JPH04122908A - Plzt光シャッタアレー装置 - Google Patents
Plzt光シャッタアレー装置Info
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- JPH04122908A JPH04122908A JP24330290A JP24330290A JPH04122908A JP H04122908 A JPH04122908 A JP H04122908A JP 24330290 A JP24330290 A JP 24330290A JP 24330290 A JP24330290 A JP 24330290A JP H04122908 A JPH04122908 A JP H04122908A
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- optical shutter
- plzt
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- wiring pattern
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野コ
この発明はPLZT (透明なセラミック)の複屈折を
利用してデイスプレィや光シャッタ等に用いるPLZT
光シャッタアレー装置に係り、更に詳しくは各光シャッ
タを能動素子でアクティブマトリックス駆動するように
したPLZT光シャッタアレー装置に関するものである
。
利用してデイスプレィや光シャッタ等に用いるPLZT
光シャッタアレー装置に係り、更に詳しくは各光シャッ
タを能動素子でアクティブマトリックス駆動するように
したPLZT光シャッタアレー装置に関するものである
。
[従 来 例]
近年、PZ丁にLaを添加した透明なセラミックのPL
ZT(PbO,LaO,ZrO2,Tie)が光シャッ
タやデイスプレィに用いられようとしている。
ZT(PbO,LaO,ZrO2,Tie)が光シャッ
タやデイスプレィに用いられようとしている。
そのPLZTを用いて光シヤツタアレーを作製する場合
、複数の光シャッタを齢勤する方法としてはPLZTの
性質から単純マトリックスで行なうことができないこと
から、例えば第8図および第9図に示されるように、P
LZ丁基板基板1数の光シャッタ2をマトリックス状に
形成し、がっ、その光シャッタ2を駆動するFET(電
界効果トランジスタ)の能動素子3を形成し、この能動
素子3で光シャッタ2を訃勤するアクティブマトリック
ス方式が考えられている。
、複数の光シャッタを齢勤する方法としてはPLZTの
性質から単純マトリックスで行なうことができないこと
から、例えば第8図および第9図に示されるように、P
LZ丁基板基板1数の光シャッタ2をマトリックス状に
形成し、がっ、その光シャッタ2を駆動するFET(電
界効果トランジスタ)の能動素子3を形成し、この能動
素子3で光シャッタ2を訃勤するアクティブマトリック
ス方式が考えられている。
その能動素子3としては、大面積化が容易であり、透明
基板が使用できるTFT(Thin Fil+++ T
ran−sistor)を用いることができる。この場
合、PLZT基板1とTFTの能動素子3の接続には、
例えば第9図に示すように、PLZT基板1に複数の光
シャッタ2をマトリックス状に形成し、他方透明部材4
にTPTの能動素子3を形成し、この能動素子3の出力
電極(ソース電極)5と光シャッタ2の画素電極6をバ
ンプ7を介して接続し、かつ、上記PLZT基板1と透
明部材4を透明接着剤8で一体化する方法がある。なお
、図中、9は光シャッタ2の他方の画素電極(共通電極
;GND)で、10は能動素子3のゲート電極で、11
は能動素子3の半導体層で、12は能動素子3の絶縁層
で、13は能動素子3のトレイン電極である。
基板が使用できるTFT(Thin Fil+++ T
ran−sistor)を用いることができる。この場
合、PLZT基板1とTFTの能動素子3の接続には、
例えば第9図に示すように、PLZT基板1に複数の光
シャッタ2をマトリックス状に形成し、他方透明部材4
にTPTの能動素子3を形成し、この能動素子3の出力
電極(ソース電極)5と光シャッタ2の画素電極6をバ
ンプ7を介して接続し、かつ、上記PLZT基板1と透
明部材4を透明接着剤8で一体化する方法がある。なお
、図中、9は光シャッタ2の他方の画素電極(共通電極
;GND)で、10は能動素子3のゲート電極で、11
は能動素子3の半導体層で、12は能動素子3の絶縁層
で、13は能動素子3のトレイン電極である。
そして、能動索子3のゲート電極10を走査ライン14
に接続し、そのトレイン電極13をデータライン15に
接続する。これにより、走査ライン14を介してゲート
電極10に信号が人力されると、能動素子3のトレイン
とソース間の電流が変えられる。
に接続し、そのトレイン電極13をデータライン15に
接続する。これにより、走査ライン14を介してゲート
電極10に信号が人力されると、能動素子3のトレイン
とソース間の電流が変えられる。
さらに、データライン15を介してトレイン電極13に
電圧Vdが印加されると、当該能動素子3がオン状態と
なるため、この光シャッタ2の画素電極(ソース電極5
)にはその電圧が印加される。これにより、光シャッタ
2の画素電極(ソース電極5)と共通電極9の間には電
界が生じ、その光シャッタ2の光が透過制御される。
電圧Vdが印加されると、当該能動素子3がオン状態と
なるため、この光シャッタ2の画素電極(ソース電極5
)にはその電圧が印加される。これにより、光シャッタ
2の画素電極(ソース電極5)と共通電極9の間には電
界が生じ、その光シャッタ2の光が透過制御される。
[発明が解決しようとする課題]
ところで、上記構成のPLZT光シャッタアレー装置に
あっては、走査ライン14およびデータライン15を同
一基板上、例えば透明部材4の面に形成しなければなら
ず、この結果第10図に示されるように、その走査ライ
ン14とデータライン15が交差することになることが
ら、その交差部分(同図の矢印Aに示す)に絶縁を施し
、そのクロスポイントAにおける短絡を防止することが
必要となる。
あっては、走査ライン14およびデータライン15を同
一基板上、例えば透明部材4の面に形成しなければなら
ず、この結果第10図に示されるように、その走査ライ
ン14とデータライン15が交差することになることが
ら、その交差部分(同図の矢印Aに示す)に絶縁を施し
、そのクロスポイントAにおける短絡を防止することが
必要となる。
しかしながら、そのクロスポイントAにおける絶縁層の
耐圧、膜厚の不均一性および欠陥等により、絶縁不良が
生じ、そのクロスポイントAの部分が短絡することもあ
り、歩留まりを悪くすることにもなる。
耐圧、膜厚の不均一性および欠陥等により、絶縁不良が
生じ、そのクロスポイントAの部分が短絡することもあ
り、歩留まりを悪くすることにもなる。
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目
的は光シャッタの駆動索子として2端子素子を用い、走
査ラインとデータラインの交差を無くし、歩留まりの改
善を図ることができるようにしたPLZTシャッタアレ
ー装置を提供することにある。
的は光シャッタの駆動索子として2端子素子を用い、走
査ラインとデータラインの交差を無くし、歩留まりの改
善を図ることができるようにしたPLZTシャッタアレ
ー装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、この発明のPLZT光シャ
ッタアレー装置は、複数の光シャッタをマトリックス状
に形成したPLZT基板上とこのPLZT基板上に取付
けられる透明部材とがらなっており、上記PLZT基板
上にその光シャッタの電極の一方に2端子のMIMの能
動素子を一体化形成するとともに、該能動素子の電極を
その光シャッタの一方の電極と兼用とし、かつ、同PL
ZT基板にその光シャッタの他方の電極を接続する走査
ラインの配線パターンを形成しており、そのPLZT基
板上に固着する透明部材に上記電極の一方にバンプを介
して接続可能なデータラインの配線パターンを形成して
おり、その走査ラインおよびデータラインによる信号に
より、上記能動素子を能動し、当該光シャッタをアクテ
ィブマトリックス方式で駆動可能としたことを要旨とす
る。
ッタアレー装置は、複数の光シャッタをマトリックス状
に形成したPLZT基板上とこのPLZT基板上に取付
けられる透明部材とがらなっており、上記PLZT基板
上にその光シャッタの電極の一方に2端子のMIMの能
動素子を一体化形成するとともに、該能動素子の電極を
その光シャッタの一方の電極と兼用とし、かつ、同PL
ZT基板にその光シャッタの他方の電極を接続する走査
ラインの配線パターンを形成しており、そのPLZT基
板上に固着する透明部材に上記電極の一方にバンプを介
して接続可能なデータラインの配線パターンを形成して
おり、その走査ラインおよびデータラインによる信号に
より、上記能動素子を能動し、当該光シャッタをアクテ
ィブマトリックス方式で駆動可能としたことを要旨とす
る。
また、この発明のPLZT光シャッタアレー装置は、」
−記2端子の能動素子であるMIM素子を上記透明部材
側に形成したものである。
−記2端子の能動素子であるMIM素子を上記透明部材
側に形成したものである。
[作 用]
上記構成としたので、複数の光シャッタをマトリックス
状の形成したPLZT基板上に透明部材が固着されるが
、それら光シャッタを駆動する能動素子のMIM素子が
PLZT基板側あるいは透明基板側に形成され、それら
MIM素子を制御するための走査ラインおよびデータラ
インがPLZT基板上と透明部材に分けて形成される。
状の形成したPLZT基板上に透明部材が固着されるが
、それら光シャッタを駆動する能動素子のMIM素子が
PLZT基板側あるいは透明基板側に形成され、それら
MIM素子を制御するための走査ラインおよびデータラ
インがPLZT基板上と透明部材に分けて形成される。
すなわち、複数の光シャッタをアクティブマトリックス
方式で駆動するためには上記走査ラインおよびデータラ
インが必要であるが、これらラインの配線パターンの形
成に際し、交差することもない。したがって、従来例で
説明したように、走査ラインとデータラインの交差部分
に絶縁を施す必要がない。
方式で駆動するためには上記走査ラインおよびデータラ
インが必要であるが、これらラインの配線パターンの形
成に際し、交差することもない。したがって、従来例で
説明したように、走査ラインとデータラインの交差部分
に絶縁を施す必要がない。
[実 施 例]
埋板、この発明の実施例を第1図乃至第7図に基づいて
説明する。なお1図中、第8図および第9図と同一部分
およびそれらと相当部分には同一符号を付し重複説明を
省略する。
説明する。なお1図中、第8図および第9図と同一部分
およびそれらと相当部分には同一符号を付し重複説明を
省略する。
この第1図乃至第3図において、この光シヤツタアレー
装置のPLZT基板1にはマトリックス状に複数の光シ
ャッタ2が形成されており、これら光シャッタ2の一方
の電極16には2端子の能動素子、例えばMIM(Me
tal In5u1.ator Metal)素子17
が一体化形成されている。そのため、その光シャッタ2
の一方の電極16と2端子の能動素子17の一方の電極
が兼用されている。また、MIM素子17は絶縁膜18
をその一方の電極16と金属膜(他方の電極)19では
さんで形成されており、この金属膜19はl)L i
T 基板1の表面まで延びている。
装置のPLZT基板1にはマトリックス状に複数の光シ
ャッタ2が形成されており、これら光シャッタ2の一方
の電極16には2端子の能動素子、例えばMIM(Me
tal In5u1.ator Metal)素子17
が一体化形成されている。そのため、その光シャッタ2
の一方の電極16と2端子の能動素子17の一方の電極
が兼用されている。また、MIM素子17は絶縁膜18
をその一方の電極16と金属膜(他方の電極)19では
さんで形成されており、この金属膜19はl)L i
T 基板1の表面まで延びている。
一方、透明部材(例えば透明フィルム)4にはデータラ
イン15の配線パターンが形成され、かつ、上記MIM
素子17の電極19に対向する位置にはそのデータライ
ン15の配線パターンに接続する透明導電膜(例えばI
TO等)20が形成されている。そして、上記PLZT
基板1と透明部材4が透明接着剤8で接着固定されるが
、このときデータライン15の配線パターンと接続して
いる透明導電膜20はバンプ21を介して肘阿素子17
の他方の電極19に接続される。
イン15の配線パターンが形成され、かつ、上記MIM
素子17の電極19に対向する位置にはそのデータライ
ン15の配線パターンに接続する透明導電膜(例えばI
TO等)20が形成されている。そして、上記PLZT
基板1と透明部材4が透明接着剤8で接着固定されるが
、このときデータライン15の配線パターンと接続して
いる透明導電膜20はバンプ21を介して肘阿素子17
の他方の電極19に接続される。
なお、PLZT基板1の表面、つまり光シャッタ2の電
極9,16の形成面には従来同様に走査ライン14の配
線パターンが形成されており、この配線パターンと光シ
ャッタ2の電極9が接続されている。
極9,16の形成面には従来同様に走査ライン14の配
線パターンが形成されており、この配線パターンと光シ
ャッタ2の電極9が接続されている。
次に、上記PLZT基板1に2端子のMIM索子17を
作製する工程を第4図および第5図に基づいて説明する
と、まず第4図に示されているように、PLZT基板1
にMIM素子17および走査ライン14の配線パターン
を形成するが、マトリックス状に複数個の光シャッタを
形成した後、その光シャッタ2の電極9に接続して走査
ライン14の配線パターンを形成し、その電極16にM
IM素子17を形成する。
作製する工程を第4図および第5図に基づいて説明する
と、まず第4図に示されているように、PLZT基板1
にMIM素子17および走査ライン14の配線パターン
を形成するが、マトリックス状に複数個の光シャッタを
形成した後、その光シャッタ2の電極9に接続して走査
ライン14の配線パターンを形成し、その電極16にM
IM素子17を形成する。
この場合、第4図に示されているように、スパッタや蒸
着法等により金属膜を成膜し、しかる後パターニングに
より所定間隔で上記電極9,16を作製し、複数の光シ
ャッタ2をマトリックス状に配置する。なお、その光シ
ャッタの電極9は走査ライン14の配線パターンが兼用
されている。
着法等により金属膜を成膜し、しかる後パターニングに
より所定間隔で上記電極9,16を作製し、複数の光シ
ャッタ2をマトリックス状に配置する。なお、その光シ
ャッタの電極9は走査ライン14の配線パターンが兼用
されている。
続いて、スパッタ、CVD、蒸着や陽極酸化法等により
、その光シャッタ2の電極16に部分的に絶縁膜18を
形成し、しかる後その絶縁膜18上に金属膜の電極19
を成膜してMIM素子17を形成し、さらにそのMIM
素子17の電極19にバンプ21を形成する。
、その光シャッタ2の電極16に部分的に絶縁膜18を
形成し、しかる後その絶縁膜18上に金属膜の電極19
を成膜してMIM素子17を形成し、さらにそのMIM
素子17の電極19にバンプ21を形成する。
一方、第5図に示されているように、透明部材4には、
データライン15の配線パターンおよびそのM側素子1
7の電極19にバンプ21を介して接続する透明導電膜
20を形成する。なお、その透明導電膜20の形成に際
し、データライン15の配線パターンを形成してもよい
。
データライン15の配線パターンおよびそのM側素子1
7の電極19にバンプ21を介して接続する透明導電膜
20を形成する。なお、その透明導電膜20の形成に際
し、データライン15の配線パターンを形成してもよい
。
そして、第2図に示されているように、■〕記先光シャ
ッタ2MIM素子17および走査ライン14の配線パタ
ーンを形成したPLZT基板1上に上記透明部材4を透
明接着剤8で固着するが、このとき透明導電膜20がバ
ンプ21を介してMIM索子17の電極19に接続する
。これにより、その走査ライン14およびデータライン
15を介した信号により、上記構成の光シヤツタアレー
装置をアクティブマトリックス方式で駆動することが可
能となる。すなわち、MIM素子17をオンオフ制御す
る信号、つまり走査信号および駆動電圧がその走査ライ
ン14およびデータライン15を介して人力されると、
その信号および電圧によりMIM素子17がオンオフ駆
動され、このMI阿素子17のオン駆動により当該光シ
ヤツタ20電極9,16の間に電圧が印加される。その
電極9,16間のPLZT基板1には電界が生じるため
、当該光シャッタ2の光が透過制御される。
ッタ2MIM素子17および走査ライン14の配線パタ
ーンを形成したPLZT基板1上に上記透明部材4を透
明接着剤8で固着するが、このとき透明導電膜20がバ
ンプ21を介してMIM索子17の電極19に接続する
。これにより、その走査ライン14およびデータライン
15を介した信号により、上記構成の光シヤツタアレー
装置をアクティブマトリックス方式で駆動することが可
能となる。すなわち、MIM素子17をオンオフ制御す
る信号、つまり走査信号および駆動電圧がその走査ライ
ン14およびデータライン15を介して人力されると、
その信号および電圧によりMIM素子17がオンオフ駆
動され、このMI阿素子17のオン駆動により当該光シ
ヤツタ20電極9,16の間に電圧が印加される。その
電極9,16間のPLZT基板1には電界が生じるため
、当該光シャッタ2の光が透過制御される。
また、上記走査ライン14がPLZT基板1側に形成さ
れ、データライン15が透明部材4側に形成されること
から、それら走査ライン14およびデータライン15の
配線パターンが交差することもなく、つまり従来例で説
明したクロスポイントA(第10図に示す)がなくなる
。
れ、データライン15が透明部材4側に形成されること
から、それら走査ライン14およびデータライン15の
配線パターンが交差することもなく、つまり従来例で説
明したクロスポイントA(第10図に示す)がなくなる
。
第6図および第7図はこの発明の変形実施例を示すPL
ZT光シャッタアレー装置の概略的部分断面図および概
略的部分正面図である。なお、図中、第2図および第3
図と同一部分およびそれらに相当する部分には同一符号
を付し重複説明を省略する。
ZT光シャッタアレー装置の概略的部分断面図および概
略的部分正面図である。なお、図中、第2図および第3
図と同一部分およびそれらに相当する部分には同一符号
を付し重複説明を省略する。
この実施例では、上記能動素子のMIM素子17が透明
部材4側に設けられることから、PLZT基板1には、
マトリックス状に複数の光シャッタ2が形成され、また
その光シャッタの電極9に接続する走査ライン14の配
線パターンが形成され、さらにその光シャッタ2の一方
の電極22に接続するバンプ23が形成される。一方、
透明部材4には、データライン15の配線パターンが形
成され、またその光シャッタ2の他方の電極22に対応
する位置にデータライン15と接続する透明導電膜(I
TO等)24が形成される。
部材4側に設けられることから、PLZT基板1には、
マトリックス状に複数の光シャッタ2が形成され、また
その光シャッタの電極9に接続する走査ライン14の配
線パターンが形成され、さらにその光シャッタ2の一方
の電極22に接続するバンプ23が形成される。一方、
透明部材4には、データライン15の配線パターンが形
成され、またその光シャッタ2の他方の電極22に対応
する位置にデータライン15と接続する透明導電膜(I
TO等)24が形成される。
この場合、透明部材4には、最初にデータライン15の
配線パターンを形成し、しかる後上記透明導電膜24を
形成し、かつ、この透明導電膜に一方の電極25を接続
するとともに、他方の電極26をバンプ23を介して光
シャッタ2の電極22に接続するMIM素子17を形成
する。なお、それら電極25.26間により絶縁層27
がはさまれ、MIN素子17が構成される。
配線パターンを形成し、しかる後上記透明導電膜24を
形成し、かつ、この透明導電膜に一方の電極25を接続
するとともに、他方の電極26をバンプ23を介して光
シャッタ2の電極22に接続するMIM素子17を形成
する。なお、それら電極25.26間により絶縁層27
がはさまれ、MIN素子17が構成される。
そして、前実施例同様に、光シャッタ2および走査ライ
ン14の配線パターンを形成したPLZT基板1上に上
記透明部材4を透明接着剤8で固着するが、このとき光
シャッタ2の電極22がバンプ23を介してMIM素子
17の他方の電極25に接続する。これにより、上記構
成の光シヤツタアレー装置をアクティブマトリックス方
式で駆動することが可能となり、また走査ライン14お
よびデータライン15の配線パターンが交差することも
なく、つまり従来例で説明したクロスポイントA(第1
0図に示す)がなくなる。
ン14の配線パターンを形成したPLZT基板1上に上
記透明部材4を透明接着剤8で固着するが、このとき光
シャッタ2の電極22がバンプ23を介してMIM素子
17の他方の電極25に接続する。これにより、上記構
成の光シヤツタアレー装置をアクティブマトリックス方
式で駆動することが可能となり、また走査ライン14お
よびデータライン15の配線パターンが交差することも
なく、つまり従来例で説明したクロスポイントA(第1
0図に示す)がなくなる。
このように、複数の光シャッタ2をアクティブマトリッ
クス方式で駆動する素子として、2端子の能動素子、例
えばMIM素子17を用い、またそのMIM素子17を
駆動する走査ライン14およびデータライン15をそれ
ぞれPLZT基板1および透明部材4に分けて形成する
ようにしたので、それら走査ライン14とデータライン
15が交差しなくなり、従来例のように絶縁を施す必要
がなくなり、P L Z T光シャッタアレー装置の歩
留まりの向上を図ることができ、さらに3端子のFET
素子3と比較して遥かに製作工程が少なく、マスクの使
用枚数も少ないことから、またMIM素子17の電極引
き出し配線も簡単になることから、さらに歩留まりの向
上を図ることができる。
クス方式で駆動する素子として、2端子の能動素子、例
えばMIM素子17を用い、またそのMIM素子17を
駆動する走査ライン14およびデータライン15をそれ
ぞれPLZT基板1および透明部材4に分けて形成する
ようにしたので、それら走査ライン14とデータライン
15が交差しなくなり、従来例のように絶縁を施す必要
がなくなり、P L Z T光シャッタアレー装置の歩
留まりの向上を図ることができ、さらに3端子のFET
素子3と比較して遥かに製作工程が少なく、マスクの使
用枚数も少ないことから、またMIM素子17の電極引
き出し配線も簡単になることから、さらに歩留まりの向
上を図ることができる。
[発明の効果コ
以上説明したように、この発明のPLZT光シャッタア
レー装置によれば、PLZT基板上に複数の光シャッタ
をマトリックス状に形成し、その先シャンクを能動素子
でアクティブマトリックス方式で即動するPLZT光シ
ャッタアレー装置において、その能動素子に2端子のM
IM素子を用い、この旧暦素子をその光シャッタの一方
の電極に一体化形成するとともに、その光シャッタの他
方の電極に接続する走査ラインを形成し、かつ、そのM
IM素子の他方の電極をバンプを介して透明部材に形成
したデータラインに接続し、あるいはその阿■阿素子を
透明部材側に形成するとともに、このMIM素子の電極
をバンブを介してPLZT基板上の光シャッタの一方の
電極に接続し、それら走査ラインおよびデータラインの
信号によりそのMIM素子をマトリックス疑動可能とし
たので、それら走査ラインおよびデータラインの配線パ
ターンが交差することもなく、絶縁処理をする必要がな
くなったことから、PLZT光シャッタアレー装置の歩
留まりの向上を図ることができ、また能動素子の作製工
程が少なく、しかもマスクの枚数も少なく、また配線数
が簡単であることから、さらに歩留まりを上げることが
できるという効果がある。
レー装置によれば、PLZT基板上に複数の光シャッタ
をマトリックス状に形成し、その先シャンクを能動素子
でアクティブマトリックス方式で即動するPLZT光シ
ャッタアレー装置において、その能動素子に2端子のM
IM素子を用い、この旧暦素子をその光シャッタの一方
の電極に一体化形成するとともに、その光シャッタの他
方の電極に接続する走査ラインを形成し、かつ、そのM
IM素子の他方の電極をバンプを介して透明部材に形成
したデータラインに接続し、あるいはその阿■阿素子を
透明部材側に形成するとともに、このMIM素子の電極
をバンブを介してPLZT基板上の光シャッタの一方の
電極に接続し、それら走査ラインおよびデータラインの
信号によりそのMIM素子をマトリックス疑動可能とし
たので、それら走査ラインおよびデータラインの配線パ
ターンが交差することもなく、絶縁処理をする必要がな
くなったことから、PLZT光シャッタアレー装置の歩
留まりの向上を図ることができ、また能動素子の作製工
程が少なく、しかもマスクの枚数も少なく、また配線数
が簡単であることから、さらに歩留まりを上げることが
できるという効果がある。
第1図はこの発明の一実施例を示し、PLZT光シャッ
タアレー装置の概略的部分回路図、第2図は上記PLZ
T光シャッタアレー装置の概略的部分側断面図、第3図
乃至第5図はPLZT光シャッタアレー装置の概略的部
分ブロック図、第6図はこの発明の変形実施例を示すP
LZT光シャッタアレー装置の概略的部分側断面図、第
7図は第6図に示すPLZT光シャッタアレー装置の概
略的部分ブロック図、第8図は従来のPLZT光シャッ
タアレー装置の概略的部分回路図、第9図および第1O
図は第8図に示すPLZT光シャッタアレー装置の概略
的部分側断面図および概略的部分ブロック図である。 図中、1はPLZT基板、2は光シャッタ、4は透明部
材、8は透明接着剤、9,22は電極(光シャッタ2の
)、16は電極(光シャッタ2およびMIM素子17兼
用の)、19,25.26は電極(阿■阿素子17の)
、14は走査ライン、15はデータライン、17はMI
M素子(2端子の能動素子)、18.27は絶縁層(H
IM素子17の)、20は透明導電膜(ITO等)、2
1.23はバンプ、24は透明導電膜(ITO等)であ
る。 特許出願人 株式会社 富士通ゼネラル代理人 弁理
士 大 原 拓 也
タアレー装置の概略的部分回路図、第2図は上記PLZ
T光シャッタアレー装置の概略的部分側断面図、第3図
乃至第5図はPLZT光シャッタアレー装置の概略的部
分ブロック図、第6図はこの発明の変形実施例を示すP
LZT光シャッタアレー装置の概略的部分側断面図、第
7図は第6図に示すPLZT光シャッタアレー装置の概
略的部分ブロック図、第8図は従来のPLZT光シャッ
タアレー装置の概略的部分回路図、第9図および第1O
図は第8図に示すPLZT光シャッタアレー装置の概略
的部分側断面図および概略的部分ブロック図である。 図中、1はPLZT基板、2は光シャッタ、4は透明部
材、8は透明接着剤、9,22は電極(光シャッタ2の
)、16は電極(光シャッタ2およびMIM素子17兼
用の)、19,25.26は電極(阿■阿素子17の)
、14は走査ライン、15はデータライン、17はMI
M素子(2端子の能動素子)、18.27は絶縁層(H
IM素子17の)、20は透明導電膜(ITO等)、2
1.23はバンプ、24は透明導電膜(ITO等)であ
る。 特許出願人 株式会社 富士通ゼネラル代理人 弁理
士 大 原 拓 也
Claims (2)
- (1)複数の光シャッタをマトリックス状に形成したP
LZT基板上と該PLZT基板上に取付けられる透明部
材とからなっており、 前記PLZT基板上にその光シャッタの電極の一方に2
端子のMIMの能動素子を一体化形成するとともに、該
能動素子の電極をその光シャッタの一方の電極と兼用と
し、かつ、同PLZT基板にその光シャッタの他方の電
極を接続する走査ラインの配線パターンを形成しており
、そのPLZT基板上に固着する透明部材に前記電極の
一方にバンプを介して接続可能なデータラインの配線パ
ターンを形成しており、その走査ラインおよびデータラ
インによる信号により、前記能動素子を駆動し、当該光
シャッタをアクティブマトリックス方式で駆動可能とし
たことを特徴とするPLZT光シャッタアレー装置。 - (2)複数の光シャッタをマトリックス状に形成したP
LZT基板上と該PLZT基板上に取付けられる透明部
材とからなっており、 前記PLZT基板上にその光シャッタの電極の一方を接
続する走査ラインの配線パターンを形成しており、その
PLZT基板上に固着する透明部材には前記光シャッタ
の電極の他方に対応する位置に、一方の電極をバンプを
介して前記光シャッタの他方の電極に接続可能な2端子
のMIMの能動素子を形成し、かつ、同透明部材にその
能動素子の他方の電極を接続するデータラインの配線パ
ターンを形成しており、その走査ラインおよびデータラ
インによる信号により、前記能動素子を駆動し、当該光
シャッタをアクティブマトリックス方式で駆動可能とし
たことを特徴とするPLZT光シャッタアレー装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24330290A JPH04122908A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | Plzt光シャッタアレー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24330290A JPH04122908A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | Plzt光シャッタアレー装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04122908A true JPH04122908A (ja) | 1992-04-23 |
Family
ID=17101814
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24330290A Pending JPH04122908A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | Plzt光シャッタアレー装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04122908A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5829367A (en) * | 1994-06-17 | 1998-11-03 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Pulverized fuel combustion burner having a flame maintaining plate at a tip end portion of a pulverized fuel conduit |
JP2009229675A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | V Technology Co Ltd | 光変調素子 |
-
1990
- 1990-09-13 JP JP24330290A patent/JPH04122908A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5829367A (en) * | 1994-06-17 | 1998-11-03 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Pulverized fuel combustion burner having a flame maintaining plate at a tip end portion of a pulverized fuel conduit |
US5842426A (en) * | 1994-06-17 | 1998-12-01 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Pulverized fuel combustion burner having rich/lean separator |
US6024030A (en) * | 1994-06-17 | 2000-02-15 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Pulverized fuel combustion burner |
US6053118A (en) * | 1994-06-17 | 2000-04-25 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Pulverized fuel rich/lean separator for a pulverized fuel burner |
JP2009229675A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | V Technology Co Ltd | 光変調素子 |
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