JP2874261B2 - 投影露光マスク - Google Patents
投影露光マスクInfo
- Publication number
- JP2874261B2 JP2874261B2 JP6911490A JP6911490A JP2874261B2 JP 2874261 B2 JP2874261 B2 JP 2874261B2 JP 6911490 A JP6911490 A JP 6911490A JP 6911490 A JP6911490 A JP 6911490A JP 2874261 B2 JP2874261 B2 JP 2874261B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- sub
- patterns
- projection exposure
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 投影露光マスクに係り，特に複数のサブパターン或い
は繰り返しのサブパターンを含む素子形成用パターンを
有する投影露光マスクに関し， レジストやウエハに形成されたパターンの検査を短時
間で精度良く行うことを可能にする投影露光マスクの提
供を目的とし， 素子形成用パターンと，検査パターンを有する投影露
光マスクであって，前記素子形成用パターンは複数のサ
ブパターンからなり，前記検査パターンはスクライブ領
域に形成され，前記素子形成用パターンの一部と同一
で，一つのサブパターンと，それを取り巻く複数のサブ
パターンからなる投影露光マスクにより構成する。ま
た，素子形成用パターンと，検査パターンを有する投影
露光マスクであって，前記素子形成用パターンは縦方向
及び横方向に繰り返される複数のサブパターンを含み，
前記検査パターンはスクライブ領域に形成され，前記繰
り返される複数のサブパターンの一部と同一で，縦方向
に３箇以上の奇数箇のサブパターン，横方向に３箇以上
の奇数箇のサブパターンが繰り返し配置されている投影
露光マスクにより構成する。
は繰り返しのサブパターンを含む素子形成用パターンを
有する投影露光マスクに関し， レジストやウエハに形成されたパターンの検査を短時
間で精度良く行うことを可能にする投影露光マスクの提
供を目的とし， 素子形成用パターンと，検査パターンを有する投影露
光マスクであって，前記素子形成用パターンは複数のサ
ブパターンからなり，前記検査パターンはスクライブ領
域に形成され，前記素子形成用パターンの一部と同一
で，一つのサブパターンと，それを取り巻く複数のサブ
パターンからなる投影露光マスクにより構成する。ま
た，素子形成用パターンと，検査パターンを有する投影
露光マスクであって，前記素子形成用パターンは縦方向
及び横方向に繰り返される複数のサブパターンを含み，
前記検査パターンはスクライブ領域に形成され，前記繰
り返される複数のサブパターンの一部と同一で，縦方向
に３箇以上の奇数箇のサブパターン，横方向に３箇以上
の奇数箇のサブパターンが繰り返し配置されている投影
露光マスクにより構成する。
本発明は投影露光マスクに係り，特に複数のサブパタ
ーン或いは繰り返しのサブパターンを含む素子形成用パ
ターンを有する投影露光マスクに関する。
ーン或いは繰り返しのサブパターンを含む素子形成用パ
ターンを有する投影露光マスクに関する。
半導体装置は微細化の一途をたどっている。半導体装
置の製造においては，検査方法の善し悪しが半導体装置
の善し悪しを決定すると言っても過言でない。半導体装
置の微細加工はウエハープロセスにおける重要なプロセ
スであり，そのパターン形成を行うフォトリソグラフィ
ー工程やパターンの加工を行うエッチング工程におい
て，検査はますます重要度を増している。
置の製造においては，検査方法の善し悪しが半導体装置
の善し悪しを決定すると言っても過言でない。半導体装
置の微細加工はウエハープロセスにおける重要なプロセ
スであり，そのパターン形成を行うフォトリソグラフィ
ー工程やパターンの加工を行うエッチング工程におい
て，検査はますます重要度を増している。
両工程での検査の内容にはさまざまな項目があるが，
微細化とともにパターンの加工精度の検査，すなわち測
長が注目され，その精度が問題となってきた。
微細化とともにパターンの加工精度の検査，すなわち測
長が注目され，その精度が問題となってきた。
第３図はウエハーに素子パターンを形成る投影露光マ
スクを説明するための図で,1,2は素子形成用パターン,3
は検査パターン,4a乃至4dは露光コーナーマークを表
す。検査パターン３はウエハーのサブスクライブ領域に
形成される。
スクを説明するための図で,1,2は素子形成用パターン,3
は検査パターン,4a乃至4dは露光コーナーマークを表
す。検査パターン３はウエハーのサブスクライブ領域に
形成される。
第４図は素子形成用パターン１の一部を模式的に示す
もので,1a乃至1iは素子形成用パターン１を構成する複
数のサブパターンの一部を表す。
もので,1a乃至1iは素子形成用パターン１を構成する複
数のサブパターンの一部を表す。
さらに，第５図はサブスクライブ領域に形成される検
査パターンの従来例を示し,31乃至35はサブパターンを
表す。
査パターンの従来例を示し,31乃至35はサブパターンを
表す。
従来行われているウエハープロセスでの測長は，以下
のように２つに分けることができる。
のように２つに分けることができる。
チップ内の実際のパターンを測長器で測る方法 スクライブ領域に測長しやすいパターンを形成して，
それを測長器で測る方法 この２つの方法の長所と短所を簡単に述べると，以下
のようになる。
それを測長器で測る方法 この２つの方法の長所と短所を簡単に述べると，以下
のようになる。
の方法によれば，実際のパターンを測長することに
なるので，知りたいパターンの実際の幅や径の大きさの
測長値が得られる。その反面，メモリーを例にとれば明
らかなように同じパターンの繰り返しの場合，測長位置
を定めるのが容易でなく，例えば第４図における1aの位
置を側長位置と決めておいたとしても，作業時に他の位
置を測長してしまう危険性がある。また，決められた測
長位置まで顕微鏡やSEM等の測長器を使ってその視野を
移動することは大変手間がかかる。
なるので，知りたいパターンの実際の幅や径の大きさの
測長値が得られる。その反面，メモリーを例にとれば明
らかなように同じパターンの繰り返しの場合，測長位置
を定めるのが容易でなく，例えば第４図における1aの位
置を側長位置と決めておいたとしても，作業時に他の位
置を測長してしまう危険性がある。また，決められた測
長位置まで顕微鏡やSEM等の測長器を使ってその視野を
移動することは大変手間がかかる。
また，の方法によれば，と比較して測長位置を探
すのははるかに容易になり，測長位置を間違える危険性
は激減するが，測長しやすいパターンは，例えば第５図
に示すように一般に実際のパターンと異なるため，例え
ば，トランジスタゲート形成時の測長をこのパターンの
中央のサブパターン33で行うと，実際のトランジスタゲ
ートの測長とは異った値を得ることが多い。もう少し詳
細に説明すると，一般に実際のパターンは密なパターン
が形成されているのに対し，スクライブ領域での従来の
測長パターンは簡単なパターンのため疎となる。その結
果，パターン現像時の現像速度の違いや，エッチングの
マイクロローディング効果と呼ばれる疎密効果により，
プロセスシフト量が異なるため，実際のトランジスタゲ
ートの測長値とは異った測長値となるのである。
すのははるかに容易になり，測長位置を間違える危険性
は激減するが，測長しやすいパターンは，例えば第５図
に示すように一般に実際のパターンと異なるため，例え
ば，トランジスタゲート形成時の測長をこのパターンの
中央のサブパターン33で行うと，実際のトランジスタゲ
ートの測長とは異った値を得ることが多い。もう少し詳
細に説明すると，一般に実際のパターンは密なパターン
が形成されているのに対し，スクライブ領域での従来の
測長パターンは簡単なパターンのため疎となる。その結
果，パターン現像時の現像速度の違いや，エッチングの
マイクロローディング効果と呼ばれる疎密効果により，
プロセスシフト量が異なるため，実際のトランジスタゲ
ートの測長値とは異った測長値となるのである。
本発明は上記の問題に鑑み，測長位置を簡単に見つ
け，しかも実際のパターンに対応する測長値を精度よく
求めることができるパターンを有する投影露光マスクを
提供することを目的とする。
け，しかも実際のパターンに対応する測長値を精度よく
求めることができるパターンを有する投影露光マスクを
提供することを目的とする。
第１図及び第２図は本発明の実施例Ｉの検査パターン
及び実施例IIの検査パターンを示す。
及び実施例IIの検査パターンを示す。
上記課題は，素子形成用パターン1,2と，検査パター
ン３を有する投影露光マスクであって，前記素子形成用
パターン1,2は複雑のサブパターン1a乃至1iからなり，
前記検査パターン３はスクライブ領域に形成され，前記
素子形成用パターン1,2の一部と同一で，一つのサブパ
ターン3aと，それを取り巻く複数のサブパターン3b乃至
3iからなる投影露光マスクによって解決される。
ン３を有する投影露光マスクであって，前記素子形成用
パターン1,2は複雑のサブパターン1a乃至1iからなり，
前記検査パターン３はスクライブ領域に形成され，前記
素子形成用パターン1,2の一部と同一で，一つのサブパ
ターン3aと，それを取り巻く複数のサブパターン3b乃至
3iからなる投影露光マスクによって解決される。
また，素子形成用パターン1,2と，検査パターン３を
有する投影露光マスクであって，前記素子形成用パター
ン1,2は縦方向及び横方向に繰り返される複数のサブパ
ターン1a乃至1iを含み，前記検査パターン３はスクライ
ブ領域に形成され，前記繰り返される複数のサブパター
ン1a乃至1iの一部と同一で，縦方向に３箇以上の奇数箇
のサブパターン，横方向に３箇以上の奇数箇のサブパタ
ーンが繰返し配置されている投影露光マスクによって解
決される。
有する投影露光マスクであって，前記素子形成用パター
ン1,2は縦方向及び横方向に繰り返される複数のサブパ
ターン1a乃至1iを含み，前記検査パターン３はスクライ
ブ領域に形成され，前記繰り返される複数のサブパター
ン1a乃至1iの一部と同一で，縦方向に３箇以上の奇数箇
のサブパターン，横方向に３箇以上の奇数箇のサブパタ
ーンが繰返し配置されている投影露光マスクによって解
決される。
本発明の投影露光マスクでは，検査パターン３はウエ
ハーのサブスクライブ領域に形成される。それゆえ，予
めサブスクライブ領域に形成する場所を定めておくこと
により，その場所を簡単に素早く見つけ出すことができ
る。
ハーのサブスクライブ領域に形成される。それゆえ，予
めサブスクライブ領域に形成する場所を定めておくこと
により，その場所を簡単に素早く見つけ出すことができ
る。
本発明では検査パターン３として実際の素子形成用パ
ターン1,2の一部と同一のパターンを形成しているの
で，疎密効果は最小限に抑えられ，実際の素子形成用パ
ターンの幅や径の大きさをよく反映した測長ができるよ
うになる。
ターン1,2の一部と同一のパターンを形成しているの
で，疎密効果は最小限に抑えられ，実際の素子形成用パ
ターンの幅や径の大きさをよく反映した測長ができるよ
うになる。
さらに，素子形成用パターン1,2が縦方向及び横方向
に繰り返される複数のサブパターン1a乃至1iを含む場合
は，検査パターン３は繰り返される複数のサブパターン
1a乃至1iの一部と同一で，縦方向に３箇以上の奇数箇の
サブパターン，横方向に３箇以上の奇数箇のサブパター
ンが繰り返しからなるようにしている。このような検査
パターンを使用すれば，測長位置は測長パターンの真ん
中のサブパターン3aであるというルールを決めておくこ
とにより，測長位置を一義的に定めることができる。こ
のようにして，測長位置を迷うことなく素早く見つける
ことができる。
に繰り返される複数のサブパターン1a乃至1iを含む場合
は，検査パターン３は繰り返される複数のサブパターン
1a乃至1iの一部と同一で，縦方向に３箇以上の奇数箇の
サブパターン，横方向に３箇以上の奇数箇のサブパター
ンが繰り返しからなるようにしている。このような検査
パターンを使用すれば，測長位置は測長パターンの真ん
中のサブパターン3aであるというルールを決めておくこ
とにより，測長位置を一義的に定めることができる。こ
のようにして，測長位置を迷うことなく素早く見つける
ことができる。
第１図は実施例Ｉの検査パターンを説明するための図
で,3a乃至3iはサブパターンを表す。これらのサブパタ
ーンは素子形成用パターンのサブパターンの一部1a乃至
1iと同一である。例えば，検査パターンのサブパターン
3aに着目すると，それを取り巻くサブパターン3b乃至3i
があり，さらにそれらを取り巻くサブパターンが存在し
ている。実際の測長はサブパターン3aで行うことにすれ
ば，近傍の状況は実際の素子形成用パターンのサブパタ
ーン1aと同じくなり，ウエハーに形成される検査パター
ンも実際の素子パターンの形状，寸法をよく反映したも
のとなり，精度の高い測長を行うことができる。
で,3a乃至3iはサブパターンを表す。これらのサブパタ
ーンは素子形成用パターンのサブパターンの一部1a乃至
1iと同一である。例えば，検査パターンのサブパターン
3aに着目すると，それを取り巻くサブパターン3b乃至3i
があり，さらにそれらを取り巻くサブパターンが存在し
ている。実際の測長はサブパターン3aで行うことにすれ
ば，近傍の状況は実際の素子形成用パターンのサブパタ
ーン1aと同じくなり，ウエハーに形成される検査パター
ンも実際の素子パターンの形状，寸法をよく反映したも
のとなり，精度の高い測長を行うことができる。
第２図は実施例IIの検査パターンを説明するための図
で，素子形成用パターンが同じサブパターンの繰り返し
を含むメモリー等の場合に，特に効果的なものである。
3a乃至3oは検査パターンのサブパターンで，これらのサ
ブパターンは素子形成用パターンのサブパターンの一部
をそのままコピーしたものである。
で，素子形成用パターンが同じサブパターンの繰り返し
を含むメモリー等の場合に，特に効果的なものである。
3a乃至3oは検査パターンのサブパターンで，これらのサ
ブパターンは素子形成用パターンのサブパターンの一部
をそのままコピーしたものである。
この実施例では検査パターンは５行３列の同一形状の
サブパターンの配列とし，中心のサブパターン3aを測長
パターンと決めておく。
サブパターンの配列とし，中心のサブパターン3aを測長
パターンと決めておく。
この場合も実施例Ｉと同じく，ウエハーに形成される
検査パターンは実際の素子パターンの形状，寸法をよく
反映したものとなり，精度の高い測長を行うことができ
る。
検査パターンは実際の素子パターンの形状，寸法をよく
反映したものとなり，精度の高い測長を行うことができ
る。
サブパターンの配列を奇数行，奇数列とすることによ
り，中心の測長位置は一義的に定まり，迷うことなく素
早く測長パターン3aを見つけることができる。
り，中心の測長位置は一義的に定まり，迷うことなく素
早く測長パターン3aを見つけることができる。
実施例Ｉ及び実施例IIに示した投影露光マスクを使用
すれば，ウエハーに形成される素子パターンの形状のみ
ならず，レジストマスクに形成されるパターンも素早く
精度よく測長できることは勿論である。
すれば，ウエハーに形成される素子パターンの形状のみ
ならず，レジストマスクに形成されるパターンも素早く
精度よく測長できることは勿論である。
以上説明したように，本発明によれば，ウエハーのス
クライブ領域に対応する位置に検査パターンをもち，実
際の素子パターンの一部と同一形状の検査パターンをも
つ投影露光マスクを使用することにより，測長の作業性
を高め，しかも精度よく実際の素子パターンに対応する
測長値を得ることができる。
クライブ領域に対応する位置に検査パターンをもち，実
際の素子パターンの一部と同一形状の検査パターンをも
つ投影露光マスクを使用することにより，測長の作業性
を高め，しかも精度よく実際の素子パターンに対応する
測長値を得ることができる。
本発明の投影露光マスクを使用すれば，半導体装置製
造の作業性の向上，及び検査精度の向上が得られ，ひい
ては半導体装置の信頼性の向上，性能の向上に大きく寄
与することができる。
造の作業性の向上，及び検査精度の向上が得られ，ひい
ては半導体装置の信頼性の向上，性能の向上に大きく寄
与することができる。
第１図は実施例Ｉの検査パターン， 第２図は実施例IIの検査パターン， 第３図は投影露光マスクを説明するための図， 第４図は素子形成用パターン， 第５図は検査パターンの従来例 である。 図において， 1,2は素子形成用パターン， 1a乃至1iは素子形成用パターンのサブパターン， ３は検査パターン， 3a乃至3oは検査パターンのサブパターン， 31乃至35は検査パターンのサブパターン， 4a乃至4dは露光コーナーマーク， を表す。
Claims (2)
- 【請求項１】素子形成用パターンと，検査パターンを有
する投影露光マスクであって， 前記素子形成用パターンは複数のサブパターンからな
り，前記検査パターンはスクライブ領域に形成され，前
記素子形成用パターンの一部と同一で，一つのサブパタ
ーンと，それを取り巻く複数のサブパターンからなるこ
とを特徴とする投影露光マスク。 - 【請求項２】素子形成用パターンと，検査パターンを有
する投影露光マスクであって， 前記素子形成用パターンは縦方向及び横方向に繰り返さ
れる複数のサブパターンを含み，前記検査パターンはス
クライブ領域に形成され，前記繰り返される複数のサブ
パターンの一部と同一で，縦方向に３箇以上の奇数箇の
サブパターン，横方向に３箇以上の奇数箇のサブパター
ンが繰返し配置されていることを特徴とする投影露光マ
スク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6911490A JP2874261B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 投影露光マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6911490A JP2874261B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 投影露光マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04100043A JPH04100043A (ja) | 1992-04-02 |
| JP2874261B2 true JP2874261B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=13393290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6911490A Expired - Lifetime JP2874261B2 (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | 投影露光マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2874261B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4972278B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2012-07-11 | 富士通セミコンダクター株式会社 | レチクル及び半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP6911490A patent/JP2874261B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04100043A (ja) | 1992-04-02 |
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