JPH0382048A - 半導体素子の接続方法 - Google Patents
半導体素子の接続方法Info
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- JPH0382048A JPH0382048A JP1216140A JP21614089A JPH0382048A JP H0382048 A JPH0382048 A JP H0382048A JP 1216140 A JP1216140 A JP 1216140A JP 21614089 A JP21614089 A JP 21614089A JP H0382048 A JPH0382048 A JP H0382048A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9212—Sequential connecting processes
- H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
- H01L2224/92125—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector the second connecting process involving a layer connector
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体素子を配線基板じフェースダウンで接
続する方法に関するものである。
続する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来、半導体素子を配線基板にフェースダウンで接続す
る方法としては、半導体素子の電極パッド上に半田バン
ブを形成して接続を行なう方法や、半導体素子の電極パ
ッド上に金バンブを形成し接着剤あるいは圧接治具など
により接続を行なう方法があった。
る方法としては、半導体素子の電極パッド上に半田バン
ブを形成して接続を行なう方法や、半導体素子の電極パ
ッド上に金バンブを形成し接着剤あるいは圧接治具など
により接続を行なう方法があった。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、半導体素子を配線基板上にフェースダウンで
接続する場合には、上述したように半導体素子にバンブ
を形成しなければならない、そのため、半導体素子の？
ストアツブと歩留まりの低下を起こすという欠点があり
、さらにバンブが半導体素子と配線基板との応力を吸収
し切れず信頼性を低下させるという欠点があった。
接続する場合には、上述したように半導体素子にバンブ
を形成しなければならない、そのため、半導体素子の？
ストアツブと歩留まりの低下を起こすという欠点があり
、さらにバンブが半導体素子と配線基板との応力を吸収
し切れず信頼性を低下させるという欠点があった。
本発明は、上述の従来例における問題点に鑑み、半導体
素子を配線基板上にフェースダウンで接続する場合でも
、半導体素子にバンブを設ける必要がなく、半導体素子
の歩留まりの向上およびコストダウンを図ることができ
、さらに信頼性を向上させることのできる半導体素子の
接続方法を提供することを目的とする。
素子を配線基板上にフェースダウンで接続する場合でも
、半導体素子にバンブを設ける必要がなく、半導体素子
の歩留まりの向上およびコストダウンを図ることができ
、さらに信頼性を向上させることのできる半導体素子の
接続方法を提供することを目的とする。
［ｉ１題を解決するための手段］
上記の目的を達成するため、本発明は、半導体素子をフ
ェースダウンで配線基板上に接続する場合に、半導体素
子の電極パッドか配線基板の電極端子の少なくともどち
らか一方に、導電性球状粒子と導電性樹脂を混ぜ合わせ
たペーストを重布し、半導体素子の電極パッドと配線基
板の電極端子とを位置合わせし、半導体素子を配線基板
に圧着しながら、熱、紫外線およびエネルギー波などを
単独かあるいは複数同時に用いることにより導電性樹脂
を硬化させ、半導体素子の電極パッドと配線基板の電極
端子を電気的に相互接続することを特徴とする。
ェースダウンで配線基板上に接続する場合に、半導体素
子の電極パッドか配線基板の電極端子の少なくともどち
らか一方に、導電性球状粒子と導電性樹脂を混ぜ合わせ
たペーストを重布し、半導体素子の電極パッドと配線基
板の電極端子とを位置合わせし、半導体素子を配線基板
に圧着しながら、熱、紫外線およびエネルギー波などを
単独かあるいは複数同時に用いることにより導電性樹脂
を硬化させ、半導体素子の電極パッドと配線基板の電極
端子を電気的に相互接続することを特徴とする。
［作 用］
上記の半導体素子の接続方法によれば、導電性球状粒子
を半導体素子の電極パッドと配線基板の電極端子の間に
挟み込むことにより、半導体素子の電極パッドと配線基
板の電極端子の間隙が限定されるとともに、半導体素子
の電極パッドと配線基板の電極端子とが電気的に接続さ
れる。また、導電性樹脂は、半導体素子の電極パッドと
配線基板の電極端子の間隙を保持するとともに、半導体
素子の電極パッドと配線基板の電極端子との電気的接続
を補助する。
を半導体素子の電極パッドと配線基板の電極端子の間に
挟み込むことにより、半導体素子の電極パッドと配線基
板の電極端子の間隙が限定されるとともに、半導体素子
の電極パッドと配線基板の電極端子とが電気的に接続さ
れる。また、導電性樹脂は、半導体素子の電極パッドと
配線基板の電極端子の間隙を保持するとともに、半導体
素子の電極パッドと配線基板の電極端子との電気的接続
を補助する。
なお、導電性球状粒子として、球状樹脂粒子Ｃ導電性メ
ッキを施したものを用いることにより、半導体素子の電
極パッドと配線基板の電極端子への導電性球状粒子の接
触面積を大きくするとともに、接続部に生じる応力を緩
和することができる。
ッキを施したものを用いることにより、半導体素子の電
極パッドと配線基板の電極端子への導電性球状粒子の接
触面積を大きくするとともに、接続部に生じる応力を緩
和することができる。
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の接続方法を用いた実施例であり、配
線基板の取り出し電極端子に半導体素子をフェースダウ
ンで接続した場合の電気的相互接合部の様子を示す。
線基板の取り出し電極端子に半導体素子をフェースダウ
ンで接続した場合の電気的相互接合部の様子を示す。
同図のような状態に半導体素子を接続するには、まず導
電性球状粒子１と導電性樹脂２が混在したペーストを半
導体素子の電極パッド３と配線基板の取り出し電極端子
４の間に設け（どちらの側に塗布しても良い）、電極パ
ッド３と電極端子４の間隙が導電性球状粒子１の平均粒
径より狭くなるように半導体素子を加圧し、電極パッド
３と電極端子４で導電性球状粒子１を挟み込んだ状態で
導電性樹脂２を硬化させ、その後圧力を解放する。
電性球状粒子１と導電性樹脂２が混在したペーストを半
導体素子の電極パッド３と配線基板の取り出し電極端子
４の間に設け（どちらの側に塗布しても良い）、電極パ
ッド３と電極端子４の間隙が導電性球状粒子１の平均粒
径より狭くなるように半導体素子を加圧し、電極パッド
３と電極端子４で導電性球状粒子１を挟み込んだ状態で
導電性樹脂２を硬化させ、その後圧力を解放する。
導電性樹脂２は、加熱硬化型導電性樹脂を用いた場合は
、加熱により硬化を行なう、また、導電性樹脂２中に熱
可塑性樹脂を付与すれば、導電性樹脂２を硬化させた後
に不具合を生じに場合でも、半導体素子を取り外すのを
容易にすることができる。
、加熱により硬化を行なう、また、導電性樹脂２中に熱
可塑性樹脂を付与すれば、導電性樹脂２を硬化させた後
に不具合を生じに場合でも、半導体素子を取り外すのを
容易にすることができる。
また、配線基板のベース基材７が透明部材より構成され
る場合は、導電性樹脂２として紫外線硬化型導電性樹脂
を用いることが可能となる。この場合は、半導体素子を
加圧し、電極パッド３と電極端子４で導電性球状粒子１
を挟み込んだ状態で、ベース基材７の下方より紫外線を
照射し、導電性樹脂２を硬化する方法を用いる。
る場合は、導電性樹脂２として紫外線硬化型導電性樹脂
を用いることが可能となる。この場合は、半導体素子を
加圧し、電極パッド３と電極端子４で導電性球状粒子１
を挟み込んだ状態で、ベース基材７の下方より紫外線を
照射し、導電性樹脂２を硬化する方法を用いる。
本実施例において、導電性球状粒子１としては樹脂粒子
に金属メッキを施したものを用いているが、金属粒子を
用いても接続は可能である。
に金属メッキを施したものを用いているが、金属粒子を
用いても接続は可能である。
また、導電性球状微粒子１として粒径の標準偏差が１μ
ｍ以下のものを使用することにより、電極パッド３と電
極端子４との各間隙を一定にし、導電性球状粒子１の接
触による接続抵抗を安定にすることができる。
ｍ以下のものを使用することにより、電極パッド３と電
極端子４との各間隙を一定にし、導電性球状粒子１の接
触による接続抵抗を安定にすることができる。
第２図は、本発明の接続方法を用いて液晶素子ガラス基
板の取り出し、電極上に液晶素子を駆動する半導体素子
をフェースダウンで接続した実施例を示す。
板の取り出し、電極上に液晶素子を駆動する半導体素子
をフェースダウンで接続した実施例を示す。
まず第２図（ａ）のように、液晶素子のガラス基板７の
取り出し電極４上に球状樹脂粒子にＮｉメッキを施した
導電性微粒子１と導電性材料としてＡｇを主材とした紫
外線硬化型の導電性樹脂２とを混在させたペーストを寥
布し、半導体素子の電極パッド３とガラス基板の電極端
子４とを位置合わせする。
取り出し電極４上に球状樹脂粒子にＮｉメッキを施した
導電性微粒子１と導電性材料としてＡｇを主材とした紫
外線硬化型の導電性樹脂２とを混在させたペーストを寥
布し、半導体素子の電極パッド３とガラス基板の電極端
子４とを位置合わせする。
その後、第２図（ｂ）に示すように、半導体素子を加圧
治具９により加圧し、導電性球状粒子１を半導体素子の
電極パッド３とガラス基板の電極端子４で挟み込み保持
する。この状態でガラス基板７の下方より紫外線を照射
し、導電性樹脂２を硬化させ、半導体素子の電極パッド
３とガラス基板の電極端子４とを電気的に接続する。導
電性樹脂２が硬化した後は、加圧治具９による圧力を解
放しても電気的接続は保持したままとなる。この時点で
半導体素子の動作試験を行ない、半導体素子の動作不良
が発見された場合には、加熱、冷却、超音波、または溶
剤等の手段を用いて半導体素子を取り外し、別の半導体
素子を接続することが可能である。
治具９により加圧し、導電性球状粒子１を半導体素子の
電極パッド３とガラス基板の電極端子４で挟み込み保持
する。この状態でガラス基板７の下方より紫外線を照射
し、導電性樹脂２を硬化させ、半導体素子の電極パッド
３とガラス基板の電極端子４とを電気的に接続する。導
電性樹脂２が硬化した後は、加圧治具９による圧力を解
放しても電気的接続は保持したままとなる。この時点で
半導体素子の動作試験を行ない、半導体素子の動作不良
が発見された場合には、加熱、冷却、超音波、または溶
剤等の手段を用いて半導体素子を取り外し、別の半導体
素子を接続することが可能である。
そして、第２図（Ｃ）に示すように、半導体素子の動作
試験が終えた後、熱硬化性樹脂を主材とする接着剤１０
により、半導体素子とガラス基板との未接着部分の接着
および封止を行なう。
試験が終えた後、熱硬化性樹脂を主材とする接着剤１０
により、半導体素子とガラス基板との未接着部分の接着
および封止を行なう。
本実施例において、導電性樹脂としては加熱により硬化
する導電性樹脂を用いることも可能である。
する導電性樹脂を用いることも可能である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の半導体素子の接続方法に
よれば、半導体素子を配線基板にフェースダウンで接続
する場合に、接続部材として導電性球状粒子と導電性樹
脂とを混在させたペーストを用いているので、半導体素
子にバンブを設ける必要がなく、半導体素子の歩留まり
の向上とコストダウンを図ることができる。
よれば、半導体素子を配線基板にフェースダウンで接続
する場合に、接続部材として導電性球状粒子と導電性樹
脂とを混在させたペーストを用いているので、半導体素
子にバンブを設ける必要がなく、半導体素子の歩留まり
の向上とコストダウンを図ることができる。
また、球状樹脂粒子として導電性メッキを施した導電性
球状粒子を、用い、これと導電性樹脂とを合わせて用い
ることにより、半導体素子と配線基板の相互接続電極部
に生じる応力が緩和され、導電性球状粒子と電極との接
触を安定に保ち、接続の信頼性を高めることができる。
球状粒子を、用い、これと導電性樹脂とを合わせて用い
ることにより、半導体素子と配線基板の相互接続電極部
に生じる応力が緩和され、導電性球状粒子と電極との接
触を安定に保ち、接続の信頼性を高めることができる。
第１図は、配線基板の取り出し電極端子に半導体素子を
フェースダウンで接続した場合の電気的相互接合部を示
した図、 第２図（ａ）は、液晶素子のガラス基板の取り出し電極
端子上に導電性球状粒子と導電性樹脂を混在させたペー
ストを置載し、半導体素子の電極パッドとガラ・ス基板
の取り出し電極端子とを位置合わせした図、 第２図（ｂ）は、位置合わせされた半導体素子を圧接治
具により、加圧、保持した図、第２図（ｃ）は、導電性
樹脂を硬化した後、半導体素子とガラス基板の未接着部
分を接着、封止した図である。 １：導電性球状粒子、 ２：導電性樹脂、 ３：半導体素子の電極パッド、 ４：配線基板の電極端子、 ５：半導体素子のパシベーション膜、 ６：配線基板の絶縁膜、 ７：配線基板のベース基板、 ８：半導体素子の基材、 ９：半導体素子の圧接治具、 ：半導体素子とガラス基板の接着封止剤。 特 許 出 願 人 キャノン株式会社
フェースダウンで接続した場合の電気的相互接合部を示
した図、 第２図（ａ）は、液晶素子のガラス基板の取り出し電極
端子上に導電性球状粒子と導電性樹脂を混在させたペー
ストを置載し、半導体素子の電極パッドとガラ・ス基板
の取り出し電極端子とを位置合わせした図、 第２図（ｂ）は、位置合わせされた半導体素子を圧接治
具により、加圧、保持した図、第２図（ｃ）は、導電性
樹脂を硬化した後、半導体素子とガラス基板の未接着部
分を接着、封止した図である。 １：導電性球状粒子、 ２：導電性樹脂、 ３：半導体素子の電極パッド、 ４：配線基板の電極端子、 ５：半導体素子のパシベーション膜、 ６：配線基板の絶縁膜、 ７：配線基板のベース基板、 ８：半導体素子の基材、 ９：半導体素子の圧接治具、 ：半導体素子とガラス基板の接着封止剤。 特 許 出 願 人 キャノン株式会社
Claims (2)
- （１）半導体素子の電極パッドと配線基板の電極端子と
を相対峙して位置合わせし、相互接続する半導体素子の
接続方法において、 上記半導体素子の電極パッドと配線基板の電極端子との
少なくとも一方に導電性樹脂と導電性球状粒子とを混在
させたペーストを塗布し、上記半導体素子の電極パッド
を上記配線基板の電極端子に圧着しながら、上記導電性
樹脂を硬化させることを特徴とする半導体素子の接続方
法。 - （２）前記導電性球状粒子が、球状樹脂粒子に導電性メ
ッキを施したものである請求項１に記載の半導体素子の
接続方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1216140A JPH0382048A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体素子の接続方法 |
| AT90115707T ATE138225T1 (de) | 1989-08-17 | 1990-08-16 | Prozess zur gegenseitigen konnektion von elektrodenanschlüssen |
| DE69026992T DE69026992T2 (de) | 1989-08-17 | 1990-08-16 | Prozess zur gegenseitigen Konnektion von Elektrodenanschlüssen |
| EP19900115707 EP0413335B1 (en) | 1989-08-17 | 1990-08-16 | Method of mutually connecting electrode terminals |
| KR1019900012676A KR940008554B1 (ko) | 1989-08-17 | 1990-08-17 | 전극단자 상호 접속방법 |
| US08/012,805 US5352318A (en) | 1989-08-17 | 1993-02-02 | Method of mutually connecting electrode terminals |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1216140A JPH0382048A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 半導体素子の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382048A true JPH0382048A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16683901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1216140A Pending JPH0382048A (ja) | 1989-08-17 | 1989-08-24 | 半導体素子の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0382048A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04181796A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Nippondenso Co Ltd | 集積型回路装置 |
| JP2015037167A (ja) * | 2013-08-16 | 2015-02-23 | 国立大学法人大阪大学 | 接合構造体の製造方法、構造体および装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63110506A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-16 | ダイセル化学工業株式会社 | 異方性導電シ−ト |
| JPS63114223A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Seiko Epson Corp | 接続端子の製造方法 |
| JPH01136344A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-29 | Seiko Epson Corp | 半導体チップの実装構造 |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP1216140A patent/JPH0382048A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS63114223A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-19 | Seiko Epson Corp | 接続端子の製造方法 |
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