JPH04100043A - 投影露光マスク - Google Patents
投影露光マスクInfo
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- JPH04100043A JPH04100043A JP2069114A JP6911490A JPH04100043A JP H04100043 A JPH04100043 A JP H04100043A JP 2069114 A JP2069114 A JP 2069114A JP 6911490 A JP6911490 A JP 6911490A JP H04100043 A JPH04100043 A JP H04100043A
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要]
投影露光マスクに係り、特に複数のサブパターン或いは
繰り返しのサブパターンを含む素子形成用パターンを有
する投影露光マスクに関しレジストやウェハに形成され
たパターンの検査を短時間で精度よく行うことを可能に
する投影露光マスクの提供を目的とし。
繰り返しのサブパターンを含む素子形成用パターンを有
する投影露光マスクに関しレジストやウェハに形成され
たパターンの検査を短時間で精度よく行うことを可能に
する投影露光マスクの提供を目的とし。
素子形成用パターンと、検査パターンを有する投影露光
マスクであって、前記素子形成用パターンは複数のサブ
パターンからなり、前記検査パターンは前記素子形成用
パターンの一部と同一で一つのサブパターンと、それを
取り巻く複数のサブパターンからなる投影露光マスクに
より構成する。また、素子形成用パターンと、検査パタ
ーンを有する投影露光マスクであって、前記素子形成用
パターンは縦方向及び横方向に繰り返される複数のサブ
パターンを含み、前記検査パターンは前記繰り返される
複数のサブパターンの一部と同一で、縦方向に3箇以上
の奇数箇のサブパターン横方向に3箇以上の奇数箇のサ
ブパターンが繰り返し配置されている投影露光マスクに
より構成する。
マスクであって、前記素子形成用パターンは複数のサブ
パターンからなり、前記検査パターンは前記素子形成用
パターンの一部と同一で一つのサブパターンと、それを
取り巻く複数のサブパターンからなる投影露光マスクに
より構成する。また、素子形成用パターンと、検査パタ
ーンを有する投影露光マスクであって、前記素子形成用
パターンは縦方向及び横方向に繰り返される複数のサブ
パターンを含み、前記検査パターンは前記繰り返される
複数のサブパターンの一部と同一で、縦方向に3箇以上
の奇数箇のサブパターン横方向に3箇以上の奇数箇のサ
ブパターンが繰り返し配置されている投影露光マスクに
より構成する。
本発明は投影露光マスクに係り、特に複数のサブパター
ン或いは繰り返しのサブパターンを含む素子形成用パタ
ーンを有する投影露光マスクに関する。
ン或いは繰り返しのサブパターンを含む素子形成用パタ
ーンを有する投影露光マスクに関する。
半導体装置は微細化の一途をたどっている。半導体装置
の製造においては、検査方法の善し悪しが半導体装置の
善し悪しを決定すると言っても過言でない。半導体装置
の微細加工はウェハープロセスにおける重要なプロセス
であり、そのパターン形成を行うフォトリソグラフィー
工程やパターンの加工を行うエンチング工程において、
検査はますます重要度を増している。
の製造においては、検査方法の善し悪しが半導体装置の
善し悪しを決定すると言っても過言でない。半導体装置
の微細加工はウェハープロセスにおける重要なプロセス
であり、そのパターン形成を行うフォトリソグラフィー
工程やパターンの加工を行うエンチング工程において、
検査はますます重要度を増している。
両工程での検査の内容にはさまざまな項目があるが、微
細化とともにパターンの加工精度の検査。
細化とともにパターンの加工精度の検査。
すなわち測長が注目され、その精度が問題となってきた
。
。
第3図はウェハーに素子パターンを形成する投影露光マ
スクを説明するための図で、1,2は素子形成用パター
ン、3は検査パターン、 4a乃至4dは露光コーナー
マークを表す。検査パターン3はウェハーのサブスクラ
イブ領域に形成される。
スクを説明するための図で、1,2は素子形成用パター
ン、3は検査パターン、 4a乃至4dは露光コーナー
マークを表す。検査パターン3はウェハーのサブスクラ
イブ領域に形成される。
第4図は素子形成用パターン1の一部を模式的に示すも
ので、 1a乃至11は素子形成用パターン1を構成す
る複数のサブパターンの一部を表す。
ので、 1a乃至11は素子形成用パターン1を構成す
る複数のサブパターンの一部を表す。
さらに、第5図はサブスクライブ領域に形成される検査
パターンの従来例を示し、31乃至35はサブパターン
を表す。
パターンの従来例を示し、31乃至35はサブパターン
を表す。
従来行われているウェハープロセスでの測長は。
以下のように2つに分けることができる。
■チップ内の実際のパターンを測長器で測る方法■スク
ライブ領域に測長しやすいパターンを形成して、それを
測長器で測る方法 この2つの方法の長所と短所を簡単に述べると以下のよ
うになる。
ライブ領域に測長しやすいパターンを形成して、それを
測長器で測る方法 この2つの方法の長所と短所を簡単に述べると以下のよ
うになる。
■の方法によれば、実際のパターンを測長することにな
るので、知りたいパターンの実際の幅や径の大きさの測
長値が得られる。その反面、メモリーを例にとれば明ら
かなように同じパターンの繰り返しの場合、測長位置を
定めるのが容易でな(2例えば第4図における1aの位
置を測長位置と決めておいたとしても1作業時に他の位
置を測長してしまう危険性がある。また、決められた測
長位置まで顕微鏡やSEM等の測長器を使ってその視野
を移動することは大変手間がかかる。
るので、知りたいパターンの実際の幅や径の大きさの測
長値が得られる。その反面、メモリーを例にとれば明ら
かなように同じパターンの繰り返しの場合、測長位置を
定めるのが容易でな(2例えば第4図における1aの位
置を測長位置と決めておいたとしても1作業時に他の位
置を測長してしまう危険性がある。また、決められた測
長位置まで顕微鏡やSEM等の測長器を使ってその視野
を移動することは大変手間がかかる。
また、■の方法によれば、■と比較して測長位置を探す
のははるかに容易になり、測長位置を間違える危険性は
激減するが、測長しやすいパターンは1例えば第5図に
示すように一般に実際のパターンと異なるため1例えば
、トランジスタゲート形成時の測長をこのパターンの中
央のサブパターン33で行うと、実際のトランジスタゲ
ートの測長とは異った値を得ることが多い。もう少し詳
細に説明すると、一般に実際のパターンは密なパターン
が形成されているのに対し、スクライブ領域での従来の
測長パターンは簡単なパターンのため疎となる。その結
果、パターン現像時の現像速度の違いや、エツチングの
マイクロローディング効果と呼ばれる疎密効果により1
プロセスシフト量が異なるため、実際のトランジスタゲ
ートの測長値とは異った測長値となるのである。
のははるかに容易になり、測長位置を間違える危険性は
激減するが、測長しやすいパターンは1例えば第5図に
示すように一般に実際のパターンと異なるため1例えば
、トランジスタゲート形成時の測長をこのパターンの中
央のサブパターン33で行うと、実際のトランジスタゲ
ートの測長とは異った値を得ることが多い。もう少し詳
細に説明すると、一般に実際のパターンは密なパターン
が形成されているのに対し、スクライブ領域での従来の
測長パターンは簡単なパターンのため疎となる。その結
果、パターン現像時の現像速度の違いや、エツチングの
マイクロローディング効果と呼ばれる疎密効果により1
プロセスシフト量が異なるため、実際のトランジスタゲ
ートの測長値とは異った測長値となるのである。
本発明は上記の問題に鑑み、測長位置を簡単に見つけ、
しかも実際のパターンに対応する測長値を精度よく求め
ることができるパターンを有する投影露光マスクを提供
することを目的とする。
しかも実際のパターンに対応する測長値を精度よく求め
ることができるパターンを有する投影露光マスクを提供
することを目的とする。
第1図及び第2図は本発明の実施例Iの検査バターン及
び実施例Hの検査パターンを示す。
び実施例Hの検査パターンを示す。
上記課題は、素子形成用パターン1.2と、検査パター
ン3を有する投影露光マスクであって前記素子形成用パ
ターン1,2は複数のサブパターン1a乃至11からな
り、前記検査パターン3は前記素子形成用パターン1,
2の一部と同一で。
ン3を有する投影露光マスクであって前記素子形成用パ
ターン1,2は複数のサブパターン1a乃至11からな
り、前記検査パターン3は前記素子形成用パターン1,
2の一部と同一で。
っのサブパターン3aと、それを取り巻く複数のサブパ
ターン3b乃至31からなる投影露光マスクによって解
決される。
ターン3b乃至31からなる投影露光マスクによって解
決される。
また、素子形成用パターン1.2と、検査パターン3を
有する投影露光マスクであって、前記素子形成用パター
ン1.2は縦方向及び横方向に繰り返される複数のサブ
パターン1a乃至11を含み。
有する投影露光マスクであって、前記素子形成用パター
ン1.2は縦方向及び横方向に繰り返される複数のサブ
パターン1a乃至11を含み。
前記検査パターン3は前記繰り返される複数のサブパタ
ーン1a乃至11の一部と同一で、縦方向に3箇以上の
奇数箇のサブパターン、横方向に3箇以上の奇数箇のサ
ブパターンが繰り返し配置されている投影露光マスクに
よって解決される。
ーン1a乃至11の一部と同一で、縦方向に3箇以上の
奇数箇のサブパターン、横方向に3箇以上の奇数箇のサ
ブパターンが繰り返し配置されている投影露光マスクに
よって解決される。
〔作用]
本発明の投影露光マスクでは、検査パターン3はウェハ
ーのサブスクライブ領域に形成される。
ーのサブスクライブ領域に形成される。
それゆえ、予めサブスクライブ領域に形成する場所を定
めておくことにより、その場所を簡単に素早く見つけ出
すことができる。
めておくことにより、その場所を簡単に素早く見つけ出
すことができる。
本発明では検査パターン3として実際の素子形成用パタ
ーン1.2の一部と同一のパターンを形成しているので
、疎密効果は最小限に抑えられ。
ーン1.2の一部と同一のパターンを形成しているので
、疎密効果は最小限に抑えられ。
実際の素子形成用パターンの幅や径の大きさをよく反映
した測長ができるようになる。
した測長ができるようになる。
さらに、素子形成用パターン1.2が縦方向及び横方向
に繰り返される複数のサブパターン1a乃至11を含む
場合は、検査パターン3は繰り返される複数のサブパタ
ーン1a乃至11の一部と同一で縦方向に3箇以上の奇
数箇のサブパターン、横方向に3箇以上の奇数箇のサブ
パターンが繰り返しからなるようにしている。このよう
な検査パターンを使用すれば、測長位置は測長パターン
の真ん中のサブパターン3aであるというルールを決め
ておくことにより、測長位置を一義的に定めることがで
きる。このようにして、測長位置を迷うことな(素早く
見つけることができる。
に繰り返される複数のサブパターン1a乃至11を含む
場合は、検査パターン3は繰り返される複数のサブパタ
ーン1a乃至11の一部と同一で縦方向に3箇以上の奇
数箇のサブパターン、横方向に3箇以上の奇数箇のサブ
パターンが繰り返しからなるようにしている。このよう
な検査パターンを使用すれば、測長位置は測長パターン
の真ん中のサブパターン3aであるというルールを決め
ておくことにより、測長位置を一義的に定めることがで
きる。このようにして、測長位置を迷うことな(素早く
見つけることができる。
(実施例〕
第1図は実施例■の検査パターンを説明するための図で
、 3a乃至31はサブパターンを表す。これらのサブ
パターンは素子形成用パターンのサブパターンの一部1
a乃至11と同一である。例えば1検査パターンのサブ
パターン3aに着目すると、それを取り巻くサブパター
ン3b乃至31があり、さらにそれらを取り巻くサブパ
ターンが存在している。
、 3a乃至31はサブパターンを表す。これらのサブ
パターンは素子形成用パターンのサブパターンの一部1
a乃至11と同一である。例えば1検査パターンのサブ
パターン3aに着目すると、それを取り巻くサブパター
ン3b乃至31があり、さらにそれらを取り巻くサブパ
ターンが存在している。
実際の測長はサブパターン3aで行うことにすれば。
近傍の状況は実際の素子形成用パターンのサブパターン
1aと同じくなり、ウェハーに形成される検査パターン
も実際の素子パターンの形状1寸法をよく反映したもの
となり、精度の高い測長を行うことができる。
1aと同じくなり、ウェハーに形成される検査パターン
も実際の素子パターンの形状1寸法をよく反映したもの
となり、精度の高い測長を行うことができる。
第2図は実施例■の検査パターンを説明するための図で
、素子形成用パターンが同じサブパターンの繰り返しを
含むメモリー等の場合に、特に効果的なものである。3
a乃至3oは検査パターンのサブパターンで、これらの
サブパターンは素子形成用パターンのサブパターンの一
部をそのままコピーしたものである。
、素子形成用パターンが同じサブパターンの繰り返しを
含むメモリー等の場合に、特に効果的なものである。3
a乃至3oは検査パターンのサブパターンで、これらの
サブパターンは素子形成用パターンのサブパターンの一
部をそのままコピーしたものである。
この実施例では検査パターンは5行3列の同一形状のサ
ブパターンの配列とし、中心のサブパターン3aを測長
パターンと決めておく。
ブパターンの配列とし、中心のサブパターン3aを測長
パターンと決めておく。
この場合も実施例Iと同じく、ウェハーに形成される検
査パターンは実際の素子パターンの形状寸法をよく反映
したものとなり、精度の高い測長を行うことができる。
査パターンは実際の素子パターンの形状寸法をよく反映
したものとなり、精度の高い測長を行うことができる。
サブパターンの配列を奇数行、奇数列とすることにより
、中心の測長位置は一義的に定まり、迷うことなく素早
く測長パターン3aを見つけることができる。
、中心の測長位置は一義的に定まり、迷うことなく素早
く測長パターン3aを見つけることができる。
実施例I及び実施例■に示した投影露光マスクを使用す
れば、ウェハーに形成される素子パターンの形状のみな
らず、レジストマスクに形成されるパターンも素早く精
度よく測長できることば勿論である。
れば、ウェハーに形成される素子パターンの形状のみな
らず、レジストマスクに形成されるパターンも素早く精
度よく測長できることば勿論である。
C発明の効果〕
以上説明したように9本発明によれば、ウェハーのスク
ライブ領域に対応する位置にに検査パターンをもち、実
際の素子パターンの一部と同一形状の検査パターンをも
つ投影露光マスクを使用することにより、測長の作業性
を高め、しかも精度よく実際の素子パターンに対応する
測長値を得ることができる。
ライブ領域に対応する位置にに検査パターンをもち、実
際の素子パターンの一部と同一形状の検査パターンをも
つ投影露光マスクを使用することにより、測長の作業性
を高め、しかも精度よく実際の素子パターンに対応する
測長値を得ることができる。
本発明の投影露光マスクを使用すれば、半導体装置製造
の作業性の向上、及び検査精度の向上が得られ、ひいて
は半導体装置の信較性の向上、性能の向上に大きく寄与
することができる。
の作業性の向上、及び検査精度の向上が得られ、ひいて
は半導体装置の信較性の向上、性能の向上に大きく寄与
することができる。
第5図は検査パターンの従来例
である。
図において。
1.2は素子形成用パターン。
1a乃至1iは素子形成用パターンのサブパターン、3
は検査パターン。
は検査パターン。
3a乃至3oは検査パターンのサブパターン31乃至3
5は検査パターンのサブパターン。
5は検査パターンのサブパターン。
4a乃至4dは露光コーナーマーク。
第1図は実施例Iの検査パターン。
第2図は実施例■の検査パターン。
第3図は投影露光マスクを説明するための図。
第4を予形成用パターン。
実施1列1のわし止バターゾ
第 1 図
S イ丁
羨 方氏イク・IM/)、表剣イLノ\°ノーノ第
2 図 第 3 図 手続補正書(哀 3.71゜ 事件の表示 平成 特許願 第6911、 発明の名称 投影露光マスク 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中1015番地(5
22)名称富士通株式会社 索+形A甲バク=7 第 4 m 補正命令の日付 平成 3年10月22日 G6医日) 8査/でターンの従来袋・1 第 5 、図 6、補正の対象 (1)明細書の「図面の簡単な説明」の欄7、補正の内
容 (1)本願明細書の「図面の簡単な説明」の欄を下記の
如く補正する。 (イ)同上第11頁第18行「第4素子形成用パターン
」とあるを「第4図は素子形成用パターン」と補正する
。
2 図 第 3 図 手続補正書(哀 3.71゜ 事件の表示 平成 特許願 第6911、 発明の名称 投影露光マスク 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中1015番地(5
22)名称富士通株式会社 索+形A甲バク=7 第 4 m 補正命令の日付 平成 3年10月22日 G6医日) 8査/でターンの従来袋・1 第 5 、図 6、補正の対象 (1)明細書の「図面の簡単な説明」の欄7、補正の内
容 (1)本願明細書の「図面の簡単な説明」の欄を下記の
如く補正する。 (イ)同上第11頁第18行「第4素子形成用パターン
」とあるを「第4図は素子形成用パターン」と補正する
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔1〕素子形成用パターン(1、2)と、検査パターン
(3)を有する投影露光マスクであって、前記素子形成
用パターン(1、2)は複数のサブパターン(1a乃至
1i)からなり、前記検査パターン(3)は前記素子形
成用パターン(1、2)の一部と同一で、一つのサブパ
ターン(3a)と、それを取り巻く複数のサブパターン
(3b乃至3i)からなることを特徴とする投影露光マ
スク。 〔2〕素子形成用パターン(1、2)と、検査パターン
(3)を有する投影露光マスクであって、前記素子形成
用パターン(1、2)は縦方向及び横方向に繰り返され
る複数のサブパターン(1a乃至1i)を含み、前記検
査パターン(3)は前記繰り返される複数のサブパター
ン(1a乃至1i)の一部と同一で、縦方向に3箇以上
の奇数箇のサブパターン、横方向に3箇以上の奇数箇の
サブパターンが繰り返し配置されていることを特徴とす
る投影露光マスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6911490A JP2874261B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 投影露光マスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6911490A JP2874261B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 投影露光マスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04100043A true JPH04100043A (ja) | 1992-04-02 |
JP2874261B2 JP2874261B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=13393290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6911490A Expired - Lifetime JP2874261B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 投影露光マスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2874261B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006154265A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Fujitsu Ltd | レチクル及び半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP6911490A patent/JP2874261B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006154265A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Fujitsu Ltd | レチクル及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2874261B2 (ja) | 1999-03-24 |
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