方の出力差をとる場合、異物の反射率や形状
等が異ってくると双方の出力差が変動し異物の検出率が
低下してくる欠点があフた。
受光部には入射光束の直接の反射光及び透過光は入射し
ないが基板を走査中、走査線上のいくつかの点における
回路パターンからの各次数の回折光の一部が入射してし
まう。この為、回路パターンからの回折光と異物からの
散乱光の双方の出力差をとる場合、異物の反射率や形状
等が異ってくると双方の出力差が変動し異物の検出率が
低下してくる欠点があフた。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は基板上に存在しているゴミ等どのような状態の
異物であっても走査線上のすべての点で回路パターンと
高い精度で分離検出することのできる高い分離検出率を
有した表面状態測定装置の提供を目的とする。
異物であっても走査線上のすべての点で回路パターンと
高い精度で分離検出することのできる高い分離検出率を
有した表面状態測定装置の提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明は表面に回路パターンを有する基板の表面状態を
測定する装置において、光源手段と、前記光源手段から
の光束を基板の被測定面上で走査させるための走査手段
と、前記走査手段で走査された被測定面上からの光を受
光する一つの受光手段とを設け、前記走査手段で走査さ
れた被測定面上の異物からの散乱光を前記−つの受光手
段に導く受光光学系、前記受光光学系の光軸の被測定面
上への投影像の方向は前記走査手段で走査された被測定
面上の異物からの散乱光のみ出射する方向の被測定面上
への投影像の方向に平行であり、前記受光光学系は前記
走査手段で走査された被測定面上の各被走査点における
前記異物からの散乱光のみ出射する方向の散乱光を選択
して、前記−つの受光手段に導光する様配置する事によ
って前述問題点を解決している。
測定する装置において、光源手段と、前記光源手段から
の光束を基板の被測定面上で走査させるための走査手段
と、前記走査手段で走査された被測定面上からの光を受
光する一つの受光手段とを設け、前記走査手段で走査さ
れた被測定面上の異物からの散乱光を前記−つの受光手
段に導く受光光学系、前記受光光学系の光軸の被測定面
上への投影像の方向は前記走査手段で走査された被測定
面上の異物からの散乱光のみ出射する方向の被測定面上
への投影像の方向に平行であり、前記受光光学系は前記
走査手段で走査された被測定面上の各被走査点における
前記異物からの散乱光のみ出射する方向の散乱光を選択
して、前記−つの受光手段に導光する様配置する事によ
って前述問題点を解決している。
この他、本発明の特徴は実施例において記載されている
。
。
(実施例)
第1図は本発明の一実施例の光学系の概略図である。第
2図は第1図の投光系の光学原理図である。
2図は第1図の投光系の光学原理図である。
同図に於いて、1は光源であるレーザ1.2は光偏光器
であるポリゴンミラー(ポリゴン)、101は絞り、1
02はビームエキスパンダー61はf−θレンズ、5は
レチクル等の被測定物である基板、62はf−θレンズ
61を介して得られる散乱光を反射し、その光路を変え
るハーフミラ−である。9は散乱光を受光する受光素子
で、ハーフミラ−62で反射され−H位置paに集光し
た散乱光をレンズ8を介して受光する。
であるポリゴンミラー(ポリゴン)、101は絞り、1
02はビームエキスパンダー61はf−θレンズ、5は
レチクル等の被測定物である基板、62はf−θレンズ
61を介して得られる散乱光を反射し、その光路を変え
るハーフミラ−である。9は散乱光を受光する受光素子
で、ハーフミラ−62で反射され−H位置paに集光し
た散乱光をレンズ8を介して受光する。
103は絞りである。
同図において光源であるレーザ1から発した平行ビーム
は第1の絞り(ピンホール)101でその径を制限され
た後ビームエキスパンダー102に入る。エキスパンダ
ー102の内部は、例えば第2図に示す様な凸レンズ1
10と111とから構成され、入射ビームの径を拡大し
てポリゴンミラー2に向けて射出する。
は第1の絞り(ピンホール)101でその径を制限され
た後ビームエキスパンダー102に入る。エキスパンダ
ー102の内部は、例えば第2図に示す様な凸レンズ1
10と111とから構成され、入射ビームの径を拡大し
てポリゴンミラー2に向けて射出する。
このエキスパンダーの働きは、ピンホール101とポリ
ゴンの反射点とを光学的共役関係に継ぐ事である(点線
)。こうする事により、ポリゴンの反射点が実買的にビ
ーム投光系の絞りとして作用する。その結果、ポリゴン
2の各回転位置においてその反射面上でのビームの中心
を通る光線が投光光束の主光線となり、f−〇レンズ6
1を介して基板5上ビーム走査線B、−B、の各位置に
入射する。この時f−θレンズ61の光軸は基板面に対
し角度α、かつ基板・の縦方向(A−A′方向)に対し
角度β傾いている。
ゴンの反射点とを光学的共役関係に継ぐ事である(点線
)。こうする事により、ポリゴンの反射点が実買的にビ
ーム投光系の絞りとして作用する。その結果、ポリゴン
2の各回転位置においてその反射面上でのビームの中心
を通る光線が投光光束の主光線となり、f−〇レンズ6
1を介して基板5上ビーム走査線B、−B、の各位置に
入射する。この時f−θレンズ61の光軸は基板面に対
し角度α、かつ基板・の縦方向(A−A′方向)に対し
角度β傾いている。
この様にしてポリゴンミラー2を回転させ基板5上を点
B、から点B2方向に走査すると共に、基板5を矢印S
1若しくは矢印S2方向に移動させることにより基板5
上の全面を走査している。
B、から点B2方向に走査すると共に、基板5を矢印S
1若しくは矢印S2方向に移動させることにより基板5
上の全面を走査している。
そして基板50入射面の法線に対して入射側に受光光学
系の集光部(ここではf−θレンズ61)の光軸を設け
、基板5上の異物からの散乱光束を集光し、ハーフミラ
−62を介して点paに集光し、その後レンズ8により
受光素子9の受光面に導光している。PG′はf−θレ
ンズ61の後側焦点位置にあたる。
系の集光部(ここではf−θレンズ61)の光軸を設け
、基板5上の異物からの散乱光束を集光し、ハーフミラ
−62を介して点paに集光し、その後レンズ8により
受光素子9の受光面に導光している。PG′はf−θレ
ンズ61の後側焦点位置にあたる。
f−θレンズ61とハーフミラ−62そしてレンズ8は
基板5からの異物散乱光を受光する光学系の一部を構成
している。これを説明する。本実施例ではレンズ61が
投光用と受光用に兼用されている。そして、レンズ61
の後側焦点PG′の位置あるいはその近傍に受光光束を
制限する開口絞り103を設ける。すると、基板上ビー
ム走査線の各位置において異物により散乱され、最終的
に受光素子9に到達する受光光束の主光線はこの絞り1
03中心を通る光線である。絞り103を通過した異物
散乱光は集光レンズ8の作用により受光素子9上に集め
られる。
基板5からの異物散乱光を受光する光学系の一部を構成
している。これを説明する。本実施例ではレンズ61が
投光用と受光用に兼用されている。そして、レンズ61
の後側焦点PG′の位置あるいはその近傍に受光光束を
制限する開口絞り103を設ける。すると、基板上ビー
ム走査線の各位置において異物により散乱され、最終的
に受光素子9に到達する受光光束の主光線はこの絞り1
03中心を通る光線である。絞り103を通過した異物
散乱光は集光レンズ8の作用により受光素子9上に集め
られる。
第3図は本実施例における入射光束と基板5上の回路パ
ターンから生じる回折光の説明図である。今、基板上の
回路パターン面が模式的に描いた球体Sの赤道面に一致
しているとする。現在使用されている半導体回路パター
ンの基板上の回路パターンの形状は殆どが例えばTI
、T2で示すその縦横方向で互いに直交しているパター
ンで構成されている。今、基板上のパターンT1及びパ
ターンT2に対し斜め上方の角度αと主パターンにより
生ずる回折光の方向とずらした角度βの球面上の点P0
を通る方向より光束を入射させる。
ターンから生じる回折光の説明図である。今、基板上の
回路パターン面が模式的に描いた球体Sの赤道面に一致
しているとする。現在使用されている半導体回路パター
ンの基板上の回路パターンの形状は殆どが例えばTI
、T2で示すその縦横方向で互いに直交しているパター
ンで構成されている。今、基板上のパターンT1及びパ
ターンT2に対し斜め上方の角度αと主パターンにより
生ずる回折光の方向とずらした角度βの球面上の点P0
を通る方向より光束を入射させる。
そうすると図中点A1点μ1点A′で形成される平面が
入射面となり基板5からの直接の反射光は矢印ビで示す
ように球体S上の点P0′を通過する方向に反射される
。
入射面となり基板5からの直接の反射光は矢印ビで示す
ように球体S上の点P0′を通過する方向に反射される
。
又パターンT2の方向と平行の球体S上の点Pから中心
点0に光束を入射させたとした場合の反射光の球体Sと
の交点をP′ とすると、点P′を中心にして各々のパ
ターンT r 、 T 2 と直交する方向に各次数の
回折像が形成する。前述の如く、回路パターンが孤立線
の場合はその回折像Qは第4図(A)に示す如く、パタ
ーンTと直交する方向に連続的に現われる。又、回路パ
ターンがメモリーのような繰り返しパターンの場合はそ
の回折像Qは第4図(B)に示す如く離散的に現われる
。又、第4図(C)は矢印51で示す方向より光束を基
板5上に入射させた場合、基板上の主パターンTI、T
2により回折光が矢印52.53で示す方向に、即ち入
射方向と角度βだけずれた方向に生じている様子を示し
ている。
点0に光束を入射させたとした場合の反射光の球体Sと
の交点をP′ とすると、点P′を中心にして各々のパ
ターンT r 、 T 2 と直交する方向に各次数の
回折像が形成する。前述の如く、回路パターンが孤立線
の場合はその回折像Qは第4図(A)に示す如く、パタ
ーンTと直交する方向に連続的に現われる。又、回路パ
ターンがメモリーのような繰り返しパターンの場合はそ
の回折像Qは第4図(B)に示す如く離散的に現われる
。又、第4図(C)は矢印51で示す方向より光束を基
板5上に入射させた場合、基板上の主パターンTI、T
2により回折光が矢印52.53で示す方向に、即ち入
射方向と角度βだけずれた方向に生じている様子を示し
ている。
いずれも場合でも直接の反射光束の点P0及び点P′か
ら遠ざかる程、反射光及び回路パターンからの回折像の
強度は弱くなる。即ち点P。′から入射面内の法線μを
過ぎ入射光束の入射側の球体と交わる点P。の近傍まで
くると回折光の強度はかなり弱くなってくる。
ら遠ざかる程、反射光及び回路パターンからの回折像の
強度は弱くなる。即ち点P。′から入射面内の法線μを
過ぎ入射光束の入射側の球体と交わる点P。の近傍まで
くると回折光の強度はかなり弱くなってくる。
これに対して異物の散乱光は等方向に生じるので入射側
にも多く現われる。
にも多く現われる。
そこで本実施例では受光光束の主光線が直接の反射光の
光路からなるべく遠い位置、即ち入射面の法線μに対し
て光束入射側で、かつ基板5上の主パターンより生じる
回折光の出射方向とずらした、例えば点P0近傍位置に
くるようにすることにより、回路パターンからの回折光
の影響をなるべく少なくして基板5上の異物からの後方
散乱光のみを主に受光するようにしている。
光路からなるべく遠い位置、即ち入射面の法線μに対し
て光束入射側で、かつ基板5上の主パターンより生じる
回折光の出射方向とずらした、例えば点P0近傍位置に
くるようにすることにより、回路パターンからの回折光
の影響をなるべく少なくして基板5上の異物からの後方
散乱光のみを主に受光するようにしている。
即ち受光光束の主光線が第3図に示すように基板5に対
して角度αとなり、かつ受光光束の主光線の基板5上へ
の投影像が、基板5の主パターンによる回折光の生じる
方向である、ここでは基板5の縦横方向となす角と平行
若しくは直交方向より角度βだけずれるようにしている
。
して角度αとなり、かつ受光光束の主光線の基板5上へ
の投影像が、基板5の主パターンによる回折光の生じる
方向である、ここでは基板5の縦横方向となす角と平行
若しくは直交方向より角度βだけずれるようにしている
。
以上のように基板に対する受光光束の主光線の位置を特
定し、これにより回路パターンに対する異物の分離検出
率を高めている。尚、分離検出率を高めるには仮りに受
光光束の主光線が点P0上にくるように配置したとする
と点P。 とP。の中心Oに対して張る角δが大きい程
例えば90゜くδく180°の範囲に設定するのが好ま
しい。
定し、これにより回路パターンに対する異物の分離検出
率を高めている。尚、分離検出率を高めるには仮りに受
光光束の主光線が点P0上にくるように配置したとする
と点P。 とP。の中心Oに対して張る角δが大きい程
例えば90゜くδく180°の範囲に設定するのが好ま
しい。
実際の基板上の回路パターンには基板の縦横方向に対し
て30度、45度そして60度方向のパターンも存在す
る場合がある。このような基板に対しても本発明の効果
を十分発揮させる為には、受光光束の主光線の基板5面
上への投影像と基板5の縦横方向とのなす角が平行若し
くは直交方向より15度±5度の範囲内に設定するのが
良い。
て30度、45度そして60度方向のパターンも存在す
る場合がある。このような基板に対しても本発明の効果
を十分発揮させる為には、受光光束の主光線の基板5面
上への投影像と基板5の縦横方向とのなす角が平行若し
くは直交方向より15度±5度の範囲内に設定するのが
良い。
これを主たる回折パターンの方向に関連づけて換言する
と、基板5上の回路パターンにより互いに略直交する方
向(基板5へ投影してみると)に生ずる主たる2つ回折
パターンの方向のいずれか一方と、受光光束の主光線の
基板5への投影像との成す角が15度±5度の範囲内に
設定するということである。
と、基板5上の回路パターンにより互いに略直交する方
向(基板5へ投影してみると)に生ずる主たる2つ回折
パターンの方向のいずれか一方と、受光光束の主光線の
基板5への投影像との成す角が15度±5度の範囲内に
設定するということである。
第5図、第6図は、第1図の光学配置をとった時に、基
板5上各スキャン位fi(L、O,R)において入射ビ
ームの主光線(図中、実線)と受光散乱光束の主光線(
図中、点線)の基板5上への線の投影像が投光系光軸の
基板5上への投影像00′に平行で基板5の縦横方向に
対し、βの角度をもっている。この為各走査点は常に同
じ方向から照明される事になり、全走査域で照明状態が
等しいこの条件をつくるには、第2図でポリゴンミラー
の反射点をf−θレンズ61の前側焦点位置におく(投
光系がテレセントリック)。又、この時、受光光束の各
主光線の基板5上投影像は角レンズの後側焦点位置P。
板5上各スキャン位fi(L、O,R)において入射ビ
ームの主光線(図中、実線)と受光散乱光束の主光線(
図中、点線)の基板5上への線の投影像が投光系光軸の
基板5上への投影像00′に平行で基板5の縦横方向に
対し、βの角度をもっている。この為各走査点は常に同
じ方向から照明される事になり、全走査域で照明状態が
等しいこの条件をつくるには、第2図でポリゴンミラー
の反射点をf−θレンズ61の前側焦点位置におく(投
光系がテレセントリック)。又、この時、受光光束の各
主光線の基板5上投影像は角レンズの後側焦点位置P。
′の近傍に開口絞り103を設ける事で達成される。い
いかえると、開口絞り103は走査線上の各点からの受
光光束の各主光線の投影像が角度15゜±5゜の範囲に
ある様なP。′近傍の範囲に設ける。これにより各走査
点から常に実質的に同じ方向(ここでは回路パターンか
らの回折光の影響をなるべく少なくして基板5上の異物
からの散乱光のみを主に受光する方向、即ち角度β方向
)に散乱する光のみを受光する事になり、全走査域で受
光状態が等しくできる。第3図を用いて詳しく説明する
と、レチクル上、ビーム走査線の各点がいま点Oに相当
する。第1図の構成を第3図にあてはめると、第1図で
は入射レンズ61側への戻り散乱光を受光しているので
、実質的に第3図の球体上P0の方向に常に受光開口を
設けている事になる。先に第3図について説明したよう
に、基板上の主たる回路パターンの回折光は黒丸の方向
に跳ぶので、p。
いかえると、開口絞り103は走査線上の各点からの受
光光束の各主光線の投影像が角度15゜±5゜の範囲に
ある様なP。′近傍の範囲に設ける。これにより各走査
点から常に実質的に同じ方向(ここでは回路パターンか
らの回折光の影響をなるべく少なくして基板5上の異物
からの散乱光のみを主に受光する方向、即ち角度β方向
)に散乱する光のみを受光する事になり、全走査域で受
光状態が等しくできる。第3図を用いて詳しく説明する
と、レチクル上、ビーム走査線の各点がいま点Oに相当
する。第1図の構成を第3図にあてはめると、第1図で
は入射レンズ61側への戻り散乱光を受光しているので
、実質的に第3図の球体上P0の方向に常に受光開口を
設けている事になる。先に第3図について説明したよう
に、基板上の主たる回路パターンの回折光は黒丸の方向
に跳ぶので、p。
の近傍では受光されない。球体の赤道面が基板5面上に
相当し、この赤道面上に受光光束の主光線(opo)の
投影像が角度β方向に概ね一致していれば、本発明の主
旨に則り、パターン回折光を除外して、異物散乱光だけ
を選択的に受光する事ができる。この時のβの値は回路
パターンからの散乱光を避ける為15°±5°とする。
相当し、この赤道面上に受光光束の主光線(opo)の
投影像が角度β方向に概ね一致していれば、本発明の主
旨に則り、パターン回折光を除外して、異物散乱光だけ
を選択的に受光する事ができる。この時のβの値は回路
パターンからの散乱光を避ける為15°±5°とする。
そして、ビーム走査線上の各点において、このような入
射ビームの主光線と受光光束の主光線とのレチクル面上
投影像のずれ角(第5図中β−β、あるいはβ−βR)
は±10@以内である事が望ましい。
射ビームの主光線と受光光束の主光線とのレチクル面上
投影像のずれ角(第5図中β−β、あるいはβ−βR)
は±10@以内である事が望ましい。
第6図は第5図とは対照的に、特に受光光束の各主光線
の投影像が、受光系光軸のレチクル上への投影像00′
に平行である構成をとる。こうするには、第1図で受光
レンズ61の後側焦点位置場合においても入射ビームの
主光線投影像は走査望ましい。一般には、完全に投光系
や受光系がテレセントリック系であるのが望ましいが、
本発明の効果(レチクル上全域にわたって等しくパター
ン出力を低減する条件を作り出す事)を得るには、レチ
クル上ビーム走査線上の各点において、受光光束の各々
の主光線のレチクル上投影像が角度・β方向(基板5の
縦あるいは横方向に対し15°±5°方向)に概一致し
ていれば良い。好ましくは、入射ビームと受光光束の両
投影像の成す角が±10°以内が良い。
の投影像が、受光系光軸のレチクル上への投影像00′
に平行である構成をとる。こうするには、第1図で受光
レンズ61の後側焦点位置場合においても入射ビームの
主光線投影像は走査望ましい。一般には、完全に投光系
や受光系がテレセントリック系であるのが望ましいが、
本発明の効果(レチクル上全域にわたって等しくパター
ン出力を低減する条件を作り出す事)を得るには、レチ
クル上ビーム走査線上の各点において、受光光束の各々
の主光線のレチクル上投影像が角度・β方向(基板5の
縦あるいは横方向に対し15°±5°方向)に概一致し
ていれば良い。好ましくは、入射ビームと受光光束の両
投影像の成す角が±10°以内が良い。
本実施例において、レンズ61は投光用、受光用の2つ
のレンズに別けても良い。
のレンズに別けても良い。
(発明の効果)
本発明によれば基板上の回路パターンから生じる回折光
を走査線上の全点で空間配置的に避けて基板上に存在し
ている異物からの散乱光束だけを選択的に受光すること
ができる為、回路パターンに対する異物の分離検出率の
高い表面状態測定装置を達成することができる。
を走査線上の全点で空間配置的に避けて基板上に存在し
ている異物からの散乱光束だけを選択的に受光すること
ができる為、回路パターンに対する異物の分離検出率の
高い表面状態測定装置を達成することができる。
第1図は本発明の一実施例の光学系の概略図、第2図は
第1図の実施例の投光系の光学原理図、第3図は第1図
の実施例における入射光束と回路パターンによる回折光
の説明図、打4図(A)。 (B)、(C)は回路パターンと回折像との関係を示す
説明図、第5図は第1図の実施例における入射ビームと
受光光束の関係の概略図、第6図は本発明の他の一実施
例の入射ビームと受光光束の関係の概略図、第7図、第
8図は各々従来の表面状態測定装置の一例である。図中
1は光源、2はポリゴンミラー 4は投光部、5は基板
、6は集光部、7はミラー 8はレンズ、9は受光面、
10は光学系、11はハーフミラ−である。
第1図の実施例の投光系の光学原理図、第3図は第1図
の実施例における入射光束と回路パターンによる回折光
の説明図、打4図(A)。 (B)、(C)は回路パターンと回折像との関係を示す
説明図、第5図は第1図の実施例における入射ビームと
受光光束の関係の概略図、第6図は本発明の他の一実施
例の入射ビームと受光光束の関係の概略図、第7図、第
8図は各々従来の表面状態測定装置の一例である。図中
1は光源、2はポリゴンミラー 4は投光部、5は基板
、6は集光部、7はミラー 8はレンズ、9は受光面、
10は光学系、11はハーフミラ−である。
Claims (4)
- (1)表面に回路パターンを有する基板の表面状態を測
定する装置において、 光源手段と、 前記光源手段からの光束を基板の被測定面上で走査させ
るための走査手段と、 前記走査手段で走査された被測定面上からの光を受光す
る一つの受光手段とを有し、 前記走査手段で走査された被測定面上の異物からの散乱
光を前記一つの受光手段に導く受光光学系、前記受光光
学系の光軸の被測定面上への投影像の方向は前記走査手
段で走査された被測定面上の異物からの散乱光のみ出射
する方向の被測定面上への投影像の方向に平行であり、
前記受光光学系は前記走査手段で走査された被測定面上
の各被走査点における前記異物からの散乱光のみ出射す
る方向の散乱光を選択して前記一つの受光手段に導光す
る様配置されている事を特徴とする表面状態測定装置。 - (2)前記受光光学系は、前記被測定面上の前記走査手
段によって光走査された各点から出射する散乱光のうち
、主光線の前記被測定面上への投影像が前記被測定面の
縦横方向に対し15゜±5゜の角度を成す光束のみを前
記受光手段に導くように配置される事を特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の表面状態測定装置。 - (3)前記受光光学系は前記被測定面上から散乱光を受
ける対物光学系を有し、前記対物光学系は光軸の前記被
測定面上への投影像が被測定面の縦横方向に対し15゜
±5゜の角度を成し、かつ後側焦点位置に開口絞りを有
する事を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の表面状
態測定装置。 - (4)前記受光光学系は、前記被測定面上の前記走査手
段によって光走査された各点から出射された散乱光のう
ち、主光線の前記被測定面上への投影像が前記走査手段
によって前記各点に走査される走査光束の主光線の投影
像に対し±10゜の角度を成す光束のみを前記受光手段
に導くように配置される事を特徴とする特許請求の範囲
第1項記載の表面状態測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63198280A JPH0675039B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 表面状態測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63198280A JPH0675039B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 表面状態測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0247541A true JPH0247541A (ja) | 1990-02-16 |
JPH0675039B2 JPH0675039B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=16388500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63198280A Expired - Lifetime JPH0675039B2 (ja) | 1988-08-08 | 1988-08-08 | 表面状態測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0675039B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5557446A (en) * | 1992-04-17 | 1996-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical scanning apparatus having tilted scanning lens system |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62188943A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-18 | Canon Inc | 表面状態測定装置 |
-
1988
- 1988-08-08 JP JP63198280A patent/JPH0675039B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62188943A (ja) * | 1986-02-14 | 1987-08-18 | Canon Inc | 表面状態測定装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5557446A (en) * | 1992-04-17 | 1996-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical scanning apparatus having tilted scanning lens system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0675039B2 (ja) | 1994-09-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070921 Year of fee payment: 13 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |