JPH0397216A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH0397216A JPH0397216A JP1232811A JP23281189A JPH0397216A JP H0397216 A JPH0397216 A JP H0397216A JP 1232811 A JP1232811 A JP 1232811A JP 23281189 A JP23281189 A JP 23281189A JP H0397216 A JPH0397216 A JP H0397216A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 24
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 12
- 239000003595 mist Substances 0.000 abstract description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は縮小投影露光装置に係わり，特定な個所に設け
られた空気のダウンブロー構造に関し，最適な位置測長
を可能とし、微細塵埃を除去し、高微細化，高スループ
ット，及び、量産化に好適な縮小投影露光装置に関する
． 〔従来の技術〕 周知のごとく、縮小投影露光装置における高微細化，高
スループット，及び、量産化は超ＬＳＩ生産に不可欠で
あり，この要求は強くなる一方である。従来の縮小投影
露光装置は、クリーンチャンパ内に設置し、内部に気流
を作り、温度の定常化を行ない，ウェハステージの位置
測長用レーザの光軸光路などの安定化を図っている．し
かしこの方式は縮小投影露光装置の骨格構造物などの障
害物、及び，ウェハステージの動作などにより、空気の
乱流発生は避られす、そのため位置測長用レーザの光軸
光路にゆらぎが生じ，高精度位置決め測長に支障がある
。また、特開昭６１−１６０９３４号公報に記載のよう
に、光学系を気密室に収納し，内部での外乱要因を定常
化させることにより，光学系性能の安定化を行っている
例はあるが、気密室へのレテイクル、及びウェハの搬出
人などの実装上問題があり現実的ではない．〔発明が解
決しようとするｉ［） 上記従来技術では、高微細化，高スループット，及び，
量産化が進む中，半導体製造装置群の一つ、縮小投影露
光装置も性能向上が図られているが，装置構或の中でも
特に高精度な位置決めを要求されているウェハステージ
の位置測長の周辺環境はクリーンチャンパにより吹出す
空気の流れにより測長レーザの光軸光路の定定化を図っ
ているのが現状である．この方法は、縮小投影露光装置
本体の構造物，骨格，ウェハステージなどにより空気の
乱流が発生しており、光軸光路にゆらぎが生じるなど，
空気の整流対策が成されておらず、測定精度に問題があ
った． 本発明は，レーザ測長部位，ウェハステージと他の部位
とを分離，遮へいし、その内部上方に設けた吹出し口と
、下方に設けた吸入口とにより空気の流れをつくり、乱
流を押え、オイルミストなどの異物付着防止，周辺温度
分布の均一化により、光軸光路を安定化させることを目
的としており、光軸光路を安定化させることにより，高
精度な位置測長が可能になり、また、ウェハへの異物付
着を少なくすることにより、高微細化，高スループット
，量産化に好適な縮小投影露光装置を提供するものであ
る。
られた空気のダウンブロー構造に関し，最適な位置測長
を可能とし、微細塵埃を除去し、高微細化，高スループ
ット，及び、量産化に好適な縮小投影露光装置に関する
． 〔従来の技術〕 周知のごとく、縮小投影露光装置における高微細化，高
スループット，及び、量産化は超ＬＳＩ生産に不可欠で
あり，この要求は強くなる一方である。従来の縮小投影
露光装置は、クリーンチャンパ内に設置し、内部に気流
を作り、温度の定常化を行ない，ウェハステージの位置
測長用レーザの光軸光路などの安定化を図っている．し
かしこの方式は縮小投影露光装置の骨格構造物などの障
害物、及び，ウェハステージの動作などにより、空気の
乱流発生は避られす、そのため位置測長用レーザの光軸
光路にゆらぎが生じ，高精度位置決め測長に支障がある
。また、特開昭６１−１６０９３４号公報に記載のよう
に、光学系を気密室に収納し，内部での外乱要因を定常
化させることにより，光学系性能の安定化を行っている
例はあるが、気密室へのレテイクル、及びウェハの搬出
人などの実装上問題があり現実的ではない．〔発明が解
決しようとするｉ［） 上記従来技術では、高微細化，高スループット，及び，
量産化が進む中，半導体製造装置群の一つ、縮小投影露
光装置も性能向上が図られているが，装置構或の中でも
特に高精度な位置決めを要求されているウェハステージ
の位置測長の周辺環境はクリーンチャンパにより吹出す
空気の流れにより測長レーザの光軸光路の定定化を図っ
ているのが現状である．この方法は、縮小投影露光装置
本体の構造物，骨格，ウェハステージなどにより空気の
乱流が発生しており、光軸光路にゆらぎが生じるなど，
空気の整流対策が成されておらず、測定精度に問題があ
った． 本発明は，レーザ測長部位，ウェハステージと他の部位
とを分離，遮へいし、その内部上方に設けた吹出し口と
、下方に設けた吸入口とにより空気の流れをつくり、乱
流を押え、オイルミストなどの異物付着防止，周辺温度
分布の均一化により、光軸光路を安定化させることを目
的としており、光軸光路を安定化させることにより，高
精度な位置測長が可能になり、また、ウェハへの異物付
着を少なくすることにより、高微細化，高スループット
，量産化に好適な縮小投影露光装置を提供するものであ
る。
上記目的を達成するためには、クリーンチャンバにより
吹出される空気の流れは主に縮小レンズ，ウェハステー
ジの安定化を主体とし，本目的対象部位であるウェハス
テージ，及び、位置測長機器は、他の部位と分離，遮へ
いし、さらに内部上方に設けた吹出口と，下方に設けた
吸込口により空気の流れをダウンブローにして、乱流発
生を押え、周辺温度分布を均一にし、測長距離の変化に
おいても光軸光路周辺を安定させることにより達成する
ものである．さらに、ダウンフローによりウェハステー
ジから発生するオイルミストなどの異物を排出すること
により周辺を清浄化し，ウェハヘの異物付着を防止した
ものである． 〔作用〕 分離，遮へいされた内部上方に設けられた吹出口からは
、クリーンチャンバから直接送り込まれた清浄な空気が
吹出され，内部下方に設けられた吸込口に吸引されるこ
とにより内部にはダウンフローの安定した空気の流れが
保たれている。その作用によりウェハステージの移動に
よる乱流発生を押え、また、ウェハステージ自体が気流
の障害物となることも少なく，光軸光路を安定して保つ
ことができる。また，内部のダウンフローによる乱流は
，上下の距離を短かくし、吸引力を強くすることで最小
にすることができ，ウェハステージから発生するオイル
ミストなどの異物の排出が可能となる． 〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図により説明する．クリ
ーンチャンバ１（サイドフロ一式を例にとる）内に設置
されている縮小投影露光装置２において、上ペース３と
下ベース４の間の周囲（但し、ウェハの搬出入口は除く
）を遮へい板５により，クリーンチャンバ１内より吹出
される気流と分離する。上ベース３と下ベース４との間
には、主にウェハステージ６とレーザ測長機器７が設置
されており，上ベース３の下方に空気吹出口８と下ベー
ス上方に吸入口９とにより一定の空気のダウンフローを
つくり，レーザ測長光軸光路１０を安定化するものであ
る。
吹出される空気の流れは主に縮小レンズ，ウェハステー
ジの安定化を主体とし，本目的対象部位であるウェハス
テージ，及び、位置測長機器は、他の部位と分離，遮へ
いし、さらに内部上方に設けた吹出口と，下方に設けた
吸込口により空気の流れをダウンブローにして、乱流発
生を押え、周辺温度分布を均一にし、測長距離の変化に
おいても光軸光路周辺を安定させることにより達成する
ものである．さらに、ダウンフローによりウェハステー
ジから発生するオイルミストなどの異物を排出すること
により周辺を清浄化し，ウェハヘの異物付着を防止した
ものである． 〔作用〕 分離，遮へいされた内部上方に設けられた吹出口からは
、クリーンチャンバから直接送り込まれた清浄な空気が
吹出され，内部下方に設けられた吸込口に吸引されるこ
とにより内部にはダウンフローの安定した空気の流れが
保たれている。その作用によりウェハステージの移動に
よる乱流発生を押え、また、ウェハステージ自体が気流
の障害物となることも少なく，光軸光路を安定して保つ
ことができる。また，内部のダウンフローによる乱流は
，上下の距離を短かくし、吸引力を強くすることで最小
にすることができ，ウェハステージから発生するオイル
ミストなどの異物の排出が可能となる． 〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を第１図により説明する．クリ
ーンチャンバ１（サイドフロ一式を例にとる）内に設置
されている縮小投影露光装置２において、上ペース３と
下ベース４の間の周囲（但し、ウェハの搬出入口は除く
）を遮へい板５により，クリーンチャンバ１内より吹出
される気流と分離する。上ベース３と下ベース４との間
には、主にウェハステージ６とレーザ測長機器７が設置
されており，上ベース３の下方に空気吹出口８と下ベー
ス上方に吸入口９とにより一定の空気のダウンフローを
つくり，レーザ測長光軸光路１０を安定化するものであ
る。
また、遮へい板５の内部は、精密温度センサーにより一
定に保たれており、ダウンフローにより温度分布が均一
になっている。
定に保たれており、ダウンフローにより温度分布が均一
になっている。
次に、遮へい板５の内部の空気の流れを説明する．空気
吹出口８より吹出される空気はダウンフローされ、吸入
口９で吸入され、クリーンチャンバ１の空気循環経路１
１を通り、送風機１３により送風されフィルタ１２によ
り清浄化されて循環される。なお，第２図に空気循環経
路を示す。
吹出口８より吹出される空気はダウンフローされ、吸入
口９で吸入され、クリーンチャンバ１の空気循環経路１
１を通り、送風機１３により送風されフィルタ１２によ
り清浄化されて循環される。なお，第２図に空気循環経
路を示す。
本発明によれば，縮小投影露光装置の位置測長レーザ光
軸光路のゆらぎがなくなるため，測長性能が向上し、高
微細化，高スループット化に効果がある。
軸光路のゆらぎがなくなるため，測長性能が向上し、高
微細化，高スループット化に効果がある。
また，ダウンフロ一方式のためオイルミストなどの異物
が舞い上ることなく排出されるのでウェハへの異物付着
がなくなり、高効率量産化に効果がある。
が舞い上ることなく排出されるのでウェハへの異物付着
がなくなり、高効率量産化に効果がある。
第ｌ図は本実施例の正面図、第２図に空気循環経路を示
す図である。 １・・・クリーンチャ〉バ、２・・・縮小投影露光装置
、３・・・上ベース、４・・・下ベース、５・・・遮へ
い板、６・・・ウェハステージ、７・・・レーザ測長機
器、８・・・空気吹出口、９・・・吸入口，１０・・・
レーザ測長光軸光路、工１・・・空気循環経路、１２・
・・フィルタ，１３・・・送風機。
す図である。 １・・・クリーンチャ〉バ、２・・・縮小投影露光装置
、３・・・上ベース、４・・・下ベース、５・・・遮へ
い板、６・・・ウェハステージ、７・・・レーザ測長機
器、８・・・空気吹出口、９・・・吸入口，１０・・・
レーザ測長光軸光路、工１・・・空気循環経路、１２・
・・フィルタ，１３・・・送風機。
Claims (1)
- １、ウェハ等を載置してステップ送りするウェハステー
ジと、このウェハステージを駆動するウェハステージ制
御部と、ウェハステージ上方に配置された縮小レンズと
、この縮小レンズ上方に配置されたレテイクルと、この
レテイクル上の回路パターンを前記ウェハ上に転写する
露光の光源と、装置全体を制御する全体制御部とを具備
する投影露光装置において、ウェハと縮小レンズの位置
を最適位置に調整し、露光する為の位置決め測長手段と
して、測長レーザビームを干渉計を経てウェハステージ
上の反射ミラーに向けて発信し、また、受信する本体部
からなる投影露光装置において、レーザ測長部とウェハ
ステージ部を他の部位の周囲雰囲気から分離遮へいし、
且つ、その内部上方に設けた吹出口と、下方に設けた吸
引口とにより、空気流をダウンフローとする事を特徴と
する投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1232811A JPH0397216A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1232811A JPH0397216A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397216A true JPH0397216A (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=16945141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1232811A Pending JPH0397216A (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0397216A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875031A (en) * | 1994-09-13 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Distance measuring device based on laser interference with a baffle structure member |
| EP1333329A1 (en) * | 2002-02-01 | 2003-08-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6847430B2 (en) | 2002-02-01 | 2005-01-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2006287160A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP1232811A patent/JPH0397216A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875031A (en) * | 1994-09-13 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Distance measuring device based on laser interference with a baffle structure member |
| EP1333329A1 (en) * | 2002-02-01 | 2003-08-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6847430B2 (en) | 2002-02-01 | 2005-01-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP2006287160A (ja) * | 2005-04-05 | 2006-10-19 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
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