JPH0381308B2 - - Google Patents
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- JPH0381308B2 JPH0381308B2 JP62319773A JP31977387A JPH0381308B2 JP H0381308 B2 JPH0381308 B2 JP H0381308B2 JP 62319773 A JP62319773 A JP 62319773A JP 31977387 A JP31977387 A JP 31977387A JP H0381308 B2 JPH0381308 B2 JP H0381308B2
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- lead
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は半導体装置に関するもので、特に樹脂
封止型の半導体装置に適用されるものである。
封止型の半導体装置に適用されるものである。
(従来の技術)
樹脂封止型の半導体装置は量産が容易でしかも
安価に製造できることから近年広く使用されてお
り、40ピン以上のピン数の多い大型半導体装置に
も使用されるようになつている。
安価に製造できることから近年広く使用されてお
り、40ピン以上のピン数の多い大型半導体装置に
も使用されるようになつている。
第7図に従来の樹脂封止型の半導体装置に用い
られるリードフレームを示す。このリードフレー
ムはフレーム11の中央部に半導体チツプを搭載
するベツト部(ダイパツド部)11cと、その周
囲に放射状に配設されたインナリード11aと、
樹脂封止後にパツケージ外に突出して外部と接続
されるアウタリード(図示せず)と、フレーム1
1にベツド部11cを連結するためのタイバー1
1d等を有している。
られるリードフレームを示す。このリードフレー
ムはフレーム11の中央部に半導体チツプを搭載
するベツト部(ダイパツド部)11cと、その周
囲に放射状に配設されたインナリード11aと、
樹脂封止後にパツケージ外に突出して外部と接続
されるアウタリード(図示せず)と、フレーム1
1にベツド部11cを連結するためのタイバー1
1d等を有している。
このようなリードフレームを用いて形成された
半導体装置の断面を第6図に示す。
半導体装置の断面を第6図に示す。
同図によれば、中央部に設けられたベツド部1
1cにペレツト12をダイボンデイングにより固
着し、ペレツト12上の電極とリードフレームの
インナリード11aとを金線等のワイヤ13を用
いてワイヤボンデイングにより接続した後、樹脂
14により封止を行い、パツケージの外部に引出
されたアウタリード11bの成形を行つて半導体
装置10が形成されている。
1cにペレツト12をダイボンデイングにより固
着し、ペレツト12上の電極とリードフレームの
インナリード11aとを金線等のワイヤ13を用
いてワイヤボンデイングにより接続した後、樹脂
14により封止を行い、パツケージの外部に引出
されたアウタリード11bの成形を行つて半導体
装置10が形成されている。
このような従来のリードフレームを用いた半導
体装置ではペレツト12を載置するためのベツド
部11cが必要であるため、そのベツド部11c
をリードフレーム枠に固定するためのタイバー1
1dが必要となつており、インナリードを配置す
る上においてタイバーの占める面積分だけインナ
リードを配置できず面積効率が悪い。また、従来
のリードフレームを使用した半導体装置において
はタイバーが封止後のパツケージの側面に出てい
るため、外部から水分が侵入して半導体ペレツト
に達しやすい。さらにベツド部11cと封止用樹
脂14との熱膨脹係数の差にもとづくクラツク等
の欠陥を招来しやすいという問題がある。
体装置ではペレツト12を載置するためのベツド
部11cが必要であるため、そのベツド部11c
をリードフレーム枠に固定するためのタイバー1
1dが必要となつており、インナリードを配置す
る上においてタイバーの占める面積分だけインナ
リードを配置できず面積効率が悪い。また、従来
のリードフレームを使用した半導体装置において
はタイバーが封止後のパツケージの側面に出てい
るため、外部から水分が侵入して半導体ペレツト
に達しやすい。さらにベツド部11cと封止用樹
脂14との熱膨脹係数の差にもとづくクラツク等
の欠陥を招来しやすいという問題がある。
また、ペレツトの大きさは通常1辺3mmから10
mmまでの各種の大きさが品種に応じて用いられる
ので、従来のリードフレームにおいてベツドの大
きさが固定されている場合には、第7図に示すよ
うにベツドに対してペレツトの大きさが小さいと
きはボンテイングワイヤ13がベツド部11cに
接触してシヨートを生じやすく、また、第8図に
示すようにベツド部11cよりもペレツト12の
大きさが大きいときはペレツト12とインナリー
ド11aとの接触を生じやすい。このため、ペレ
ツト12の大きさに合わせてベツド部11cの大
きさを決定しなければならず、設計が煩雑である
とともにリードフレームの製造コストが上昇する
という問題がある。近年半導体装置ではユーザの
要求が多様化しており、特にASIC(Application
Specific IC)と呼ばれる用途の決まつた専用IC
では少量多品種化しているため、従来の構造のリ
ードフレームでは経済性に問題がある。
mmまでの各種の大きさが品種に応じて用いられる
ので、従来のリードフレームにおいてベツドの大
きさが固定されている場合には、第7図に示すよ
うにベツドに対してペレツトの大きさが小さいと
きはボンテイングワイヤ13がベツド部11cに
接触してシヨートを生じやすく、また、第8図に
示すようにベツド部11cよりもペレツト12の
大きさが大きいときはペレツト12とインナリー
ド11aとの接触を生じやすい。このため、ペレ
ツト12の大きさに合わせてベツド部11cの大
きさを決定しなければならず、設計が煩雑である
とともにリードフレームの製造コストが上昇する
という問題がある。近年半導体装置ではユーザの
要求が多様化しており、特にASIC(Application
Specific IC)と呼ばれる用途の決まつた専用IC
では少量多品種化しているため、従来の構造のリ
ードフレームでは経済性に問題がある。
このような問題点を解決するためベツドレス形
の半導体装置が提案されている。第9図はその断
面を示すもので、リード15は従来よりも半導体
装置の中心近傍まで伸びており、ベツド部は設け
られていない。そして絶縁性のシート(テープ)
16をリード15で支持するようにほぼ中央部に
固着し、この絶縁性シート16の上にペレツト1
2をダイボンデイングした後にワイヤボンデイン
グを行つてペレツト12とリード15とをワイヤ
13で接続するようにしている。
の半導体装置が提案されている。第9図はその断
面を示すもので、リード15は従来よりも半導体
装置の中心近傍まで伸びており、ベツド部は設け
られていない。そして絶縁性のシート(テープ)
16をリード15で支持するようにほぼ中央部に
固着し、この絶縁性シート16の上にペレツト1
2をダイボンデイングした後にワイヤボンデイン
グを行つてペレツト12とリード15とをワイヤ
13で接続するようにしている。
第10図はこのようなベツドレス型のリードフ
レームを用いた実装の様子を示すもので、第10
図aに示されたリードフレーム15の中央部に第
10図bでは小形のペレツト12を小形の絶縁性
シート16を介して載置したものであり、第12
図cでは第12図bの場合よりも大形のペレツト
12′を大形の絶縁性シート16′を介して載置し
たものである。
レームを用いた実装の様子を示すもので、第10
図aに示されたリードフレーム15の中央部に第
10図bでは小形のペレツト12を小形の絶縁性
シート16を介して載置したものであり、第12
図cでは第12図bの場合よりも大形のペレツト
12′を大形の絶縁性シート16′を介して載置し
たものである。
第11図は第12図aに示したベツドレス型の
リードフレームの中央部を拡大した平面図であつ
て各インナリード15aの先端部はリードフレー
ム中心からほぼ等距離にあるような形状となつて
いる。
リードフレームの中央部を拡大した平面図であつ
て各インナリード15aの先端部はリードフレー
ム中心からほぼ等距離にあるような形状となつて
いる。
同様のベツドレス型リードフレームは日経マイ
クロデバイス1987年12月1日号(昭62−12−1)
日経マグローヒル社P.76−78にも記載されてい
る。
クロデバイス1987年12月1日号(昭62−12−1)
日経マグローヒル社P.76−78にも記載されてい
る。
このようなベツドレス型のリードフレームを採
用した場合には同一種類のリードフレームを用い
ることによつて異なつた大きさのペレツトを実装
することが可能となるため、生産管理が容易でコ
ストダウンが可能となる。
用した場合には同一種類のリードフレームを用い
ることによつて異なつた大きさのペレツトを実装
することが可能となるため、生産管理が容易でコ
ストダウンが可能となる。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、従来のベツドレス型のリードフ
レームでは第13図に示されるように多数のイン
ナリードのすべてがリードフレームの中心に向か
つているために、インナリードの先端部には非常
に細くなつてしまい、中央部での絶縁性シートの
支持能力が非常に低くなつており、従つて安定な
支持が不可能となつているという問題がある。
レームでは第13図に示されるように多数のイン
ナリードのすべてがリードフレームの中心に向か
つているために、インナリードの先端部には非常
に細くなつてしまい、中央部での絶縁性シートの
支持能力が非常に低くなつており、従つて安定な
支持が不可能となつているという問題がある。
本発明はこのような問題を解決するためなされ
たもので、リードフレームの中央部においても安
定な絶縁性シートの支持が可能なベツドレス型の
半導体装置を提供することを目的とする。
たもので、リードフレームの中央部においても安
定な絶縁性シートの支持が可能なベツドレス型の
半導体装置を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明によれば、リードフレームのペレツト設
置部に略放射状に配設されたインナリードと、こ
のインナリード先端部上面に粘着固定された絶縁
性シートと、この絶縁性シート上に搭載された半
導体ペレツトとを備えた半導体装置において、少
なくとも1本置きの前記インナリードの先端部
に、前記絶縁シートを安定支持するために他のイ
ンナリード先端部幅よりも幅広となつた幅広部を
備え、この幅広部は前記他のインナリード先端部
よりもリードフレームの中心側に位置しており、
かつ前記幅広部内に開口部あるいは粘着シート粘
着面側の材料が除去された肉薄部を備えたことを
特徴としている。
置部に略放射状に配設されたインナリードと、こ
のインナリード先端部上面に粘着固定された絶縁
性シートと、この絶縁性シート上に搭載された半
導体ペレツトとを備えた半導体装置において、少
なくとも1本置きの前記インナリードの先端部
に、前記絶縁シートを安定支持するために他のイ
ンナリード先端部幅よりも幅広となつた幅広部を
備え、この幅広部は前記他のインナリード先端部
よりもリードフレームの中心側に位置しており、
かつ前記幅広部内に開口部あるいは粘着シート粘
着面側の材料が除去された肉薄部を備えたことを
特徴としている。
(作用)
リードフレームのインナリード先端部は少なく
とも1本置きに幅広となつており、かつこの広巾
部には絶縁性シートの接着性を向上させる開口部
あるいは肉薄部が設けられているため幅広部は絶
縁性シートへの接触面線を増大させ、かつ開口部
等が接着強度を向上させるため絶縁性シートを安
定かつ強固に支えることができる。
とも1本置きに幅広となつており、かつこの広巾
部には絶縁性シートの接着性を向上させる開口部
あるいは肉薄部が設けられているため幅広部は絶
縁性シートへの接触面線を増大させ、かつ開口部
等が接着強度を向上させるため絶縁性シートを安
定かつ強固に支えることができる。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明の実施例のいくつ
かを詳細に説明する。
かを詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例にかかる半導体装置
に使用されるリードフレームの一部を示す拡大平
面図である。
に使用されるリードフレームの一部を示す拡大平
面図である。
同図によれば、従来のベツドレス型半導体装置
の場合と同様に、インナリード1が半導体装置の
中心近傍まで伸びており、ベツド部は設けられて
いない。そして一点鎖線で示された絶縁性シート
搭載領域におけるインナリード1は、さらに拡大
率を上げた平面図である第2図から理解されるよ
うに、例えば隣接するインナリードの先端部1a
および1bリードとは幅および先端位置が異なつ
ており、先端部1aは先端部1bよりも広幅とな
つている他、リードフレームのより中心側に位置
している。そして広幅となつた先端部には円形の
開口が設けられている。第3図aにはこの開口部
1cの断面が示されている。
の場合と同様に、インナリード1が半導体装置の
中心近傍まで伸びており、ベツド部は設けられて
いない。そして一点鎖線で示された絶縁性シート
搭載領域におけるインナリード1は、さらに拡大
率を上げた平面図である第2図から理解されるよ
うに、例えば隣接するインナリードの先端部1a
および1bリードとは幅および先端位置が異なつ
ており、先端部1aは先端部1bよりも広幅とな
つている他、リードフレームのより中心側に位置
している。そして広幅となつた先端部には円形の
開口が設けられている。第3図aにはこの開口部
1cの断面が示されている。
このような構成を採用することにより、絶縁性
シートが搭載されたときは幅広部1aはリードフ
レームのより中心付近で広い面積部に亘つて絶縁
性シートを支え、また、開口部1cには絶縁性シ
ートを接着する際、粘着材が入り込んで絶縁性シ
ートの接着強度が向上する。
シートが搭載されたときは幅広部1aはリードフ
レームのより中心付近で広い面積部に亘つて絶縁
性シートを支え、また、開口部1cには絶縁性シ
ートを接着する際、粘着材が入り込んで絶縁性シ
ートの接着強度が向上する。
なお、絶縁シートとしては樹脂封止時の温度条
件である160〜180℃、1〜5分に耐える耐熱性、
および耐湿性に優れ、かつ樹脂封止後の熱膨張係
数がインナリード、ペレツトの熱膨張係数と近似
していることが必要であり、これらの条件を満足
する材料としてポリイミド樹脂シートが通常用い
られる。他の材料としてはエポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂を含侵させた紙等も用いることができ
る。
件である160〜180℃、1〜5分に耐える耐熱性、
および耐湿性に優れ、かつ樹脂封止後の熱膨張係
数がインナリード、ペレツトの熱膨張係数と近似
していることが必要であり、これらの条件を満足
する材料としてポリイミド樹脂シートが通常用い
られる。他の材料としてはエポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂を含侵させた紙等も用いることができ
る。
絶縁性シートの接着強度を向上させる方法とし
ては第3図bに示されたように表面をエツチング
液を用いてハーフエツチングによつて肉薄部1d
を設けるようにしてもよい。
ては第3図bに示されたように表面をエツチング
液を用いてハーフエツチングによつて肉薄部1d
を設けるようにしてもよい。
第4図は44ピンのクラツト・パツケージを用い
た本発明による効果を示すグラフであつて、曲線
Aは従来のリードフレームを用いた場合の絶縁性
シートの剥離強度、曲線Bは第1図に示したよう
な先端形状で開口部を有さないリードフレームを
用いた場合の絶縁性シートの剥離強度、曲線Cは
第5図aに示した開口部ををもリードフレームの
場合の剥離強度をそれぞれ示しており、本発明に
より接着強度が著しく増加していることが分か
る。
た本発明による効果を示すグラフであつて、曲線
Aは従来のリードフレームを用いた場合の絶縁性
シートの剥離強度、曲線Bは第1図に示したよう
な先端形状で開口部を有さないリードフレームを
用いた場合の絶縁性シートの剥離強度、曲線Cは
第5図aに示した開口部ををもリードフレームの
場合の剥離強度をそれぞれ示しており、本発明に
より接着強度が著しく増加していることが分か
る。
以上の実施例においては第3図aの開口部もし
くは第3図bのハーフエツチング部はリードフレ
ーム先端1ケ所であるが、複数個以上あつてもよ
い。
くは第3図bのハーフエツチング部はリードフレ
ーム先端1ケ所であるが、複数個以上あつてもよ
い。
また、以上の実施例においては広幅のリード先
端部は1本おきに設けられているが、2本以上お
いて設けても良く、リードフレーム内の場所によ
り広幅のリード先端部を設ける密度を変化させて
も良い。
端部は1本おきに設けられているが、2本以上お
いて設けても良く、リードフレーム内の場所によ
り広幅のリード先端部を設ける密度を変化させて
も良い。
以上実施例に基づいて詳細に説明したように、
本発明によれば、少なくとも1本置きのインナリ
ードの先端部に他のインナリード先端部幅よりも
幅広となつた幅広部が設けられ、この幅広部の先
端は他のインナリード先端部よりもリードフレー
ムの中心側に位置しており、幅広部に開口部また
は肉薄部が設けられているので、多数のインナリ
ードが設けられる場合でも幅広部が絶縁性シート
を安定かつ強固に支持することができ、多くの品
種を同一リードフレームで製造することができる
ため、経済性が向上する。
本発明によれば、少なくとも1本置きのインナリ
ードの先端部に他のインナリード先端部幅よりも
幅広となつた幅広部が設けられ、この幅広部の先
端は他のインナリード先端部よりもリードフレー
ムの中心側に位置しており、幅広部に開口部また
は肉薄部が設けられているので、多数のインナリ
ードが設けられる場合でも幅広部が絶縁性シート
を安定かつ強固に支持することができ、多くの品
種を同一リードフレームで製造することができる
ため、経済性が向上する。
第1図は本発明にかかる半導体装置に使用され
るリードフレームの中央部の拡大平面図、第2図
はそのインナリード先端部の拡大平面図、第3図
はインナリード先端部に設けられた接着強度増加
のために構造を示す断面図、第4図は本発明の効
果を示すグラフ、第5図は従来使用されているリ
ードフレームを示す平面図、第6図は第5図のリ
ードフレームを使用した半導体装置の構造を示す
断面図、第7図および第8図は従来のリードフレ
ームを用いた場合の問題点を示す断面図、第9図
は従来のベツドレス型のリードフレームを用いた
半導体装置の構造を示す断面図、第10図はベツ
ドレス型のリードフレームを用いて異なる大きさ
のペレツトを実装する様子を示す平面図、第11
図は従来のベツドレス型のリードフレームの中心
部を示す平面図である。 1,11a……インナリード、1a……幅広の
先端部、1b……先端部、1c……開口部、1d
……ハーフエツチング部、11c……ベツド部、
11d……アウタリード、12……ペレツト、1
3……ワイヤ、14……樹脂、15……リード、
16……絶縁性シート。
るリードフレームの中央部の拡大平面図、第2図
はそのインナリード先端部の拡大平面図、第3図
はインナリード先端部に設けられた接着強度増加
のために構造を示す断面図、第4図は本発明の効
果を示すグラフ、第5図は従来使用されているリ
ードフレームを示す平面図、第6図は第5図のリ
ードフレームを使用した半導体装置の構造を示す
断面図、第7図および第8図は従来のリードフレ
ームを用いた場合の問題点を示す断面図、第9図
は従来のベツドレス型のリードフレームを用いた
半導体装置の構造を示す断面図、第10図はベツ
ドレス型のリードフレームを用いて異なる大きさ
のペレツトを実装する様子を示す平面図、第11
図は従来のベツドレス型のリードフレームの中心
部を示す平面図である。 1,11a……インナリード、1a……幅広の
先端部、1b……先端部、1c……開口部、1d
……ハーフエツチング部、11c……ベツド部、
11d……アウタリード、12……ペレツト、1
3……ワイヤ、14……樹脂、15……リード、
16……絶縁性シート。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 リードフレームのペレツト設置部に略放射状
に配設されたインナリードと、このインナリード
先端部上面に粘着固定された絶縁性シートと、こ
の絶縁性シート上に搭載された半導体ペレツトと
を備えた半導体装置において、 少なくとも1本置きの前記インナリードの先端
部に、前記絶縁シートを安定支持するために他の
インナリード先端部幅よりも幅広となつた幅広部
を備え、この幅広部は前記他のインナリード先端
部よりもリードフレームの中心側に位置してお
り、かつ前記幅広部内に開口部を備えたことを特
徴とする半導体装置。 2 絶縁性シートがポリイミドよりなる特許請求
の範囲第1項に記載の半導体装置。 3 リードフレームのペレツト設置部に略放射状
に配設されたインナリードと、このインナリード
先端部上面に粘着固定された絶縁性シートと、こ
の絶縁性シート上に搭載された半導体ペレツトと
を備えた半導体装置において、 少なくとも1本置きの前記インナリードの先端
部に、前記絶縁シートを安定支持するために他の
インナリード先端部幅よりも幅広となつた幅広部
を備え、この幅広部は前記他のインナリード先端
部よりもリードフレームの中心側に位置してお
り、かつ前記幅広部内に前記粘着シート粘着面側
の材料が除去された肉薄部が設けられていること
を特徴とする半導体装置。 4 絶縁性シートがポリイミドよりなる特許請求
の範囲第3項に記載の半導体装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62319773A JPH01161743A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 半導体装置 |
KR1019880011136A KR910003543B1 (ko) | 1987-12-17 | 1988-08-31 | 반도체장치 |
US07/285,021 US4949160A (en) | 1987-12-17 | 1988-12-16 | Semiconductor device |
DE8888121234T DE3873500T2 (de) | 1987-12-17 | 1988-12-19 | Halbleiteranordnung mit einem leiterrahmen. |
EP88121234A EP0320997B1 (en) | 1987-12-17 | 1988-12-19 | Semiconductor device having a lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62319773A JPH01161743A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01161743A JPH01161743A (ja) | 1989-06-26 |
JPH0381308B2 true JPH0381308B2 (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=18114019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62319773A Granted JPH01161743A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4949160A (ja) |
EP (1) | EP0320997B1 (ja) |
JP (1) | JPH01161743A (ja) |
KR (1) | KR910003543B1 (ja) |
DE (1) | DE3873500T2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0405330A3 (en) * | 1989-06-29 | 1992-05-06 | Motorola, Inc. | Flagless leadframe, package and method |
JPH0395661U (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-30 | ||
US5168345A (en) * | 1990-08-15 | 1992-12-01 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device having a universal die size inner lead layout |
US5177032A (en) * | 1990-10-24 | 1993-01-05 | Micron Technology, Inc. | Method for attaching a semiconductor die to a leadframe using a thermoplastic covered carrier tape |
US5140404A (en) * | 1990-10-24 | 1992-08-18 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device manufactured by a method for attaching a semiconductor die to a leadframe using a thermoplastic covered carrier tape |
EP0588481A1 (en) * | 1992-08-17 | 1994-03-23 | American Microsystems, Incorporated | Bond pad layouts for integrated circuit semiconductor dies and forming methods |
TW276357B (ja) * | 1993-03-22 | 1996-05-21 | Motorola Inc | |
US5714792A (en) * | 1994-09-30 | 1998-02-03 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a reduced die support area and method for making the same |
JPH09199549A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-07-31 | Denso Corp | ワイヤボンディング方法 |
JPH09260575A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びリードフレーム |
US7598599B2 (en) * | 2006-03-09 | 2009-10-06 | Stats Chippac Ltd. | Semiconductor package system with substrate having different bondable heights at lead finger tips |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5640265A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-16 | Nec Corp | Lead frame for semiconductor device |
JPS59129451A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-25 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
JPS60106158A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-11 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS621239A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US4684975A (en) * | 1985-12-16 | 1987-08-04 | National Semiconductor Corporation | Molded semiconductor package having improved heat dissipation |
US4721993A (en) * | 1986-01-31 | 1988-01-26 | Olin Corporation | Interconnect tape for use in tape automated bonding |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP62319773A patent/JPH01161743A/ja active Granted
-
1988
- 1988-08-31 KR KR1019880011136A patent/KR910003543B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-12-16 US US07/285,021 patent/US4949160A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-12-19 DE DE8888121234T patent/DE3873500T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-12-19 EP EP88121234A patent/EP0320997B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4949160A (en) | 1990-08-14 |
DE3873500T2 (de) | 1993-02-11 |
JPH01161743A (ja) | 1989-06-26 |
KR910003543B1 (ko) | 1991-06-04 |
EP0320997A3 (en) | 1989-10-18 |
KR890011067A (ko) | 1989-08-12 |
DE3873500D1 (de) | 1992-09-10 |
EP0320997A2 (en) | 1989-06-21 |
EP0320997B1 (en) | 1992-08-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |