JPS62115830A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPS62115830A JPS62115830A JP60254992A JP25499285A JPS62115830A JP S62115830 A JPS62115830 A JP S62115830A JP 60254992 A JP60254992 A JP 60254992A JP 25499285 A JP25499285 A JP 25499285A JP S62115830 A JPS62115830 A JP S62115830A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- wedge
- wafer
- length
- patterns
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- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体ｊＡ Ｊを製造するときに用いるホトリソグラフ
ィにおける露光方法であって、マスク上に楔形パターン
と、その長手方向と平行して複数のパターンを等間隔に
配置したパターン列をウェファ上に転写し、転写された
楔形パターンの長さをパターン列により計測することで
露光条件の決定を可能とする。
ィにおける露光方法であって、マスク上に楔形パターン
と、その長手方向と平行して複数のパターンを等間隔に
配置したパターン列をウェファ上に転写し、転写された
楔形パターンの長さをパターン列により計測することで
露光条件の決定を可能とする。
本発明は露光方法に関するもので、さらに詳しく言えば
、ホトリソグラフィにおける露光方法に関するものであ
る。
、ホトリソグラフィにおける露光方法に関するものであ
る。
ホトリソグラフィを用いて微細パターンを形成する技術
は半導体をはじめバブルメモリ等に広（適用されている
が、近年この技術を用いて形成するパターンはサブミク
ロン領域まで進み露光時の条件を厳しく押えることが製
品の特性上重要となってきている。特に最近その分解能
の高さから用いられる様になった投影露光方式の場合、
従来のコンタクト露光方式に比ベレンズとウェファ間の
距ｉｖｉ！［（フォーカス値）を考慮しなければならず
露光条件の決定はより困難となって来ている。
は半導体をはじめバブルメモリ等に広（適用されている
が、近年この技術を用いて形成するパターンはサブミク
ロン領域まで進み露光時の条件を厳しく押えることが製
品の特性上重要となってきている。特に最近その分解能
の高さから用いられる様になった投影露光方式の場合、
従来のコンタクト露光方式に比ベレンズとウェファ間の
距ｉｖｉ！［（フォーカス値）を考慮しなければならず
露光条件の決定はより困難となって来ている。
従来、投影露光方式において、露光条件を決定する場合
は、投影用のマスクに第４図に示すようなラインアンド
スペースパターンを設けておき、これをフォーカスと露
出時間を変えてウェファ上に転写したときの抜は具合を
調べ、第１表の如く横軸にフォーカス、縦軸に露出時間
をとったまず目の中に抜けたラインアンドスペースパタ
ーンの最小値を記入し、その最小値（図では０．６）か
ら両パラメータの最適値を決定している。即ち図ではフ
ォーカスは中心の列が最良であり、露出は例えば０．６
μｍが最初に抜けたところを最適としている。
は、投影用のマスクに第４図に示すようなラインアンド
スペースパターンを設けておき、これをフォーカスと露
出時間を変えてウェファ上に転写したときの抜は具合を
調べ、第１表の如く横軸にフォーカス、縦軸に露出時間
をとったまず目の中に抜けたラインアンドスペースパタ
ーンの最小値を記入し、その最小値（図では０．６）か
ら両パラメータの最適値を決定している。即ち図ではフ
ォーカスは中心の列が最良であり、露出は例えば０．６
μｍが最初に抜けたところを最適としている。
以下余白
第１表
フォーカス→
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記の従来方法にあっては、フォーカスの決定はし易い
が、露出時間に関してはラインアンドスペースの変化量
（図では２μｍ）が大きいため詳細な決定は困難である
つこのため非常に厳しい精度が必要な場合にはＳＥＭ等
でパターン幅を計測し最終的な決定をする場合もある。
が、露出時間に関してはラインアンドスペースの変化量
（図では２μｍ）が大きいため詳細な決定は困難である
つこのため非常に厳しい精度が必要な場合にはＳＥＭ等
でパターン幅を計測し最終的な決定をする場合もある。
またラインアンドスペースパターンの変化量をこまかく
することによりある程度精度を上げることも可能である
が、この場合は面積を広く必要とすることと、マスク製
造上の精度を高くする必要があるなどの理由により実用
的ではない。
することによりある程度精度を上げることも可能である
が、この場合は面積を広く必要とすることと、マスク製
造上の精度を高くする必要があるなどの理由により実用
的ではない。
本発明はこのような点に鑑みて案出されたもので、極め
て簡単なパターンを用いて精度の高いフォーカス及び露
光条件を決定することができる露光方法を提供すること
を目的としている。
て簡単なパターンを用いて精度の高いフォーカス及び露
光条件を決定することができる露光方法を提供すること
を目的としている。
このため本発明においては、ウェファ上に塗布された感
光レジスト上に、光、Ｘ線、電子線等を照射し現像によ
りレジストパターンを形成するいわゆるホトリソグラフ
ィにおいて、マスク上に楔形パターン１０と、該楔形パ
ターン１０の長手方向に平行する線上に等間隔に配置さ
れた長さ計測用パターン０〜６とを形成しておき、これ
をウェファ上に転写し、転写された楔形パターン２ｏの
長さを転写された長さ計測用パターン０′〜６′により
計測することで露光条件を決定することを特徴としてい
る。
光レジスト上に、光、Ｘ線、電子線等を照射し現像によ
りレジストパターンを形成するいわゆるホトリソグラフ
ィにおいて、マスク上に楔形パターン１０と、該楔形パ
ターン１０の長手方向に平行する線上に等間隔に配置さ
れた長さ計測用パターン０〜６とを形成しておき、これ
をウェファ上に転写し、転写された楔形パターン２ｏの
長さを転写された長さ計測用パターン０′〜６′により
計測することで露光条件を決定することを特徴としてい
る。
ウェファ上に転写された楔形パターンの長さは、フォー
カスと露出時間の僅かな変動に対して敏感に変化するの
で、その長さを楔形パターンに平行して配置された長さ
計測用パターンを用いて計測するごとにより、再現性よ
（且つ高精度で露光条件の決定が可能となる。
カスと露出時間の僅かな変動に対して敏感に変化するの
で、その長さを楔形パターンに平行して配置された長さ
計測用パターンを用いて計測するごとにより、再現性よ
（且つ高精度で露光条件の決定が可能となる。
第１図及び第２図は本発明の詳細な説明するための図で
あり、第１図はマスクパターン、第２図はウェファ上に
転写されたパターンでａは平面図、ｂはａ図のｂ −ｂ
ｖＡにおける断面図である。
あり、第１図はマスクパターン、第２図はウェファ上に
転写されたパターンでａは平面図、ｂはａ図のｂ −ｂ
ｖＡにおける断面図である。
本実施例の露光方法に用いるマスクパターンは第１図に
示すように楔形パターン１０と、該楔形パターンの長手
方向に平行した線Ｆに等間隔に配置された長さ計測用パ
ターンＯ〜６とより成っている。なお楔形パターンＩＯ
の下の数字はウェファに転写したときの幅をμｍ華位で
示したものである。
示すように楔形パターン１０と、該楔形パターンの長手
方向に平行した線Ｆに等間隔に配置された長さ計測用パ
ターンＯ〜６とより成っている。なお楔形パターンＩＯ
の下の数字はウェファに転写したときの幅をμｍ華位で
示したものである。
本実施例の露光方法は先ず上記のようなマスクパターン
を露光条件を変えてウェファ上に転写する。第２図はあ
る露光条件で得られたパターンであり、２０はマスクの
楔形パターン１０から転写された楔形パターン、０′〜
６′はマスクのパターンＯ〜６から転写されたパターン
である。そして楔形パターン２０はその先端がａ及びｂ
図の如くボケによるだれを生じて短かくなっている。
を露光条件を変えてウェファ上に転写する。第２図はあ
る露光条件で得られたパターンであり、２０はマスクの
楔形パターン１０から転写された楔形パターン、０′〜
６′はマスクのパターンＯ〜６から転写されたパターン
である。そして楔形パターン２０はその先端がａ及びｂ
図の如くボケによるだれを生じて短かくなっている。
次にこの楔形パターン２０のだれた先端部の位置を等間
隔に配置されたパターンＯ′〜６′を物損にして読み取
る。例えば図の場合、楔形パターン２０の先端はパター
ン３′と４′の間にあるのでその間を１０等分して測り
３．８と読む。
隔に配置されたパターンＯ′〜６′を物損にして読み取
る。例えば図の場合、楔形パターン２０の先端はパター
ン３′と４′の間にあるのでその間を１０等分して測り
３．８と読む。
次に各露光条件での楔形パターン２０の読み取り値を第
２表の如くまず目にプロットする。図は露光条件として
フォーカスはＦ、〜Ｆｔ、露光時間にはＥ１〜Ｅ７のそ
れぞれ７段階としている。
２表の如くまず目にプロットする。図は露光条件として
フォーカスはＦ、〜Ｆｔ、露光時間にはＥ１〜Ｅ７のそ
れぞれ７段階としている。
ム下余白
第２表
フォーカス
次に第２表よりフォーカスの最適値を求める。
これは例えば第３図ａの如く露出時間Ｅ１の条件でフォ
ーカスを振った場合のグラフから最適値はＦ、とＦ４の
間約７０％の位置にあると求められる。
ーカスを振った場合のグラフから最適値はＦ、とＦ４の
間約７０％の位置にあると求められる。
次にまた第２表より露出時間の最適値を求める。
これは例えば第３図すの如くフォーカスＦ４の条件で露
出時間を振った場合のグラフから、長さ３．８が条件で
あるとするとＥ４とＥ５の中間が最適の露出時間として
求められる。
出時間を振った場合のグラフから、長さ３．８が条件で
あるとするとＥ４とＥ５の中間が最適の露出時間として
求められる。
本実施例は以上のような手順で最適露光条件を求めるこ
とができる。なお本実施例では楔形パターンとその長さ
を測るパターンを同一マスク上に配置したが、長さを測
るパターンは下層のパターンで形成することも可能であ
る。例えばバブルメモリの場合、パーマロイパターンに
楔形パターンを、コンダクタパターンに長さを測るパタ
ーンをそれぞれ配置することができる。
とができる。なお本実施例では楔形パターンとその長さ
を測るパターンを同一マスク上に配置したが、長さを測
るパターンは下層のパターンで形成することも可能であ
る。例えばバブルメモリの場合、パーマロイパターンに
楔形パターンを、コンダクタパターンに長さを測るパタ
ーンをそれぞれ配置することができる。
本実施例によれば従来のラインアンドスペースパターン
が第４図の如くその間隔寸法が不連続であるのに比し、
パターン幅が長さ方向に連続的に変化する楔形パターン
を用いることにより、ボケによる長さ変化を連続的に読
み取ることができ、露光条件を高い精度で求めることが
できる。
が第４図の如くその間隔寸法が不連続であるのに比し、
パターン幅が長さ方向に連続的に変化する楔形パターン
を用いることにより、ボケによる長さ変化を連続的に読
み取ることができ、露光条件を高い精度で求めることが
できる。
以上述べてきたように、本発明によれば極めて簡単な楔
形パターンを用いることにより、高い精度で露光条件を
決定することができ、実用的には極めて有用である。
形パターンを用いることにより、高い精度で露光条件を
決定することができ、実用的には極めて有用である。
第１図及び第２図は本発明の詳細な説明するための図で
あり、第１図はそのマスクパターン、第２図はウェファ
上に転写されたパターンを示す図、 第３図は本発明の実施例の露光条件を求める方法を説明
するための図、 第４図は従来のラインアンドスペースパターンを示す図
である。 第１図、第２図において、 １０．２０は楔形パターン、 Ｏ〜６．Ｏ′〜６′は長さ計測用パターンである。 第１図 ○〜６ ・・・長さ測定用パターン 第」図のマスクツやターンをウェファ上に転写したパタ
ー７を示す図 第２図 するための図 第３図 従来のラインアンドスイース・ンターンを示ス図第４図
あり、第１図はそのマスクパターン、第２図はウェファ
上に転写されたパターンを示す図、 第３図は本発明の実施例の露光条件を求める方法を説明
するための図、 第４図は従来のラインアンドスペースパターンを示す図
である。 第１図、第２図において、 １０．２０は楔形パターン、 Ｏ〜６．Ｏ′〜６′は長さ計測用パターンである。 第１図 ○〜６ ・・・長さ測定用パターン 第」図のマスクツやターンをウェファ上に転写したパタ
ー７を示す図 第２図 するための図 第３図 従来のラインアンドスイース・ンターンを示ス図第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウエファ上に塗布された感光レジスト上に、光、Ｘ
線、電子線等を照射し現像によりレジストパターンを形
成するいわゆるホトリソグラフィにおいて、 マスク上に楔形パターン（１０）と、該楔形パターン（
１０）の長手方向に平行する線上に等間隔に配置された
長さ計測用パターン（０〜６）とを形成しておき、これ
をウエファ上に転写し、転写された楔形パターン（２０
）の長さを転写された長さ計測用パターン（０′〜６′
）により計測することで露光条件を決定することを特徴
とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60254992A JPS62115830A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60254992A JPS62115830A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62115830A true JPS62115830A (ja) | 1987-05-27 |
Family
ID=17272704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60254992A Pending JPS62115830A (ja) | 1985-11-15 | 1985-11-15 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62115830A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62283487A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-09 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPH02116848A (ja) * | 1988-10-27 | 1990-05-01 | Sony Corp | フォトマスク |
| JPH02294643A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-05 | Nikon Corp | 露光条件測定用マスク |
| US5656403A (en) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | United Microelectronics Corporation | Method and template for focus control in lithography process |
| US5677091A (en) * | 1994-11-01 | 1997-10-14 | International Business Machines Corporation | Lithographic print bias/overlay target and applied metrology |
| US5807647A (en) * | 1996-07-03 | 1998-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for determining phase variance and shifter stability of phase shift masks |
| US6094256A (en) * | 1998-09-29 | 2000-07-25 | Nikon Precision Inc. | Method for forming a critical dimension test structure and its use |
| US6093511A (en) * | 1994-06-30 | 2000-07-25 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device |
| KR100423917B1 (ko) * | 1995-03-13 | 2005-02-02 | 소니 가부시끼 가이샤 | 마스크패턴의보정방법및보정장치 |
| US6956659B2 (en) | 2001-05-22 | 2005-10-18 | Nikon Precision Inc. | Measurement of critical dimensions of etched features |
| US6974653B2 (en) | 2002-04-19 | 2005-12-13 | Nikon Precision Inc. | Methods for critical dimension and focus mapping using critical dimension test marks |
-
1985
- 1985-11-15 JP JP60254992A patent/JPS62115830A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH02116848A (ja) * | 1988-10-27 | 1990-05-01 | Sony Corp | フォトマスク |
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| US6750952B2 (en) | 1998-09-29 | 2004-06-15 | Nikon Precision, Inc. | Apparatus for preforming measurement of a dimension of a test mark for semiconductor processing |
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