JP3545584B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、リードフレームを用いてそのタブ上に固定された半導体チップが樹脂で封止される半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えばメモリやマイクロプロセッサなどのＬＳＩ（大規模集積回路装置）で代表される半導体装置の一種として、樹脂封止型半導体装置が知られている。この樹脂封止型半導体装置は、複数のリードで囲まれたタブを有するリードフレームを用いて、そのタブ上に半導体チップを固定した後、この半導体チップのパッド電極とリードの先端部との間にワイヤを接続（ボンディング）して、半導体チップ、タブ、ワイヤおよびリードの先端部を樹脂で封止するようにしたものである。
【０００３】
すなわち、樹脂封止型半導体装置は、外部端子として働くリード（アウターリード）を除いて、全体がいわゆる樹脂製パッケージによって封止された構造を有している。このような、樹脂封止型半導体装置は、周知のトランスファモールド技術を利用することにより、大量生産が可能なので、製造コストが安いという利点があるため、多くの半導体装置に適用されている。
【０００４】
例えば、日経ＢＰ社発行、「ＶＬＳＩパッケージング技術（上）」、１９９３年５月３１日発行、第１５５〜第１６４頁には、上記樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレームおよび樹脂製パッケージに関する技術が開示されている。
【０００５】
その文献にも示されているように、リードフレームでは半導体チップが固定されるタブをその周辺から複数のタブ吊りリードによって支持しており、このタブ吊りリードはリードフレーム外枠部に接続されることで、機械的強度が確保されている。
【０００６】
タブ吊りリードは、タブを支持している状態で各製造工程を経て、製造工程の後半である樹脂封止工程の後で、リードフレーム外枠部からカットされて分離される。また、タブの周囲にはこれを囲むように複数のリードが配置されていて、それらリードは各リードと直交する方向に形成されているダムバーを介して、同様にリードフレーム外枠部に一体に接続されている。そして、製造工程の後半である樹脂封止工程の後で、ダムバーが切断されることにより、各リードは分離される。
【０００７】
そのようなリードフレームは、ＬＳＩの高集積化に伴ってリードが増加する傾向にあり、例えばマイクロプロセッサの製造に用いられるリードフレームでは、数１００本のリードを有するものも珍しくない。このように、リードの数が多くなると、各リードの幅および長さは必然的に微小化されるようになるので、強度が小さくなって変形し易くなる。
【０００８】
そのため、各リード及び各タブ吊りリードにまたがるようにテープ部材を張り付けて、各リードの変形防止を図ることが行われている。例えば、前記文献の第１５７頁にはそのようなテープ部材を張り付けたリードフレームが示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記したような従来技術では、製造工程の後半で行われるタブ吊りリードのカット時に、そのカットに基づいて種々の弊害が発生するという問題がある。
【００１０】
例えば、タブ吊りリードがリードフレーム外枠部に接続された状態でタブ吊りリードのカットが行われると、そのタブ吊りリードが樹脂製パッケージにストレスを与えるようになるので、その影響でパッケージ欠け、パッケージクラックなどが発生し易くなる。さらに、そのタブ吊りリードのカットの切り残しが生ずるので、カット作業のやり直しが必要になったり、外観不良が発生するなどの弊害が避けられなくなる。
【００１１】
また、従来技術では、樹脂封止後にカットされたタブ吊りリードの切り口がそのままパッケージから露出されているので、耐湿性の点で問題がある。さらに、リードフレームに形成されたタブ吊りリードは製造工程の後半の段階までそのまま残されているので、その分のスペースを占有していることになるため、リードパターンを配置する場合に、スペースの制約を受けるようになる。
【００１２】
本発明の目的は、タブ吊りリードがリードフレーム外枠部に接続されたリードフレームを用いて製造される半導体装置において、タブ吊りリードのカットに基づいて発生する種々の弊害を除去する技術を提供することにある。
【００１３】
また、本発明の目的は、タブ吊りリードがリードフレーム外枠部に接続されたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法において、製造工程の後半におけるタブ吊りリードのカットを不要にした技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１６】
（１）本発明の半導体装置は、複数のリードで囲まれたタブがその周辺を複数のタブ吊りリードによって支持され、前記タブ上に半導体チップが固定され、前記半導体チップの電極と前記複数のリードとは複数のワイヤで接続され、前記半導体チップ、タブ、複数のリードおよび複数のワイヤが樹脂製パッケージで封止されてなる半導体装置であって、
前記複数のタブ吊りリードのそれぞれは、前記樹脂製パッケージから露出しないように前記樹脂製パッケージ内に封止され、前記複数のタブ吊りリードおよび前記複数のリードは、前記樹脂製パッケージ内に前記樹脂製パッケージから露出しないように封止される共通のテープ部材により一体に結合されている。
【００１７】
（２）本発明の半導体装置は、（１）記載の半導体装置において、前記テープ部材は帯状であり、その長さ方向が前記タブ吊りリードおよび前記リードの長さ方向と交差するように張り付けられている。
【００１８】
（３）本発明の半導体装置は、（１）または（２）記載の半導体装置において、前記タブは前記リードよりも低い位置に配置されている。
【００１９】
（４）本発明の半導体装置は、（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体装置において、前記タブ上に半導体チップが固定されるとともに前記半導体チップのパッド電極と前記リードの先端部との間にワイヤが接続され、前記半導体チップ、前記タブ、前記ワイヤおよび前記リードの先端部が樹脂製パッケージで封止されている。
【００２０】
（５）本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）導電性板材をパターニングして、タブと、そのタブを周辺から支持していてリードフレーム外枠部に接続された四本のタブ吊りリードと、前記タブを囲むように前記四本のタブ吊りリードそれぞれの間に配置された複数のリードとを少なくとも有するリードフレームを形成する工程、（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記リードフレームの前記四本のタブ吊りリードおよび前記複数のリードに、連続する共通の枠状のテープ部材をその長さ方向が前記タブ吊りリードおよび前記リードの長さ方向と交差するように張り付けて、それらを前記共通の枠状のテープ部材により一体に結合する工程、（ｃ）前記リードフレームの前記四本のタブ吊りリードのそれぞれにおける前記枠状のテープ部材が張り付いた箇所から前記リードフレーム外枠部までの箇所を除去して前記リードフレーム外枠部から前記四本のタブ吊りリードのそれぞれを分離する工程、（ｄ）前記リードフレームの前記タブが前記リードよりも低い位置になるようにタブ下げする工程、（ｅ）前記（ｃ）、（ｄ）工程の後、前記タブ上に半導体チップを固定する工程、（ｆ）前記半導体チップのパッド電極と前記リードの先端部との間にワイヤを接続する工程、（ｇ）前記半導体チップ、前記タブ、前記ワイヤ、前記リードの先端部および前記四本のタブ吊りリードを樹脂製パッケージで封止する工程を含んでいる。
【００２１】
（６）本発明の半導体装置の製造方法は、（５）記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程における前記テープ部材による結合を、帯状のテープ部材を用いてその長さ方向が前記タブ吊りリードおよび前記リードの長さ方向と交差するように張り付けて行う。
【００２２】
（７）本発明の半導体装置の製造方法は、（６）記載の半導体装置の製造方法において、前記テープ部材の貼り付けを、前記タブ吊りリードおよび前記リードの表面または裏面に対して、もしくは両面に対して行う。
【００２３】
（８）本発明の半導体装置の製造方法は、（５）〜（７）記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程を、プレス法で行う。
【００２４】
（９）本発明の半導体装置の製造方法は、（５）〜（８）記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程を、プレス法で行う。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２６】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１である半導体装置を示す上面透視図、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【００２７】
例えばＦｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）系合金材料からなるタブ１は、その周辺が同一材料からなる例えば４つのタブ吊りリード２によって支持され、各タブ吊りリード２は、リードフレームの形成時にはリードフレーム外枠部３に接続されていたものが、分離された状態になっている。また、タブ１の周囲にはこれを囲むように同一材料からなる複数のリード４が配置されていて、それらリード４は各リード４と直交する方向に形成されているダムバー５を介して、同様にリードフレーム外枠部３に一体に接続されている。
【００２８】
タブ１はリード４よりも高さｈだけ低い位置に配置されており、いわゆるタブ下げが行われている。このタブ下げは、最近のように薄型化されたパッケージが要求されているＬＳＩにおいて、パッケージクラックを防止するための配慮である。すなわち、特に薄型化されたパッケージにおいては、完成したＬＳＩにリフローや、温度サイクル試験などにより熱を加えると、樹脂封止時にパッケージの内部に閉じ込められた水分が膨脹して、パッケージクラックが発生し易くなる。このパッケージクラックは、半導体チップを中心としたパッケージの上下領域のうち、特に体積が小さい領域側において発生し易くなっている。このため、半導体チップの上下の領域におけるパッケージの体積をほぼ等しくしてパッケージクラックの発生を防止すべく、タブ下げが行われている。
【００２９】
タブ吊りリード２およびリード４は、ポリイミドなどからなる帯状のテープ部材６が例えばその表面に張り付けられることにより一体に結合されている。テープ部材６はその長さ方向が、タブ吊りリード２およびリード４の長さ方向と交差するように張り付けられている。テープ部材６は、タブ吊りリード２およびリード４の裏面に、または両面に張り付けるようにしてもよい。
【００３０】
リード４はダムバー５の内側に配置されているインナーリード４ａと、ダムバー５の外側に配置されているアウターリード４ｂとが一体に接続されていて、アウターリード４ｂは外部端子として用いられる。図１では、説明を分かりやすくするために、ダムバー５を示しているが、実際の完成品においてはダムバー５は切断されて、各リード４間は電気的に絶縁されている。
【００３１】
ここで、タブ１、タブ吊りリード２、リードフレーム外枠部３、リード４およびダムバー５などは、例えばＦｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）系合金材料からなる導電性板材を用いて、エッチング法またはプレス法によってリードフレームをパターニングして形成する際に、同時に形成されるので、すべて同一の厚さになっている。この厚さ寸法は、一例として０．１２５ｍｍ程度の板材が用いられる。
【００３２】
タブ１上には例えば単結晶シリコンからなる半導体チップ７（厚さ寸法；２５０〜３３０μｍ程度）が例えばＡｇ（銀）ペーストなどの接着剤８（厚さ寸法；３０μｍ程度）を介して固定されている。タブ１の平面面積は半導体チップ７の面積よりも小さく形成されており、いわゆる小タブ構造になっている。半導体チップ７のパッド電極９とリード４の先端部であるインナーリード４ａとの間には、例えばＡｕ（金）線などからなるワイヤ１０が接続（ボンディング）されている。このワイヤ１０の最上端の高さは半導体チップ７の表面から２００μｍ程度に保たれている。
【００３３】
タブ１、タブ吊りリード２、リードフレーム外枠部３、リード４の先端部であるインナーリード４ａ、半導体チップ７およびワイヤ１０は、例えばエポキシ樹脂からなる厚さ１ｍｍ程度の樹脂製パッケージ１１によって封止されている。
【００３４】
このように、樹脂製パッケージ１１によって封止された構造において、４つのタブ吊りリード２はリードフレーム外枠部３から分離され、各タブ吊りリード２および各リード４は共通のテープ部材６により一体に結合されているので、樹脂封止後にタブ吊りリード２の切り口が従来のようにパッケージから露出されていない。従って、耐湿性を向上することができる。また、リードフレームに形成されたタブ吊りリード２は製造工程の後半の段階まで残っていないので、その分のスペースを占有することがない。従って、その空いた分のスペースを利用してリードパターンを配置することが可能になるため、スペースの制約を受けることがなくなる。
【００３５】
次に、上記のような構造を有する半導体装置の製造方法を図３〜図９を用いて説明する。
【００３６】
まず、図３に示すように、例えばＦｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）系合金材料からなる厚さ０．１２５ｍｍ程度の導電性板材１２を用意する。
【００３７】
次に、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、その導電性板材１２をエッチング法またはプレス法によりパターニングして、タブ１とそのタブ１を周辺から支持していてリードフレーム外枠部３に接続された４つのタブ吊りリード２と、タブ１を囲むインナーリード４ａとアウターリード４ｂとからなる複数のリード４とを少なくとも有するリードフレーム１３を形成する。ここで、タブ１の平面面積はその上に固定する半導体チップの面積より小さくなるように、例えばいわゆる小タブ構造に形成する。なお、図４〜図９において、（ａ）は図１におけるＡ−Ａ矢視断面図に対応した断面図、（ｂ）は図１におけるＢ−Ｂ矢視断面図に対応した断面図を示している。
【００３８】
次に、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、リードフレーム１３の４つのタブ吊りリード２および複数のリード４の例えば表面に、ポリイミドなどからなる帯状のテープ部材６を用いて、その長さ方向がタブ吊りリード２およびリード４の長さ方向と交差するように張り付けて一体に結合する。テープ部材６は、接着剤付きのテープ、またはテープと接着剤が別々になったものを用いることができる。また、テープ部材６の張り付けは、タブ吊りリード２およびリード４の裏面に対して、またはその両面に対して行ってもよい。
【００３９】
次に、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、例えばハーフプレス（コイニング）などのプレス法により、リードフレーム１３のリードフレーム外枠部３から４つのタブ吊りリード２をカットして分離する。このように、４つのタブ吊りリード２をリードフレーム外枠部３から分離しても、各タブ吊りリード２および各リード４はテープ部材６により一体に結合されているので、強度が確保されているため変形しない。なお、このタブ吊りリードのカット時、微細リードのように複数のインナーリードの先端部が一体に形成されているリードフレームにおいては、そのインナーリードの先端部のカットを同じに行うようにできる。
【００４０】
次に、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、例えばプレス法により、リードフレーム１３のタブ１を加工して、リード４の位置よりも低い位置にタブ下げを行う。タブ下げの量ｈは、後の樹脂封止工程において形成される樹脂製パッケージの、半導体チップの上下の領域におけるその体積がほぼ等しくなるように選ばれる。
【００４１】
次に、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、タブ１上に例えば単結晶シリコンからなる半導体チップ７（厚さ寸法；２５０〜３３０μｍ程度）を例えばＡｇ（銀）ペーストなどの接着剤８（厚さ寸法；３０μｍ程度）を介して固定する。
【００４２】
次に、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体チップ７のパッド電極９とリード４の先端部であるインナーリード４ａとの間に、例えばＡｕ（金）線などからなるワイヤ１０を接続（ボンディング）する。この場合、ワイヤ１０の最上端の高さは半導体チップ７の表面から２００μｍ程度に保たれるように制御される。これによって、ワイヤ１０の最上端が、後の樹脂封止工程において形成される樹脂製パッケージから外部に露出するのを防止している。
【００４３】
次に、リードフレーム１３をトランスファモールド法によって樹脂成形することにより、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、タブ１、タブ吊りリード２、リードフレーム外枠部３、リード４の先端部であるインナーリード４ａ、半導体チップ７およびワイヤ１０などを、例えばエポキシ樹脂からなる厚さ１ｍｍ程度の樹脂製パッケージ１１によって封止する。この樹脂成形の際、図１に示したように、各リード４間を結合するようにダムバー５が設けられていることにより、樹脂はそのダムバー５によって堰き止められるので、アウターリード４ｂには流れ込まない。続いて、ダムバー５を切断することにより、半導体装置が完成する。
【００４４】
本実施の形態によれば、樹脂製パッケージ１１によって封止された半導体装置において、４つのタブ吊りリード２はリードフレーム外枠部３から分離され、各タブ吊りリード２および各リード４は共通のテープ部材６により一体に結合されているので、樹脂封止後にタブ吊りリード２の切り口が従来のようにパッケージから露出されていない。従って、耐湿性を向上することができる。また、リードフレームに形成されたタブ吊りリード２は製造工程の後半の段階まで残っていないので、その分のスペースを占有することがない。従って、その空いた分のスペースを利用してリードパターンを配置することが可能になるため、スペースの制約を受けることがなくなる。
【００４５】
また、そのような半導体装置は、特別の製造工程を用いることなく、周知のエッチング法またはプレス法を利用することにより容易に製造できるので、コストアップを伴うことなく製造することができる。
【００４６】
また、そのような半導体装置の製造方法において、タブ吊りリード２のカットは製造工程の前半である樹脂封止工程の前に行われるので、そのタブ吊りリード２が樹脂製パッケージ１１にストレスを与えることはなくなるので、パッケージ欠け、パッケージクラックなどは発生しなくなる。さらに、そのタブ吊りリードのカットの切り残しが生ずることもなくなるので、カット作業のやり直しが必要になったり、外観不良が発生するなどの弊害も避けられる。
【００４７】
また、本実施の形態によれば、４つの全部のタブ吊りリード２がリードフレーム外枠部３から分離されて独立しているので、この独立したタブ１の部分だけをリード４とは異なる材料を用いたり、リード４とは異なる厚さにするなどの仕様変更を自由に行えるという効果が得られる。
【００４８】
さらに、パッケージの角となる部分にタブ吊りリードがないことにより、そのスペースを利用して樹脂封止時のモールドゲート構造の設計に自由度を持たせることができるようになる。
【００４９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、４つのタブ吊りリード２のうち１つのみをカットした例を示すもので、図１０および図１１（ａ）、（ｂ）を用いてその構造を説明する。
【００５０】
図１０は半導体装置を示す上面透視図、図１１（ａ）は図１０のＡ−Ａ矢視断面図、図１１（ｂ）は図１０のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【００５１】
すなわち、タブ１を周辺から支持している４つのタブ吊りリード２のうち、１つのタブ吊りリード２のみがカットされてリードフレーム外枠部３から分離されている。その他の構造は、実施の形態１と同様な構造になっている。
【００５２】
本実施の形態による半導体装置を製造するには、実施の形態１による半導体装置の製造方法における図６（ａ）、（ｂ）の工程において、リードフレーム１３のリードフレーム外枠部３から１つのタブ吊りリード２のみをカットして分離すればよい。このように、１つのタブ吊りリード２をリードフレーム外枠部３から分離しても、他の３つのタブ吊りリード２はそのままリードフレーム外枠部３に接続されており、また、各タブ吊りリード２および各リード４にはテープ部材６が張り付けされているので、十分な強度が確保されている。
【００５３】
本実施の形態によれば、実施の形態１と比較して１つのタブ吊りリード２のみがリードフレーム外枠部３から分離されている点が異なっているが、リードフレーム外枠部３から分離されたリードフレームが存在しているので、実施の形態１に準じた効果を得ることができる。
【００５４】
また、そのような半導体装置は、特別の製造工程を用いることなく、周知のエッチング法またはプレス法を利用することにより容易に製造できるので、コストアップを伴うことなく製造することができる。
【００５５】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５６】
例えば、リードフレーム外枠部から分離するタブ吊りリードの数は、前記実施の形態で示した例に限ることはない。
【００５８】
また、前記実施の形態で示した、タブまたはリードの材料、厚さ寸法などは一例を示したものであり、これに限らず例えばＣｕ（銅）またはＣｕ合金などの熱伝導性に優れた他の材料を用いることができる。さらに、厚さ寸法は樹脂製パッケージのサイズに応じて、変更することができる。
【００５９】
また、タブ上に固定する半導体チップは特定の素子に限ることなく、ＬＳＩチップ全般に適用することができる。
【００６０】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００６１】
（１）タブ吊りリードがリードフレーム外枠部に接続されたリードフレームを用いて製造される半導体装置において、タブ吊りリードのカットが不要となり、そのタブ吊りリードのカットに基づいて発生する種々の弊害を除去することができる。
【００６２】
（２）本発明の半導体装置によれば、上記（１）により、耐湿性を向上させることができる。
【００６３】
（３）タブ吊りリードがリードフレーム外枠部に接続されたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法において、製造工程の後半におけるタブ吊りリードのカットを不要にした技術を提供することができる。
【００６４】
（４）本発明の半導体装置の製造方法によれば、モールド時のワイヤストレスを低減させることができる。すなわち、タブ吊りリードがリードフレーム外枠部に接続されず、テープ部材によってリードと結合されていることにより、樹脂封止工程に際して、リードとタブとの変形方向が同一となるので、リードと半導体チップとを接続するボンディングワイヤに与える応力を緩和することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１である半導体装置を示す上面透視図である。
【図２】（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を示すもので、（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図に対応した断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図に対応した断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を示すもので、（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図に対応した断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図に対応した断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を示すもので、（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図に対応した断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図に対応した断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を示すもので、（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図に対応した断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図に対応した断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を示すもので、（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図に対応した断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図に対応した断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を示すもので、（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図に対応した断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図に対応した断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２である半導体装置を示す上面透視図である。
【図１１】本発明の実施の形態２である半導体装置の製造方法を示すもので、（ａ）は図１０のＡ−Ａ矢視断面図、（ｂ）は図１０のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【符号の説明】
１ タブ
２ タブ吊りリード
３ リードフレーム外枠部
４ リード
４ａ インナーリード
４ｂ アウターリード
５ ダムバー
６ テープ部材
７ 半導体チップ
８ 接着剤
９ パッド電極
１０ ワイヤ
１１ 樹脂製パッケージ
１２ 導電性板材
１３ リードフレーム
ｈ タブ下げ量
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、リードフレームを用いてそのタブ上に固定された半導体チップが樹脂で封止される半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えばメモリやマイクロプロセッサなどのＬＳＩ（大規模集積回路装置）で代表される半導体装置の一種として、樹脂封止型半導体装置が知られている。この樹脂封止型半導体装置は、複数のリードで囲まれたタブを有するリードフレームを用いて、そのタブ上に半導体チップを固定した後、この半導体チップのパッド電極とリードの先端部との間にワイヤを接続（ボンディング）して、半導体チップ、タブ、ワイヤおよびリードの先端部を樹脂で封止するようにしたものである。
【０００３】
すなわち、樹脂封止型半導体装置は、外部端子として働くリード（アウターリード）を除いて、全体がいわゆる樹脂製パッケージによって封止された構造を有している。このような、樹脂封止型半導体装置は、周知のトランスファモールド技術を利用することにより、大量生産が可能なので、製造コストが安いという利点があるため、多くの半導体装置に適用されている。
【０００４】
例えば、日経ＢＰ社発行、「ＶＬＳＩパッケージング技術（上）」、１９９３年５月３１日発行、第１５５〜第１６４頁には、上記樹脂封止型半導体装置に用いられるリードフレームおよび樹脂製パッケージに関する技術が開示されている。
【０００５】
その文献にも示されているように、リードフレームでは半導体チップが固定されるタブをその周辺から複数のタブ吊りリードによって支持しており、このタブ吊りリードはリードフレーム外枠部に接続されることで、機械的強度が確保されている。
【０００６】
タブ吊りリードは、タブを支持している状態で各製造工程を経て、製造工程の後半である樹脂封止工程の後で、リードフレーム外枠部からカットされて分離される。また、タブの周囲にはこれを囲むように複数のリードが配置されていて、それらリードは各リードと直交する方向に形成されているダムバーを介して、同様にリードフレーム外枠部に一体に接続されている。そして、製造工程の後半である樹脂封止工程の後で、ダムバーが切断されることにより、各リードは分離される。
【０００７】
そのようなリードフレームは、ＬＳＩの高集積化に伴ってリードが増加する傾向にあり、例えばマイクロプロセッサの製造に用いられるリードフレームでは、数１００本のリードを有するものも珍しくない。このように、リードの数が多くなると、各リードの幅および長さは必然的に微小化されるようになるので、強度が小さくなって変形し易くなる。
【０００８】
そのため、各リード及び各タブ吊りリードにまたがるようにテープ部材を張り付けて、各リードの変形防止を図ることが行われている。例えば、前記文献の第１５７頁にはそのようなテープ部材を張り付けたリードフレームが示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記したような従来技術では、製造工程の後半で行われるタブ吊りリードのカット時に、そのカットに基づいて種々の弊害が発生するという問題がある。
【００１０】
例えば、タブ吊りリードがリードフレーム外枠部に接続された状態でタブ吊りリードのカットが行われると、そのタブ吊りリードが樹脂製パッケージにストレスを与えるようになるので、その影響でパッケージ欠け、パッケージクラックなどが発生し易くなる。さらに、そのタブ吊りリードのカットの切り残しが生ずるので、カット作業のやり直しが必要になったり、外観不良が発生するなどの弊害が避けられなくなる。
【００１１】
また、従来技術では、樹脂封止後にカットされたタブ吊りリードの切り口がそのままパッケージから露出されているので、耐湿性の点で問題がある。さらに、リードフレームに形成されたタブ吊りリードは製造工程の後半の段階までそのまま残されているので、その分のスペースを占有していることになるため、リードパターンを配置する場合に、スペースの制約を受けるようになる。
【００１２】
本発明の目的は、タブ吊りリードがリードフレーム外枠部に接続されたリードフレームを用いて製造される半導体装置において、タブ吊りリードのカットに基づいて発生する種々の弊害を除去する技術を提供することにある。
【００１３】
また、本発明の目的は、タブ吊りリードがリードフレーム外枠部に接続されたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法において、製造工程の後半におけるタブ吊りリードのカットを不要にした技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１６】
（１）本発明の半導体装置は、複数のリードで囲まれたタブがその周辺を複数のタブ吊りリードによって支持され、前記タブ上に半導体チップが固定され、前記半導体チップの電極と前記複数のリードとは複数のワイヤで接続され、前記半導体チップ、タブ、複数のリードおよび複数のワイヤが樹脂製パッケージで封止されてなる半導体装置であって、
前記複数のタブ吊りリードのそれぞれは、前記樹脂製パッケージから露出しないように前記樹脂製パッケージ内に封止され、前記複数のタブ吊りリードおよび前記複数のリードは、前記樹脂製パッケージ内に前記樹脂製パッケージから露出しないように封止される共通のテープ部材により一体に結合されている。
【００１７】
（２）本発明の半導体装置は、（１）記載の半導体装置において、前記テープ部材は帯状であり、その長さ方向が前記タブ吊りリードおよび前記リードの長さ方向と交差するように張り付けられている。
【００１８】
（３）本発明の半導体装置は、（１）または（２）記載の半導体装置において、前記タブは前記リードよりも低い位置に配置されている。
【００１９】
（４）本発明の半導体装置は、（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体装置において、前記タブ上に半導体チップが固定されるとともに前記半導体チップのパッド電極と前記リードの先端部との間にワイヤが接続され、前記半導体チップ、前記タブ、前記ワイヤおよび前記リードの先端部が樹脂製パッケージで封止されている。
【００２０】
（５）本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）導電性板材をパターニングして、タブと、そのタブを周辺から支持していてリードフレーム外枠部に接続された四本のタブ吊りリードと、前記タブを囲むように前記四本のタブ吊りリードそれぞれの間に配置された複数のリードとを少なくとも有するリードフレームを形成する工程、（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記リードフレームの前記四本のタブ吊りリードおよび前記複数のリードに、連続する共通の枠状のテープ部材をその長さ方向が前記タブ吊りリードおよび前記リードの長さ方向と交差するように張り付けて、それらを前記共通の枠状のテープ部材により一体に結合する工程、（ｃ）前記リードフレームの前記四本のタブ吊りリードのそれぞれにおける前記枠状のテープ部材が張り付いた箇所から前記リードフレーム外枠部までの箇所を除去して前記リードフレーム外枠部から前記四本のタブ吊りリードのそれぞれを分離する工程、（ｄ）前記リードフレームの前記タブが前記リードよりも低い位置になるようにタブ下げする工程、（ｅ）前記（ｃ）、（ｄ）工程の後、前記タブ上に半導体チップを固定する工程、（ｆ）前記半導体チップのパッド電極と前記リードの先端部との間にワイヤを接続する工程、（ｇ）前記半導体チップ、前記タブ、前記ワイヤ、前記リードの先端部および前記四本のタブ吊りリードを樹脂製パッケージで封止する工程を含んでいる。
【００２１】
（６）本発明の半導体装置の製造方法は、（５）記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｂ）工程における前記テープ部材による結合を、帯状のテープ部材を用いてその長さ方向が前記タブ吊りリードおよび前記リードの長さ方向と交差するように張り付けて行う。
【００２２】
（７）本発明の半導体装置の製造方法は、（６）記載の半導体装置の製造方法において、前記テープ部材の貼り付けを、前記タブ吊りリードおよび前記リードの表面または裏面に対して、もしくは両面に対して行う。
【００２３】
（８）本発明の半導体装置の製造方法は、（５）〜（７）記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｃ）工程を、プレス法で行う。
【００２４】
（９）本発明の半導体装置の製造方法は、（５）〜（８）記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｄ）工程を、プレス法で行う。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２６】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１である半導体装置を示す上面透視図、図２（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【００２７】
例えばＦｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）系合金材料からなるタブ１は、その周辺が同一材料からなる例えば４つのタブ吊りリード２によって支持され、各タブ吊りリード２は、リードフレームの形成時にはリードフレーム外枠部３に接続されていたものが、分離された状態になっている。また、タブ１の周囲にはこれを囲むように同一材料からなる複数のリード４が配置されていて、それらリード４は各リード４と直交する方向に形成されているダムバー５を介して、同様にリードフレーム外枠部３に一体に接続されている。
【００２８】
タブ１はリード４よりも高さｈだけ低い位置に配置されており、いわゆるタブ下げが行われている。このタブ下げは、最近のように薄型化されたパッケージが要求されているＬＳＩにおいて、パッケージクラックを防止するための配慮である。すなわち、特に薄型化されたパッケージにおいては、完成したＬＳＩにリフローや、温度サイクル試験などにより熱を加えると、樹脂封止時にパッケージの内部に閉じ込められた水分が膨脹して、パッケージクラックが発生し易くなる。このパッケージクラックは、半導体チップを中心としたパッケージの上下領域のうち、特に体積が小さい領域側において発生し易くなっている。このため、半導体チップの上下の領域におけるパッケージの体積をほぼ等しくしてパッケージクラックの発生を防止すべく、タブ下げが行われている。
【００２９】
タブ吊りリード２およびリード４は、ポリイミドなどからなる帯状のテープ部材６が例えばその表面に張り付けられることにより一体に結合されている。テープ部材６はその長さ方向が、タブ吊りリード２およびリード４の長さ方向と交差するように張り付けられている。テープ部材６は、タブ吊りリード２およびリード４の裏面に、または両面に張り付けるようにしてもよい。
【００３０】
リード４はダムバー５の内側に配置されているインナーリード４ａと、ダムバー５の外側に配置されているアウターリード４ｂとが一体に接続されていて、アウターリード４ｂは外部端子として用いられる。図１では、説明を分かりやすくするために、ダムバー５を示しているが、実際の完成品においてはダムバー５は切断されて、各リード４間は電気的に絶縁されている。
【００３１】
ここで、タブ１、タブ吊りリード２、リードフレーム外枠部３、リード４およびダムバー５などは、例えばＦｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）系合金材料からなる導電性板材を用いて、エッチング法またはプレス法によってリードフレームをパターニングして形成する際に、同時に形成されるので、すべて同一の厚さになっている。この厚さ寸法は、一例として０．１２５ｍｍ程度の板材が用いられる。
【００３２】
タブ１上には例えば単結晶シリコンからなる半導体チップ７（厚さ寸法；２５０〜３３０μｍ程度）が例えばＡｇ（銀）ペーストなどの接着剤８（厚さ寸法；３０μｍ程度）を介して固定されている。タブ１の平面面積は半導体チップ７の面積よりも小さく形成されており、いわゆる小タブ構造になっている。半導体チップ７のパッド電極９とリード４の先端部であるインナーリード４ａとの間には、例えばＡｕ（金）線などからなるワイヤ１０が接続（ボンディング）されている。このワイヤ１０の最上端の高さは半導体チップ７の表面から２００μｍ程度に保たれている。
【００３３】
タブ１、タブ吊りリード２、リードフレーム外枠部３、リード４の先端部であるインナーリード４ａ、半導体チップ７およびワイヤ１０は、例えばエポキシ樹脂からなる厚さ１ｍｍ程度の樹脂製パッケージ１１によって封止されている。
【００３４】
このように、樹脂製パッケージ１１によって封止された構造において、４つのタブ吊りリード２はリードフレーム外枠部３から分離され、各タブ吊りリード２および各リード４は共通のテープ部材６により一体に結合されているので、樹脂封止後にタブ吊りリード２の切り口が従来のようにパッケージから露出されていない。従って、耐湿性を向上することができる。また、リードフレームに形成されたタブ吊りリード２は製造工程の後半の段階まで残っていないので、その分のスペースを占有することがない。従って、その空いた分のスペースを利用してリードパターンを配置することが可能になるため、スペースの制約を受けることがなくなる。
【００３５】
次に、上記のような構造を有する半導体装置の製造方法を図３〜図９を用いて説明する。
【００３６】
まず、図３に示すように、例えばＦｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）系合金材料からなる厚さ０．１２５ｍｍ程度の導電性板材１２を用意する。
【００３７】
次に、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、その導電性板材１２をエッチング法またはプレス法によりパターニングして、タブ１とそのタブ１を周辺から支持していてリードフレーム外枠部３に接続された４つのタブ吊りリード２と、タブ１を囲むインナーリード４ａとアウターリード４ｂとからなる複数のリード４とを少なくとも有するリードフレーム１３を形成する。ここで、タブ１の平面面積はその上に固定する半導体チップの面積より小さくなるように、例えばいわゆる小タブ構造に形成する。なお、図４〜図９において、（ａ）は図１におけるＡ−Ａ矢視断面図に対応した断面図、（ｂ）は図１におけるＢ−Ｂ矢視断面図に対応した断面図を示している。
【００３８】
次に、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、リードフレーム１３の４つのタブ吊りリード２および複数のリード４の例えば表面に、ポリイミドなどからなる帯状のテープ部材６を用いて、その長さ方向がタブ吊りリード２およびリード４の長さ方向と交差するように張り付けて一体に結合する。テープ部材６は、接着剤付きのテープ、またはテープと接着剤が別々になったものを用いることができる。また、テープ部材６の張り付けは、タブ吊りリード２およびリード４の裏面に対して、またはその両面に対して行ってもよい。
【００３９】
次に、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、例えばハーフプレス（コイニング）などのプレス法により、リードフレーム１３のリードフレーム外枠部３から４つのタブ吊りリード２をカットして分離する。このように、４つのタブ吊りリード２をリードフレーム外枠部３から分離しても、各タブ吊りリード２および各リード４はテープ部材６により一体に結合されているので、強度が確保されているため変形しない。なお、このタブ吊りリードのカット時、微細リードのように複数のインナーリードの先端部が一体に形成されているリードフレームにおいては、そのインナーリードの先端部のカットを同じに行うようにできる。
【００４０】
次に、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、例えばプレス法により、リードフレーム１３のタブ１を加工して、リード４の位置よりも低い位置にタブ下げを行う。タブ下げの量ｈは、後の樹脂封止工程において形成される樹脂製パッケージの、半導体チップの上下の領域におけるその体積がほぼ等しくなるように選ばれる。
【００４１】
次に、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、タブ１上に例えば単結晶シリコンからなる半導体チップ７（厚さ寸法；２５０〜３３０μｍ程度）を例えばＡｇ（銀）ペーストなどの接着剤８（厚さ寸法；３０μｍ程度）を介して固定する。
【００４２】
次に、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体チップ７のパッド電極９とリード４の先端部であるインナーリード４ａとの間に、例えばＡｕ（金）線などからなるワイヤ１０を接続（ボンディング）する。この場合、ワイヤ１０の最上端の高さは半導体チップ７の表面から２００μｍ程度に保たれるように制御される。これによって、ワイヤ１０の最上端が、後の樹脂封止工程において形成される樹脂製パッケージから外部に露出するのを防止している。
【００４３】
次に、リードフレーム１３をトランスファモールド法によって樹脂成形することにより、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、タブ１、タブ吊りリード２、リードフレーム外枠部３、リード４の先端部であるインナーリード４ａ、半導体チップ７およびワイヤ１０などを、例えばエポキシ樹脂からなる厚さ１ｍｍ程度の樹脂製パッケージ１１によって封止する。この樹脂成形の際、図１に示したように、各リード４間を結合するようにダムバー５が設けられていることにより、樹脂はそのダムバー５によって堰き止められるので、アウターリード４ｂには流れ込まない。続いて、ダムバー５を切断することにより、半導体装置が完成する。
【００４４】
本実施の形態によれば、樹脂製パッケージ１１によって封止された半導体装置において、４つのタブ吊りリード２はリードフレーム外枠部３から分離され、各タブ吊りリード２および各リード４は共通のテープ部材６により一体に結合されているので、樹脂封止後にタブ吊りリード２の切り口が従来のようにパッケージから露出されていない。従って、耐湿性を向上することができる。また、リードフレームに形成されたタブ吊りリード２は製造工程の後半の段階まで残っていないので、その分のスペースを占有することがない。従って、その空いた分のスペースを利用してリードパターンを配置することが可能になるため、スペースの制約を受けることがなくなる。
【００４５】
また、そのような半導体装置は、特別の製造工程を用いることなく、周知のエッチング法またはプレス法を利用することにより容易に製造できるので、コストアップを伴うことなく製造することができる。
【００４６】
また、そのような半導体装置の製造方法において、タブ吊りリード２のカットは製造工程の前半である樹脂封止工程の前に行われるので、そのタブ吊りリード２が樹脂製パッケージ１１にストレスを与えることはなくなるので、パッケージ欠け、パッケージクラックなどは発生しなくなる。さらに、そのタブ吊りリードのカットの切り残しが生ずることもなくなるので、カット作業のやり直しが必要になったり、外観不良が発生するなどの弊害も避けられる。
【００４７】
また、本実施の形態によれば、４つの全部のタブ吊りリード２がリードフレーム外枠部３から分離されて独立しているので、この独立したタブ１の部分だけをリード４とは異なる材料を用いたり、リード４とは異なる厚さにするなどの仕様変更を自由に行えるという効果が得られる。
【００４８】
さらに、パッケージの角となる部分にタブ吊りリードがないことにより、そのスペースを利用して樹脂封止時のモールドゲート構造の設計に自由度を持たせることができるようになる。
【００４９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、４つのタブ吊りリード２のうち１つのみをカットした例を示すもので、図１０および図１１（ａ）、（ｂ）を用いてその構造を説明する。
【００５０】
図１０は半導体装置を示す上面透視図、図１１（ａ）は図１０のＡ−Ａ矢視断面図、図１１（ｂ）は図１０のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【００５１】
すなわち、タブ１を周辺から支持している４つのタブ吊りリード２のうち、１つのタブ吊りリード２のみがカットされてリードフレーム外枠部３から分離されている。その他の構造は、実施の形態１と同様な構造になっている。
【００５２】
本実施の形態による半導体装置を製造するには、実施の形態１による半導体装置の製造方法における図６（ａ）、（ｂ）の工程において、リードフレーム１３のリードフレーム外枠部３から１つのタブ吊りリード２のみをカットして分離すればよい。このように、１つのタブ吊りリード２をリードフレーム外枠部３から分離しても、他の３つのタブ吊りリード２はそのままリードフレーム外枠部３に接続されており、また、各タブ吊りリード２および各リード４にはテープ部材６が張り付けされているので、十分な強度が確保されている。
【００５３】
本実施の形態によれば、実施の形態１と比較して１つのタブ吊りリード２のみがリードフレーム外枠部３から分離されている点が異なっているが、リードフレーム外枠部３から分離されたリードフレームが存在しているので、実施の形態１に準じた効果を得ることができる。
【００５４】
また、そのような半導体装置は、特別の製造工程を用いることなく、周知のエッチング法またはプレス法を利用することにより容易に製造できるので、コストアップを伴うことなく製造することができる。
【００５５】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５６】
例えば、リードフレーム外枠部から分離するタブ吊りリードの数は、前記実施の形態で示した例に限ることはない。
【００５８】
また、前記実施の形態で示した、タブまたはリードの材料、厚さ寸法などは一例を示したものであり、これに限らず例えばＣｕ（銅）またはＣｕ合金などの熱伝導性に優れた他の材料を用いることができる。さらに、厚さ寸法は樹脂製パッケージのサイズに応じて、変更することができる。
【００５９】
また、タブ上に固定する半導体チップは特定の素子に限ることなく、ＬＳＩチップ全般に適用することができる。
【００６０】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００６１】
（１）タブ吊りリードがリードフレーム外枠部に接続されたリードフレームを用いて製造される半導体装置において、タブ吊りリードのカットが不要となり、そのタブ吊りリードのカットに基づいて発生する種々の弊害を除去することができる。
【００６２】
（２）本発明の半導体装置によれば、上記（１）により、耐湿性を向上させることができる。
【００６３】
（３）タブ吊りリードがリードフレーム外枠部に接続されたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法において、製造工程の後半におけるタブ吊りリードのカットを不要にした技術を提供することができる。
【００６４】
（４）本発明の半導体装置の製造方法によれば、モールド時のワイヤストレスを低減させることができる。すなわち、タブ吊りリードがリードフレーム外枠部に接続されず、テープ部材によってリードと結合されていることにより、樹脂封止工程に際して、リードとタブとの変形方向が同一となるので、リードと半導体チップとを接続するボンディングワイヤに与える応力を緩和することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１である半導体装置を示す上面透視図である。
【図２】（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を示すもので、（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図に対応した断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図に対応した断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を示すもので、（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図に対応した断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図に対応した断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を示すもので、（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図に対応した断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図に対応した断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を示すもので、（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図に対応した断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図に対応した断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を示すもので、（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図に対応した断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図に対応した断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１である半導体装置の製造方法を示すもので、（ａ）は図１のＡ−Ａ矢視断面図に対応した断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ矢視断面図に対応した断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２である半導体装置を示す上面透視図である。
【図１１】本発明の実施の形態２である半導体装置の製造方法を示すもので、（ａ）は図１０のＡ−Ａ矢視断面図、（ｂ）は図１０のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【符号の説明】
１ タブ
２ タブ吊りリード
３ リードフレーム外枠部
４ リード
４ａ インナーリード
４ｂ アウターリード
５ ダムバー
６ テープ部材
７ 半導体チップ
８ 接着剤
９ パッド電極
１０ ワイヤ
１１ 樹脂製パッケージ
１２ 導電性板材
１３ リードフレーム
ｈ タブ下げ量
Claims (4)
- （ａ）導電性板材をパターニングして、タブと、そのタブを周辺から支持していてリードフレーム外枠部に接続された四本のタブ吊りリードと、前記タブを囲むように前記四本のタブ吊りリードそれぞれの間に配置された複数のリードとを少なくとも有するリードフレームを形成する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記リードフレームの前記四本のタブ吊りリードおよび前記複数のリードに、連続する共通の枠状のテープ部材をその長さ方向が前記タブ吊りリードおよび前記リードの長さ方向と交差するように張り付けて、それらを前記共通の枠状のテープ部材により一体に結合する工程、
（ｃ）前記リードフレームの前記四本のタブ吊りリードのそれぞれにおける前記枠状のテープ部材が張り付いた箇所から前記リードフレーム外枠部までの箇所を除去して前記リードフレーム外枠部から前記四本のタブ吊りリードのそれぞれを分離する工程、
（ｄ）前記リードフレームの前記タブが前記リードよりも低い位置になるようにタブ下げする工程、
（ｅ）前記（ｃ）、（ｄ）工程の後、前記タブ上に半導体チップを固定する工程、
（ｆ）前記半導体チップのパッド電極と前記リードの先端部との間にワイヤを接続する工程、
（ｇ）前記半導体チップ、前記タブ、前記ワイヤ、前記リードの先端部および前記四本のタブ吊りリードを樹脂製パッケージで封止する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記枠状のテープ部材の張り付けを、前記タブ吊りリードおよび前記リードの表面または裏面に対して、もしくは両面に対して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程を、プレス法で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記（ｄ）工程を、プレス法で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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