JPH04104936A - Ｉｔｏ焼結体の製造方法 - Google Patents
Ｉｔｏ焼結体の製造方法Info
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- JPH04104936A JPH04104936A JP2223726A JP22372690A JPH04104936A JP H04104936 A JPH04104936 A JP H04104936A JP 2223726 A JP2223726 A JP 2223726A JP 22372690 A JP22372690 A JP 22372690A JP H04104936 A JPH04104936 A JP H04104936A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、透明導電膜の形成に使用するスパッタリング
用ターゲツト材あるいは蒸着用ペレットとして用いる酸
化インジウム−酸化スズ焼結体の製造方法に関する。
用ターゲツト材あるいは蒸着用ペレットとして用いる酸
化インジウム−酸化スズ焼結体の製造方法に関する。
（従来技術）
スパッタリング法、蒸着法によって得られる透明導電膜
として、酸化インジウム−酸化スズから成るＩＴＯは、
その比抵抗値の低さから有望な膜として注目されている
０例えば適当な条件でＩＴＯ焼結体をターゲットまたは
ペレットとし、これを３００℃程度の高温に加熱された
基板上に物理蒸着することにより、透明性が良く且つ比
抵抗値が２．０Ｘ１０−’Ω・１以下の良質なＩＴＯ膜
が得られる。
として、酸化インジウム−酸化スズから成るＩＴＯは、
その比抵抗値の低さから有望な膜として注目されている
０例えば適当な条件でＩＴＯ焼結体をターゲットまたは
ペレットとし、これを３００℃程度の高温に加熱された
基板上に物理蒸着することにより、透明性が良く且つ比
抵抗値が２．０Ｘ１０−’Ω・１以下の良質なＩＴＯ膜
が得られる。
このようなＩＴＯ焼結体を製造する方法として、Ｉｎｚ
０３粉末とＳｎＯ，粉末とを所定の量比で混合して得ら
れた平均粒径が数μｍの混合粉末を、パラフィンワック
スあるいはポリビニルアルコールなどのバインダーと混
合し、乾燥及び造粒を行い、成形を行った後に、１００
０℃〜１４００℃の温度で焼結を行う方法が一般に採用
されている。また上記の混合粉末を用いて、ホットプレ
スにより加圧下で６００℃〜９００℃の温度で焼結を行
う方法も採用されている。
０３粉末とＳｎＯ，粉末とを所定の量比で混合して得ら
れた平均粒径が数μｍの混合粉末を、パラフィンワック
スあるいはポリビニルアルコールなどのバインダーと混
合し、乾燥及び造粒を行い、成形を行った後に、１００
０℃〜１４００℃の温度で焼結を行う方法が一般に採用
されている。また上記の混合粉末を用いて、ホットプレ
スにより加圧下で６００℃〜９００℃の温度で焼結を行
う方法も採用されている。
さらに特開昭６２−２１７５１号公報には、Ｉｎ２Ｏ３
粉末とＳｎ０ｇ粉末を適当な量だけ配合し、混合・粉砕
を行い、これを１２００℃〜１４００℃の温度で仮焼を
行い、次いで再度粉砕を行って平均粒径３〜６μｍの粉
末とし、これを成形・焼成することから成るＩＴＯ焼結
体の製造方法が開示されている。
粉末とＳｎ０ｇ粉末を適当な量だけ配合し、混合・粉砕
を行い、これを１２００℃〜１４００℃の温度で仮焼を
行い、次いで再度粉砕を行って平均粒径３〜６μｍの粉
末とし、これを成形・焼成することから成るＩＴＯ焼結
体の製造方法が開示されている。
（発明が解決しようとする諜１３）
近年、カラー液晶デイスプレィ用として、カラーフィル
ター上へのＩＴＯＷｉ！のコーティングが行われている
。また、デイスプレィの軽量化の面から、プラスチック
基板へのＩＴＯ膜のコーティングも行われるようになっ
てきた。然しなから、これらのカラーフィルターやプラ
スチック基板は耐熱性に劣るため、従来行われてきた高
温でのスパッタリングは行えず、基板加熱温度は２００
°Ｃ以下という制約を受けている。
ター上へのＩＴＯＷｉ！のコーティングが行われている
。また、デイスプレィの軽量化の面から、プラスチック
基板へのＩＴＯ膜のコーティングも行われるようになっ
てきた。然しなから、これらのカラーフィルターやプラ
スチック基板は耐熱性に劣るため、従来行われてきた高
温でのスパッタリングは行えず、基板加熱温度は２００
°Ｃ以下という制約を受けている。
前述した先行技術に開示されたＩＴＯ焼結体においては
、高温での基板加熱によるスパッタリングによれば比抵
抗値の低い膜が得られるが、２００℃以下の低温の基板
加熱によるスパッタリングでは、得られるＩＴ○膜の比
抵抗値は５Ｘ１０−’Ω・１以上であり、比抵抗値の低
い膜を得ることが困難となっている。
、高温での基板加熱によるスパッタリングによれば比抵
抗値の低い膜が得られるが、２００℃以下の低温の基板
加熱によるスパッタリングでは、得られるＩＴ○膜の比
抵抗値は５Ｘ１０−’Ω・１以上であり、比抵抗値の低
い膜を得ることが困難となっている。
従って本発明は、基板温度が低い条件においても、比抵
抗値が低いＩＴＯ膜を成膜できるスパッタリング用ター
ゲツト材あるいは蒸着用ペレットの製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
抗値が低いＩＴＯ膜を成膜できるスパッタリング用ター
ゲツト材あるいは蒸着用ペレットの製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明によれば、スズが固溶しているＩｎｚＯｉ相から
主として構成され、スズを３重量％以上含有するＩＴＯ
焼結体の製造方法において、Ｓｎ成分、Ｉｎ成分及び酸
素成分を含み且つ該Ｓｎ成分を３重量％以上含有してい
る平均粒径が０．１μｍ以下の粉末を１３５０℃以上の
温度で熱処理し、得られた熱処理物を粉砕して平均粒径
１μｍ以下とし、次いでこれを成形した後に１３５０℃
以上の温度で焼結を行うことから成るＩＴＯ焼結体の製
造方法が提供される。
主として構成され、スズを３重量％以上含有するＩＴＯ
焼結体の製造方法において、Ｓｎ成分、Ｉｎ成分及び酸
素成分を含み且つ該Ｓｎ成分を３重量％以上含有してい
る平均粒径が０．１μｍ以下の粉末を１３５０℃以上の
温度で熱処理し、得られた熱処理物を粉砕して平均粒径
１μｍ以下とし、次いでこれを成形した後に１３５０℃
以上の温度で焼結を行うことから成るＩＴＯ焼結体の製
造方法が提供される。
前述した先行技術に提案されているような従来公知の方
法で製造されたＩＴＯターゲットあるいはベレットを用
いて、基板温度が低い条件でスパッタリングを行った場
合には、結晶化されていない膜やＩｎｚＯｓ相単相でな
い乱れた相が生成し、低比抵抗の良質な膜が得られない
のである。この原因は、ターゲット中にＳｎＯ，相が存
在していることによるものと推定される。即ち、ＳｎＯ
□相が存在しているターゲットを用いてスパッタリング
を行った場合、ターゲットから放出される原子のうち１
０％程度を占める十数原子から数十原子の原子集団がＳ
ｎＯ２相を主体とするものになる確率が高くなり、その
原子集団がそのままの状態で基板に到達するために、電
気伝導性に寄与しないＳｎＯ□相や、比抵抗値を悪化さ
せる直接の原因となる乱れた結晶構造を持つ相が基板に
形成されるものと考えられる。
法で製造されたＩＴＯターゲットあるいはベレットを用
いて、基板温度が低い条件でスパッタリングを行った場
合には、結晶化されていない膜やＩｎｚＯｓ相単相でな
い乱れた相が生成し、低比抵抗の良質な膜が得られない
のである。この原因は、ターゲット中にＳｎＯ，相が存
在していることによるものと推定される。即ち、ＳｎＯ
□相が存在しているターゲットを用いてスパッタリング
を行った場合、ターゲットから放出される原子のうち１
０％程度を占める十数原子から数十原子の原子集団がＳ
ｎＯ２相を主体とするものになる確率が高くなり、その
原子集団がそのままの状態で基板に到達するために、電
気伝導性に寄与しないＳｎＯ□相や、比抵抗値を悪化さ
せる直接の原因となる乱れた結晶構造を持つ相が基板に
形成されるものと考えられる。
一般に、基板加熱温度が３５０℃以上の高温である場合
には、膜中の原子の拡散が容易に起こるため、成膜状態
では非晶質の膜であっても、スパッタリングが継続され
るうちに結晶質膜に変化するのであるが、基板加熱温度
が低く、また膜厚が薄く、スパッタリング時間が短い場
合には、結晶化が起こらず、良質な膜が得られず、これ
が低比抵抗の膜が得られない原因となるのである。
には、膜中の原子の拡散が容易に起こるため、成膜状態
では非晶質の膜であっても、スパッタリングが継続され
るうちに結晶質膜に変化するのであるが、基板加熱温度
が低く、また膜厚が薄く、スパッタリング時間が短い場
合には、結晶化が起こらず、良質な膜が得られず、これ
が低比抵抗の膜が得られない原因となるのである。
而して本発明の製造方法においては、得られるＩＴＯ焼
結体中のＳｎＯ□相の（１１０）面のＸ線回折ピークの
積分強度を、Ｉｎ、０．相の（２２２）面のＸ線回折ピ
ークの積分強度の０．５％以下、好ましくは０．１％以
下とすることが可能となる。即ち、このようにＳｎＯ２
相が殆ど存在していないＩＴＯターゲットあるいはベレ
ットを用いてスパッタリングまたは蒸着を行うことによ
り、２００°Ｃ以下の低温での基板加熱においても、比
抵抗値が２．０Ｘ１０−’Ω・１以下の良質なＩＴＯ膜
を得ることが可能となるのである。
結体中のＳｎＯ□相の（１１０）面のＸ線回折ピークの
積分強度を、Ｉｎ、０．相の（２２２）面のＸ線回折ピ
ークの積分強度の０．５％以下、好ましくは０．１％以
下とすることが可能となる。即ち、このようにＳｎＯ２
相が殆ど存在していないＩＴＯターゲットあるいはベレ
ットを用いてスパッタリングまたは蒸着を行うことによ
り、２００°Ｃ以下の低温での基板加熱においても、比
抵抗値が２．０Ｘ１０−’Ω・１以下の良質なＩＴＯ膜
を得ることが可能となるのである。
見料粗末
本発明の製造方法において、原料粉末としては、酸化イ
ンジウム粉末と酸化スズ粉末との混合粉末、酸化インジ
ウム−酸化スズ複合粉末、酸化インジウム−酸化スズ複
合粉末と酸化スズ粉末との混合粉末、あるいは酸化イン
ジウム−酸化スズ複合粉末と酸化インジウム粉末との混
合粉末等が使用される。これらの原料粉末中には、目的
とするＩＴＯ焼結体の組成から言って、スズ成分を３重
量％以上含む。またこれら原料粉末は、以下に述べる熱
処理工程での熱処理を有効に行うために、その平均粒径
が０．１μｍ以下、好ましくは０．０７μｍ以下である
ことが必要である。従って、原料粉末の平均粒径が０．
１μ閣よりも大である時には、混合・粉砕により粒度調
整を行って使用する。
ンジウム粉末と酸化スズ粉末との混合粉末、酸化インジ
ウム−酸化スズ複合粉末、酸化インジウム−酸化スズ複
合粉末と酸化スズ粉末との混合粉末、あるいは酸化イン
ジウム−酸化スズ複合粉末と酸化インジウム粉末との混
合粉末等が使用される。これらの原料粉末中には、目的
とするＩＴＯ焼結体の組成から言って、スズ成分を３重
量％以上含む。またこれら原料粉末は、以下に述べる熱
処理工程での熱処理を有効に行うために、その平均粒径
が０．１μｍ以下、好ましくは０．０７μｍ以下である
ことが必要である。従って、原料粉末の平均粒径が０．
１μ閣よりも大である時には、混合・粉砕により粒度調
整を行って使用する。
竺処亘工且
本発明においては、上記の平均粒径が０．１μｍ以下の
原料粉末について、１３５０℃以上、好ましくは１４０
０°Ｃ〜１６００°Ｃの温度で熱処理を行う。この熱処
理によって、ＳｎＯ２相とＩｎ、０．相とが十分に反応
し、ＳｎＯ，相の量が大幅に減少する。即ち、この熱処
理温度が１３５０°Ｃよりも低い場合には、ＳｎＯ２相
が安定に存在するために、Ｉｎ、０．相との反応が起こ
り難く、ＳｎＯ２相の量を減少させることが困難となる
。この熱処理は、一般に１０時間以上、特に２４時間以
上行うことが好ましい。
原料粉末について、１３５０℃以上、好ましくは１４０
０°Ｃ〜１６００°Ｃの温度で熱処理を行う。この熱処
理によって、ＳｎＯ２相とＩｎ、０．相とが十分に反応
し、ＳｎＯ，相の量が大幅に減少する。即ち、この熱処
理温度が１３５０°Ｃよりも低い場合には、ＳｎＯ２相
が安定に存在するために、Ｉｎ、０．相との反応が起こ
り難く、ＳｎＯ２相の量を減少させることが困難となる
。この熱処理は、一般に１０時間以上、特に２４時間以
上行うことが好ましい。
粒１」１堅
本発明によれば、熱処理が行われた粉末について、ボー
ルミル等により粉砕を行い、その平均粒径が１μ請以下
となるように粒度調整が行われる。
ルミル等により粉砕を行い、その平均粒径が１μ請以下
となるように粒度調整が行われる。
即ち、熱処理後においてもＳｎＯ□相は完全に消失して
いるわけではなく、僅かではあるが存在している。上記
のように粒度調整を行ってお（ことにより、次工程にお
ける焼結に際して、ＳｎＯ□相を殆ど存在しない状態に
することが可能となる。また成形性、焼結性を著しく劣
化させ、焼結体の高密度化を阻害する粗大粒子や凝集し
た粒子の生成が、上記の粒度調整により、有効に防止さ
れる。
いるわけではなく、僅かではあるが存在している。上記
のように粒度調整を行ってお（ことにより、次工程にお
ける焼結に際して、ＳｎＯ□相を殆ど存在しない状態に
することが可能となる。また成形性、焼結性を著しく劣
化させ、焼結体の高密度化を阻害する粗大粒子や凝集し
た粒子の生成が、上記の粒度調整により、有効に防止さ
れる。
焼笠工■
上記の粒度調整後、成形及び焼結を行うことにより目的
とするＩＴＯ焼結体が得られる。この成形は、成形体に
強度を持たせるため、粉末に必要により適宜パラフィン
ワックス、ポリビニルアルコール等を添加し、例えば適
当な金型を用いてのプレス成形によって行われる。一般
にプレス圧は０．５” ３ ｔｏｎ／ｃｄ程度である。
とするＩＴＯ焼結体が得られる。この成形は、成形体に
強度を持たせるため、粉末に必要により適宜パラフィン
ワックス、ポリビニルアルコール等を添加し、例えば適
当な金型を用いてのプレス成形によって行われる。一般
にプレス圧は０．５” ３ ｔｏｎ／ｃｄ程度である。
本発明においては、焼結を、上記熱処理と同様、１３５
０℃以上、好ましくは１４００℃〜１５５０℃の温度で
行うことが重要である。１３５０°Ｃよりも低い温度で
はＳｎＯ２相が安定に存在できるために、このような温
度において焼結を行うと、熱処理工程においてＩｎ、Ｏ
，相との反応によって消失したＳｎＯ□相が再び発生す
るという不都合を生じるのである。本発明に従って、上
記温度範囲において焼結を行うことにより、このような
ＳｎＯ２相の再生が有効に回避されるとともに、熱処理
後においても僅かに残存しているＳｎＯ□相を消失させ
ることが可能となるのである。また焼結時間は５時間以
下とすることが好ましく、あまり長時間焼結を行うと、
結晶粒の粗大化を生じ、好ましくない結果を生じる場合
がある。
０℃以上、好ましくは１４００℃〜１５５０℃の温度で
行うことが重要である。１３５０°Ｃよりも低い温度で
はＳｎＯ２相が安定に存在できるために、このような温
度において焼結を行うと、熱処理工程においてＩｎ、Ｏ
，相との反応によって消失したＳｎＯ□相が再び発生す
るという不都合を生じるのである。本発明に従って、上
記温度範囲において焼結を行うことにより、このような
ＳｎＯ２相の再生が有効に回避されるとともに、熱処理
後においても僅かに残存しているＳｎＯ□相を消失させ
ることが可能となるのである。また焼結時間は５時間以
下とすることが好ましく、あまり長時間焼結を行うと、
結晶粒の粗大化を生じ、好ましくない結果を生じる場合
がある。
ユニ四」１劃生
かくして製造されるＩＴＯ焼結体は、前述した通り、Ｓ
ｎＯ□相の（１１０）面のＸ線回折ピークの積分強度が
、Ｉｎ、Ｏ，相の（２２２）面のＸ線回折ピークの積分
強度の０．５％以下、好ましくは０．１％以下の範囲と
なっている。このようにＳｎＯ□相が殆ど存在していな
いＩＴＯターゲットあるいはベレットを用いてスパッタ
リングまたは蒸着を行うことにより、２００°Ｃ以下の
低温での基板加熱においても、比抵抗値が２．０Ｘ１０
−’Ω・１以下の良質なＩＴＯ＠を得ることが可能とな
るのである。
ｎＯ□相の（１１０）面のＸ線回折ピークの積分強度が
、Ｉｎ、Ｏ，相の（２２２）面のＸ線回折ピークの積分
強度の０．５％以下、好ましくは０．１％以下の範囲と
なっている。このようにＳｎＯ□相が殆ど存在していな
いＩＴＯターゲットあるいはベレットを用いてスパッタ
リングまたは蒸着を行うことにより、２００°Ｃ以下の
低温での基板加熱においても、比抵抗値が２．０Ｘ１０
−’Ω・１以下の良質なＩＴＯ＠を得ることが可能とな
るのである。
（実施例）
裏施五１
平均粒径０．０７μｍのＩｎｚＯｓ粉末と、平均粒径０
．５μｍのＳｎＯ□粉末とを、ＳｎＯ，が１０重量％と
なるように配合し、ボールミル中で４８時間、混合粉砕
を行い、平均粒径０．０５μｍの混合粉末を得た。
．５μｍのＳｎＯ□粉末とを、ＳｎＯ，が１０重量％と
なるように配合し、ボールミル中で４８時間、混合粉砕
を行い、平均粒径０．０５μｍの混合粉末を得た。
この粉末を乾燥した後、１４５０°Ｃに３０時間保持し
た。この粉末を、再度ボールミルに装入し、１．５重量
％のパラフィンワックスを添加し、２４時間粉砕を行っ
た。粉砕後の粉末の平均粒径は、０．８μ■であった。
た。この粉末を、再度ボールミルに装入し、１．５重量
％のパラフィンワックスを添加し、２４時間粉砕を行っ
た。粉砕後の粉末の平均粒径は、０．８μ■であった。
この粉末を、乾燥、造粒した後、２ ｔｏｎ／ｄｉの圧
力で、８抛■径×７ＩＩｌｌ厚の円板に成形した後、１
４５０°Ｃで３時間の焼結を行った。
力で、８抛■径×７ＩＩｌｌ厚の円板に成形した後、１
４５０°Ｃで３時間の焼結を行った。
得られた焼結体の断面を研磨した後、Ｘ線回折測定を、
２θ＝２５°〜３７°までの角度範囲で行い、１０回積
算した結果、ＳｎＯ，相の（１１０）面の積分強度は、
Ｉｎ、０３相の（２２２）面の積分強度の０．０３％で
あり、ＳｎＯ□相が殆ど存在しないことが確認された。
２θ＝２５°〜３７°までの角度範囲で行い、１０回積
算した結果、ＳｎＯ，相の（１１０）面の積分強度は、
Ｉｎ、０３相の（２２２）面の積分強度の０．０３％で
あり、ＳｎＯ□相が殆ど存在しないことが確認された。
またＸ線回折の結果から、これらの相思外に、（Ｉｎｘ
Ｓｎ＋−ｘ）ｚＯ＋ ［Ｘ ＝ ０．６〜０．７］の構
造を持つと考えられる中間化合物相が少量ではあるが確
認された。
Ｓｎ＋−ｘ）ｚＯ＋ ［Ｘ ＝ ０．６〜０．７］の構
造を持つと考えられる中間化合物相が少量ではあるが確
認された。
この焼結体をスパッタリング用ターゲットとして用いて
、マグネトロンスパッタリング法により、水冷ガラス基
板及び２００℃に加熱したガラス基板上の約１０００人
の厚さに成膜を行った。
、マグネトロンスパッタリング法により、水冷ガラス基
板及び２００℃に加熱したガラス基板上の約１０００人
の厚さに成膜を行った。
スパッタリング条件は、スパッタガス組成を、Ａｒ：０
＝９９：１とし、スパッタガス圧０．５Ｐａ、スパッタ
出力２００Ｗ、ターゲット−基板間距離を６０−ｍとし
た。
＝９９：１とし、スパッタガス圧０．５Ｐａ、スパッタ
出力２００Ｗ、ターゲット−基板間距離を６０−ｍとし
た。
得られた膜の比抵抗値を四探針法により測定した。測定
結果を第１表に示す。
結果を第１表に示す。
丘較■土
平均粒径０．０７μｍのＩｎｚ０３粉末と、平均粒径０
．５μ鋼のＳｎＯ□粉末とを、ＳｎＯ□が１０重量％と
なるように配合し、■型ブレンダーで３０分間混合し、
ボールミル中で６時間、混合粉砕を行い、平均粒径０．
２μ閣の混合粉末を得た。
．５μ鋼のＳｎＯ□粉末とを、ＳｎＯ□が１０重量％と
なるように配合し、■型ブレンダーで３０分間混合し、
ボールミル中で６時間、混合粉砕を行い、平均粒径０．
２μ閣の混合粉末を得た。
この混合粉末を、８００℃、４００ｋｇ／ｃ＋ｎ”の条
件でホットプレスして焼結体を得た。
件でホットプレスして焼結体を得た。
この焼結体について、実施例１と同様に、Ｘ線回折測定
を行ったところ、ＳｎＯ□相の（１１０）面の積分強度
は、Ｉｎ２Ｏ２相の（２２２）面の積分強度の５％であ
り、ＳｎＯ□相とＩｎｚＯｓ相のみが確認された。
を行ったところ、ＳｎＯ□相の（１１０）面の積分強度
は、Ｉｎ２Ｏ２相の（２２２）面の積分強度の５％であ
り、ＳｎＯ□相とＩｎｚＯｓ相のみが確認された。
またこの焼結体を用いて、実施例１と同様の条件で成膜
を行ない、得られた膜の比抵抗値を測定した。測定結果
を第１表に示す。
を行ない、得られた膜の比抵抗値を測定した。測定結果
を第１表に示す。
１較■Ｉ
平均粒径２μｍのＩｎｚＯ，粉末と、平均粒径５μｍの
５ｎＯ１粉末とを、Ｓｎｕｇが１０重量％となるように
配合し、ボールミル中で２４時間、混合粉砕を行い、平
均粒径０．５μｍの混合粉末を得た。
５ｎＯ１粉末とを、Ｓｎｕｇが１０重量％となるように
配合し、ボールミル中で２４時間、混合粉砕を行い、平
均粒径０．５μｍの混合粉末を得た。
この混合粉末を２ ｔｏｎ／ｄの圧力で、８０ｍｍ径×
７ＩｌｌＩ１１厚の円板に成形した後、１３７０°Ｃで
５時間の焼結を行った。
７ＩｌｌＩ１１厚の円板に成形した後、１３７０°Ｃで
５時間の焼結を行った。
この焼結体について、実施例１と同様に、Ｘ線回折測定
を行ったところ、ＳｎＯ□相の（１１０）面の積分強度
は、Ｉｎ１０３相の（２２２）面の積分強度の１．４％
であり、ＳｎＯ，相とＩｎｚＯｓ相以外にも少量の中間
化合物相が確認された。
を行ったところ、ＳｎＯ□相の（１１０）面の積分強度
は、Ｉｎ１０３相の（２２２）面の積分強度の１．４％
であり、ＳｎＯ，相とＩｎｚＯｓ相以外にも少量の中間
化合物相が確認された。
またこの焼結体を用いて、実施例１と同様の条件で成膜
を行ない、得られた膜の比抵抗値を測定した。測定結果
を第１表に示す。
を行ない、得られた膜の比抵抗値を測定した。測定結果
を第１表に示す。
止較■主
平均粒径２μｍのＩｎ、Ｏ，粉末と、平均粒径５μｍの
Ｓｎ０ｇ粉末とを、Ｓｎｕｇが１０重量％となるように
配合し、ボールミル中で３０分間混合を行い、平均粒径
２．５μｍの混合粉末を得た。
Ｓｎ０ｇ粉末とを、Ｓｎｕｇが１０重量％となるように
配合し、ボールミル中で３０分間混合を行い、平均粒径
２．５μｍの混合粉末を得た。
この粉末を乾燥した後、１４００℃で１５時間保持した
。この粉末を、再度ボールミルに装入し、１．５重量％
のパラフィンワックスを添加して粉砕した。
。この粉末を、再度ボールミルに装入し、１．５重量％
のパラフィンワックスを添加して粉砕した。
粉砕後の粉末の平均粒径は５μｍであった。二の粉末を
、乾燥、造粒した後、２ ｔｏｎ／ｃｊの圧力で、８抛
蒙径×７−＠厚の円板に成形した後、１４００℃で２時
間の焼結を行った。
、乾燥、造粒した後、２ ｔｏｎ／ｃｊの圧力で、８抛
蒙径×７−＠厚の円板に成形した後、１４００℃で２時
間の焼結を行った。
この焼結体について、実施例１と同様に、Ｘ線回折測定
を行ったところ、Ｓｎｏｗ相の（１１０）面の積分強度
は、Ｉｎ、Ｏ，相の（２２２）面の積分強度の０．９％
であり、ＳｎＯ，相とＩｎｚＯ，相思外にも、実施例１
と同様の中間化合物相が少量確認された。
を行ったところ、Ｓｎｏｗ相の（１１０）面の積分強度
は、Ｉｎ、Ｏ，相の（２２２）面の積分強度の０．９％
であり、ＳｎＯ，相とＩｎｚＯ，相思外にも、実施例１
と同様の中間化合物相が少量確認された。
また、この焼結体を用いて、実施例１と同様の条件で成
膜を行い、得られた膜の比抵抗値を測定した。測定結果
を第１表に示す。
膜を行い、得られた膜の比抵抗値を測定した。測定結果
を第１表に示す。
第１表
（発明の効果）
本発明によれば、スパッタリングあるいは蒸着により、
基板加熱温度が２００℃以下の低温であっても、比抵抗
が２． ＯＸ １０− ’Ω・１以下の低抵抗の膜を得
ることが可能なＩＴＯターゲットまたはベレットを提供
できる。
基板加熱温度が２００℃以下の低温であっても、比抵抗
が２． ＯＸ １０− ’Ω・１以下の低抵抗の膜を得
ることが可能なＩＴＯターゲットまたはベレットを提供
できる。
本発明によって製造されたＩＴＯ焼結体は、カラーフィ
ルター上へのＩＴＯ膜のコーティングやプラスチック基
板上へのＩＴＯ膜のコーティングに極めて有用である。
ルター上へのＩＴＯ膜のコーティングやプラスチック基
板上へのＩＴＯ膜のコーティングに極めて有用である。
Claims (1)
- （１）スズが固溶しているＩｎ＿２Ｏ＿３相から主とし
て構成され、スズを３重量％以上含有するＩＴＯ焼結体
の製造方法において、 Ｓｎ成分、Ｉｎ成分及び酸素成分を含み且つ該Ｓｎ成分
を３重量％以上含有している平均粒径が０．１μｍ以下
の粉末を１３５０℃以上の温度で熱処理し、得られた熱
処理物を粉砕して平均粒径１μｍ以下とし、次いでこれ
を成形した後に１３５０℃以上の温度で焼結を行うこと
から成るＩＴＯ焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2223726A JPH04104936A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2223726A JPH04104936A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04104936A true JPH04104936A (ja) | 1992-04-07 |
Family
ID=16802724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2223726A Pending JPH04104936A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | Ｉｔｏ焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04104936A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5480532A (en) * | 1994-03-09 | 1996-01-02 | Leybold Materials | Sputter target for cathodic atomization to produce transparent, conductive layers |
| WO2003050322A1 (fr) * | 2001-12-10 | 2003-06-19 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation ito presentant un nombre reduit de nodules |
-
1990
- 1990-08-24 JP JP2223726A patent/JPH04104936A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5480532A (en) * | 1994-03-09 | 1996-01-02 | Leybold Materials | Sputter target for cathodic atomization to produce transparent, conductive layers |
| WO2003050322A1 (fr) * | 2001-12-10 | 2003-06-19 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation ito presentant un nombre reduit de nodules |
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