JPH04100277A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体発光装置に係わり、特にＩｎＧａＡＩＰ
　系半導体材料を使用した半導体発光装置に関する。

（従来の技術） 近年、光通信や光情報処理機器における表示装置等の光
源として、発光ダイオード（ＬＥＤ）が広く用いられて
いる。一般にＬＥＤでは、発光強度および応答速度が重
要な特性であり、特に表示用ＬＥＤには高輝度発光が要
求される。ＬＥＤの発光効率は内部量子効率および取り
出し効率によって決まるが、このうち取り出し効率は素
子構造に大きく影響される。第２４図はＩｎＧａＡｌＰ
を活性層とするＬＥＤの構造例を示したものである。

図で１００はｎ−ＧａＡｓ基板、１０１はｎ−ＩｎＧａ
Ａｊ２Ｐクラッド層、１０２はＩ　ｎ　Ｇ　ａ　Ａ　Ｑ
　Ｐ活性層、１０３はｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、
１０５はｎ電極、１０６はｐ電極をそれぞれ示す。この
材料系によるＬＥＤの発光波長は緑色〜赤色の領域にあ
るが、ＧａＡｓ基板はこの波長帯域に対して吸収損失を
与えるため、活性層から基板側に出射される光はすべて
吸収により外部に取り出すことができない。すなわち、
取り出し効率は最大、 η１＝０．５ である。一方基板と反対側へ出射される光は出射面での
反射損失および全反射により、その一部しか外へ取り出
すことはできない。例えばｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド
層の屈折率ｎ０を３．４とし、外部が空気（ｎ＠＝１）
とすると、全反射で内部へ反射される光以外の割合は ７７、＝　１−（１−（ｎａ／ｎｃ）”）”＝ｏ、ｏ４
４そのうち、空気中へ取り出される割合はη３＝１　　
（（ｎ（ｒｈｏ）／（ｎｑ＋ｎｏ））”＝０．７となる
。結局これらすべてを掛は合わせると。

η０＝η１η２η、＝ｏ、ｏｔｓ４ すなわち、取り出し効率は最大１．５％である。

さらに取り出し効率は電流法がり幅によっても制限され
る。一般にｐ形のＩ　ｎＧａＡ１２Ｐは抵抗率が大きい
ため、ｐクラッド層中では電流がほとんど広がらず、活
性層での発光径は電極径にほぼ一致する。従って１発光
領域のほとんどが電極の直下にあるため、外部へはごく
一部の光しか取り出せない。

（発明が解決しようとする課題） 以上述べたように、従来のＬＥＤでは、取り出し効率が
小さく、高輝度化が困難であるという問題点があった。

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので。

その目的とするところは、面発光型の半導体発光装置に
おいて、大きな取り出し効率を得ることを可能とし、高
輝度の半導体発光装置を提供することにある。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明の骨子は、従来の半導体発光装置において外部に
取り出されない無効の光を、素子構造を変えることによ
って、外部へ取り出すことにより、高輝度の半導体発光
装置を提供することにある。

即ち本発明は、面発光型の半導体発光装置において、光
取り出し面側の電極を複数領域に別れた構造としたもの
である。

また本発明は、この複数領域の各電極間の間隔を、一つ
の電極に対する活性層での発光領域の幅と電極幅との差
にほぼ等しくしたものである。

また本発明は、面発光型の半導体発光装置において、光
取り呂し面倒の電極以外の領域の少なくとも一部表面を
傾斜斜面を有する凹凸形状としたものである。

また本発明は、前記凹凸形状をしている領域を。

活性層での発光領域に相当する領域以外に設けたもので
ある。

また本発明は１面発光型の半導体発光装置において、活
性層と光取り呂し面との間に回折格子を設けたものであ
る。

また本発明は、面発光型の半導体発光装置において、光
取り出し面側の電極以外の領域に反射防止膜を形成した
ものである。

また本発明は１面発光型の半導体発光装置において、活
性層に対して光取り出し面と反対側の領域に半導体薄膜
から成る反射膜を形成したものである。

（作用） 本発明によれば、従来外部に取り出されず無効となって
いた光を、素子構造を変えることによって、外部へ取り
出すことにより、高輝度の半導体発光装置が実現できる
。

（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。第１
図は本発明の一実施例に係わる半導体発光装置の概略構
造を示す図である。図中、１０はｎ−ＧａＡｓ基板、１
１はｎ−Ｉｎ。、５（Ｇａｔ−ｘＡＱＨ）ｏ、ｓＰクラ
ッド層、１２はＩｎ、、、（Ｇａ、ｙＡＱ、）、、、Ｐ
活性層、Ｉ３はＰ−Ｉｎａ、１（Ｇａｔ−２Ａ１ｚ）ｏ
、ｓＰクラッド層、】４はｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層
、１５はｎ電極。

１６はｐ電極をそれぞれ示す。第２図は、第１図のＰ電
極の形状を示したものである。第１図の実施例において
、活性層およびクラッド層の組成は、ｙ　＜　ｘ　＋　
ｚ ■ を満たすように選ばれている。電流拡散層１４は活性層
における電流広がりを大きくするために設けられた層で
ある。すなわちこのｐ−ＧａＡｇＡｓ１４はＰ−ＩｎＧ
ａＡ、Ｉ２Ｐクラッド層１３に比べて抵抗率が小さいた
め、電流拡散層１４がない場合に比較して電流広がり幅
を著しく増大させることができる。本発明の詳細な説明
するために、まず活性層での電流広がり幅の構造依存性
について述べる。簡単のため第１図の例と層構造が同じ
で電極が一つだけの第３図に示した例における電流広が
りを考える。

第３図における電流拡散層２４の厚さおよび抵抗率をそ
れぞれｈ２、ρ、とした場合、実効電流広がり幅ｗｅｆ
ｆおよび取り出し効率ηがこれらのパラメータに対して
どのように変わるかを計算した結果を第４図および第５
図に示す。図に示したように、ρ２が小さい程、またｈ
２が大きい程ｗｅｆｆは大きくなることがわかる。この
ように電流拡散層により取り出し効率が向上されること
は明らかであるが、本発明のポイントはさらに、第１図
に示したように、電極を複数個に分割したことにある。

以下で、この分割電極の効果について説明する。

第３図の例において、上述の実効電流広がり幅ｗｅｆｆ
は近似的に次式で表される（Ｙｏｎｅｚｕ　ｅｔ　ａＱ
。

：　Ｊ　ｐｎ、　Ｊ　、ＡｐｐＬ　Ｐｈｙｓ、、ＶｏＱ
、１２，４１０（１９７３）ｐｐ。

１５８５−１５９２）　。

Ｗｅｆｆ＝Ｗ０＋２Ｗ１　　　　　　　　　　　　■Ｗ
ｚ　＝（２ｎｋＴ／（ｑρ５Ｊ））””　　　　　　　
■１／ρ、＝ｈ、／ρｔ　十り、　／ρ２　　　　　　
　（イ）ここで、Ｗｏは電極幅、　ｎはダイオード特性
を表す値（通常〜２）、Ｔは温度、Ｊは電流密度、また
はり、、ｈ３はｐ−ＩｎＧａＡｊ！Ｐクラッド層２３お
よび電流拡散層２４の厚さ、ρいρ２はクラッド層２３
および電流拡散層２４の抵抗率をそれぞれ表す、上で述
べたＷ。ｆｆとρ２．ｈ２との関係は■〜（４）式がら
明らかである。

（３）式かられかるように、ｗｅｆｆに影響するもう一
つのパラメータは電流密度Ｊである。全電流値■が一定
の場合、電流密度Ｊは電極の大きさおよび形状によって
変わる。円電極の場合、実効的な発光面積Ｓ　ｅｆｆは
次式で表される。

Ｓ　ｅｆｆ＝π（Ｗｅｕ／　２　）”　　　　　　　　
　　０５）発光部が電極の下にあることによって制限さ
れる取り出し効率は近似的に η５＝（Ｓｅｎ−Ｓｏ）／Ｓｅｎ ■ で与えられる。ここで Ｓｏ；π（Ｗ、／２）” ■ 一方、全電流値工と電流密度Ｊとの関係はＩ＝Ｓｅｆｆ
Ｊ （ハ） で表されるから、■、■、■、（ハ）式より、次の関係
式が得られる。

Ｗ−＝（Ｊｚ／２）ｗｏ／（４ｑｐｓ　Ｉ／（２ｎｋＴ
）　　Ｊｘ）　　　■すなわち、Ｗ□とＷ。の比はρ５
および工のみによって決まり、電極の大きさＷ。にはよ
らない。このことは、一定の電流値でＬＥＤを用いる場
合、０式で決まる効率η、は電極の大きさによらないこ
とを意味している。したがって、単一電極の場合には電
極の大きさを変えても発光効率は代わらないことになる
６なお円電極の場合、厳密にはＳ　Ｏｆｆを決めるｗｅ
ｆｆの値は上式のＷｌの代わりに、Ｗ□’＝：（（Ｗ０
＋２Ｗ□）２／４＋ＷＬＴ”−Ｗ、／２　　（１０）を
用いた式となるが、　この場合でもＷ□′とＷ、の比が
ρ、および工のみによって決まり、電極の大きさＷ。に
はよらないことは同様である。第６図および第７図に単
一円電極の場合の電流広がり幅とＷｏとの比および取り
出し効率η（基板の吸収、取り出し面での反射、全反射
をすべて考慮した値）の電流値■に対する依存性を示す
。図かられかるように、電流値■が小さいほど取り出し
効率は大きくなる。これは■式で示されるように電流密
度が小さいと実効電流法がり幅が大きくなるためである
。

次に電極形状が円ではなく、ストライプ電極の場合に、
取り出し効率が電極形状にどのように依存するかを説明
する。ストライプ電極のストライプ幅をＷ。とすると、
■、■式はそのまま成立する。ストライプの長さを Ｌ＝ａＷ。

とすると、■、０式に相当する式は Ｓ　ｅ　ｆ　ｆ　”　ａ　Ｗ　ｅ　ｆ　ｆＳｏ　＝ａＷ
、” となる。これからＷｌとＷ。どの間には次の関係がある
ことが導かれる。

Ｗ□／　Ｗａ　”　ａｂ／　Ｉ　＋　（（ａｂ／　Ｉ　
）”　＋　ａｂ／　Ｉ　’ｊ　１”　　　　（１４）こ
こで ｂ　＝（２ｎｋＴ／　（ｑ／）ｓ））”　　　　　　　
　（１５）以上から、単一ストライプ電極の場合には取
り出し効率は全電流値Ｉおよびストライプ長さとストラ
イプ幅との比ａとによって決まる。第８図および第９図
にストライプ電極の場合のＷ。ｆｆ／Ｗ、およびηのパ
ラメータａに対する依存性を示す。図からａが大きい程
、取り出し効率は大きくなることがわかる。

以上二つの例かられかるように、単一電極の場合には電
極形状が同じであれば、取り出し効率は電極の大きさに
はよらず、全電流値Ｉによってのみ決まる。したがって
、例えば円電極の場合には。

電極径を変えても取り出し効率を改善することはできな
い。一方電流値工を小さくすれば取り出し効率は改善さ
れるが、この場合には光出力自体が小さくなってしまう
ので、高輝度発光は実現できない。しかしながら本発明
の構成によれば、電極を分割することにより、全電流値
■は一定に保ったまま、それぞれの電極に流れる電流は
小さくできるため、電流広がり幅を大きくすることがで
き、取り出し効率を向上させることができる。すなわち
、電極をｍ個に分割すれば、各電極を流れる電流は１　
／　ｍになるため、第６図に示したようにＷｅｂ／Ｗ、
の値を大きくすることができ、その結果として全電流値
工を一定に保ったままηを大きくすることができる。第
１０図に単一電極の場合と分割電極の場合における電流
広がりの比較を示す。

第１０図（ｂ）に示したように、分割電極の場合、各電
極間の間隔りは一つの電極に対する活性層での電流広が
り幅（＝発光領域の幅）と電極幅との差ΔＷ　（＝Ｗｅ
ｆｆ　ｗ、）以上の値にしておけば良い。

さらに全体の面積をなるべく小さくするためには、電極
間の間隔をほぼΔＷに等しくしておけば良い。

複数個の円電極による構成の他の実施例を第１１図に示
す。上述の議論から、分割数を増す程、取り出し効率を
向上できることが明らかであるが、電極形成プロセス上
の問題もあるため、それに応じて電極数を決めれば良い
。第１２図および第１３図に、Ｉ＝２０＋ｍＡの場合に
ついてＷｅｆｆ／Ｗｏとηの電極数依存性を示す、これ
かられかるように、例えばｈ２＝１−の場合１分割数は
４で十分である。さらにｈよ＝０の場合、すなわち電流
拡散層がない場合でも、分割数を６程度にすると十分大
きい取り出し効率を実現できる。

以上は円電極の場合を示したものであるが、次にストラ
イプ電極の場合の例を示す。第６図に示したように、ス
トライプ電極の場合にはストライプ長さとストライプ幅
との比ａが大きい程、取り出し効率は大きくなる。した
がって、細長い電極を用いれば効率をあげられるが、そ
の場合には発光パターンも細長くなってしまい、好まし
くない。

第１４図は本発明の第３の実施例を示したもので、スト
ライプ電極を複数個に分割した例を示したものである。

この場合にも電極間の間隔は上述のΔＷにほぼ等しくな
るようにすれば良い。第１５図はこの実施例の変形例を
示したもので、電極を２次元のメツシュ状パターンにし
である。この場合にはそれぞれの方向のメツシュ間隔を
ΔＷにほぼ等しくなるようにとれば良い。

第１６図は本発明の請求項３に関わる一実施例を示した
ものである。図中、３０はｎ−ＧａＡｓ基板、３１はｎ
−Ｉｎｏ、５　（Ｇａ、−ｘＡＲｘ）。、Ｐクラッド層
、３２はＩｎ。、ｓ（Ｇａｔ−ｙＡｇｙ）、、ｓ　Ｐ活
性層、３３はＰ−Ｉ　ｎ、、５（Ｇａ□−ｚＡＱｚ）ｏ
、ｓ　Ｐクラッド層、３４はｐ−Ｇ　ａ　Ａ　Ｑ　Ａ　
ｓ電流拡散層、３５はｎ電極、３６はｐ電極、３７は傾
斜斜面を有する凹凸形状の光取り出し面をそれぞれ示す
。ＡＱ組成比ＸｔＹｒＺ　　の間の関係は実施例１で述
べた通りである。一般に面発光型のＬＥＤでは１発光部
領域に相当する取り出し面の部分以外からはほとんど光
は出射されない。これは取り出し面での全反射による。

例えば第２４図に示した例では、入射角が１７°以上の
光に対して全反射となるため、取り出せる光はほとんど
垂直入射の光である。そのため主な発光部である電極直
下からの光はほとんど取り出すことができない。

第１６図の例では傾斜斜面を有する凹凸形状の光取り出
し面を電極以外の領域の一部に設けることにより、電極
直下の領域から斜めに出射される光を取り出すことを可
能としたものである。光が取り出される様子を図中に示
しである。発光領域の光は真上に取り出すことが可能な
ので、傾斜斜面を有する凹凸形状の取り出し面は、発光
領域に相当する領域以外の部分に設ければ良い。

第１７図は本発明の請求項５に関わる一実施例を示した
ものである。図中、４０はｎ−ＧａＡｓ基板、４１はｎ
−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、４２はＩｎＧａＡｌＰ活
性層、４３はｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、４４はｐ
　−Ｇ　ａｉ−ｘ　Ａ　ｕｘＡ　ｓ層、４５はｎ電極、
４６はｐ電極、４７はｐ　−Ｇ　ａｌ　−ｙ　Ａ　Ｑｙ
　Ａ　ｓ層をそれぞれ示す。ここでＰ　　Ｇ　ａｘ　−
Ｘ　Ａ　ＱｘＡ　ｓ層４４とｐ　　Ｇａ１−ｙＡｘｙＡ
ｓ層４７のＡＱ組成比Ｘｔ　ｙは異なるように設定され
ている。この構造はｎ　　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板４０の上
にｙｌ−工ｎＧａＡｎＰクラッド層４１、ＩｎＧａＡｌ
Ｐ活性層４２、ｐ−ＩｎＧａＡＪＰクラッド層４３、ｐ
−ＧａＡ１２Ａｓ層４４を順次成長させた後、ｐ　−Ｇ
　ａ　Ａ　Ｑ　Ａ　ｓ層４４の上にフォトリングラフィ
あるいは干渉露光法等により回折格子パターン４８を形
成し、その後、ｐ−ＧａＡｌＡｓ層４７を成長させて、
さらにｎ電極およびｐ電極を形成することにより作製さ
れる。第１８図に、この回折格子のパターン例を示す。

この回折格子は活性層からの光をほぼ真上に回折させる
ようにフレネルゾーンプレート型のパターンとなってい
る。この回折格子の中心からｍ番目の格子線の半径をｒ
Ｉｌとすると、ｒ、は次式により与えられる。

ｒＩｌ＝（２ｍｎｃｈλ。＋（ｍλ、）２）”　　　（
１６）ここで、ｈは活性層と回折格子のパターンが形成
されている面との距離、ｎｏはｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラ
ッド層４３の屈折率、λ。は発光中心波長である。

ｐ　−Ｇ　ａ　Ａ　Ｉ　Ａ　ｓ層４４の屈折率がクラッ
ド層４３の屈折率と異なる場合には、（１６）式の代わ
りに、それを考慮した設計が可能である。なお活性層で
の発光点は一点ではなくある大きさを持っており、また
波長もλ。を中心としである幅を持ったスペクトルとな
っているので、すべての光が完全に真上に回折されるわ
けではないが、光取り出し面に対する入射角は垂直に近
くなるので、全反射で外に取り出せない部分は大幅に減
少される。このように発光点およびスペクトルに広がり
があるため、回折格子パターンは厳密にフレネルゾーン
プレートである必要はない。例えば第１９図に示したよ
うに矩形パターンであっても良い。マスクを用いたフォ
トリソグラフィで回折格子を形成する場合にはこのよう
な矩形パターンの方が作製が容易である。

またこの回折格子は活性層と光取り出し面の間のどこに
あっても良い。例えば光取り出し面の表面でも良い。す
なわち、第１６図の例における凹凸形状の光取り出し面
の代わりに回折格子を設けた構造とすれば良い。

第２０図は本発明の請求項６に関わる一実施例を示した
ものである。図中、５０はｎ−ＧａＡｓ基板、５１はｎ
−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、５２はＩｎＧａＡｌＰ活
性層、５３はＰ　　ＩｎＧａＡＪＰクラッド層、５４は
ｐ　−Ｇ　ａ　Ａ　Ｑ　Ａ　ｓ電流拡散層、５５はｎ電
極。

５６はｐ電極、５７は反射防止膜をそれぞれ示す。反射
防止膜５７は光学的厚さがλ、／４の誘電体膜等から成
る。この反射防止膜により、光取り出し面での反射を大
幅に減少させることができ、取り出し効率を向上させる
ことができる。

第２１図は本発明の請求項７に関わる一実施例を示した
もので、図中、６０はｎ−ＧａＡｓ基板、６１はｎ−Ｉ
ｎＧａＡｌＰクラッド層、６２はＩｎＧａＡｌＰ活性層
、６３はｐ−ＩｎＧａＡｌ２Ｐクラッド層、６４はＰ−
ＧａＡｊｔＡｓ電流拡散層、６５はｎ電極、６６はｐ電
極、６７は半導体薄膜から成る反射膜をそれぞれ示す。

反射膜６７では活性層からＧ　ａ　Ａ　ｓ基板側へ出射
される光を反射させる機能を持つ。第２４図の例では、
光出力の５０％がＧ　ａ　Ａ　ｓの吸収で失われていた
が、反射膜を設けることによって、この光を反射させ有
効に取り出すことが可能となる。この反射膜は屈折率の
異なる半導体膜を交互に積層することにより作製される
。それぞれの半導体膜の光学的厚さは発光中心波長λ。

に対してλ。／４とすれば良い６また第２１図の例では
、導電型がｎ型の層の間に反射膜が形成されているので
、反射膜を構成する半導体膜もｎ型とすればよい。

例としてＩｎｏ、５（Ｇａａ、７ＡＱａ、Ｗａ−ｓＰと
Ｉ　ｎｏ、５（Ｇａａ、５Ａｆｌａ−７）ｏ、ｓ　Ｐ　
の交互層の場合およびＧ　ａ　Ａ　ｓとＩｎｏ、５（Ｇ
ａａ、３ＡＮｏ、ｔ）ａ、ｇＰ　の交互層の場合につい
て、λ。／４膜の暦数と反射率特性との関係を第２２図
に示す。図かられかるようにＩ　ｎｌｌ　、ｓ　（Ｇａ
ａ、ｔ　ＡＱｏ、ｚ）ｏ、ｓ　Ｐ　／　Ｉ　ｎ、、ｓ　
（ａａｏ、３Ａｕｏ、ｔ）ｏ、ｓ　Ｐ交互層の場合には
８０層程度で９０％以上の反射率が得られる。一方。

ＧａＡｓ／　Ｉ　ｎｏ、ｓ　（Ｇａｏ、ａ　Ａｇｏ、ｔ
）ｏ、ｉ　ｐ　交互層の場合には、Ｇ　ａ　Ａ　ｓが大
きな吸収係数を持っているにもかかわらず５３０層で約
７０％の反射率が得られる。

これはＧ　ａ　Ａ　ｓとＩ　ｎａ、ｓ　（Ｇａ、ｏ、ａ
　Ａｌ２ｏ、ｔ）ｏ、ｓ　Ｐ　の屈折率実数部の差が大
きいためである。第２３図にＧａＡｓ／Ｉｎａ、５（Ｇ
ａａ、３ＡＬ、ｔ）。、ｓＰ交互層による反射膜の波長
特性を示す、この反射膜は中心波長λ。＝　６００層ｍ
として設計したものであるが、図かられかるように例え
ば暦数が３０の場合では、約７゜ｎｍの波長範囲で５０
％以上の反射率が得られ、比較的広いスペクトル幅を持
つＬＥＤに対しても十分使用可能であることがわかる。

なお同様の反射特性はＧａＡｓ／ＧａＡｆｆｉＡｓ交互
層を用いても実現できる。

以上、面発光型の半導体発光装置における、光取り出し
効率改善方法に関する本発明の実施例をいくつか示した
。これらは、それぞれ単独で用いても効果があるが、組
み合わせて用いることももちろん可能であり、その場合
には効果がさらに大きくなる。

〔発明の効果〕

以上詳述したように、本発明によれば１面発光型の半導
体装置において従来外部に取り出されず無効となってい
た光を外部ノ＼取り出すことが可能となり、高輝度の半
導体発光装置が実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係わる半導体発光装置の概
略構造を示す図、第２図はこの半導体発光装置の電極パ
ターンの例を示す図、第３図乃至第１０図は本発明の詳
細な説明するための図、第１１図は電極パターンの他の
例を示す図、第１２図および第１３図は電極数の効果を
説明するための図、第１４図および第１５図は他の電極
パターンの例を示す図、第１６図および第１７図は本発
明の他の実施例を示す図、第１８図および第１９図は回
折格子パターンの例を示す図、第２０図および第２１１
！Ｉは本発明の他の実施例を示す図、第２２図および第
２３図は反射膜の特性例を示す図、第２４図は従来の半
導体発光装置の例を示す図である。 １０．２０，３０，４０，５０，６０，１００−　ｎ　
−ＧａＡｓ基板１１．２１，３１，４１，５１，６１，
１０１−　ｎ　−Ｉ　ｎＧａＡＱＰクラッド層 １２．２２，３２，４２，５２，６２，１０２−　Ｉ　
ｎＧａＡ＋２Ｐ活性層１３．２３，３３，４３，５３，
６３，１０３−　ｐ　−Ｉ　ｎＧａＡＱＰクラッド層 １４．２４，３４，４４，４７，５４，６４−　ｐ　−
ＧａＡｌＡｓ層１５．２５，３５，４５，５５，６５，
１０５・・・ｎ電極１６．２６，３６，４６，５６，６
６．１０６・・・ｐ電極４８・・・回折格子パターン ６７・・・半導体多層薄膜から成る反射膜代理人　弁理
士　則　近　憲　佑 ヒー　Ｗｅｆｆ−一一 第３図 ｈｚ（ｐｍ） 第４図 ｈｚ　　（ｐｍ） 第５図 ｍ 第１２図 第１４図 第１３図 第 １５図 第 １６図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 嘴プ１的襲υ１／中１田皮長 第２２図 （ｎ；贋ａ） γ皮長 λ（ｎｍ） 第 図

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. （１）面発光型の半導体発光装置において、光取り出し
   面側の電極が複数領域に分散して設けられていることを
   特徴とする半導体発光装置。
2. （２）前記複数領域の各電極間の間隔が、一つの電極に
   対する活性層での発光領域の幅と電極幅との差にほぼ等
   しいことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
3. （３）面発光型の半導体発光装置において、光取り出し
   面側の電極以外の領域の少なくとも一部表面が凹凸形状
   をしていることを特徴とする半導体発光装置。
4. （４）前記凹凸形状をしている領域が活性層での発光領
   域に相当する領域以外であることを特徴とする請求項３
   記載の半導体発光装置。
5. （５）面発光型の半導体発光装置において、活性層と光
   取り出し面との間に回折格子が設けられていることを特
   徴とする半導体発光装置。
6. （６）面発光型の半導体発光装置において、光取り出し
   面側の電極以外の領域に反射防止膜が形成されているこ
   とを特徴とする半導体発光装置。
7. （７）面発光型の半導体発光装置において、活性層に対
   して光取り出し面と反対側の領域に半導体薄膜から成る
   反射膜が形成されていることを特徴とする半導体発光装
   置。
8. （８）前記反射膜は発光中心波長λに対してそれぞれの
   光学的膜厚がλ／４のＧａＡｓとＧａＡｌＡｓの交互層
   から成ることを特徴とする請求項７記載の半導体発光装
   置。
9. （９）前記反射膜は発光中心波長λに対してそれぞれの
   光学的膜厚がλ／４のＧａＡｓと ＩｎＧａＡｌＰの交互層から成ることを特徴とする請求
   項７記載の半導体発光装置。
10. （１０）前記反射膜は発光中心波長λに対してそれぞれ
    の光学的膜厚がλ／４でＡｌ組成比の異なる２種類のＩ
    ｎＧａＡｌＰの交互層から成ることを特徴とする請求項
    ７記載の半導体発光装置。
11. （１１）前記半導体発光装置の発光部が ＩｎＧａＡｌＰ層から成ることを特徴とする請求項１乃
    至１０に記載の半導体発光装置。